УТРАТИЛ СИЛУ - УКАЗ Президента РФ от 08.11.94 N 2070
ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
РАСПОРЯЖЕНИЕ
от 11 февраля 1994 г. N 74-рп
О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ОТДЕЛЬНЫХ ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ,
ТЕХНОЛОГИЙ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ,
КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ПРИ СОЗДАНИИ
ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ
1. Утвердить представленный Правительством Российской
Федерации Перечень отдельных видов сырья, материалов,
оборудования, технологий и научно-технической информации, которые
могут быть применены при создании вооружения и военной техники,
экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям
(прилагается).
2. Правительству Российской Федерации утвердить Положение о
порядке контроля за экспортом из Российской Федерации отдельных
видов сырья, материалов, оборудования, технологий и
научно-технической информации, которые могут быть применены, при
создании вооружения и военной техники.
3. Установить, что коды товарной номенклатуры
внешнеэкономической деятельности, указанные в части 1 прилагаемого
к настоящему распоряжению Перечня, в случае необходимости могут
уточняться Государственным таможенным комитетом Российской
Федерации по согласованию с Комиссией по экспортному контролю
Российской Федерации при Правительстве Российской Федерации.
4. Признать утратившим силу распоряжение Президента Российской
Федерации от 30 июля 1992 г. N 408-рп.
5. Настоящее распоряжение вступает в силу с момента его
подписания.
Президент
Российской Федерации
Б.ЕЛЬЦИН
Утвержден
распоряжением Президента
Российской Федерации
от 11 февраля 1994 г. N 74-рп
ПЕРЕЧЕНЬ
ОТДЕЛЬНЫХ ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ,
ТЕХНОЛОГИЙ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ,
КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ПРИ СОЗДАНИИ
ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ, ЭКСПОРТ
КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ И ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ
ПО ЛИЦЕНЗИЯМ
Часть I. Сырье, материалы и оборудование
-----------------T------------------------------------T----------¬
¦ ¦ ¦Код товар-¦
¦ ¦ ¦ной номен-¦
¦ Номер ¦ Наименование ¦клатуры ¦
¦ позиции ¦ ¦внешнеэко-¦
¦ ¦ ¦номической¦
¦ ¦ ¦деятель- ¦
¦ ¦ ¦ности ¦
+----------------+------------------------------------+----------+
¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦
L----------------+------------------------------------+-----------
Раздел I.1. Металлические сплавы, порошки для
металлических сплавов или сплавленных материалов
Примечания: 1. К металлическим
сплавам относятся те, которые
содержат больший процент (по массе)
указанного металла, чем других
элементов, за исключением сплавов,
содержащих 2 или более процентов
драгоценных металлов
2. Металлические сплавы, порошки
металлических сплавов или
сплавленные материалы,
предназначенные для покрытий,
экспортному контролю не подлежат
I.1.1. Алюминиды никеля или титана в виде
сырья или полуфабрикатов:
I.1.1.1. алюминиды никеля с содержанием 750220000
алюминия 10 или более процентов (по
массе);
I.1.1.2. алюминиды титана, содержащие 12 или 810810100
более процентов алюминия (по массе)
I.1.2. Металлические сплавы, изготовленные
из порошкового металлического сплава
или имеющие вкрапления материалов,
указанных в пунктах I.1.8. -
I.1.8.5.:
I.1.2.1. никелевые сплавы:
I.1.2.1.1. с пределом длительной прочности 550 750220000
МПа (55 кгс/кв. мм) при температуре
923 К (650 С) за 10000 ч и более;
I.1.2.1.2. с малоцикловой выносливостью при 750220000
максимальном напряжении 700 МПа (70
кгс/кв. мм) на базе 10000 циклов и
более при температуре 823 К (550 С)
I.1.2.2. ниобиевые сплавы:
I.1.2.2.1. с пределом длительной прочности 400 811291310;
МПа (40 кгс/кв. мм) при температуре 811299300
1073 К (800 С) за 10000 ч и более;
I.1.2.2.2. с малоцикловой выносливостью при 811291310;
максимальном напряжении 700 МПа (70 811299300
кгс/кв. мм) на базе 10000 циклов и
более при температуре 973 К (700 С)
I.1.2.3. титановые сплавы:
I.1.2.3.1. с пределом длительной прочности 200 810810100
МПа (20 кгс/кв. мм) при температуре
723 К (450 С) за 10000 ч и более;
I.1.2.3.2. с малоцикловой выносливостью при 810810100
максимальном напряжении 400 МПа (40
кгс/кв. мм) на базе 10000 циклов и
более при температуре 723 К (450 С)
I.1.2.4. алюминиевые сплавы с пределом
длительной прочности:
I.1.2.4.1. 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более при 760120
температуре 473 К (200 С);
I.1.2.4.2. 415 МПа (41,5 кгс/кв. мм) и более 760120
при температуре 298 К (25 С);
I.1.2.5. магниевые сплавы с пределом 8104
длительной прочности 240 МПа (24
кгс/кв. мм) и более и скоростью
коррозии менее 1 мм в год в
3-процентном водном растворе хлорида
натрия
I.1.3. Титановые сплавы (в том числе 810810100
вторичные) с пределом длительной
прочности свыше 1200 МПа (120
кгс/кв. мм) и пределом ползучести
свыше 150 МПа (15 кгс/кв. мм) при
температуре 873 К (600 С)
I.1.4. Алюминий-литиевые сплавы (в том
числе содержащие скандий) с
содержанием лития более 6%, скандия
более 3%:
I.1.4.1. системы алюминий-магний-литий 760120;
(скандий), обладающие в совокупности 760421000;
следующими характеристиками: 760429;
плотностью менее 2,47 г/куб. см; 760612;
модулем упругости более 78000 МПа 760692000
(7800 кгс/кв. мм);
удельной прочностью более 19 км;
I.1.4.2. системы алюминий-медь-магний-литий 760120;
(скандий), обладающие в совокупности 760421000;
следующими характеристиками: 760429;
плотностью менее 2,56 г/куб. см; 760612;
модулем упругости более 80000 МПа 760692000
(8000 кгс/кв. мм); удельной
прочностью более 19 км;
I.1.4.3. системы алюминий-медь-литий 760120;
(скандий), обладающие в совокупности 760421000;
следующими характеристиками: 760429;
плотностью менее 2,6 г/куб. см; 760612;
модулем упругости более 80000 МПа 760692000
(8000 кгс/кв. мм); удельной
прочностью более 22 км;
I.1.4.4. системы алюминий-литий (скандий), 760120;
обладающие в совокупности следующими 760421000;
характеристиками: плотностью менее 760429;
2,4 г/куб. см; модулем упругости 760612;
более 80000 МПа (8000 кгс/кв. мм); 760692000
удельной прочностью более 20 км;
I.1.5. Деформируемые магниевые сплавы (в 8104
том числе гранулированные) с
пределом длительной прочности более
350 МПа (35 кгс/кв. мм);
I.1.6. Литейные магниевые сплавы с пределом 8104
длительной прочности более 280 МПа
(28 кгс/кв. мм) при температуре
более 523 К (250 С);
I.1.7. Урано-титановые сплавы или 284410000;
вольфрамовые сплавы с матрицей на 810810100;
основе железа, никеля или меди: 810199000
с плотностью свыше 17,5 г/куб. см; с
пределом упругости свыше 1250 МПа
(125 кгс/кв. мм); с пределом
прочности на разрыв более 1270 МПа
(127 кгс/кв. мм); с относительным
удлинением свыше 8%;
Примечание. Урано-титановые
сплавы, содержащие более 0,7
весового процента изотопа
урана-235, могут рассматриваться к
экспорту при наличии разрешения на
деятельность по обращению с ядерными
материалами и радиоактивными
источниками ионизирующего излучения
I.1.8. Порошки металлических сплавов или
вводимые гранулы для материалов,
указанных в пунктах I.1.1.-
I.1.2.5., полученные в
контролируемой среде при помощи
одного из нижеследующих процессов:
распыление в вакууме;
газоструйное распыление;
центробежное распыление;
спиннингование;
расплавление с вращением и
кристаллизация;
экстракция расплава;
механическое легирование и
изготовленные и любой следующей
композиции:
I.1.8.1. никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 750400000
предназначенные для использования в
составе частей или компонентов
турбин двигателей, т.е. с менее чем
тремя неметаллическими частицами
(введенными в процессе производства)
крупнее 100 мкм в 10 частицах
сплава;
I.1.8.2. ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или 811291310;
Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, 811299300
Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);
I.1.8.3. титановые сплавы (Ti-Al-X или 810810100
Ti-X-Al);
I.1.8.4. алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или 7603
Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn,
Al-Fe-X или Al-X-Fe);
I.1.8.5. магниевые сплавы (Mg-Al-X или 810430000
Mg-X-Al)
Примечание. X в дальнейшем
служит показателем равенства
содержания в сплаве одного
или более составляющих элементов
(примесей)
I.1.9. Сплавленные материалы в виде 750300900;
неизмельченных гранул, стружки или 750400000;
тонких стержней, изготовляемых в 750512000;
контролируемой среде методом 760200100;
спиннингования, расплавления с 760320000;
вращением или экстракции расплава, 760429100;
используемых при производстве 810430000;
порошка для металлических сплавов 810490100;
или вводимых гранул, на которые 810810100;
наложены ограничения пунктами 810810900;
I.1.8.- I.1.8.5. 810890300;
811291310;
811291390;
811299300
I.1.10. Магнитные материалы всех типов и
любой формы:
I.1.10.1. материалы с начальной относительной 850511000;
магнитной проницаемостью 120000 или 850519;
более и толщиной 0,05 мм или менее 850519100;
850519900
Примечание. Замер начальной
относительной проницаемости должен
осуществляться на полностью
отожженных материалах
I.1.10.2. магнитострикционные сплавы:
I.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением 72069000
более 5x10Е-4;
I.1.10.2.2. с коэффициентом магнитомеханического 72069000
сцепления более 0,8
I.1.10.3. аморфная стружка сплава с составом 7206;
минимум 75% (по массе) железа, 750400000;
кобальта или никеля, магнитной 8105
индукцией насыщения не менее 1,6 Т,
толщиной стружки не более 0,02 мм и
удельным электрическим
сопротивлением не менее 2x10E-4
Ом/см
Раздел I.2. Полимеры, пластические массы, химические
волокна и нити, каучуки и изделия из них
I.2.1. Полимерные вещества
I.2.1.1. Бисмалеимид 292519900
I.2.1.2. Соль СГ 292122000
(гексаметилендиаминсебацинат)
I.2.1.3. Полиамид-12 390810000
I.2.1.4. Диангидрид 291739900
дифенилоксидтетракарбоновой кислоты
I.2.1.5. Арилоксы с термостойкостью выше 573 390720900
К (300 С)
I.2.1.6. Полипараксилилен 391190900
I.2.1.7. Полиимиды, кроме: 390930000
смол марок - ПАИС, БФДИ, БПИ;
лаков марок - АД-9103, АД-9103ПС;
АД-9103ИС; связующего марки СП-97
I.2.1.8. Ароматические полиамид-имиды 390890000
I.2.1.9. Полибензимидазолы и материалы на их 391190900
основе
I.2.1.10. Ароматические полибензотиазолы и 391190900
материалы на их основе
I.2.1.11. Ароматические полиоксадиазолы и 391190900
материалы на их основе с
термостойкостью выше 573 К (300 С)
I.2.1.12. Ароматические полихиноксалины и 391190900
материалы на их основе
I.2.1.13. Ароматические полиэфиримиды, имеющие 390720900;
температуру стеклования более 503 К 390791900
(230 С)
Примечание. Неплавкие порошки
для формообразования под давлением
или подготовки форм, изготовленные
из материалов, указанных в пунктах
I.2.1.1., I.2.1.3., I.2.1.7.,
I.2.1.8., I.2.1.13., экспортному
контролю не подлежат
I.2.1.14. Изделия из нефторированных
полимерных веществ, указанных в
пунктах I.2.1.5. - I.2.1.10.,
I.2.1.13., в виде пленки, листа,
ленты или полосы:
I.2.1.14.1. при толщине свыше 0,254 мм; 391990900
I.2.1.14.2. покрытые углеродом, графитом, 392099900
металлами или магнитными веществами
I.2.1.15. Термопластические 390791900
жидкокристаллические сополимеры,
имеющие температуру тепловой
деформации более 523 К (250 С),
измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв.
мм, и образованные сочетанием:
пара-фенилена, пара-пара-бифенилена
или 2,6 нафталина;
метила, третичного бутила или
фенил-замещенного фенилена,
бифенилена или нафталина с любой из
следующих кислот: терефталевой
кислотой;
6-гидрокси-2 нафтойной кислотой;
4-гидроксибензойной кислотой
I.2.1.16. Полиариленовые эфирные кетоны;
I.2.1.16.1. полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); 390791900
I.2.1.16.2. полиэфирокетон-кетон (ПЭКК); 390791900
I.2.1.16.3. полиэфирокетон (ПЭК); 390791900
I.2.1.16.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетон 380791900
(ПЭКЭКК);
I.2.1.17. Полиариленовые кетоны 390799000
I.2.1.18. Полиариленовые сульфиды, где
ариленовая группа представляет собой
бифенилен, трифенилен или их
комбинации
I.2.1.19. Полибифениленэфирсульфон 391190900
I.2.1.20. Материалы-полуфабрикаты (т.е.
полимерные или металлоорганические
материалы специализированного
назначения):
I.2.1.20.1. полидиорганосиланы (для производства 391000000
карбида кремния);
I.2.1.20.2. полисилазаны (для производства 391000000
нитрида кремния);
I.2.1.20.3. поликарбосилазаны (для производства 391000000
керамики с кремниевыми, углеродными
или азотными компонентами)
I.2.2. Фторсодержащие вещества
I.2.2.1. Необработанные соединения фтора:
I.2.2.1.1. сополимеры винилиденфторида, 390469000
содержащие 75% или более
бета-кристаллической структуры,
полученной без вытягивания;
I.2.2.1.2. фтористые полимииды, содержащие 30% 390469000
или более связанного фтора;
I.2.2.1.3. фтористые фосфазеновые эластомеры, 390469000
содержащие 30% или более связанного
фтора
I.2.2.2. Уплотнения, прокладки, 391990900
уплотнительные материалы или
трубчатые (пустотелые) уплотнения,
предназначенные для применения в
авиационной промышленности или
аэрокосмической технике и
изготовленные более чем на 50% из
любого материала, указанного в
пунктах I.2.2.1.2. и I.2.2.1.3.
I.2.2.3. Уплотнения, прокладки, седла 391990900
клапанов, трубчатые уплотнения или
диафрагмы, изготовленные из
фторэластомеров, содержащих по
крайней мере один виниловый мономер,
специально предназначенные для
авиационной, аэрокосмической и
ракетной техники
I.2.2.4. Пьезоэлектрические полимеры и 390799000
сополимеры, изготовленные из
фтористого винилидена в виде пленки
или листа толщиной более 200 мкм
I.2.3. Электропроводные полимерные
материалы с удельной электрической
проводимостью свыше 10 сименс/м или
поверхностным сопротивлением менее
10 Ом/кв. м, выполненные на основе
следующих полимеров:
I.2.3.1. полианилина; 390930000
I.2.3.2. полипиррола; 391190900
I.2.3.3. политиофена; 391190900
I.2.3.4. полифенилен-винилена; 391190900
I.2.3.5. политиофенилен-винилена 391190900
I.2.4. Материалы углеродные из 550130000;
полиакрилонитриловых волокон с 551521900
характеристиками по совокупности:
прочность при растяжении более 350
кгс/кв. мм, модуль упругости более
35000 кгс/кв. мм
I.2.5. Волокно, нити, жгуты органические 551512900
типа СВМ, ткани из них 540239900;
550190000;
550251110;
550310110;
550310900
I.2.6. Волокно и нити комплексные "АРИМИД", 540239900;
ткани из них 550310110;
551512900
I.2.7. Волокнистые или нитевидные материалы
на основе:
I.2.7.1. полиэфиримидов, указанных в пункте 540249990;
I.2.1.13.; 550190000;
550390900
I.2.7.2. материалов, указанных в пунктах 540224990;
I.2.1.- I.2.1.19. 550190900;
550390900
I.2.8. Каучуки фторсилоксановые, 400299900
работоспособные при температурах
ниже 213 К (-60 С) и выше 473 К (200
С)
I.2.9. Герметики на основе жидкого тиокола, 400299900;
работоспособные при температурах 400599000
ниже 213 К (-60 С) и выше 423 К (150
С)
I.2.10. Герметики кремнийорганические, 400299900;
работоспособные при температурах 400599000
ниже 213 К (-60 С) и выше 523 К (250
С)
Раздел I.3. Композиционные и керамические материалы
I.3.1. Нитевидные кристаллы и непрерывные 284920000
волокна карбида кремния
I.3.2. Нитевидные кристаллы и непрерывные 281820000
волокна оксида алюминия
I.3.3. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, материалы типа композит с
керамической матрицей, а также их
полуфабрикаты
I.3.3.1. Основные материалы из простых или 285000900
сложных боридов титана, имеющие
металлические примеси (кроме
специальных добавок), на уровне
менее 5000 частиц на миллион, при
среднем размере частицы, равном или
меньшем 5 мкм (при этом не более 10%
частиц с размером более 10 мкм)
I.3.3.2. Некомпозиционные керамические 285000900
материалы в виде сырых
полуфабрикатов (кроме абразивов) на
основе боридов титана с плотностью
98% или более от теоретического
значения
I.3.4. Трехмерно-армированные 380190000
углерод-углеродные материалы типа
КИМФ с повышенной эрозионной
стойкостью, характеризующейся
скоростью уноса массы менее 3 мм/с
при температуре 3773 К (3500 С) и
выше и давлении 150 атм и выше
I.3.5. Объемно-армированные 380190000
углерод-углеродные материалы типа
"ЗАРЯ" с повышенной эрозионной
стойкостью, характеризующейся
скоростью уноса массы менее 0,05
мм/с при температуре 3773 К (3500
С) и выше и давлении 150 атм и выше
I.3.6. Пенопласт с микросферами для 392190900
применения под водой на морских
глубинах более 1000 м и плотностью
менее 561 кг/куб. м
Примечание. Пенопласт с
микросферами включает полые сферы
из пластика или стекла, залитые
резиновой матрицей
I.3.7. Бор кристаллический и аморфный с 280450100
содержанием основного вещества не
менее 99,5%
Раздел I.4. Жидкости и смазочные материалы
I.4.1. Гидравлические жидкости, содержащие
в качестве основных составляющих
любые из следующих веществ или
материалов:
I.4.1.1. синтетические углеводородные масла 381900000;
или кремний-углеводородные масла: 290919000;
с точкой возгорания свыше 477 К 391000000
(204 С); с точкой застывания 239 К
(-34 С) или ниже;
с коэффициентом вязкости 75 или
более; с термостабильностью при 616
К (343 С)
Примечание. Указанные в пункте
I.4.1.1. кремний-углеводородные
масла содержат исключительно
кремний, водород и углерод
I.4.1.2. хлоро-фторуглероды: 381900000;
с температурой самовоспламенения 382390960
свыше 977 К (704 С);
с точкой застывания 219 К (-54 С);
с коэффициентом вязкости 80 или
более;
с точкой кипения 473 К (200 С) или
более
Примечание. Указанные в пункте
I.4.1.2. хлоро-фторуглероды содержат
исключительно хлор, фтор и углерод
I.4.2. Смазочные материалы, содержащие в
качестве основных составляющих
следующие вещества и материалы:
I.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые 290930900;
эфиры или тиоэфиры или их смеси, 293090800
содержащие более двух эфирных или
тиоэфирных функций или смесей;
I.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие 391000000
жидкости, характеризуемые
кинематической вязкостью менее 5000
кв. мм/с (5000 сантистоксов) при
температуре 298 К (25 С)
I.4.3. Увлажняющие или флотирующие жидкости
с показателем чистоты более 99,8%,
содержащие менее 25 частиц размером
200 мкм или более на 100 мл и
изготовленные по меньшей мере на 85%
из следующих веществ и материалов:
I.4.3.1. дибромтетрафторэтана; 290340800
I.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только 390469000
маслянистых и воскообразных
модификаций);
I.4.3.3. полибромтрифторэтилена 390469000
Раздел I.5. Фармацевтические препараты
I.5.1. Препараты группы холинэстераз для 382200000
определения фосфорорганических ОВ
Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для
производства изделий электронной техники и оптики
I.6.1. Эпитаксиальные структуры кремния на 38100100
сапфире (КНС) для КМОП интегральных
схем
I.6.2. Арсенид галлия монокристаллический 284290900;
нелегированный в слитках и пластинах 381800900
диаметром 100 мм и более с удельным
сопротивлением более 10E8 Ом/см и
плотностью дислокаций менее
10E2-10E3 1/кв. см для производства
сверхскоростных интегральных схем
(ССИС)
I.6.3. Эпитаксиальные структуры германия на 381800900
подложке
I.6.4. Эпитаксиальные структуры соединений 381800900
А3В5
I.6.5. Монокристаллы тройных соединений 381800900;
кадмий-ртуть-теллур (КРТ) любой 284290100;
чистоты, включая эпитаксиальные 284290900
пластины
I.6.6. Порошки ферритовые марганец-цинковые 720529000;
811100110
I.6.7. Горный хрусталь первого сорта 710310000
I.6.8. Материалы для оптических датчиков
I.6.8.1. Элементарный теллур (Te) чистотой, 280450900
равной или более 99,9995%
I.6.8.2. Монокристаллы теллурида кадмия 381800900
(CdTe) любой чистоты, включая
эпитаксиальные пластины
I.6.8.3. Заготовки оптических волокон, 701990990
специально предназначенные для
производства волокон с высоким
двулучепреломлением, использующихся
в оптоволоконных датчиках, указанных
пункте I.12.2.5.2.
I.6.9. Оптические материалы
I.6.9.1. Селенид цинка (ZnSe) и сульфид цинка 284290100;
(ZnS) в виде пластин-подложек, 283020000
изготовляемых химическим осаждением
паров, объемом более 100 куб. см или
диаметром более 80 мм при толщине,
равной или более 20 мм
I.6.9.2. Слитки следующих электрооптических
материалов:
I.6.9.2.1. арсенид титаната калия (КТА); 284290900
I.6.9.2.2. смешанный селенид серебра и галлия 284290100
(Ag aSe2);
I.6.9.2.3. смешанный селенид таллия и мышьяка 284290100
(Tl3AsSl3), также известный как ТАS
I.6.9.3. Нелинейные оптические материалы, 702000900
имеющие восприимчивость третьего
порядка (3), равную или меньшую 1
Вт/кв. м, время отклика менее 1 мс
I.6.9.4. Пластинчатые подложки карбида 284920000;
кремния или осажденных материалов 811219000
бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше 300
мм в диаметре или длины наибольшей
оси
I.6.9.5. Материалы с малым оптическим
поглощением
I.6.9.5.1. сложные соединения фтора, содержащие 282690900;
ингредиенты с чистотой 99,999% или 702000900
более
Примечание. По пункту I.6.9.5.1.
подлежат экспортному контролю только
фториды циркония или алюминия и
подобные соединения
I.6.9.5.2. объемные фторсодержащие стекла из 700100910;
соединений, указанных в пункте 700100990;
I.6.9.5.1. 702000900
I.6.9.6. Стекло, содержащее расплавы кремния, 700100900;
стекло из фосфатов, фторфосфатов, 702000900
фторида циркония (Zr4) и фторида
гафния (Hf4) с концентрацией
гидроксильных ионов (OH-) менее 5
промилле, интегральными уровнями
чистоты металлов менее 1 промилле,
высокой однородностью (вариацией
показателя преломления менее
5x10E-6)
I.6.9.7. Синтетический алмазный материал с 710490000;
поглощением менее 10E-5 см на длине 710510000
волны свыше 200 нм, но не более
14000 нм
I.6.9.8. Оптоволоконные заготовки, 701910590
изготовленные из объемных соединений
фторидов, содержащих ингредиенты с
чистотой 99,999% или более,
специально разработанные для
производства фторидных волокон,
указанных в пункте I.12.5.4.
I.6.10. Кристаллические основы лазеров в
необработанном виде:
I.6.10.1. сапфир с имплантированным титаном; 710310000
I.6.10.2. александрит 710310000
I.6.11. Материалы резистов и подложки,
покрытые резистами
I.6.11.1. Позитивные резисты со спектральной 854140990
чувствительностью, оптимизированной
на излучение с длиной волны менее
370 нм
I.6.11.2. Все резисты, используемые для 854140990
экспонирования электронными или
ионными пучками, с чувствительностью
не хуже 0,01 мкКл/кв. мм
I.6.11.3. Все резисты, используемые для 854140990
экспонирования рентгеновскими
лучами, с чувствительностью не хуже
2,5 мДж/кв. мм
I.6.11.4. Все резисты, оптимизированные под 854140990
технологию формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Примечание. Методы силицирования
- это процессы, включающие
оксидирование поверхности резиста
для повышения качества мокрого
и сухого проявления
I.6.12. Металлорганические соединения 293100900
алюминия, галлия или индия, имеющие
чистоту металлической основы более
99,999%
I.6.13. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 285000100
имеющие чистоту более 99,999%, даже
после разбавления нейтральными
газами
Примечание. Гидриды, содержащие
20 и более мольных процентов
инертных газов или водорода, не
подлежат экспортному контролю по
пункту I.6.13.
I.6.14. Заготовки стекла или любых других 702000900
материалов, оптимизированных для
производства оптических волокон,
указанных в пунктах I.12.5. -
I.12.5.4.
Раздел I.7. Электротехнические материалы и изделия
I.7.1. Сверхпроводящие композитные
материалы длиной более 100 м или
массой, превышающей 100 г
I.7.1.1. Многожильные сверхпроводящие
композитные материалы, содержащие
одну ниобиевую нить или более:
I.7.1.1.1. уложенные в матрицу не из меди или 811299300;
не на основе медьсодержащего 854419900
материала;
I.7.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 811299300;
0,28x10E-4 кв. мм (6 мкм в диаметре 854419900
в случае нитей круглого сечения)
I.7.1.2. Сверхпроводящие композитные 811299300;
материалы не из ниобий-титана, 854419900
содержащие одну или более
сверхпроводящих нитей:
с критической температурой при
нулевой магнитной индукции,
превышающей 9,85 К (-263,31 С), но
не ниже 24 К (-249,16 С);
с площадью поперечного сечения менее
0,28x10E-4 кв. мм, которые остаются
в состоянии сверхпроводимости при
температуре 4,2 К (-268,96 С),
находясь в магнитном поле с
магнитной индукцией 12 Т
I.7.2. Батареи
Примечание. Батареи с объемом
26 куб. см и меньше (например,
стандартные угольные элементы) не
подлежат экспортному контролю
I.7.2.1. Первичные элементы и батареи с 850619900
плотностью энергии свыше 350 Вт х
ч/кг, пригодные по техническим
условиям для работы в диапазоне
температур от 243 К (-30 С) и ниже,
до 343 К (70 С) и выше
I.7.2.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с 850619900
плотностью энергии свыше 150 Вт x
ч/кг после 75 циклов заряда -
разряда при токе разряда, равном С/5
ч (здесь С - это номинальная емкость
в А x ч), и при работе в диапазоне
температур от 253 К (-20 С) и ниже
до 333 К (60 С) и выше
Примечание. Плотность энергии
рассчитывается умножением средней
мощности в ваттах (произведение
среднего напряжения в вольтах на
средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах,
при котором напряжение на
разомкнутых клеммах падает до 75% от
номинала, и делением этого
произведения на общую массу элемента
(или батареи) в килограммах
I.7.2.3. Радиационно-стойкие батареи на 850619900
фотоэлектрических элементах с
удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.
м при рабочей температуре 301 К (28
С) и вольфрамовом источнике,
нагретом до 2800 К (2527 С) и
создающем энергетическую
освещенность 1 кВт/кв. м, пригодные
по техническим условиям для
космического применения
I.7.3. Накопители энергии
I.7.3.1. Накопители энергии с частотой 850619900;
повторения менее 10 Гц (одноразовые 850780900
накопители, имеющие номинальное
напряжение не менее 5 кВ, плотность
энергии не менее 250 Дж/кг и общую
энергию не менее 25 кДж
I.7.3.2. Накопители энергии с частотой 850619900;
повторения 10 Гц и больше 850780900
(многоразовые накопители), имеющие
номинальное напряжение не менее 5
кВ, плотность энергии не менее 50
Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж
и количество циклов заряда-разряда
не менее 10000
I.7.3.3. Схемы или системы для накопления 850780900;
электромагнитной энергии, содержащие 854380900
компоненты из сверхпроводящих
материалов, специально
спроектированных для работы при
температурах ниже критической
температуры с хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих,
имеющие рабочие резонансные частоты
свыше 1 МГц, плотность запасаемой
энергии не менее 1 МДж/куб. м и
время разряда менее 1 мс
I.7.4. Сверхпроводящие электромагниты или 850519900
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд или
разряд менее чем за минуту, имеющие
максимальную энергию в разряде,
деленную на длительность разряда
свыше 500 кДж/мин, внутренний
диаметр токопроводящих обмоток свыше
250 мм и номинальную магнитную
индукцию свыше 8 Т или суммарную
плотность тока в обмотке больше 300
А/кв. мм
Примечание. Сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально спроектированные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии, не
подлежат экспортному контролю по
пункту I.7.4.
I.7.5. Рентгеновские системы с 902219000
короткоимпульсным разрядом, имеющие
пиковую мощность, превышающую 500
МВт, выходное напряжение,
превышающее 500 кВ, и ширину
импульса менее 0,2 мкс
Раздел I.8. Функциональное оборудование, узлы и детали
I.8.1. Антифрикционные подшипники или
системы подшипников и их компоненты
Примечание. Шарикоподшипники с
допусками, устанавливаемыми
производителями в соответствии со
стандартом ИСО 3290 класс 5 или
хуже, экспортному контролю не
подлежат
I.8.1.1. Шариковые или твердороликовые
подшипники (кроме конических
роликовых подшипников), имеющие
допуски, устанавливаемые
производителем в соответствии со
стандартом ИСО класс 4 или лучше и
любую из следующих характеристик:
I.8.1.1.1. кольца, шарики или ролики из 848210900;
медно-никелевого сплава или 848250000
бериллия;
I.8.1.1.2. изготовленные для применения при 848210900;
рабочих температурах выше 573 К 848250000
(300 С) либо с применением
специальных материалов или
специальной тепловой обработки;
I.8.1.1.3. с элементом смазки или компонентом, 848210900;
модифицирующим этот элемент, который 848250000
в соответствии со спецификацией
изготовителя специально
спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях,
соответствующих значению КСВ более
2,3x10E6
Примечания: 1. КСВ - это
произведение внутреннего диаметра
(калибра) подшипника, измеряемого
в миллиметрах, на скорость его
вращения, измеряемую в оборотах в
минуту
2. Рабочие температуры соответствуют
температурам после остановки
газотурбинного двигателя
I.8.1.2. Другие шариковые или роликовые 848280000
подшипники (кроме конических
роликовых подшипников), имеющие
допуски, устанавливаемые
производителем в соответствии со
стандартом ИСО класс 2 или лучше
I.8.1.3. Конические роликовые подшипники,
имеющие любую из следующих
характеристик:
I.8.1.3.1. с элементом смазки или компонентом, 848220000
модифицирующим этот элемент, который
в соответствии со спецификацией
изготовителя специально
спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях,
соответствующих значению КСВ более
2,3x10E6;
I.8.1.3.2. изготовленные для применения при 848220000
рабочих температурах ниже 219 К (-54
С) или выше 423 К (150 С)
I.8.1.4. Тонкостенные подшипники с газовой 848330900
смазкой, изготовленные для
применения при рабочих температурах
561 К (288 С) или выше и со
способностью выдерживать единичную
нагрузку, превышающую 1 МПа
I.8.1.5. Активные магнитные подшипниковые 848330100
системы
I.8.1.6. Серийно изготавливаемые 848330900
самоцентрирующиеся или серийно
изготавливаемые и устанавливаемые на
шейку вала подшипники скольжения,
изготовленные для использования при
рабочих температурах ниже 219 К
(-54 С) или выше 423 К (150 С)
Раздел I.9. Производственное оборудование,
оснастка и приспособления
I.9.1. Инструмент, пресс-формы, матрицы или
арматура для сверхпластического
деформирования (СД) или
термодиффузионного сращивания (ДС) и
совмещенного метода обработки (СДДС)
титана, алюминия или их сплавов,
специально предназначенных для
производства:
I.9.1.1. корпусов самолетов или 820730100
аэрокосмических конструкций;
I.9.1.2. двигателей для самолетов или 820730100
аэрокосмических аппаратов;
I.9.1.3. компонентов, специально 820730100
предназначенных для таких
конструкций или двигателей
I.9.2. Универсальные станки (без
программного управления) для
получения оптически качественных
поверхностей:
I.9.2.1. токарные станки, использующие 845899900
единственную точку фрезерования и
обладающие всеми нижеследующими
характеристиками:
точность положения суппорта меньше
(лучше) чем 0,0005 мм на 300 мм
перемещения;
повторяемость двунаправленного
положения суппорта меньше (лучше)
чем 0,00025 мм на 300 мм
перемещения;
биение и эксцентриситет шпинделя
меньше (лучше) чем 0,0004 мм по
индикатору общего считывания;
угловая девиация движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) чем 2
дуговые секунды по индикатору общего
считывания на полном перемещении;
перпендикулярность суппорта меньше
(лучше) чем 0,001 мм на 300 мм
перемещения;
I.9.2.2. станки с летучей фрезой, имеющие 845969
биение и эксцентриситет меньше
(лучше) чем 0,0004 мм по индикатору
общего считывания, угловую девиацию
движения суппорта (рыскание, тангаж
и вращение вокруг продольной оси)
меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды
по индикатору общего считывания на
полном перемещении
I.9.3. Станки с ЧПУ или станки с ручным
управлением, включая специально
спроектированные компоненты,
элементы управления и приспособления
для них, специально спроектированные
для фрезерования, финишной
обработки, полирования или
хонингования закаленных (Rc=40 или
более) конических или цилиндрических
шестерен, а именно:
I.9.3.1. закаленных конических шестерен с 846140310;
качеством после финишной обработки 846140390
лучшим, чем класс 4 по стандарту ИСО
1328;
I.9.3.2. закаленных цилиндрических или одно - 846140710;
или двухзаходных червячных шестерен 846140790
с модулем более 1,250 мм и с лицевой
шириной, равной 15% от модуля или
более, с качеством после финишной
обработки лучше, чем класс 3 по
стандарту ИСО 1328
I.9.4. Оборудование, специально
спроектированное для реализации
процесса и управления процессом
нанесения неорганических покрытий,
защитных слоев и поверхностного
модифицирования, а также специально
спроектированные средства,
автоматизированного регулирования,
манипуляторы и компоненты управления
I.9.4.1. Снабженные программно-управляемым 845690000
запоминающим устройством
производственные установки для
нанесения твердого покрытия из
парообразных химических соединений с
двумя следующими характеристиками:
процесс модифицирован для одного из
следующих методов:
пульсирующего осаждения;
управляемого термоядерного
разложения;
осаждения, усиленного плазмой или с
помощью плазмы;
используется какой-либо из следующих
способов:
с внедрением высокого вакуума
(равным или менее 0,01 Па) для
уплотнения вращением; с внедрением
средств контроля толщины слоя
покрытия
I.9.4.2. Снабженные программно-управляемым 845610000
запоминающим устройством
производственные установки для
ионной имплантации, имеющие хотя бы
одну из следующих характеристик:
сила тока луча 5 мА и более;
ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ;
специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
ускоряющими напряжениями ниже 10
кэВ;
обладающие способностью управляемой
записи (имплантации в рамках
заданной области);
пригодные для имплантации
высокоэнергетического кислорода в
нагретый материал полупроводниковой
подложки
I.9.4.3. Снабженные программно-управляемым 845610000
запоминающим устройством
производственные электронно-лучевые
установки для нанесения покрытий
методом физического осаждения паров,
включающие:
системы электропитания с расчетной
мощностью свыше 80 кВт;
лазерную систему управления уровнем
жидкости в ванне, которая точно
регулирует скорость подачи исходного
вещества;
управляемый компьютером указатель
(монитор) скорости, работающий на
принципе фотолюминесценции
ионизированных атомов в потоке пара,
необходимый для нормирования
скорости осаждения покрытия,
содержащего два или более элементов
I.9.4.4. Снабженные программно-управляемым
запоминающим устройством
производственные установки для
плазменного напыления, обладающие
одной из следующих характеристик:
давлении контролируемой атмосферы
(равной или менее 10 кПа, измеряемой
выше и внутри 300 мм выходного
сечения сопла плазменной горелки) в
вакуумной камере, способной
обеспечивать снижение давления до
0,01 Па, предшествующее началу
процесса напыления;
I.9.4.4.2. имеющие в своем составе средства 845690000
контроля толщины слоя покрытия
I.9.4.5. Снабженные программно-управляемым 845690000
запоминающим устройством
производственные установки для
металлизации напылением, способные
обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв.
мм или более с производительностью
напыления 15 мкм/ч или более
I.9.4.6. Снабженные программно-управляемым 851580900
запоминающим устройством
производственные установки для
катодно-дугового напыления,
включающие систему электромагнитов
для управления плотностью тока дуги
на катоде
I.9.4.7. Снабженные программно-управляемым 845610000
запоминающим устройством
производственные установки для
ионной металлизации, позволяющие
проводить измерения толщины подслоя
покрытия и управление
производительностью или оптических
характеристик
Примечание. Пункт I.9.4.7. не
распространяется на стандартные
производственные установки для
покрытий, наносимых ионной
металлизацией на режущий
инструмент металлообрабатывающих
станков
I.9.4.8. Снабженные программно-управляемыми
запоминающими устройствами
производственные установки для
сухого травления анизотропной
плазмой:
I.9.4.8.1. с покассетной обработкой пластин и 845690000
загрузкой через шлюзы, имеющие хотя
бы один из следующих признаков:
магнитную защиту;
электронно-циклотронный резонанс
(ЭЦР)
I.9.4.8.2. специально спроектированные для 845690000
оборудования, указанного в пункте
I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
магнитную защиту;
электронно-циклотронный резонанс
(ЭЦР)
I.9.4.9. Снабженные программно-управляемыми
запоминающими устройствами
производственные установки для
химического парофазового осаждения
покрытий плазменной стимуляцией:
I.9.4.9.1. с покассетной обработкой пластин и 845690000
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
магнитную защиту;
электронно-циклотронный резонанс
(ЭЦР)
I.9.4.9.2. специально спроектированные для 845690000
оборудования, указанного в пункте
I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
магнитную защиту;
электронно-циклотронный резонанс
(ЭЦР)
I.9.5. Специально разработанное
оборудование, инструменты или
приспособления для производства или
измерения параметров лопаток газовых
турбин, литых лопастей или краев
кожухов
I.9.5.1. Автоматическое измерительное 903180100
оборудование, использующее
немеханические методы измерения
толщины стенок несущих профилей
лопаток
I.9.5.2. Инструменты, контрольное и
измерительное оборудование для
лазерного, водоструйного или
электроэрозионного
электротехнического сверления
отверстий (полостей):
I.9.5.2.1. глубиной более чем в 4 раза большей 845610000;
их диаметра, диаметром меньше 0,76 845630000
мм и углами наклона, равными или
менее 25 град.;
I.9.5.2.2. глубиной более чем в 5 раз большей 845610000;
их диаметра, диаметром меньше 0,4 мм 845630000
и углами наклона, более чем 25 град;
Примечание. Применительно к
пункту I.9.5.2. угол наклона
измеряется от поверхности,
обдуваемой потоком, тангенциально в
точке, где ось отверстия
пересекается с этой поверхностью
I.9.5.3. Керамические стержни (ядра, 690390900
сердечники) или патроны (вкладыши)
I.9.5.4. Керамические стержни (ядра, 690390900
сердечники) производственного
оборудования или инструментов
I.9.5.5. Керамические сердечники для 690390900
выщелачивающего оборудования
I.9.5.6. Керамические патроны (оболочки) для 690390900
оборудования по изготовлению
восковых моделей
I.9.5.7. Керамические патроны (вкладыши, 690390900
оболочки) оборудования для обжигания
или выжигания (вжигания)
I.9.6. Системы для контроля в реальном 903180100
масштабе времени, приборы (включая
датчики) или оборудование с ЧПУ,
специально разработанные для
производства газотурбинных
двигателей, технологически
объединенных агрегатов или
компонентов, указанных в пунктах
I.11.8. - I.11.8.13.
I.9.7. Оборудование, специально 845961;
разработанное для производства и 845969;
испытаний (проверки) креплений 902410
лопаток газовых турбин,
разработанных для функционирования
при скоростях на концах лопаток,
превышающих 335 м/с, и специально
разработанные приспособления или
детали для них
I.9.8. Инструменты, штампы и зажимные 851580100;
приспособления для соединения в 851590000
твердом состоянии
(термодиффузионного сращивания)
элементов газотурбинных двигателей
из суперсплавов и титана
I.9.9. Инструменты (оснастка) для 846299100
производства методом порошковой
металлургии и гранульной технологии
элементов роторов турбин двигателей,
способных функционировать на уровне
60% или более предельной прочности
на растяжение и температуре металла
873 К (600 С) или более
I.9.10. Оборудование для разработки и
производства накопителей на
магнитных и оптических дисках
I.9.10.1. Оборудование, специально 845610000;
спроектированное для нанесения 845690000
магнитного покрытия на жесткие (не
гибкие) магнитные или
магнитооптические носители,
указанные в пункте I.16.9.5.1.
Примечание. Пункт I.9.10.1. не
распространяется на оборудование
общего назначения для напыления
I.9.10.2. Оборудование, снабженное 847199900
программно-управляемым запоминающим
устройством и специально
спроектированное для обеспечения
качества, сортировки по качеству,
прогонов или тестирования жестких
магнитных носителей, указанных в
пункте I.16.9.5.2.
I.9.10.3. Оборудование, специально 903140000
спроектированное для производства
или юстировки головок или головок в
сборке с диском, применительно к
жестким магнитным и
магнитооптическим накопителям,
указанным в пунктах I.16.9.5. -
I.16.9.5.2., а также их
электромеханических или оптических
узлов
Раздел I.10. Датчики, измерительная аппаратура
и приборы
I.10.1. Оборудование для неразрушающего 902190000;
контроля, способное обнаруживать 902290000;
дефекты в трех измерениях, используя 903180390
методы ультразвуковой или
рентгеновской томографии, специально
созданное для композитных материалов
I.10.2. Магнитометры, магнитные градиометры,
эталонные магнитные градиометры и
компенсационные системы и специально
разработанные компоненты
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.10.2.1. - I.10.2.7. не
распространяется на специальные
инструменты для биомагнитных
измерений медицинской диагностики,
если они не содержат датчиков,
указанных в пунктах I.10.2.8. -
I.10.2.8.4.
I.10.2.1. Магнитометры, использующие 901580930
технологии сверхпроводимости с
оптической накачкой или ядерной
прецессией (протонной/Оверхаузера) и
имеющие среднеквадратическое
значение уровня шумов
(чувствительность) менее (лучше)
0,05 нТ, деленные на корень
квадратный из частоты в Гц
I.10.2.2. Магнитометры с катушкой
индуктивности, имеющие
среднеквадратическое значение уровня
шумов (чувствительности) меньше
(лучше):
I.10.2.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень 901580930
квадратный из частоты в Гц-на
частоте менее 1 Гц;
I.10.2.2.2. 1x10E-3 нТ, деленные на корень 901580930
квадратный из частоты в Гц-на
частоте 1 Гц или более, но не более
10 Гц;
I.10.2.2.3. 1x10E-4 нТ, деленные на корень 901580930
квадратный из частоты в Гц - на
частоте более 10 Гц;
I.10.2.3. Волоконнооптические магнитометры со 901580930
среднеквадратическим значением
уровня шума (чувствительностью)
менее (лучше) 1 нТ, деленная на
корень квадратный из частоты в Гц
I.10.2.4. Магнитные градиометры, использующие 901580930
наборы магнитометров, указанных в
пунктах I.10.2.1. - I.10.2.3.
I.10.2.5. Волоконнооптические эталонные 901580930
магнитные градиометры со
среднеквадратическим значением
уровня шума (чувствительностью)
градиента магнитного поля менее
(лучше) 0,3 нТ, деленные на метр и
корень квадратный из частоты в Гц
I.10.2.6. Эталонные магнитные градиометры с 901580930
использованием технологии, отличной
от оптоволоконной, со
среднеквадратическим значением
уровня шума (чувствительностью)
градиента магнитного поля менее
(лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и
на корень квадратный из частоты в Гц
I.10.2.7. Магнитокомпенсационные системы для 901580930
магнитных датчиков, предназначенных
для работы на подвижных платформах
I.10.2.8. Электромагнитные датчики для
измерения электромагнитного поля на
частотах 1 кГц и менее, содержащие
компоненты хотя бы один из которых
является сверхпроводником (включая
устройства на эффекте Джозефсона или
сверхпроводящие устройства квантовой
интерференции (СКВИД), разработанные
для функционирования при
температурах ниже критической и
имеющих одну из следующих
характеристик:
I.10.2.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с 901580930
минимальным характерным размером
менее 2 мкм и соответствующими
схемами соединения входа и выхода;
I.10.2.8.2. разработанные для функционирования 901580930
при максимальной скорости нарастания
магнитного поля более 10 квантов
магнитного потока в секунду;
I.10.2.8.3. разработанные для функционирования 901580930
без магнитного экрана в окружающем
земном магнитном поле;
I.10.2.8.4. имеющие температурный коэффициент 901580930
менее 0,1 кванта магнитного потока
на кельвин
I.10.3. Гравитометры
I.10.3.1. Гравитометры для наземного 901580930
использования со статистической
точностью менее (лучше)
2
1x10E-7 м/с (10 мкГал)
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.10.3.1. и I.10.3.2. не
распространяется на наземные
гравитометры типа кварцевых
элементов Уордена
I.10.3.2. Аппаратура для производства, 903180390
настройки и калибровки наземных
гравитометров со статистической
погрешностью не хуже чем
2
7x10E-6 м/c (0,7 мГал)
I.10.4. Бортовые альтиметры, действующие на
частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц
включительно, имеющие одну из
следующих характеристик:
I.10.4.1. управление мощностью; 852610110
I.10.4.2. использующие амплитудную модуляцию с 852610110
переменной фазой
I.10.5. Гироскопы, имеющие под воздействием 903289
1 g на протяжении трех месяцев
нестабильность относительно
фиксированной калибровочной величины
менее (лучше) 0,1 в час когда
паспортные (номинальные) данные
приведены для функционирования при
ускорениях ниже 10 g
I.10.6. Инерциальные навигационные системы
(платформенные и бесплатформенные) и
инерциальное оборудование для
определения местоположения,
наведения и управления, имеющие
специально разработанные компоненты
и хотя бы одну из следующих
характеристик:
I.10.6.1. навигационную ошибку (чисто 901410900
инерциальную) от 0,8 морской мили в
час (50-процентная круговая
вероятная ошибка (КВО) или менее
(лучше) после нормальной выставки;
I.10.6.2. приведенные паспортные (номинальные) 901410900
данные для функционирования при
уровнях ускорений свыше 10 g
I.10.7. Приемная аппаратура и специально
разработанные компоненты глобальной
спутниковой навигационной системы,
имеющие одну из следующих
характеристик:
I.10.7.1. использование шифрования 901420900
(дешифрования);
I.10.7.2. осуществление управления положением 901420900
минимума в диаграмме направленности
антенны (провал в диаграмме
направленности)
I.10.8. Оборудование для испытаний, 903120000;
калибровки и выставки, специально 903180;
разработанное для оборудования, 903180100
указанного в пунктах I.10.4. -
I.10.7.2., за исключением
оборудования, предназначенного для
технического обслуживания
I.10.9. Системы подводного наблюдения
I.10.9.1.
Телевизионные системы (включая 852510900
камеру, осветительные приборы,
оборудование мониторинга и передачи
сигнала), имеющие предельное
разрешение, ограниченное более чем
500 линиями при измерении его в
воздушной среде, а также
телесистемы, специально
спроектированные или
модифицированные для дистанционного
управления подводным судном
I.10.9.2. Подводные телекамеры имеющие 852530990
предельное разрешение более чем 700
линий при измерении разрешения в
воздушной среде
Примечание. Предельное
разрешение телевидении измеряется
горизонтальным (строчным)
разрешением, обычно выраженным в
максимальном числе линий по высоте
изображения (экрана), различаемых на
тестовой таблице, использующей
стандарт IEEE 208/1960 или любой
эквивалент этого стандарта
I.10.9.3. Системы, специально спроектированные 852692000
или модифицированные для
дистанционного управления подводным
судном, использующие способы
минимизации эффектов обратного
рассеяния, включая РЛС облучения в
узком диапазоне или лазерные системы
I.10.9.4. Телевизионные камеры, 852530990
предназначенные для съемки объектов
с низким уровнем освещенности,
специально спроектированные или
модифицированные для использования
под водой и содержащие трубки с
микроканальным усилителем
изображения, указанные в пункте
I.12.2.1.2.1. и имеющие более чем
150000 активных каналов на площади
твердотельного приемника
I.10.9.5. Фотодиапозитивные камеры, специально 900653000;
спроектированные или 900659000
модифицированные для подводного
применения:
имеющие формат ленты 35 мм или более
и аннотацию ленты данными,
определяющими специфику внешнего
источника камеры;
обладающие средствами
автофокусирования или дистанционного
фокусирования, специально
спроектированными для применения под
водой;
имеющие возможность автоматической
обратной коррекции фокусного
расстояния, систему управления
автоматической компенсации,
специально спроектированную для
помещения в бокс подводной камеры,
способной выдерживать давление на
глубине, превышающей 1000 м
I.10.9.6. Электронные системы наблюдения, 903081900
специально спроектированные или
модифицированные для подводного
использования, способные хранить в
цифровой форме более чем 50
экспонированных кадров
I.10.10. Системы подсветки, специально
спроектированные или
модифицированные для применения под
водой:
I.10.10.1. стробоскопические световые системы с 902920900;
энергией выхода более чем 300 Дж в 940540100;
одной вспышке; 940540390
I.10.10.2. аргонодуговые световые системы, 940540100;
специально спроектированные для 940540390
использования под водой на глубинах
ниже 1000 м
I.10.11. Акустическая аппаратура,
оборудование и системы
I.10.11.1. Морские акустические системы,
аппаратура или специально
разработанные компоненты
I.10.11.1.1. Активные (передающие или
приемопередающие) акустические
системы, оборудование или специально
разработанные компоненты
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.10.11.1.1. и
I.10.11.1.1.4.2. не распространяется
на звуковые измерители глубины
вертикального действия без
сканирования луча в пределах свыше
+-10°, имеющие ограниченное
применение для измерения глубины или
расстояния до погруженного или
заглубленного объекта, а также
косяков рыбы
I.10.11.1.1.1. Широкообзорные акустические системы
морского картографирования,
разработанные:
I.10.11.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения 901580910
от вертикали более 10 град. и
измерения глубин более 600 м от
поверхности воды;
I.10.11.1.1.1.2. для использования набора лучей, 901580910
каждый из которых не шире 2 град.,
или для обеспечения точности
измерений лучше 0,5% глубины воды,
полученной усреднением отдельных
измерений
I.10.11.1.1.2. Акустические системы обнаружения или 901580910
определения местоположения объекта,
имеющие одну из следующих
характеристик:
I.10.11.1.1.2.1. рабочую частоту менее 10 кГц; 901580910
I.10.11.1.1.2.2. уровень звукового давления свыше 224 901580910
дБ (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с
рабочей частотой в диапазоне от 10
до 24 кГц;
I.10.11.1.1.2.3. уровень звукового давления свыше 235 901580910
дБ (1 мкПА на 1 м) для аппаратуры с
рабочей частотой в диапазоне от 24
до 30 кГц;
I.10.11.1.1.2.4. формирование луча уже 1 град. по 901580910
любой оси и рабочую частоту ниже 100
кГц;
I.10.11.1.1.2.5. разработанные для нормального
функционирования на глубинах свыше
1000 м и имеющие передатчик с одной
из следующих характеристик:
I.10.11.1.1.2.5.1.динамически подстраиваемый под 901580910
давление;
I.10.11.1.1.2.5.2.содержащий излучающий элемент, 901580910
отличный от титаната цирконата;
I.10.11.1.1.2.5.3.разработанный для измерения 901580910
расстояний до объектов более 5120 м
I.10.11.1.1.3. Акустические прожекторы, включающие
излучатели с пьезоэлектрическими,
магнитострикционными,
электрострикционными,
электродинамическими или
гидравлическими элементами,
функционирующими независимо или в
совокупности, и имеющие одну из
следующих характеристик:
Примечание. Статус контроля за
экспортом акустических прожекторов,
включающих излучатели, специально
разработанных для другой
аппаратуры, определяется статусом
контроля другой аппаратуры
I.10.11.1.1.3.1. плотность мгновенно излучаемой 901580910
акустической мощности, превышающую
0,01 мВт/(кв. мм х Гц) для приборов,
действующих на частотах ниже 10 кГц;
I.10.11.1.1.3.2. плотность непрерывно излучаемой 901580910
акустической мощности, превышающую
0,001 мВт/(кв. мм х Гц) для
приборов, действующих на частотах
ниже 10 кГц;
Примечание. Плотность
акустической мощности получается в
результате деления выходной
акустической мощности на
произведение площади излучающей
поверхности и рабочей частоты
I.10.11.1.1.3.3. проектное предназначение для 901580910
нормального функционирования на
глубинах свыше 1000 м;
I.10.11.1.1.3.4. способность подавления боковых 901580910
лепестков более 22 дБ
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.10.11.1.1.3. -
I.10.11.1.1.3.4. не распространяется
на электронные источники с только
вертикальным акустическим излучением
или механические (например,
воздушные или паровые ружья) или
химические (например, взрывные)
источники
I.10.11.1.1.4. Акустические системы, аппаратура или
специально разработанные компоненты
для определения положения надводных
или подводных судов, разработанные:
Примечание. Пункт I.10.11.1.1.4.
включает аппаратуру с использованием
когерентной обработки сигналов между
двумя или более маяками и
гидрофонного устройства надводных и
подводных судов либо аппаратуру,
обладающую способностью
автокоррекции погрешности скорости
распространения звука
I.10.11.1.1.4.1. для работы на дистанции свыше 1000 м 901580110
с точностью позиционирования менее
10 м при измерении на расстоянии
1000 м;
I.10.11.1.1.4.2. для работы на глубинах более 1000 м 901580110
I.10.11.1.2. Пассивные (принимающие в штатном
режиме независимо от связи с
активной аппаратурой) акустические
системы, аппаратура или специально
разработанные компоненты
I.10.11.1.2.1. Гидрофоны (преобразователи)
I.10.11.1.2.1.1. Гидрофоны (преобразователи), 901580110;
включающие гибкие датчики 901580930
непрерывного действия или сборки
датчиков дискретного действия с
диаметром либо длиной менее 20 мм и
расстоянием между элементами менее
20 мм
I.10.11.1.2.1.2. Гидрофоны (преобразователи), имеющие
любой из следующих чувствительных
элементов:
I.10.11.1.2.1.2.1. оптоволоконный; 901580930
I.10.11.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный; 901580930
I.10.11.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из гибкой 901580930
керамики
I.10.11.1.2.1.3. Гидрофоны (преобразователи), имеющие 901580930
гидрозвуковую чувствительность лучше
-180 дБ на любой глубине, без
компенсации ускорения
I.10.11.1.2.1.4. Гидрофоны (преобразователи), 901580930
разработанные для глубин не более 35
м, с гидрозвуковой чувствительностью
лучше -186 дБ и компенсацией
ускорения
I.10.11.1.2.1.5. Гидрофоны (преобразователи), 901580930
разработанные для нормальной работы
на глубинах более 35 м, с
гидрозвуковой чувствительностью
лучше -192 дБ и компенсацией
ускорения
I.10.11.1.2.1.6. Гидрофоны (преобразователи), 901580930
разработанные для нормальной работы
на глубинах свыше 100 м, с
гидрозвуковой чувствительностью
лучше -204 дБ
I.10.11.1.2.1.7. Гидрофоны (преобразователи), 901580930
разработанные для работы на глубинах
более 1000 м
Примечание. Гидрозвуковая
чувствительность определяется как
двадцатикратный десятичный логарифм
отношения среднеквадратичного
выходного напряжения к опорному
напряжению 1 В, когда гидрофонный
датчик без предусилителя помещен в
акустическое поле плоской волны со
среднеквадратичным давлением 1 мкПа.
Например, гидрофон -160 дБ (опорное
напряжение 1 В/мкПа) даст выходное
напряжение 10E-8 В в таком поле, в
то время как чувствительность -180
дБ даст выходное напряжение 10E-9 В.
Таким образом, -160 дБ лучше чем
-180 дБ
I.10.11.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные
решетки:
I.10.11.1.2.2.1. с расположением гидрофонов менее чем 901580930
на 12,5 м в решетке;
I.10.11.1.2.2.2. с расположением гидрофонной группы 901580930
от 12,5 до 25 м, разработанной или
способной быть модифицированной для
работы на глубине более 25 м
Примечание. Способность к
модификации в пункте
I.10.11.1.2.2.2. означает наличие
возможности перемонтажа обмотки или
внутренних соединений для изменения
расположения гидрофонной группы или
пределов рабочих глубин. Такими
возможностями являются: наличие
запасных витков обмотки более 10% от
числа рабочих витков, блоки
настройки конфигурации гидрофонной
группы или внутренние устройства
регулировки предельной рабочей
глубины с возможностью перестройки и
управления более чем одной
гидрофонной группы
I.10.11.1.2.2.3. с расположением гидрофонной группы 901580930
на расстоянии 25 м или более,
разработанной для работы на глубине
свыше 100 м;
I.10.11.1.2.2.4. разработанные или способные быть 901580930
модифицированными для глубин более
35 м, с головными датчиками,
включенными в соединительный кабель
решетки, имеющими точность лучше
+-0,5 град., или датчиками,
смонтированными снаружи
соединительного кабеля решетки,
обладающими способностью работать с
вращением на 360 град. на глубине
более 35 м;
Примечание. Способность к
модификации в пункте
I.10.11.1.2.2.4. означает наличие
регулируемого или извлекаемого
устройства измерения глубины
I.10.11.1.2.2.5. с неметаллическими усиливающими 901580930
элементами или соединительным
кабелем с продольным усилением
кабеля;
I.10.11.1.2.2.6. с диаметром гидрофонной решетки в 901580930
собранном виде менее 40 мм;
I.10.11.1.2.2.7. с уплотненным групповым сигналом 901580930
гидрофона;
I.10.11.1.2.2.8. с характеристиками гидрофона, 901580930
определенными в пунктах
I.10.11.1.2.1. - I.10.11. 1.2.1.7.
I.10.11.1.2.3. Специально разработанная аппаратура
обработки сигналов для акустических
гидрофонных решеток с любой из
следующих характеристик:
I.10.11.1.2.3.1. быстрым преобразованием Фурье или 901580930
другими преобразованиями данных по
1024 или более точкам менее чем за
20 мс без возможности
программирования пользователем;
I.10.11.1.2.3.2. обработкой во временной или 901580930
частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ,
цифровую фильтрацию и формирование
луча с использованием быстрого
преобразования Фурье или других
преобразований или процессов с
возможностью программирования
пользователем
I.10.11.2. Наземные геофоны, обладающие 901580930
способностью к преобразованию в
морские системы, оборудование или
специально разработанные компоненты,
указанные в пунктах I.10.11.1.2.1. -
I.10. 11.1.2.1.7.
I.10.11.3. Аппаратура на лагах для 901580930
корреляционного измерения
горизонтальной составляющей скорости
относительно морского дна на
расстояниях между носителем и дном
свыше 500 м
Раздел I.11. Двигатели и движители, системы
и оборудование для них
I.11.1. Изолированные от атмосферы
двигательные системы, специально
спроектированные для применения под
водой
I.11.1.1. Изолированные от атмосферы
двигательные системы с двигателями
циклов Брайтона, Стирлинга или
Ренкина, имеющие любую из следующих
составляющих:
I.11.1.1.1. химические скрубберы или абсорберы, 840810
специально спроектированные для
удаления двуокиси углерода и частиц
из рециркулируемого выхлопа
двигателя;
I.11.1.1.2. системы, специально спроектированные 840810
для применения моноатомного газа;
I.11.1.1.3. приборы или глушители, специально 840810
спроектированные для снижения шума
под водой с частотами ниже 10 кГц,
или специально смонтированные
приборы для смягчения хлопка
выброса;
I.11.1.1.4. системы, специально спроектированные 840810
для прессования продуктов реакции,
реформации топлива или хранения
продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более
I.11.1.2. Дизельные двигатели для
изолированных от атмосферы
двигательных систем, имеющие все
следующие составляющие:
I.11.1.2.1. химические скрубберы или абсорберы, 840810
специально спроектированные для
удаления двуокиси углерода,
моноокиси углерода и частиц из
рециркулируемого выхлопа двигателя;
I.11.1.2.2. системы, специально спроектированные 840810
для применения моноатомного газа;
I.11.1.2.3. приборы или глушители, специально 840810
спроектированные для снижения шума
под водой с частотами ниже 10 кГц
или специально смонтированные для
смягчения хлопка выброса;
I.11.1.2.4. специально спроектированные 840810
выхлопные системы с задержкой
выброса продуктов сгорания
I.11.1.3. Топливный отсек для двигателей,
изолированных от атмосферы
двигательных систем, с выходной
мощностью, превышающей 2 кВт,
имеющих какую-либо из следующих
характеристик:
I.11.1.3.1. приборы или глушители, специально 840999000
спроектированные для снижения шума
под водой, с частотами ниже 10 кГц
или специально смонтированные
приборы для смягчения хлопка
выброса;
I.11.1.3.2. системы, специально спроектированные 840999000
для прессования продуктов реакции,
реформации топлива, хранения
продуктов реакции или выхлопа
продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более
I.11.2. Подъемные вентиляторы с уровнем 841239900;
мощности более 400 кВт, специально 841280990
спроектированные для судов с
поверхностным эффектом, указанных в
пунктах I.13.1.6. или I.13.1.7.
I.11.3. Системы двигателя с водяным винтом
или системы передачи мощности,
специально спроектированные для
судов с поверхностным эффектом (с
полностью изменяемой или
неизменяемой поверхностной
конфигурацией), для судов с
гидрокрыльями и на небольшом
подводном крыле, указанных в пунктах
I.13.1.6. - I.13.1.9.2.:
I.11.3.1. суперкавитационные, 840810
супервентиляторные, частично
погруженные или опускаемые
(проникающие через поверхность)
двигатели с уровнем мощности более
7,5 МВт;
I.11.3.2. соосные гребные винты 841229500
противоположного вращения с уровнем
передаваемой мощности более 15 МВт;
I.11.3.3. системы, служащие для выравнивания 841229500
потока, набегающего на движитель;
I.11.3.4. легковесный, высокого качества 848340930
(значение К-фактора превышает 300)
редуктор;
I.11.3.5. системы передачи мощности 848310900
трансмиссионным валом, включающие
компоненты из композитных материалов
и способные осуществлять передачу
мощности большую чем 1 МВт
I.11.4. Движители с водяным винтом, системы
получения и передачи энергии для
применения на судах
I.11.4.1. Гребные винты регулируемого шага и 848510900
сборки ступицы с уровнем передачи
мощности более 30 МВт
I.11.4.2. Электрические двигатели с водяным 850134990
внутренним охлаждением и выходной
мощностью выше 2,5 МВт
I.11.4.3. Магнитогидродинамические движители 850120900
выходной мощностью более 0,1 МВт с
применением сверхпроводимости
I.11.4.4. Системы передачи мощности 848310900
трансмиссионным валом, включающие
компоненты из композиционных
материалов и способные осуществлять
передачу мощности большую чем 2 МВт
I.11.4.5. Системы вентиляторных (или на базе 848510900
вентиляторных) винтов с уровнем
передаваемой мощности более 2,5 МВт
I.11.5. Системы снижения шума для применения
на судах водоизмещением 1000 тонн
или более
I.11.5.1. Системы снижения шума, уменьшающие 841229500
уровень шума с частотой ниже 500 Гц,
состоящие из компаундных
акустических сборок для акустической
изоляции дизельных двигателей,
дизель-генераторных установок,
газовых турбин, газотурбинных
генераторных установок, двигательных
установок или редукторов, специально
спроектированных для звуковой или
вибрационной изоляции, имеющие
усредненную массу свыше 30% от массы
всего монтируемого оборудования
I.11.5.2. Активные системы снижения шума или 841229500
его погашения, или подшипники на
магнитном подвесе, специально
спроектированные для мощных
трансмиссионных систем, включающие
электронные системы управления,
способные активно снижать вибрации
оборудования генерацией антишумовых
или антивибрационных сигналов
непосредственно у источника шума
I.11.6. Системы движения на струйном 841229500
двигателе с уровнем выходной
мощности, превышающим 2,5 МВт,
использующие отклоняющееся сопло и
технику регулирования потока
лопаткой (лопастью) с целью
увеличения эффективности движителя
или снижения генерируемых движителем
и распространяемых под водой шумов
I.11.7. Морские газотурбинные двигатели с 841182910-
эксплуатационной мощностью 13,795 841182990
кВт или более и удельным расходом
топлива менее 0,243 кг/(кВт х ч), и
специально разработанные агрегаты и
компоненты для таких двигателей
Примечание. Экспортный контроль
не распространяется на морские
газотурбинные двигатели, указанные в
пункте I.11.7. и предназначенные для
установки на гражданские морские
суда для невоенного конечного
применения, только в том случае,
если их удельный расход топлива
превышает 0,23 кг/(кВт х ч), а их
уровень мощности меньше 20000 кВт
I.11.8. Специально разработанные агрегаты и
компоненты газотурбинных двигателей
I.11.8.1. Лопатки газовых турбин, лопасти или 841199900
верхние части венцов, изготовленные
методом направленной кристаллизации
и предназначенные для работы при
температурах, превышающих 1593 К
(1320 С)
I.11.8.2. Лопатки газовой турбины, лопасти или 841199900
верхняя часть венца в одном
кристалле
I.11.8.3. Многокупольные камеры сгорания, 811300900
работающие при средних температурах
на выходе из камеры, равные или
свыше 1813 К (1540 С), или камеры
сгорания, содержащие термически
разделенные теплозащитные элементы,
неметаллические теплозащитные
элементы или неметаллические корпуса
I.11.8.4. Компоненты, изготовленные из 841199900
органических композиционных
материалов для температур применения
свыше 588 К (315 С) или из
металлических матричных
композиционных, керамических
матричных, интерметаллических
материалов, указанных в пунктах
I.3.3. - I.3.3.2.
I.11.8.5. Неохлаждаемые турбинные лопатки, 841199900
лопасти, верхние части венцов или
другие компоненты, спроектированные
для работы в газовом потоке с
температурой 1323 К (1050 С) или
выше
I.11.8.6. Охлаждаемые турбинные лопатки, 841199900
лопасти, верхние части венцов, кроме
указанных в пунктах I.11.8.1. и
I.11.8.2., работающие без тепловой
защиты при температуре газа 1643 К
(1370 С) или выше
I.11.8.7. Комбинации лопасти с профилем крыла 841199900
- диском турбины, использующие
соединительные элементы в твердом
состоянии
I.11.8.8. Высокоресурсные вращающиеся 841199900
компоненты газотурбинного двигателя,
использующие материалы,
изготовленные методом порошковой
металлургии
I.11.8.9. Система автономного 903289
электронно-цифрового контроллера для
газотурбинных двигателей
комбинированного цикла, относящееся
к ней диагностическое оборудование,
датчики и специально
спроектированные элементы
I.11.8.10. Системы управления геометрией
газового потока и системы управления
в целом для:
I.11.8.10.1. газогенераторных турбин; 903289
I.11.8.10.2. вентиляторных или мощных турбин 903289
Примечания: 1. Системы
управления геометрией газового
потока и системы управления в целом
не включают выходные поворотные
лопатки, вентиляторы с изменяемым
шагом, поворотные статоры или
дренажные клапаны для компрессоров
2. По пунктам I.11.8.10.1. и
I.11.8.10.2. не подлежат экспортному
контролю системы управления
геометрией газового потока,
осуществляемого с целью реверса тяги
I.11.8.11. Системы управления зазором между 903289;
венцом и лопатками ротора, 903281900
использующие технологию активной
компенсации зазора турбинным
кожухом, ограниченную базой данных
проектирования и разработки
I.11.8.12. Газовые подшипники для сборок ротора 848299000
газотурбинного двигателя
I.11.8.13. Пустотелые лопатки с широкой хордой 841199900
без межпролетного крепления
Раздел I.12. Лазеры и оптическое оборудование
I.12.1. Оптика
I.12.1.1. Оптические зеркала (отражатели)
I.12.1.1.1. Деформируемые зеркала с непрерывными 900290990
либо многоэлементными поверхностями
и специальными компонентами,
способными динамически менять
расположение элементов поверхности с
частотой свыше 100 Гц
I.12.1.1.2. Сверхлегкие монолитные зеркала со 900290990
средней эквивалентной плотностью
менее 30 кг/кв. м и суммарной массой
более 10 кг
I.12.1.1.3. Сверхлегкие составные или пенные 900290990
зеркальные спуктуры со средней
эквивалентной плотностью менее 30
кг/кв. м и суммарной массой более 2
кг
I.12.1.1.4. Зеркала диаметром или с длиной 900290990
большей оси более 100 мм и с
управлением лучом в полосе частот
более 100 Гц
I.12.1.2. Оптические компоненты из селенида
цинка (ZnSe) или сульфида цинка
(ZnS) с передачей в диапазоне длин
волн свыше 3000 нм, но не более
25000 нм, имеющие одну из следующих
характеристик:
I.12.1.2.1. объем более 100 куб. см; 900190900
I.12.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 900190900
80 мм и толщина (глубина) 20 мм и
более
I.12.1.3. Компоненты оптических систем для
космических применений:
эквивалентной плотностью менее чем
20% по сравнению с твердотельными
пластинами той же апертуры и
толщины;
I.12.1.3.2. подложки с поверхностным покрытием 900190900
(однослойным, многослойным,
металлическим или диэлектрическим,
проводящим, полупроводящим или
изолирующим) или подложки с
защитными пленками;
I.12.1.3.3. сегменты или узлы зеркал для 900290990
установки в космосе в оптические
системы с общей апертурой,
эквивалентной или большей 1 м;
I.12.1.3.4. компоненты оптических систем, 900390000
изготовленные из композитных
материалов, с коэффициентом
линейного теплового расширения,
равным или меньшим 5x10E-6 в
направлении любой координаты
I.12.1.4. Оптические фильтры
I.12.1.4.1. оптические фильтры для длин волн 900220900
более 250 нм, включающие
многослойные оптические покрытия и
имеющие полосу пропускания до
половинной интенсивности до 1 нм
включительно и пиковую передачу 90%
и более, или полосу пропускания до
0,1 нм включительно и пиковую
передачу 50% и более
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.12.1.4.1. не
распространяется на оптические
фильтры с постоянным воздушным
зазором или фильтры типа Лио
I.12.1.4.2. Оптические фильтры для длин волн 900220900
более 250 нм, имеющие
настраиваемость в спектральном
диапазоне 500 нм и более, мгновенную
полосу пропускания 1,25 нм или
менее, установку в течение 0,1 мс с
точностью 1 нм или лучше в пределах
перестраиваемого спектрального
диапазона, однопиковый коэффициент
пропускания 91% или более
I.12.1.4.3. Оптические переключатели на 900220900
конденсаторах (фильтры) с полем
обзора 30 град. или шире и временем
отклика, равным или менее 1 нс
I.12.1.5. Аппаратура оптического контроля
I.12.1.5.1. Аппаратура, специально разработанная 903140000;
для обеспечения качества поверхности 903289900
или ориентации оптических
компонентов, указанных в пунктах
I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3.
I.12.1.5.2. Аппаратура, имеющая управление, 903140000;
слежение, стабилизацию или 903289900
подстройку резонатора с полосой
частот, равной или более 100 Гц, и
погрешностью 10 мкрад или менее
I.12.1.5.3. Кардановы подвесы с максимальным
углом поворота 5 град., шириной
полосы частот более 100 Гц,
обладающие любой из следующих
характеристик:
I.12.1.5.3.1. диаметр или длина большей оси более 903289900
0,15 м, но не более 1 м,
чувствительность к угловым
ускорениям более 2 рад/(с х с),
погрешность углового наведения 200
мкрад или менее;
I.12.1.5.3.2. специально разработанные для 903289900
юстировки фазированных решеток или
фазированных систем сегментных
зеркал, состоящих из зеркал с
диаметром сегмента или его большей
полуоси 1 м или более, обладающие
чувствительностью к угловым
ускорениям более 0,5 рад/(с х с) и
погрешностью углового наведения 200
мкрад или мене
I.12.1.6. Аппаратура для измерения абсолютного 903140000
значения отражательной способности с
погрешностью +-0,1% или менее
I.12.2. Оптические датчики
I.12.2.1. Оптические детекторы
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.12.2.1. - I.12.2.1.4.
не распространяется на германиевые
или кремниевые фотодиоды
I.12.2.1.1. Оптические детекторы для
использования в космосе в виде
единичного элемента, линейки в
фокальной плоскости или двух
двумерных элементов, имеющие:
I.12.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны 854140990
короче 300 нм и отклик менее 0,1%
относительно пикового отклика на
длине волны свыше 400 нм;
I.12.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990
свыше 900 нм, но не более 1200 нм, и
постоянную времени отклика 95 нс или
менее;
I.12.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990
более 1200 нм, но не свыше 30000 нм
I.12.2.1.2. Электронно-оптические усилители
яркости и специальные компоненты
I.12.2.1.2.1. Электронно-оптические усилители 854140990;
яркости, имеющие пиковый отклик в 901380000
диапазоне длин волн свыше 400 нм, но
не более 1050 нм, микроканальный
анод для электронного усилителя
изображения с шагом отверстий
(расстоянием между центрами) менее
25 мкм и фотокатоды S-20, S-25,
многощелевой фотокатод или
фотокатоды из GaAs или GaInAs
I.12.2.1.2.2. Специально разработанные компоненты
для электронно-оптических усилителей
яркости:
I.12.2.1.2.2.1. оптоволоконные инверторы; 854140990;
901380000
I.12.2.1.2.2.2. микроканальные аноды, имеющие 15000 854140990
или более ламп с тлеющим разрядом на
плате и шаг отверстий (расстояние
между центрами) менее 25 мкм;
I.12.2.1.2.2.3. фотокатоды из GaAs или GaInAs 854140990
I.12.2.1.3. Неэквидистантные линейные или 854140910;
двумерные матрицы в фокальной 854140990
плоскости с одной из следующих
характеристик:
Примечания: 1. Пункт I.12.2.1.3.
включает матрицы фотопроводимости и
солнечных батарей 2. Экспортный
контроль по пункту I.12.2.1.3. не
распространяется на кремниевые
матрицы в фокальной плоскости,
многоэлементные (не более 16
элементов) фотопроводящие элементы в
оболочке или пироэлектрические
детекторы, использующие любой из
следующих материалов:
сульфид свинца;
сульфат триглицерина и его
разновидности;
титанат циркония-лантана-свинца и
его разновидности;
танталат лития;
фторид поливинилидена и его
разновидности;
ниобат бария-стронция и его
варианты; селенид свинца
I.12.2.1.3.1. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
откликом в пределах диапазона волн 854140990
свыше 900 нм, но не более 1050 нм, и
постоянной времени отклика менее 0,5
нс;
I.12.2.1.3.2. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
откликом в пределах диапазона волн 854140900
свыше 1050 нм, но не более 1200 нм,
и постоянной времени 95 нс или
меньше;
I.12.2.1.3.3. имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
откликом в пределах диапазона волн 854140900
свыше 1200 нм, но не более 30000 нм
I.12.2.1.4. Одиночные или многоэлементные 854140930
полупроводниковые фотодиоды или
фототранзисторы вне фокальной
плоскости с пиковым откликом на
длине волны более 16200 нм и
постоянной времени отклика 0,5 нс
или менее, не предназначенные для
космических применений
I.12.2.2. Многоспектральные формирователи
изображений для применения в
дистанционном зондировании, имеющие
любую из следующих характеристик:
I.12.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 854089900
мкрад;
I.12.2.2.2. специально сконструированные для 854089900
работы в диапазоне длин волн свыше
400 нм, но не более 30000 нм,
обеспечивающие данные изображения на
выходе в цифровом формате с
использованием детекторов, отличных
от кремниевых, и предназначенные для
космического применения или для
воздушного базирования
I.12.2.3. Аппаратура формирования изображений
непосредственного наблюдения в
видимом или инфракрасном диапазоне,
включающая одно из следующих
устройств:
I.12.2.3.1. электронно-оптические 854020300;
преобразователи для усиления яркости 854099000
изображения, указанные в пункте
I.12.2.1.2.;
I.12.2.3.2. матрицы в фокальной плоскости, 854099000
указанные в пункте I.12.2.1.3.
Примечания: 1. Термин
"непосредственное наблюдение"
относится к аппаратуре получения
изображений в видимой и инфракрасной
части спектра, которая дает
наблюдателю видимое изображение без
преобразования в электронный сигнал
телевизионного дисплея и не
обеспечивает записи или хранения
изображения фотографическим
электронным или каким-либо еще
способом
2. Экспортный контроль по пункту
I.12.2.3.2. не распространяется на
следующую аппаратуру с фотокатодами,
отличными от фотокатодов на GaAs или
GaInAs:
промышленные или гражданские датчики
охраны, системы учета или контроля
дорожного или производственного
движения;
медицинская аппаратура;
промышленная аппаратура для
контроля, анализа или сортировки
материалов;
детекторы пламени для промышленных
печей;
аппаратура, специально разработанная
для промышленного использования
I.12.2.4. Специализированные компоненты для
оптических датчиков:
I.12.2.4.1. космического применения с криогенным 901380000;
охлаждением 901390000
I.12.2.4.2. не космического применения с 901380000;
криогенным охлаждением 901390000
I.12.2.4.2.1. замкнутого цикла со средним временем 901380000;
наработки на отказ или средним 901390000
временем между отказами свыше 2500
ч;
I.12.2.4.2.2. саморегулирующиеся охладители 901380000;
Джоуля-Томсона с диаметром отверстия 901390000
менее 8 мм
I.12.2.5. Оптоволоконные датчики:
I.12.2.5.1. специально изготовленные 900190900;
композиционно или структурно, или 901380000
модифицированные путем покрытия, с
чувствительностью к акустическим,
термическим, инерционным,
электромагнитным или ядерным
эффектам;
I.12.2.5.2. модифицированные структурно для 900190900;
достижения длины биений менее чем 50 901380000
мм (наибольшее двулучепреломление)
I.12.3. Камеры
I.12.3.1. Инструментальные камеры
I.12.3.1.1. Высокоскоростные записывающие 900711000;
кинокамеры с любым форматом пленки 900719000
от 8 мм до 46 мм включительно, в
которых пленка движется в процессе
записи и в которых запись может
производиться со скоростью свыше
13150 кадров в секунду
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.12.3.1.1. не
распространяется на кинокамеры для
гражданских целей
I.12.3.1.2. Механические высокоскоростные 900719000
камеры, в которых пленка не
движется, способные вести запись со
скоростью свыше 10E6 кадров в
секунду для пленки шириной 35 мм,
или для пропорционально более
высоких скоростей более узкой
пленки, или для пропорционально
меньших скоростей более широкой
пленки
I.12.3.1.3. Механические или электронные 900719000
камеры-фотохронографы со скоростью
записи свыше 10 мм/мкс
I.12.3.1.4. Электронная кадровая камера со 900719000
скоростью свыше 10E6 кадров в
секунду
I.12.3.1.5. Электронные камеры, имеющие скорость 900719000
электронного затвора (скорость
стробирования) менее 1 мкс на полный
кадр и время считывания, позволяющие
получать более чем 125 полных кадров
в секунду
I.12.3.2. Камеры для получения
видеоизображений
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.12.3.2. не
распространяется на телевизионные
и видеокамеры для телевидения
I.12.3.2.1. Видеокамеры, включающие 852190000
твердотельные чувствительные
элементы, имеющие одну из следующих
характеристик:
более 4x10E6 активных пикселей на 852190000
твердотельную матрицу для
монохромной (черно-белой) камеры;
более 4x10E6 активных пикселей на
твердотельной матрице для цветных 852190000
камер с тремя твердотельными
матрицами;
более 12x10E6 активных пикселей для
цветных камер с одной твердотельной 852190000
матрицей;
I.12.3.2.2. Сканирующие камеры и системы 852190000
сканирующих камер, включающие
линейную решетку детекторов с более
чем 8192 элементами на решетке, и с
механическим сканированием в одном
направлении
I.12.3.2.3. Камеры для получения 852190000
видеоизображения, включающие
преобразователь для усиления яркости
изображения, указанный в пункте
I.12.2.1.2.1.
I.12.3.2.4. Камеры для получения 852190000
видеоизображения, включающие матрицы
в фокальной плоскости, указанные в
пункте I.12.2.1.3.
I.12.4. Лазеры, компоненты, оптическое
оборудование для них
Примечания: 1. Импульсные лазеры
включают лазеры, работающие в
непрерывном режиме с наложением
импульса
2. Лазеры импульсного возбуждения
включают лазеры, работающие в режиме
непрерывного возбуждения с
наложением импульса
3. Статус экспортного контроля
рамановского лазера определяется
параметрами лазера источника
накачки. Лазеры источника накачки
могут быть любыми из ниже описанных
I.12.4.1. Газовые лазеры
I.12.4.1.1. Эксимерные лазеры, имеющие одну из
следующих характеристик:
I.12.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не 901320000
превышающую 150 нм, выходную энергию
более 50 мДж на импульс или среднюю,
или непрерывную мощность более 1 Вт;
I.12.4.1.1.2. длину волны выходного излучения 901320000
более 150 нм, но не превышающую 190
нм, выходную энергию на импульс,
превышающую 1,5 Дж или среднюю, или
непрерывную мощность, превышающую
120 Вт;
I.12.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, 901320000
превышающую 190 нм, но не более 360
нм, выходную энергию на импульс,
превышающую 10 Дж или среднюю, или
непрерывную выходную мощность,
превышающую 500 Вт;
I.12.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, 901320000
превышающую 369 нм, выходную энергию
на импульс, превышающую 1,5 Дж или
среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 30 Вт
I.12.4.1.2. Лазеры на парах металлов:
I.12.4.1.2.1. медные (Cu) лазеры со средней или 901320000
непрерывной выходной мощностью более
20 Вт;
I.12.4.1.2.2. золотые (Au) лазеры со средней или 901320000
непрерывной выходной мощностью более
5 Вт;
I.12.4.1.2.3. натриевые (Na) лазеры с выходной 901320000
мощностью более 5 Вт;
I.12.4.1.2.4. бариевые (Ba) лазеры со средней или 901320000
непрерывной выходной мощностью более
2 Вт
I.12.4.1.3. Лазеры на моноокиси углерода (CO) с:
I.12.4.1.3.1. выходной энергией более 2 Дж на 901320000
импульс и импульсной пиковой
мощностью более 5 кВт;
I.12.4.1.3.2. средней или непрерывной выходной 901320000
мощностью более 5 кВт
I.12.4.1.4. Лазеры на двуокиси углерода (CO2) с:
I.12.4.1.4.1. непрерывной выходной мощностью более 901320000
10 кВт;
I.12.4.1.4.2. импульсным излучением с 901320000
длительностью импульса более 10 мкс,
средней выходной мощностью свыше 10
кВт или импульсной пиковой мощностью
более 100 кВт;
I.12.4.1.4.3. импульсным излучением с
длительностью импульса, равным или
менее 10 мкс, энергией импульса
более 5 Дж, импульсной пиковой
мощностью свыше 2,5 кВт или средней,
или непрерывной выходной мощностью
более 2,5 кВт
I.12.4.1.5. Химические лазеры:
I.12.4.1.5.1. водородно-фторовые (HF) лазеры; 901320000
I.12.4.1.5.2. дейтерий-фторовые (DF) лазеры; 901320000
I.12.4.1.5.3. переходные лазеры:
I.12.4.1.5.3.1. кислородно-иодовые лазеры (O2-I); 901320000
I.12.4.1.5.3.2. дейтерий-фторовые-двуокись 901320000
углеродные (DF-CO2) лазеры
I.12.4.1.6. Газоразрядные ионные лазеры (на
ионах криптона или аргона), имеющие:
I.12.4.1.6.1. выходную энергию более 1,5 Дж на 901320000
импульс и импульсную пиковую
мощность более 50 Вт;
I.12.4.1.6.2. среднюю или непрерывную мощность 901320000
более 50 Вт;
I.12.4.1.7. Другие газовые лазеры, за
исключением азотных лазеров с:
I.12.4.1.7.1. длиной волны выходного излучения не 901320000
более 150 нм, выходной энергией на
импульс свыше 50 мДж, импульсной
пиковой мощностью более 1 Вт или
средней, или непрерывной выходной
мощностью более 1 Вт;
I.12.4.1.7.2. длиной волны выходного излучения 901320000
более 150 нм, но не более 800 нм,
выходной энергией более 1,5 Дж на
импульс, импульсной пиковой
мощностью более 30 Вт или средней,
или непрерывной выходной мощностью
более 30 Вт;
I.12.4.1.7.3. длиной волны выходного излучения 901320000
более 800 нм, но не более 1400 нм
выходной энергией на импульс более
0,25 Дж импульсной пиковой мощностью
более 10 Вт или средней, или
непрерывной выходной мощностью более
10 Вт;
I.12.4.1.7.4. длиной волны выходного излучения 901320000
свыше 1400 нм и средней или
непрерывной мощностью более 1 Вт
I.12.4.2. Полупроводниковые лазеры
Примечания: 1. Полупроводниковые
лазеры обычно называются лазерными
диодами
2. Статус экспортного контроля
полупроводниковых лазеров,
специально разработанных для другой
аппаратуры, определяется статусом
этой аппаратуры
I.12.4.2.1. Отдельные полупроводниковые 901320000
одномодовые лазеры с поперечной
модой, имеющие среднюю выходную
мощность свыше 100 мВт или длину
волны более 1050 нм
I.12.4.2.2. Отдельные полупроводниковые
многомодовые лазеры с поперечными
модами, или массивы лазеров с:
I.12.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на 901320000
импульс-импульсной пиковой мощностью
свыше 10 Вт;
I.12.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной 901320000
мощностью свыше 10 Вт;
I.12.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм 901320000
I.12.4.3. Твердотельные лазеры
I.12.4.3.1. Перестраиваемые твердотельные
лазеры, имеющие следующие
характеристики:
Примечание. Пункт I.12.4.3.1.
включает титаново-сапфировые
(Ti:Al2O3), туллий-YA (Tm:YA),
туллий-YS (Tm:YS), александрит
(Cr:BeAl2О4) лазеры и лазеры с
окрашенным центром
I.12.4.3.1.1. длина волны излучения менее 600 нм, 901320000
выходная энергия более 50 мДж на
импульс, импульсная пиковая мощность
более 1 Вт или средняя, или
непрерывная выходная мощность более
1 Вт;
I.12.4.3.1.2. длина волны 600 нм или более, но не 901320000
более 1400 нм, выходная энергия
более 1 Дж в импульсе, импульсная
пиковая мощность свыше 20 Вт или
средняя, или непрерывная выходная
мощность свыше 20 Вт;
I.12.4.3.1.3. длина волны выходного излучения 901320000
более 1400 нм, выходная энергия
свыше 50 мДж на импульс, импульсная
пиковая мощность более 1 Вт или
средняя, или непрерывная выходная
мощность более 1 Вт
I.12.4.3.2. Неперестраиваемые лазеры
Примечание. Пункты I.12.4.3.2. -
I.12.4.3.2.4.4. включают
твердотельные лазеры на атомных
переходах
I.12.4.3.2.1. Рубиновые лазеры с выходной энергией 901320000
более 20 Дж в импульсе
I.12.4.3.2.2. Лазеры на неодимовом стекле:
I.12.4.3.2.2.1. лазеры с модуляцией добротности, 901320000
имеющие выходную энергию свыше 20
Дж, но не более 50 Дж в импульсе,
среднюю выходную мощность более 10
Вт или выходную энергию свыше 50 Дж
в импульсе;
I.12.4.3.2.2.2. лазеры без модуляции добротности, 901320000
имеющие выходную энергию свыше 50
Дж, но не более 100 Дж в импульсе,
среднюю выходную мощность более 20
Вт или выходную энергию более 100 Дж
в импульсе
I.12.4.3.2.3. Лазеры с растворенным неодимом с
длиной волны более 1000 нм, но не
свыше 1100 нм:
Примечание. Лазеры с
растворенным неодимом и длиной
волны излучения менее 1000 нм
или более 1100 нм включены в пункт
I.12.4.3.2.4.
I.12.4.3.2.3.1. лазеры с модуляцией добротности, 901320000
импульсным возбуждением и
синхронизацией мод с длительностью
импульса менее 1 нс, имеющие пиковую
мощность более 5 ГВт, среднюю
выходную мощность более 10 Вт или
импульсную энергию более 0,1 Дж;
I.12.4.3.2.3.2. лазеры с модуляцией добротности
синхронизацией мод с длительностью
импульса, равной или большей 1 нс,
имеющие:
I.12.4.3.2.3.2.1. одномодовое излучение, с пиковой 901320000
мощностью более 100 МВт, средней
выходной мощностью более 20 Вт или
импульсной энергией свыше 2 Дж;
I.12.4.3.2.3.2.2. многомодовое излучение с пиковой 901320000
мощностью более 200 МВт, средней
выходной мощностью более 50 Вт или
импульсной энергией более 2 Дж
I.12.4.3.2.3.3. лазеры с импульсным возбуждением без
модуляции добротности, имеющие:
I.12.4.3.2.3.3.1. одномодовое излучение с пиковой 901320000
мощностью более 500 кВт или средней
выходной мощностью более 150 Вт;
I.12.4.3.2.3.3.2. многомодовое излучение с пиковой 901320000
мощностью более 1 МВт или средней
мощностью свыше 500 Вт
I.12.4.3.2.3.4. лазеры непрерывного возбуждения,
имеющие:
I.12.4.3.2.3.4.1. одномодовое излучение с пиковой 901320000
мощностью более 500 кВт или средней,
или непрерывной мощностью свыше 150
Вт;
I.12.4.3.2.3.4.2. многомодовое излучение с пиковой 901320000
мощностью более 1 МВт или средней,
или непрерывной мощностью свыше 500
Вт
I.12.4.3.2.4. Другие неперестраиваемые лазеры
I.12.4.3.2.4.1. неперестраиваемые лазеры с длиной 901320000
волны менее 150 нм, выходной
энергией более 50 мДж в импульсе,
импульсной пиковой мощностью более 1
Вт или средней, или непрерывной
выходной мощностью более 1 Вт;
I.12.4.3.2.4.2. неперестраиваемые лазеры с длиной 901320000
волны не менее 150 нм, но не более
800 нм, выходной энергией более 1,5
Дж на импульс и импульсной пиковой
мощностью более 30 Вт или средней,
или непрерывной мощностью более 30
Вт;
I.12.4.3.2.4.3. неперестраиваемые лазеры с длиной
волны более 800 нм, но не более 1400
нм, а именно:
I.12.4.3.2.4.3.1. лазеры с модуляцией добротности с 901320000
выходной энергией более 0,5 Дж в
импульсе и импульсной пиковой
мощностью более 50 Вт или средней
выходной мощностью, превышающей 10
Вт для одномодовых лазеров и 30 Вт
для многомодовых лазеров;
I.12.4.3.2.4.3.2. лазеры без модуляции добротности с 901320000
выходной энергией более 2 Дж в
импульсе и импульсной пиковой
мощностью свыше 50 Вт или средней,
или непрерывной выходной мощностью
более 50 Вт;
I.12.4.3.2.4.4. неперестраиваемые лазеры с длиной 901320000
волны более 1400 нм, выходной
энергией более 100 мДж в импульсе и
импульсной пиковой мощностью свыше 1
Вт или средней, или непрерывной
мощностью более 1 Вт
I.12.4.4. Лазеры на красителях и других
жидкостях, имеющие:
I.12.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную 901320000
энергию более 50 мДж в импульсе,
импульсную пиковую мощность более 1
Вт или среднюю, или непрерывную
выходную мощность более 1 Вт;
I.12.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не 901320000
свыше 800 нм, выходную энергию более
1,5 Дж в импульсе, импульсную
пиковую мощность свыше 20 Вт или
среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 20 Вт, или имеющие
генератор одиночной продольной моды
со средней выходной мощностью более
1 Вт и частотой повторения более 1
кГц при длительности импульса менее
100 нс;
I.12.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не 901320000
свыше 1400 нм, выходную энергию
более 500 мДж в импульсе, импульсную
пиковую мощность более 10 Вт или
среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 10 Вт;
I.12.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную 901320000
энергию более 100 мДж в импульсе,
импульсную пиковую мощность более 1
Вт или среднюю, или непрерывную
выходную мощность более 1 Вт
I.12.4.5. Лазеры на свободных электронах 901320000
I.12.4.6. Компоненты
I.12.4.6.1. Зеркала, охлаждаемые либо активным 901320000;
охлаждением, либо трубчатой 900290990
охладительной системой
Примечание. Активным охлаждением
является метод охлаждения
оптических компонент, в котором
используется течение жидкости по
субповерхности (расположенной обычно
менее чем в 1 мм от оптической
поверхности) оптической компоненты
для отвода тепла от оптики
I.12.4.6.2. Оптические зеркала или прозрачные, 901320000;
или частично прозрачные, оптические 900290990
или электрооптические компоненты для
использования в лазерах, подлежащих
экспортному контролю
I.12.4.7. Оптическое оборудование
I.12.4.7.1. Оборудование для динамического
измерения фазы волнового фронта с
более 50 позициями на волновом
фронте луча с:
I.12.4.7.1.1. частотой кадра, равной или более 100 901320000;
Гц, и фазовой дискриминацией 5% и 903140000
более длины волны луча;
I.12.4.7.1.2. частотой кадра, равной или более 901320000;
1000 Гц, и фазовой дискриминацией 903140000
20% и более длины волны луча
I.12.4.7.2. Оборудование лазерной диагностики со 901320000;
способностью измерения ошибок 903140000
управления луча лазера сверхвысокой
мощности с точностью, равной или
менее 10 мкрад
I.12.4.7.3. Оптическая аппаратура, узлы и 901320000;
компоненты для системы лазера 903140000
сверхвысокой мощности с фазированным
сложением лучей с точностью 1/10
длины волны или 0,1 мкм (в
зависимости от того, что меньше)
I.12.4.7.4. Защищенные объективы для 901320000;
использования с системами лазеров 900219000
сверхвысокой мощности
I.12.4.8. Специально разработанное или
модифицированное оборудование,
включая инструменты, красители,
контрольно-измерительные приборы и
другие специальные компоненты и
вспомогательные элементы:
I.12.4.8.1. для производства или осмотра 901320000;
магнитных систем и фотоинжекторов 901490000
лазеров на свободных электронах;
I.12.4.8.2. для юстировки в пределах требуемой 901320000;
погрешности продольного магнитного 901490000
поля лазеров на свободных электронах
I.12.5. Оптоволоконные кабели связи,
оптические волокна и специально
разработанные компоненты и
вспомогательное оборудование
I.12.5.1. Оптические волокна или кабели,
длиной свыше 50 м:
I.12.5.1.1. разработанные для функционирования в 900110900;
одномодовом режиме; 901320000
I.12.5.1.2. способные выдерживать напряжение 900110900;
(механическое) 2x10E9 Н/кв. м или 901320000
более в контрольном тесте
Примечание. Контрольный тест:
проверка на стадиях изготовления
или после изготовления заключается в
приложении заданного напряжения к
волокну длиной от 0,5 до 3 м на
скорости хода от 2 до 5 м/с при
прохождении между ведущими валами
приблизительно 150 мм в диаметре.
Окружающая температура имеет
номинальное значение 293 К (20 С) и
относительная влажность равна 40%
I.12.5.2. Компоненты и вспомогательное 900110900;
оборудование, специально 901320000
разработанные для оптических волокон
или кабелей, указанных в пункте
I.12. 5.1., за исключением
соединителей для использования с
оптическими волокнами или кабелями,
имеющими потери соединения 0,5 дБ
или более
I.12.5.3. Оптоволоконные кабели и 900110900;
вспомогательное оборудование, 901320000
разработанные для использования под
водой (для оптоволоконных
соединителей и измерителей излучения
экспортный контроль осуществляется в
соответствии с пунктами I.13.2.1.3.
и I.13.2.3)
I.12.5.4. Кабель из волокон на основе 900110900
соединений фтора или оптические
волокна с поглощением менее 4 дБ/км
в диапазоне длин волн более 1000 нм,
но не более 3000 нм
Раздел I.13. Транспортные средства и специально
разработанное для них оборудование
I.13.1. Подводные аппараты или надводные
суда
I.13.1.1. Пилотируемые человеком, управляемые 890600910
по проводам подводные аппараты,
спроектированные для операций на
глубинах, превышающих 1000 м
I.13.1.2. Пилотируемые человеком,
неуправляемые по проводам подводные
аппараты:
I.13.1.2.1. спроектированные для автономного 890600910
плавания и имеющие характеристику по
подъемной силе 10% или более их
собственного веса (веса в воздухе)
или 15 кН или более;
Примечания: 1. При автономном
плавании аппарат полностью
погружается без шнорхеля,
все системы функционируют и
обеспечивают плавание при
минимальной скорости, при которой
погружение может безопасно
управляться (с учетом необходимой
динамики по глубине погружения) с
использованием только глубинных
рулей, без участия надводных судов
поддержки или базы (береговой или
корабля-матки), аппарат имеет
двигательную систему для движения в
погруженном или надводном состоянии
2. Подъемная сила задается для
полезной нагрузки без учета массы
экипажа
I.13.1.2.2. спроектированные для плавания на 890600910
глубинах, превышающих 1000 м;
I.13.1.2.3. спроектированные для экипажа из 4 и 890600910
более человек, предназначенные для
автономного плавания в течение 10
часов и более, имеющие радиус
действия 25 морских миль или более и
длину 21 м или менее
Примечание. Радиус действия
равен половине максимального
расстояния, которое аппарат может
преодолеть в погруженном
состоянии
I.13.1.3. Непилотируемые человеком,
управляемые по проводам подводные
аппараты, спроектированные для
плавания на глубинах, превышающих
1000 м:
I.13.1.3.1. спроектированные для самоходного 890600910
маневра, используя двигатели и
ускорители, указанные в пункте
I.13.2.1.2.;
I.13.1.3.2. имеющие оптоволоконные линии обмена 890600910
данными
I.13.1.4. Непилотируемые человеком,
неуправляемые по проводам подводные
аппараты:
I.13.1.4.1. спроектированные для решения задачи 890600910
достижения (прокладки курса) любого
географического ориентира без
участия человека в реальном масштабе
времени;
I.13.1.4.2. имеющие канал передачи акустических 890600910
данных или команд;
I.13.1.4.3. имеющие оптоволоконную линию 890600910
передачи данных или линию передачи
команд, превышающую по длине 1000 м
I.13.1.5. Океанские системы спасения с
подъемной силой, превышающей 5 МН,
для спасения объектов с глубин,
превышающих 250 м, имеющие одну из
следующих характеристик:
I.13.1.5.1. системы динамического управления 890590100;
положением, способные 890600910
стабилизироваться в пределах
(внутри) 20 м относительно заданной
точки, фиксируемой навигационной
системой;
I.13.1.5.2. системы придонной навигации и 890590100;
навигацонной интеграции для глубин, 890600910
превышающих 1000 м, с точностью
обеспечения положения в пределах
(внутри) 10 м относительно заданной
точки
I.13.1.6. Суда с поверхностным эффектом (с 890600910
полностью изменяемой поверхностной
конфигурацией), обладающие
максимальной проектной скоростью,
превышающей при полной загрузке 30
узлов, при высоте волны 1,25 м
(Морская статья 3) или более, с
амортизирующим давлением свыше 3830
Па и соотношением водоизмещения
незагруженного и полнозагруженного
судна менее 0,7
I.13.1.7. Суда с поверхностным эффектом (с 890600910
неизменяемой поверхностной
конфигурацией) с максимальной
проектной скоростью, превышающей при
полной загрузке 40 узлов, при высоте
волны 3,25 м (Морская статья 5) или
более
I.13.1.8. Суда с гидрокрылом и активными 890600910
системами для автоматического
управления крылом с максимальной
проектной скоростью при полной
загрузке в 40 узлов или более и
высоте волны 3, 25 м (Морская статья
5) или более
I.13.1.9. Суда на небольшом подводном крыле:
I.13.1.9.1. водоизмещением при волной загрузке, 890600910
превышающим 500 т, с максимальной
проектной скоростью, превышающей при
полной загрузке 35 узлов, при высоте
волны 3,25 м (Морская статья 5) или
более;
I.13.1.9.2. водоизмещением при полной загрузке, 890600910
превышающим 1500 т, с максимальной
проектной скоростью при полной
загрузке, превышающей 25 узлов, при
высоте волны 4 м (Морская статья 6)
или более
Примечание. Судно на небольшом
подводном крыле определяется
следующей формулой:
площадь этого крыла при известном
значении водоизмещения при
операционной проектной осадке меньше
2/3
2 х V (где V - водоизмещение при
операционной проектной осадке)
I.13.2. Системы и оборудование для
транспортных средств
I.13.2.1. Системы или оборудование, специально
спроектированные или
модифицированные для подводных
судов, спроектированных для плавания
на глубинах, превышающих 1000 м:
I.13.2.1.1. помещения под давлением или корпуса 890590100;
под давлением с максимальным 890600900
внутренним диаметром камеры,
превышающим 1,5 м;
I.13.2.1.2. электродвигатели постоянного тока 850133910;
или тяговые двигатели; 850134500;
850134990
I.13.2.1.3. кабельные разъемы и соединители, в 854800000;
том числе использующие оптоволокно и 901390000
имеющие силовые элементы из
синтетических материалов
I.13.2.2. Системы, специально спроектированные
или модифицированные для
автоматического управления движением
подводных судов, указанных в пунктах
I.13.1. - I.13.1.5.2., использующие
навигационные данные и имеющие
закрытые с обратной связью
серво-контролирующие средства:
I.13.2.2.1. способные управлять движением судна 901480000
в пределах (внутри) 10 м
относительно заданной точки водяного
столба;
I.13.2.2.2. позволяющие поддерживать положение 901480000
судна в пределах (внутри) 10 м
относительно заданной точки водяного
столба;
I.13.2.2.3. позволяющие поддерживать положение 901480000
судна в пределах (внутри) 10 м при
следовании на морском аппарате-матке
или на тросе (кабеле) под ним
I.13.2.3. Оптоволоконные корпусные разъемы или 901390000
соединители, специально
спроектированные для применения под
водой
I.13.2.4. Кромки корпуса, уплотнения и
выдвижные элементы, имеющие
следующие характеристики:
I.13.2.4.1. спроектированные для внешних 847990980;
давлений в 3830 Па или более, 890600910
функционирующие при высоте волны
1,25 м (Морская статья 3) или более
и специально спроектированные для
судов с поверхностным эффектом
(полностью изменяемой поверхностной
конфигурацией), указанных в пункте
I.13.1.6.;
I.13.2.4.2. спроектированные для внешних 847990980;
давлений в 6224 Па или более, 890600910
функционирующие при высоте волны
3,25 м (Морская статья 5) или более
и специально спроектированные для
судов с поверхностным эффектом (с
неизменяемой поверхностной
конфигурацией), указанных в пункте
I.13.1.7.
I.13.2.5. Полностью погружаемые 847990980;
подкавитационные или 890600910
суперкавитационные гидрокрылья для
судов, указанных в пункте I.13.1.8.
I.13.2.6. Активные системы компенсации 847990980;
движения морской среды, специально 890600910
спроектированные или
модифицированные для обеспечения
автоматического управления лодками
или судами, указанными в пунктах
I.13.1.6. - I.13.1.9.
Раздел I.14. Испытательное оборудование
I.14.1. Гидроканалы, имеющие шумовой фон 903120000
менее 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц)
в частотном диапазоне от 0 до 500
Гц, спроектированные для измерения
акустических полей, генерируемых
гидропотоком около моделей системы
движителя
I.14.2. Измерительно-информационные системы,
работающие в реальном масштабе
времени, инструменты (включая
датчики) или автоматические
накопители данных, специально
разработанные для использования в
следующих аэродинамических трубах
или установках:
I.14.2.1. в устройствах для моделирования 903120000
набегающего потока с числами Маха,
превышающими 5, включая тепловые,
плазменно-дуговые и ударные
аэродинамические трубы, а также
аэродинамические трубы с газовым
поршнем и газовые пушки;
I.14.2.2. в аэродинамических трубах или 903120000
установках, отличных от двумерных,
способных моделировать обтекание
потоками при числах Рейнольдса свыше
25x10E6
I.14.3. Датчики, специально разработанные 902519990
для непосредственного измерения
поверхностного трения на стенке в
потоке с температурой торможения
свыше 833 К (560 С)
Раздел I.15. Робототехника
I.15.1. Роботы, специально спроектированные
для подводного применения,
управляемые с использованием
программно-управляемой
специализированной ЭВМ
I.15.1.1. Роботы, имеющие системы, управляющие 847989500
с использованием информации от
датчиков, которые измеряют усилие
или момент вращения, прикладываемые
к внешнему объекту, расстояние до
внешнего объекта или контактное
(тактильное) взаимодействие между
роботом и внешним объектом
I.15.1.2. Роботы, способные создавать усилие в 847989500
250 Н или более, или момент вращения
250 Н х м или более, и использующие
сплавы на основе титана или
волоконные, или нитевидные
композиционные материалы в элементах
конструкции
I.15.2. Дистанционно управляемые шарнирные
манипуляторы, специально
спроектированные или
модифицированные для использования с
подводными судами
I.15.2.1. Манипуляторы, имеющие системы, 847989500
использующие информацию от датчиков,
измеряющих усилие или момент
вращения, прикладываемые к внешнему
объекту, или контактное (тактильное)
взаимодействие между манипулятором и
внешним объектом
I.15.2.2. Манипуляторы, управляемые способами 847989500
пропорционального управления
"ведущий-ведомый" или с применением
программно-управляемой
специализированной ЭВМ и имеющие
пять или более степеней свободы
движения
Примечание. При определении
количества степеней свободы движения
в расчет принимаются только функции,
имеющие пропорциональное управление
с применением позиционной обратной
связи или с применением программного
компьютера, обеспеченного
библиотекой программ
Раздел I.16. Радиоэлектроника
I.16.1. Электронные приборы и элементная
база
I.16.1.1. Интегральные схемы
Примечания: 1. Необходимость
экспортного контроля на готовые
пластины или полуфабрикаты, на
которых воспроизведена конкретная
функция, оцениваются по параметрам,
указанным в пунктах I.16.1.1. -
I.16.1.1.8.2.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает в себя следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристаллические интегральные
схемы;
пленочные интегральные схемы,
включая интегральные схемы типа
"кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы
I.16.1.1.1. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров,
имеющие хотя бы одну из следующих
характеристик:
Примечания: 1. Экспортный
контроль по пункту I.16.1.1.1. не
распространяется на кремниевые
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров,
имеющие длину операнда (данных) 8
бит и менее
2. Пункт I.16.1.1.1. включает в себя
цифровые сигнальные процессоры,
цифровые матричные процессоры и
цифровые сопроцессоры
I.16.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных 854211870
превышает 32 бита либо разрядность
доступа к арифметикологическому
устройству превышает 32 бита;
I.16.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц; 8542
I.16.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет 854211870
разрядность 32 бита и более, а
производительность равна 12,5 млн.
команд в секунду и более;
Примечание. Если
производительность не определена,
следует воспользоваться величиной,
обратной средней длительности
команды (в микросекундах)
I.16.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен 854211760
для внешнего подключения более чем
одной шиной данных или команд, или
последовательным портом связи с
пропускной способностью свыше 2,4
Мбайт/с
I.16.1.1.2. Интегральные схемы памяти
I.16.1.1.2.1. Электрически перепрограммируемые 854211720
полупостоянные запоминающие
устройства с емкостью памяти,
превышающей 1 Мбит на один корпус,
или превышающей 256 кбит на один
корпус, и имеющие максимальное время
доступа менее 80 нс
I.16.1.1.2.2. Статические запоминающие устройства 854211550
с произвольной выборкой с емкостью
памяти, превышающей 1 Мбит на один
корпус или превышающей 256 кбит на
один корпус, и имеющие максимальное
время доступа менее 25 нс
I.16.1.1.2.3. Интегральные схемы памяти, 854211760
изготовленные на основе сложного
полупроводника
I.16.1.1.3. Электронно-оптические или оптические 854219
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие:
один внутренний лазерный диод или
более;
один внутренний светочувствительный
элемент или более; оптические
волноводы
I.16.1.1.4. Программируемые у пользователя
базовые матричные кристаллы, имеющие
хотя бы одну из следующих
характеристик:
I.16.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей 854211300
свыше 30000 (в пересчете на
двухвходовые);
I.16.1.1.4.2. типовое время задержки 854211300
распространения сигнала в базовом
вентиле менее 0,4 нс
I.16.1.1.5. Программируемые у пользователя
логические матрицы, имеющие хотя бы
одну из следующих характеристик:
I.16.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей 854211910
свыше 5000 (в пересчете на
двухвходовые);
I.16.1.1.5.2. частота переключения превышает 100 854211910
МГц
I.16.1.1.6. Интегральные схемы для нейронных 854219
сетей
I.16.1.1.7. Заказные интегральные схемы, имеющие
хотя бы одну из следующих
характеристик:
I.16.1.1.7.1. число выводов свыше 144; 854219
I.16.1.1.7.2. типовое время задержки 854219
распространения сигнала в базовом
вентиле менее 0,4 нс;
I.16.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц 854219
I.16.1.1.8. Цифровые интегральные схемы,
отличающиеся от описанных в пунктах
I.16.1.1.1.-I.16.1.1.7., созданные
на основе любого сложного
полупроводника и имеющие хотя бы
одну из следующих характеристик:
I.16.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей 854211990
свыше 300 (в пересчете на
двухвходовые);
I.16.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц 854211990
I.16.1.2. Приборы микроволнового или
миллиметрового диапазона
I.16.1.2.1. Электронные вакуумные лампы и катоды
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.1.2.1. не
распространяется на лампы,
предназначенные для работы в
стандартном диапазоне частот
гражданской телекоммуникации, с
частотами, не превышающими 31 ГГц
I.16.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или
непрерывного действия:
I.16.1.2.1.1.1. работающие на частотах свыше 31 ГГц; 854049000
I.16.1.2.1.1.2. имеющие элемент подогрева катода со 854049000
временем от включения до выхода
лампы на номинальную радиочастотную
мощность менее 3 с;
I.16.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их 854049000
модификации;
I.16.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификации,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
I.16.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот 854049000
составляет пол-октавы и более, и
произведение номинальной средней
выходной мощности (в киловаттах) на
максимальную рабочую частоту (в ГГц)
превышает 0,2;
I.16.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот 854049000
составляет менее пол-октавы, и
произведение номинальной средней
выходной мощности (в киловаттах) на
максимальную рабочую частоту (в ГГц)
превышает 0,4;
I.16.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для 854049000
космического применения
I.16.1.2.1.2. СВЧ-приборы-усилители магнетронного 854041000
типа с коэффициентом усиления более
17 дБ
I.16.1.2.1.3. Импрегнированные катоды для
электронных ламп, имеющие хотя бы
один из следующих признаков:
I.16.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на 854049000
номинальную эмиссию менее 3 с;
I.16.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной 854049000
эмиссии и штатных условиях
функционирования свыше 5 А/кв. см
I.16.1.2.2. Интегральные схемы или модули 854049000
микроволнового диапазона, содержащие
твердотельные интегральные схемы,
работающие на частотах свыше 31 ГГц
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.1.2.2. не
распространяется на схемы или модули
для оборудования, разработанного или
пригодного для работы в стандартном
диапазоне частот гражданской
телекоммуникации, с частотами, не
превышающими 31 ГГц
I.16.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 854049000
предназначенные для работы на
частотах, превышающих 31 ГГц
I.16.1.2.4. Микроволновые твердотельные
усилители:
I.16.1.2.4.1. работающие на частотах свыше 10,5 854049000
ГГц и имеющие ширину рабочей полосы
частот более пол-октавы;
I.16.1.2.4.2. работающие на частотах свыше 31 ГГц 854049000
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.1.2.4. не
распространяется на усилители:
1. Специально спроектированные для
медицинских целей
2. Специально спроектированные для
простых учебных приборов
3. Имеющие выходную мощность не
более 10 Вт и специально
спроектированные для:
промышленных или гражданских систем
защиты периметра, обнаружения
посторонних лиц, охранной
сигнализации;
автодорожных или промышленных систем
управления движением и систем
подсчета;
систем обнаружения экологического
загрязнения воздуха или воды
I.16.1.2.5. Полосовые или заграждающие фильтры 854049000
электронной или магнитной
настройкой, имеющие свыше 5
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе
частот с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5/1 менее чем
за 10 мкс, причем полоса пропускания
составляет более 0,5% от резонансной
частоты или полоса подавления
составляет менее 0,5% от резонансной
частоты
I.16.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 854049000
работать на частотах, превышающих 31
ГГц
I.16.1.2.7. Гибкие волноводы, спроектированные 852910700
для использования на частотах свыше
40 ГГц
I.16.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты
I.16.1.3.1. Приборы на поверхностных
акустических волнах и на
акустических волнах в тонкой
подложке (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), имеющие хотя бы один
из следующих признаков:
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.1.3.1. не
распространяется на приборы,
специально спроектированные для
бытовой электроники или развлечений
I.16.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц; 854160000
I.16.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, 854160000
частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
превышает 55 дБ, произведение
максимального времени задержки (в
мкс) на ширину полосы частот (в МГц)
больше 100 или задержка
распространения превышает 10 мкс
I.16.1.3.2. Приборы на объемных акустических 854160000
волнах (т. е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны
в материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов
на частотах свыше 1 ГГц
I.16.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000
сигналов, использующие
взаимодействие между акустическими
волнами (объемными или
поверхностными) и световыми волнами,
что обеспечивает непосредственную
обработку сигналов или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию
или свертку
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.1.3.3. не
распространяется на приборы,
специально спроектированные для
гражданского телевидения, видео- или
амплитудно модулированной и частотно
модулированной широковещательной
аппаратуры
I.16.1.4. Электронные приборы или схемы,
содержащие элементы, изготовленные
из сверхпроводящих материалов,
специально спроектированные для
работы при температурах ниже
критической температуры хотя бы
одной из сверхпроводящих
составляющих, имеющие хотя бы один
из следующих признаков:
I.16.1.4.1. наличие электромагнитного усиления 854280000
на частотах, равных или ниже 31 ГГц,
с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или на
частотах свыше 31 ГГц;
I.16.1.4.2. наличие токовых переключателей для 854280000
цифровых схем, использующих
сверхпроводящие вентили, у которых
произведение времени задержки на
вентиль (в секундах) на рассеяние
мощности на вентиль (в ваттах) ниже
10E-14 Дж;
I.16.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех 854280000
диапазонах частот с использованием
резонансных контуров с добротностью
свыше 10000
I.16.1.5. Вращающиеся преобразователи
абсолютного углового положения вала
в код, имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
I.16.1.5.1. разрешение лучше чем 1/265000 от 854390900
полного диапазона (18 бит);
I.16.1.5.2. точность лучше чем +-2,5 угл. с 854390900
I.16.2. Электронная аппаратура общего
назначения
I.16.2.1. Записывающая аппаратура
I.16.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900
аналоговой аппаратуры, включая
накопители с возможностью записи
цифровых сигналов (т.е. использующие
модуль цифровой записи высокой
плотности), имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
I.16.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на 852039900
электронный канал или дорожку;
I.16.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на 852039900
электронный канал или дорожку при
числе дорожек более 42;
I.16.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной 852039900
шкалы менее +-0,1 мкс
I.16.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110
максимальную пропускную способность 852190000
цифрового интерфейса свыше 180
Мбит/с, кроме специально
спроектированных для телевизионной
записи по стандартам или
рекомендациям для гражданского
телевидения
I.16.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для
цифровой аппаратуры, имеющие хотя бы
один из следующих признаков:
I.16.2.1.3.1. максимальная пропускная способность 852110
цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с
и использование методов спирального
сканирования;
I.16.2.1.3.2. максимальная пропускная способность 852110
цифрового интерфейса свыше 120
Мбит/с и использование фиксированных
магнитных головок;
I.16.2.1.3.3. по техническим условиям пригодны для 852110
космического применения
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.2.1.3. не
распространяется на аналоговые
накопители на магнитной ленте,
оснащенные электроникой для
преобразования в цифровую запись
высокой плотности и предназначенные
для записи только цифровых данных
I.16.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000
способностью цифрового интерфейса
свыше 60 Мбит/с, спроектированная
для переделки цифровых
видеомагнитофонов в устройства
записи данных цифровой аппаратуры
I.16.2.2. Сборки синтезаторов частоты, имеющие 854380900
время переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс
I.16.2.3. Анализаторы сигналов:
I.16.2.3.1. способные анализировать частоты, 854380900
превышающие 31 ГГц
I.16.2.3.2. динамические анализаторы сигналов с 854380900
полосой пропускания в реальном
масштабе времени, превышающей 25,6
кГц, кроме тех, которые используют
фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известные также
как октавные или дробнооктавные
фильтры)
I.16.2.4. Генераторы сигналов синтезированных
частот, формирующие выходные частоты
с управлением по параметрам
точности, кратковременной и
долговременной стабильности, на
основе или с помощью внутренней
эталонной частоты, имеющие хотя бы
один из следующих признаков:
I.16.2.4.1. максимальная синтезируемая частота 854320000
превышает 31 ГГц;
I.16.2.4.2. время переключения частоты с одной 854320000
заданной частоты на другую менее 1
мс;
I.16.2.4.3. фазовый шум одной боковой полосы 854320000
(ОБП) лучше, чем - (126 + 20 lg(F) -
20 lg(f) в единицах дБ/Гц, где F -
смещение рабочей частоты в Гц, а f -
рабочая частота в МГц
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.2.4. не
распространяется на аппаратуру, в
которой выходная частота либо
создается путем сложения или
вычитания частот с двух и более
кварцевых генераторов, либо путем
сложения или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты
I.16.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 854380900
рабочей частотой, превышающей 31 ГГц
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.2.5. не
распространяется на сетевые
анализаторы с качающейся частотой,
рабочая частота которых не
превосходит 40 ГГц и которые имеют
шины данных для интерфейса
дистанционного управления
I.16.2.6. Приемники-тестеры микроволнового 852790990
диапазона, имеющие максимальную
рабочую частоту более 31 ГГц и
способные одновременно измерять
амплитуду и фазу
I.16.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
I.16.2.7.1. долговременная стабильность 854320000
(старение) менее (лучше)
1x10E-11/мес;
I.16.2.7.2. по техническим условиям пригодны для 854320000
космического применения
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.2.7.1. не
распространяется на рубидиевые
эталоны, не предназначенные для
космического применения
I.16.2.8. Эмуляторы микросхем, указанных в 854380900
пунктах I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.2.8. не
распространяется на эмуляторы,
спроектированные под семейство,
содержащее хотя бы один прибор, не
подлежащий экспортному контролю по
пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.
I.16.3. Оборудование для производства и
испытания полупроводниковых приборов
I.16.3.1. Снабженные программно-управляемым
запоминающим устройством установки
для эпитаксиального выращивания
I.16.3.1.1. Установки для эпитаксиального 841989900
выращивания, способные выдерживать
толщину эпитаксиального слоя с
отклонением не более +-2,5% на
протяжении не менее 75 мм вдоль
пластины
I.16.3.1.2. Установки химического осаждения 841989900
металлорганических паров,
специально предназначенные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций материалов, указанных в
пунктах I.6.11. - I.6.11.4. или
I.6.12.
I.16.3.1.3. Установки молекулярно-лучевой 841780100
эпитаксии, использующие газовые
источники
I.16.3.2. Многофункциональные фокусируемые
ионно-лучевые системы, снабженные
программно-управляющим запоминающим
устройством, специально
спроектированные для производства,
ремонта, анализа физической
топологии и тестирования масок или
полупроводниковых приборов, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
I.16.3.2.1. точность управления положением пучка 845610000
на мишени 0,25 мкм или лучше;
I.16.3.2.2. разрешающая способность 845610000
цифро-аналогового преобразования
свыше 12 бит
I.16.3.3. Многокамерный центр обработки 845610000;
полупроводниковых пластин с 845690000
автоматической загрузкой и
программно-управляющим запоминающим
устройством, имеющий устройства для
загрузки и выгрузки пластин, к
которому должны быть присоединены
более двух установок технологической
обработки полупроводников,
образующих комплексную
вакуумированную систему для
последовательной многопозиционной
обработки пластин
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.3.3. не
распространяется на автоматические
робототехнические системы обработки
пластин, не предназначенные для
работы в вакууме
I.16.3.4. Установки литографии, снабженные
программно-управляющим запоминающим
устройством
I.16.3.4.1. Установки многократного совмещения и
экспонирования для обработки пластин
методами фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
I.16.3.4.1.1. наличие источника освещения с длиной 900922900
волны короче 400 нм;
I.16.3.4.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; 900922900
I.16.3.4.1.3. точность совмещения +-0,20 мкм (3 900922900
сигма) или лучше
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.3.4.1. не
распространяется на установки
многократного совмещения и
экспонирования, имеющие длину волны
источника освещения 436 нм или
больше, цифровую апертуру 0,38 или
меньше, диаметр изображения 22 мм и
меньше
I.16.3.4.2. Установки, специально
спроектированные для производства
масок или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного пучка,
ионного пучка или лазерного пучка,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
I.16.3.4.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; 845610000
I.16.3.4.2.2. способность производить структуру с 845610000
минимальными размерами менее 1 мкм;
I.16.3.4.2.3. точность совмещения лучше +-0,2 мкм 845610000
(3 сигма)
I.16.3.5. Маски или фотошаблоны
I.16.3.5.1. Маски или фотошаблоны для 901090000
интегральных схем, указанных в
пунктах I.16.1. - I.16.1.1.8.2.
I.16.3.5.2. Многослойные маски, оснащенные 901090000
фазосдвигающим слоем
I.16.3.6. Испытательная аппаратура, снабженная
программно-управляющим запоминающим
устройством, специально
спроектированная для испытания
полупроводниковых приборов и
бескорпусных кристаллов
I.16.3.6.1. Аппаратура для замера параметров 903180390
матрицы рассеяния на частотах свыше
31 ГГц
I.16.3.6.2. Аппаратура для испытания 903180390
интегральных схем и их сборок,
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования
строк свыше 40 МГц
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.3.6.2. не
распространяется на аппаратуру,
специально спроектированную для
испытаний:
сборок или класса сборок для бытовой
электроники или развлечений;
электронных компонентов, сборок или
интегральных схем, не подлежащих
экспортному контролю
I.16.3.6.3. Аппаратура для испытания 903180390
микроволновых интегральных схем на
частотах, превышающих 31 ГГц
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.3.6.3. не
распространяется на аппаратуру,
специально спроектированную для
испытаний микроволновых интегральных
схем, для оборудования,
предназначенного или пригодного по
техническим условиям для работы в
стандартном гражданском диапазоне на
частотах, не превышающих 31 ГГц
I.16.3.6.4. Электронно-лучевые системы, 903180390
спроектированные для работы при
энергиях ниже 3 кэВ, или лазерные
лучевые системы для бесконтактного
зондирования запитанных
полупроводниковых приборов, имеющие
одновременно стробоскопический режим
либо с затенением луча, либо с
детекторным стробированием и
электронный спектрометр для замера
напряжений менее 0,5 В
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.3.6.4. не
распространяется на сканирующие
электронные микроскопы, кроме тех,
которые специально спроектированы и
оснащены для бесконтактного
зондирования запитанных
полупроводниковых приборов
I.16.4. Радиолокационные станции (РЛС),
аппаратура, узлы и специально
разработанные компоненты
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4. не
распространяется на:
РЛС с активным ответом;
автомобильные РЛС для предотвращения
столкновений;
дисплеи и мониторы, используемые для
контроля воздушного движения,
имеющие разрешение не более 12
элементов на мм
I.16.4.1. РЛС, работающие на частотах от 40 852610900
ГГц до 230 ГГц и имеющие среднюю
выходную мощность более 100 МВт
I.16.4.2. РЛС, рабочая частота которых может 852610900
перестраиваться в пределах более чем
+-6,25% от центральной рабочей
частоты
Примечание. Центральная рабочая
частота равна полусумме наибольшей и
наименьшей несущих частот, на
которых может работать РЛС
I.16.4.3. РЛС, имеющие возможность работать на 852610900
двух или более несущих частотах
I.16.4.4. РЛС воздушного базирования, имеющие 852610900
возможность функционирования в
режимах синтезированной апертуры,
обратной синтезированной апертуры
или бокового обзора
I.16.4.5. РЛС, включающие фазированные 852610900
антенные решетки для электронного
управления лучом
I.16.4.6. РЛС, обладающие способностью 852610900
нахождения высотных одиночных целей
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4.6. не
распространяется на аппаратуру РЛС
точной посадки, удовлетворяющую
стандартам ИКАО, и метеорологические
(погодные) РЛС
I.16.4.7. РЛС, предназначенные специально для 852610900
воздушного базирования и имеющие
доплеровскую обработку сигнала для
обнаружения движущихся целей
I.16.4.8. РЛС, использующие обработку сигнала 852610900
методами расширения спектра или
перестройки частоты
I.16.4.9. РЛС, обеспечивающие наземное 852610900
функционирование с максимальной
инструментальной дальностью свыше
185 км
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4.9. не
распространяется на наземные РЛС
наблюдения рыбных косяков
I.16.4.10. Лазерные локационные станции или
лазерные дальномеры (ЛИДАРы):
I.16.4.10.1. имеющие космическое применение; 901380000
I.16.4.10.2. использующие методы когерентного 901380000
гетеродинного или гомодинного
детектирования и имеющие угловое
разрешение менее (лучше) 20 мкрад
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.16.4.10. - I.16.4.10.2.
не распространяется на ЛИДАРы,
специально спроектированные для
метеорологических наблюдений
I.16.4.11. РЛС, имеющие подсистемы обработки 852610900
сигнала в виде сжатия импульса с
коэффициентом сжатия свыше 150 или
шириной импульса менее 200 нс
I.16.4.12. РЛС, имеющие подсистемы обработки
данных:
I.16.4.12.1. с автоматическим сопровождением 852610900
целей, обеспечивающим при любом
вращении антенны предполагаемое
положение цели далее, чем до
следующего прохождения луча антенны;
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4.12.1. не
распространяется на средства выдачи
сигнала для предупреждения
столкновений в системах контроля
воздушного движения, морских или
прибрежных РЛС
I.16.4.12.2. с вычислением скорости цели 852610900
относительно РЛС, имеющей
непериодическое сканирование;
I.16.4.12.3. для автоматического распознавания 852610900
образов (выделение признаков) и
сравнения с базами данных
характеристик цели (сигналов или
образов) для идентификации или
классификации целей;
I.16.4.12.4. с наложением, корреляцией или 852610900
слиянием данных цели от двух или
более пространственно распределенных
на местности и взаимосвязанных
датчиков РЛС для улучшения
различения целей
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4.12.4. не
распространяется на системы,
оборудование и узлы для контроля
морского движения
I.16.4.13. Импульсные РЛС измерения площади 852610900
поперечного сечения с длительностью
импульса 100 нс или менее и
специальными компонентами
I.16.4.14. Антенные фазированные решетки, 852910900
функционирующие на частотах выше
10,5 ГГц, содержащие активные
элементы и распределенные
компоненты, позволяющие осуществлять
электронное управление формой и
направлением луча, за исключением
систем посадки с аппаратурой,
удовлетворяющей стандартам ИКАО
(система посадки СВЧ-диапазона)
I.16.5. Телекоммуникационная аппаратура,
узлы и компоненты
I.16.5.1. Любой тип телекоммуникационного
оборудования, имеющего хотя бы одну
из перечисленных характеристик,
свойств или качеств:
I.16.5.1.1. специально разработанное для защиты 8517;
от транзисторного эффекта или 852520900;
электромагнитного импульса, 852790990;
возникающих при ядерном взрыве; 854380900
I.16.5.1.2. специально разработанное с 8517;
повышенной стойкостью к гамма, 852520900;
нейтронному или ионному излучению; 852790990;
854380900
I.16.5.1.3. специально разработанное для 8471;
функционирования за пределами 852520900;
интервала температур от 219 К (-54 852790990;
С) до 397 К (124 С) 854380900
Примечания: 1. Пункт I.16.5.1.3.
применяется только в отношении к
электронной аппаратуре
2. Пункты I.16.5.1.2. и I.16.5.1.3.
не применяются в отношении к
бортовой аппаратуре спутников
I.16.5.2. Телекоммуникационная аппаратура
передачи или специально
разработанные компоненты и
вспомогательное оборудование,
содержащие:
Примечание. К
телекоммуникационной аппаратуре
передачи, указанной в пунктах
I.16.5.2.1. - I.16.5.2.11.3.,
относится аппаратура:
а) определяемая по одной из
следующих категорий или их
комбинаций:
1. радиоаппаратура (например,
передатчики, приемники и
трансиверы);
2. оконечная аппаратура линий;
3. аппаратура промежуточных
усилителей;
4. ретрансляционная аппаратура;
5. аппаратура ретрансляции с
восстановлением сигнала;
6. трансляционные кодеры
(транскодеры);
7. аппаратура уплотнения (включая
статистическое уплотнение);
8. модуляторы/демодуляторы (модемы);
9. трансмультиплексная аппаратура;
10.цифровая коммутационная
аппаратура с встроенным программным
управлением;
11.ключи и мосты;
12.аппаратура доступа к
телекоммуникационной среде
б) разработанная для использования в
одноканальных или многоканальных
линиях связи через:
провода (линии);
коаксиальный кабель;
оптоволоконный кабель;
электромагнитное излучение
I.16.5.2.1. аппаратуру, использующую цифровые 852520900
методы, включая цифровую обработку
аналоговых сигналов, разработанную
для функционирования при скорости
цифровой передачи на верхнем пределе
уплотнения свыше 45 Мбит/с или общей
скорости цифровой передачи свыше 90
Мбит/с;
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.5.2.1. не
распространяется на аппаратуру,
специально разработанную для
включения и функционирования в любой
спутниковой системе гражданского
назначения
I.16.5.2.2. аппаратуру цифровой коммутации со 852520900
встроенным программным управлением и
скоростью цифровой передачи свыше
8,5 Мбит/с на порт;
I.16.5.2.3. аппаратуру, включающую:
I.16.5.2.3.1. модемы, использующие полосу одного 852520900
телефонного канала, со скоростью
цифровой передачи свыше 9600 бит/с;
I.16.5.2.3.2. контроллеры канала связи с цифровым 852520900
выходом, имеющие скорость передачи
свыше 64000 бит/с на канал;
I.16.5.2.3.3. контроллеры доступа в сеть и 852520900
связанную с ними общую среду со
скоростью передачи свыше 33 Мбит/с;
Примечание. Если не подпадающее
под экспортный контроль оборудование
содержит контроллер доступа в сеть,
то оно не должно иметь какой-либо
тип телекоммуникационного
интерфейса, за исключением
описанного в пунктах I.16.5.2.3. -
I.16.5.3.3., но с параметрами ниже
приведенных
I.16.5.2.4. аппаратуру, использующую лазер и
имеющую хотя бы одну из следующих
характеристик:
I.16.5.2.4.1. длина волны свыше 1000 нм; 852520900
I.16.5.2.4.2. использование аналоговых методов и 852520900
полосы частот более 45 МГц;
I.16.5.2.4.3. использование когерентной оптической 852520900
передачи или когерентных методов
оптического детектирования (также
называемых оптическими гетеродинными
или гомодинными методами);
I.16.5.2.4.4. использование методов уплотнения с 852520900
разделением по длине волны
I.16.5.2.4.5. осуществление оптического усиления; 852520900
I.16.5.2.5. радиоаппаратуру, функционирующую на
частотах входного или выходного
сигнала свыше:
I.16.5.2.5.1. 31 ГГц для применения на наземных 852520900
станциях систем спутниковой связи;
I.16.5.2.5.2. 26,5 ГГц для других применений; 852520900
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.4.5.2. не
распространяется на радиоаппаратуру,
рассчитанную на гражданское
применение, функционирующую в
диапазоне частот 26,5-31 ГГц в
соответствии с рекомендациями
Международного союза электросвязи
I.16.5.2.6. радиоаппаратуру, использующую 852520900
квадратурную амплитудную модуляцию
выше уровня 4 или другие цифровые
методы модуляции и имеющую
спектральную эффективность свыше 3
бит/(с х Гц);
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.5.2.6. не
распространяется на аппаратуру,
специально разработанную для
включения и работы в любой
спутниковой системе гражданского
назначения
I.16.5.2.7. радиоаппаратуру, функционирующую в
диапазоне 1,5 - 87,5 МГц и имеющую
какую-либо из указанных ниже
характеристик:
I.16.5.2.7.1. автоматические прогнозирование и 852520900
выбор значений частот и общей
скорости цифровой передачи для ее
оптимизации;
I.16.5.2.7.2. наличие линейного усилителя 852520900
мощности, способного одновременно
поддерживать множественные сигналы с
выходной мощностью 1 кВт или более в
частотном диапазоне 1,5-30 МГц, или
250 Вт или более в частотном
диапазоне 30-87,5 МГц, свыше
пределов мгновенной полосы одной
октавы или более и с содержанием
гармоник и искажений на выходе лучше
80 дБ;
I.16.5.2.7.3. включающая адаптивные методы, 852520900
обеспечивающие подавления помехового
сигнала более чем на 15 дБ;
I.16.5.2.8. радиоаппаратуру, использующую 852520900
расширение спектра или методы
перестройки частоты, имеющую коды
расширения, программируемые
пользователем, или общую ширину
полосы частот передачи в 100 или
более раз превышающую полосу частот
одного информационного канала и
составляющую более чем 50 кГц;
I.16.5.2.9. радиоприемники с цифровым 852520900
управлением и более чем 1000
каналами, которые ищут или сканируют
в части электромагнитного спектра,
идентифицируют принятый сигнал или
тип передатчика и имеют время
переключения частоты менее 1 мс;
I.16.5.2.10. аппаратуру, обеспечивающую цифровую
обработку сигналов в виде:
I.16.5.2.10.1. кодирования речи со скоростью менее 852520900
2400 бит/с;
I.16.5.2.10.2. использования схем, обеспечивающих 852520900
программируемость пользователем схем
цифровой обработки сигналов,
превышающих пределы ограничения по
пункту I.16.9.7.;
I.16.5.2.11. системы подводной связи, имеющие
любую из следующих характеристик:
I.16.5.2.11.1. использование акустической несущей 851850900
частоты за пределами интервала от 20
до 60 кГц;
I.16.5.2.11.2. использование электромагнитной 852520900
несущей частоты ниже 30 кГц;
I.16.5.2.11.3. использование методов электронного 852520900
сканирования луча
I.16.5.3. Аппаратура коммутации с встроенным
программным управлением и связанные
системы сигналообразования, имеющая
любую из приведенных ниже
характеристик, функций или качеств и
специально разработанные компоненты
и вспомогательное оборудование
Примечание. Статистические
мультиплексоры с цифровым входом и
выходом, которые обеспечивают
коммутацию, рассматриваются как
коммутаторы со встроенным
программным управлением
I.16.5.3.1. Системы сигналообразования общего 854380900
канал
Примечание. Системы
сигналообразования, в которых сигнал
поступает и используется в виде не
более 32 уплотненных каналов,
формирующих телефонную линию со
скоростью не более 2,1 Мбит/с, и в
которой применено временное
уплотнение без использования
служебных сообщений, не считаются
системами общего сигналообразования
I.16.5.3.2. Аппаратура коммутации, выполняющая
функции цифровых сетей интегрального
обслуживания (ЦСИО) и имеющая любое
из следующих устройств или
характеристик:
I.16.5.3.2.1. интерфейс переключения терминалов 854380900
(например, линии пользователя) со
скоростью цифровой передачи в
наивысшем уровне уплотнения 192
кбит/с, включая связанный канал
передачи;
I.16.5.3.2.2. способность передачи сообщения, 854380900
принятого коммутатором по данному
каналу, связанному или другому
коммутатору
Примечание. Пункт I.16.5.3.2. не
препятствует оценке и
соответствующим действиям со стороны
принимающего коммутатора
I.16.5.3.3. Аппаратура коммутации, имеющая 854380900
многоуровневый приоритет и иерархию
цепей коммутации
Примечание. Пункт I.16.5.3.3. не
распространяется на иерархию
одноуровневых вызовов
I.16.5.3.4. Аппаратура коммутации, имеющая 854380900
адаптивную динамическую
маршрутизацию
I.16.5.3.5. Аппаратура коммутации, имеющая 854380900
маршрутизацию или коммутацию
дейтограммных пакетов
I.16.5.3.6. Аппаратура коммутации, имеющая 854380900
маршрутизацию или коммутацию пакетов
быстрого выбора
Примечание. Экспортный контроль
по пунктам I.16.5.3.5. и I.16.5.3.6.
не распространяется на сети,
использующие только контроллеры
доступа в сеть, или на сами
контроллеры доступа в сеть
I.16.5.3.7. Аппаратура коммутации, разработанная 854380900
для автоматического вызова сотового
радио к другим сотовым коммутаторам
или для автоматического соединения
абонентов с централизованной базой
данных, являющейся общей более чем
для одного коммутатора
I.16.5.3.8. Коммутаторы пакетов, каналов и
маршрутизаторы с портами или
каналами, параметры которых
превышают:
I.16.5.3.8.1. скорость передачи данных 64 кбит/с 854380900
на канал для контроллера канала
связи;
Примечание. Пункт I.16.5.3.8.1.
не препятствует уплотнению по
составной линии каналов связи, не
подлежащих экспортному контролю
I.16.5.3.8.2. скорость цифровой передачи 33 Мбит/с 854380900
для контроллера доступа к сети и
связанной общей среды
I.16.5.3.9. Аппаратура оптической коммутации 854380900
I.16.5.3.10. Аппаратура коммутации, использующая 854380900
методы асинхронного режима передачи
I.16.5.3.11. Аппаратура коммутации, содержащая 854380900
оборудование цифровой
кросс-коммутации со встроенным
программным управлением со скоростью
передачи более 8,5 Мбит/с на порт
I.16.5.4. Комплекс аппаратуры 852790990;
централизованного управления сети, 854380900
осуществляющий прием данных от узлов
и обработку этих данных для контроля
нагрузки, не требующую решения
оператора, осуществляя таким образом
динамическую адаптивную
маршрутизацию
Примечание. Пункт I.16.5.4. не
препятствует контролю нагрузки как
функции предсказуемых статистических
условий
I.16.6. Системы, аппаратура, специальные
узлы, модули или интегральные схемы
для защиты информации и другие
специально разработанные компоненты
I.16.6.1. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для использования в криптографии с
применением цифровых методов
обеспечения защиты информации
I.16.6.2. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для выполнения криптоаналитических
функций
I.16.6.3. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для использования в криптографии с
применением аналоговых методов для
обеспечения защиты информации, за
исключением:
аппаратуры с использованием
постоянного полосового
скремблирования, не превышающего 8
полос, в которой транспозиции
происходят не чаще 1 раза в секунду;
аппаратуры с использованием
постоянного полосового
скремблирования числом полос более
8, причем транспозиции происходят не
чаще 1 раза в 10 секунд;
аппаратуры с использованием
фиксированной частотной инверсии, в
которой транспозиции происходят не
чаще 1 раза в секунду;
аппаратуры факсимильной связи;
аппаратуры вещания в ограниченной
аудитории;
аппаратуры гражданского телевидения
I.16.6.4. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для подавления нежелательной утечки
сигнала, содержащего информацию
Примечание. Экспортный контроль
по пункту I.16.6.4. не
распространяется на аппаратуру
специального подавления утечки
излучений, вредных для здоровья или
безопасности окружающих
I.16.6.5. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для применения криптографических
методов генерации кода расширения
спектра или перестройки частоты
I.16.6.6. Аппаратура, узлы и компоненты, 854380900
разработанные или модифицированные
для обеспечения сертифицированной
или подлежащей сертификации
многоуровневой защиты или изоляции
пользователя на уровне, превышающем
класс В2 критерия оценки надежности
компьютерных систем или
эквивалентном ему уровне
I.16.6.7. Кабельные системы, связи, 854380900
разработанные или модифицированные с
использованием механических,
электрических или электронных
средств для обнаружения
несанкционированного доступа
I.16.7. Цифровые ЭВМ, специально 8471
разработанные или приспособленные (кроме
для решения задач криптографии и 847110)
оснащенные оборудованием и
программными средствами для защиты
информации
I.16.8. Гибридные ЭВМ, а также сборки и
специально созданная для них
элементная база:
I.16.8.1. имеющие в своем составе цифровые 847110
ЭВМ, указанные в пункте I.16.9
I.16.8.2. имеющие в своем составе 847110
аналого-цифровые и цифро-аналоговые
преобразователи, содержащие не менее
32 каналов и имеющие разрешающую
способность 14 бит (плюс знаковый
разряд) или выше, со скоростью
200000 преобразований в секунду или
выше
I.16.9. Цифровые ЭВМ, а также сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально созданная для них
элементная база
Примечания: 1. Пункты I.16.9. -
I.16.9.10. включают
вектор-процессоры, матричные
процессоры, логические процессоры и
аппаратуру для улучшения качества
изображения или обработки сигналов
2. Оценка необходимости введения
экспортного контроля по цифровым ЭВМ
и сопутствующему оборудованию,
указанным в пунктах I.16.9. -
I.16.9.10., определяется оценкой
другого оборудования или других
систем в том случае, если:
цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование существенно для работы
другого оборудования или других
систем;
цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование не являются основным
элементом другого оборудования или
других систем;
оценка необходимости введения
экспортного контроля по оборудованию
обработки сигналов или улучшения
качества изображения, указанному в
пункте I.16.9.7. и специально
спроектированному для другого
оборудования с функциями,
ограниченными функциональным
назначением другого оборудования,
определяется оценкой другого
оборудования, даже если первое
соответствует критерию основного
элемента
3. Экспортный контроль не
распространяется на цифровые ЭВМ или
сопутствующее оборудование,
указанное в пунктах I.16.9. -
I.16.9.10., в том случае, если:
они существенны для применения в
медицине;
по своему устройству и характеру
работы они ограничены лишь
применением в медицине;
эта аппаратура не имеет режима
программирования пользователем,
кроме такого, при котором
обеспечивается возможность ввода
исходных или модифицированных
программ, поставляемых их
первоначальным изготовителем;
совокупная теоретическая
производительность любой цифровой
ЭВМ, не спроектированной и не
модифицированной для применения в
медицине, но существенной для этого
применения, не должна превышать 20
миллионов теоретических операций в
секунду (мегатопсов)
I.16.9.1. Цифровые ЭВМ, а также сборки, 8471
спроектированные для (кроме
комбинированного распознавания, 847110)
понимания и интерпретации
изображений или непрерывной
(связной) речи
I.16.9.2. Цифровые ЭВМ, а также сборки, 8471
спроектированные или (кроме
модифицированные для обеспечения 847110)
отказоустойчивости
Примечание. Применительно к
пункту I.16.9.2. цифровые ЭВМ и
сопутствующее оборудование не
считаются спроектированными или
модифицированными для обеспечения
отказоустойчивости, если в них
используются:
алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая,
что, если активный центральный
процессор отказывает, ждущий, но
отслеживающий центральный процессор
может продолжить функционирование
системы;
взаимосвязь двух центральных
процессоров посредством каналов
передач данных или с применением
общей памяти, чтобы обеспечить
одному центральному процессору
возможность выполнить другую работу,
пока не откажет второй центральный
процессор, тогда первый центральный
процессор принимает его работу на
себя, чтобы продолжить
функционирование системы;
синхронизация двух центральных
процессоров посредством программного
обеспечения такая, что один
центральный процессор распознает,
когда отказывает другой центральный
процессор, и восстанавливает задачи
отказавшего устройства
I.16.9.3. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме
(СТП) свыше 12,5 миллиона 847110)
теоретических операций в секунду
(мегатопсов)
I.16.9.4. Сборки цифровых ЭВМ, специально
спроектированные или
модифицированные для повышения
производительности путем объединения
вычислительных элементов:
Примечания: 1. Пункт I.16.9.4.
распространяется лишь на сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие границы, указанной в
пункте I.16.9.3., при поставке в
виде необъединенных сборок. Он
неприменим к сборкам, по конструкции
своей пригодным лишь для
использования в качестве
сопутствующего оборудования, на
которое распространяется экспортный
контроль по пунктам I.16.9.5.-
I.16.9.10.
2. Пункт I.16.9.4. распространяет
экспортный контроль на сборки,
специально спроектированные для
продукции или целого семейства
продуктов, в своей максимальной
конфигурации не превышающих границы,
указанной в пункте I.16.9.3.
I.16.9.4.1. по проекту способные к объединению в 8471
конфигурации из 16 и более (кроме
вычислительных элементов; 847110)
I.16.9.4.2. с суммой максимальных скоростей 8471
пересылки данных по всем каналам (кроме
передачи данных, имеющимся для связи 847110)
со смежными процессорами,
превышающей 40 Мбайт/с
I.16.9.5. Накопители на дисках и твердотельные
приборы памяти
I.16.9.5.1. Накопители на магнитных, 847193500
перезаписываемых оптических или
магнитооптических дисках с
максимальной скоростью передачи
информации, превышающей 25 Мбит/с
I.16.9.5.2. Твердотельные приборы памяти, не 847193500
относящиеся к оперативной памяти
(известные также под названием
твердотельные (жесткие) диски или
диски с произвольным доступом), с
максимальной скоростью передачи
информации, превышающей 36 Мбит/с
I.16.9.6. Устройства управления 847192900
вводом-выводом, спроектированные для
применения с оборудованием, на
которое распространяется экспортный
контроль по пунктам
I.16.9.5.1.- I.16.9.5.2.
I.16.9.7. Аппаратура для обработки сигналов 854380900
или улучшения качества изображения,
имеющая совокупную теоретическую
производительность свыше 8,5
миллиона теоретических операций в
секунду (мегатопсов)
I.16.9.8. Графические акселераторы или 854380900
графические сопроцессоры,
превышающие скорость исчисления
трехмерных векторов, равную 400000,
а если аппаратно поддерживаются
только двумерные вектора, то
превышающие скорость исчисления
двумерных векторов, равную 600000
Примечание. Пункт I.16.9.8. не
распространяется на рабочие станции,
созданные и ограниченные:
графическим искусством (например,
полиграфией, книгопечатанием);
отображением двумерных векторов
I.16.9.9. Цветные дисплеи или мониторы, 852810690
имеющие более 12 разрешающих
элементов на миллиметр в направлении
максимальной плотности пикселей
Примечание. Пункт I.16.9.9. не
распространяет экспортный контроль
на дисплеи или мониторы, не
спроектированные специально для ЭВМ
I.16.9.10. Аппаратура, содержащая в своем 852520900
составе терминальный интерфейс,
превосходящий пределы, установленные
пунктом I.16.5.2.3.
Примечание. Применительно к
пункту I.16.9.10. в понятие
"терминальный интерфейс" входят
интерфейсы локальных сетей, модемы и
другие интерфейсы связи (стыки).
Интерфейсы локальных вычислительных
сетей оцениваются как контроллеры
доступа к сети
I.16.10. Вычислительные машины и специально
спроектированное сопутствующее
оборудование, их сборки и элементная
база
I.16.10.1. Систолические матричные 8471
вычислительные машины
I.16.10.2. Нейронные вычислительные машины 8471
I.16.10.3. Оптические вычислительные машины 8471
Часть II. Технологии и научно-техническая информация
-----------------T-----------------------------------------------¬
¦ Номер ¦ Наименование ¦
¦ позиции ¦ ¦
+----------------+-----------------------------------------------+
¦ 1 ¦ 2 ¦
L----------------+------------------------------------------------
Раздел II.1. Металлические материалы
II.1.1. Технология производства алюминидов никеля или
титана в виде сырья или полуфабрикатов:
II.1.1.1. алюминидов никеля с содержанием алюминия 10
или более процентов (по массе);
II.1.1.2. алюминидов титана с содержанием алюминия 12
или более процентов (по массе)
II.1.2. Технология производства металлических сплавов
методом порошковой металлургии или вводимых
гранул материалов, указанных в пунктах
I.1.8. - I.1.8.5., включая:
II.1.2.1. никелевые сплавы:
II.1.2.1.1. с пределом длительной прочности 550 МПа (55
кгс/кв. мм) при температуре 923 К (650 С)
за 10000 ч и более;
II.1.2.1.2. с малоцикловой выносливостью при
максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.
мм) на базе 10000 циклов и более при
температуре 823 К (550 С)
II.1.2.2. ниобиевые сплавы:
II.1.2.2.1. с пределом длительной прочности 400 МПа (40
кгс/кв. мм) при температуре 1073 К (800 С)
за 10000 ч и более;
II.1.2.2.2. с малоцикловой выносливостью при
максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.
мм) на базе 10000 циклов и более при
температуре 973 К (700 С)
II.1.2.3. титановые сплавы:
II.1.2.3.1. с пределом длительной прочности 200 МПа (20
кгс/кв. мм) при температуре 723 К (450 С)
за 10000 ч и более;
II.1.2.3.2. с малоцикловой выносливостью при
максимальном напряжении 400 МПа (40 кгс/кв.
мм) на базе 10000 циклов и более при
температуре 723 К (450 С)
II.1.2.4. алюминиевые сплавы с пределом длительной
прочности:
II.1.2.4.1. 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более при
температуре 473 К (200 С);
II.1.2.4.2. 415 МПа (41,5 кгс/кв. мм) и более при
температуре 298 К (25 С);
II.1.2.5. магниевые сплавы с пределом длительной
прочности 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более и
скоростью коррозии менее 1 мм в год в
3-процентном водном растворе хлорида натрия
II.1.3. Технология производства титановых сплавов (в том
числе вторичных) с пределом длительной прочности
свыше 1200 МПа (120 кгс/кв. мм) и пределом
ползучести свыше 150 МПа (15 кгс/кв. мм) при
температуре 873 К (600 С)
II.1.4. Технологии производства алюминий-литиевых
сплавов (в том числе содержащих скандий) с
содержанием лития более 6%, скандия более 3%, а
именно:
II.1.4.1. системы алюминий-магний-литий (скандий),
обладающие в совокупности следующими
характеристиками: плотностью менее 2,47
г/куб. см;
модулем упругости более 78000 МПа (7800
кгс/кв. мм);
удельной прочностью более 19 км;
II.1.4.2. системы алюминий-медь-магний-литий
(скандий), обладающие в совокупности
следующими характеристиками:
плотностью менее 2,56 г/куб. см;
модулем упругости более 80000 МПа (8000
кгс/кв. мм);
удельной прочностью более 19 км;
II.1.4.3. системы алюминий-медь-литий (скандий),
обладающие в совокупности следующими
характеристиками:
плотностью менее 2,6 г/куб. см;
модулем упругости более 80000 МПа (8000
кгс/кв. мм);
удельной прочностью более 22 км;
II.1.4.4. системы алюминий-литий (скандий),
обладающие в совокупности следующими
характеристиками:
плотностью менее 2,4 г/куб. см;
модулем упругости более 80000 МПа (8000
кгс/кв. мм);
удельной прочностью более 20 км
II.1.5. Технология производства деформируемых магниевых
сплавов (в том числе гранулированных) с пределом
длительной прочности более 350 МПа (35 кгс/кв.
мм);
II.1.6. Технология производства литейных магниевых
сплавов с пределом длительной прочности более
280 МПа (28 кгс/кв. мм) при рабочей температуре
более 523 К (250 С);
II.1.7. Технология производства урано-титановых сплавов
или вольфрамовых сплавов с матрицей на основе
железа, никеля или меди:
с плотностью свыше 17,5 г/куб. см;
с пределом упругости свыше 1250 МПа;
с пределом прочности на разрыв более 1270
МПа;
с относительным удлинением свыше 8%;
II.1.8. Технология производства порошков металлических
сплавов или вводимых гранул для материалов,
указанных в пунктах I.1.1. - I.1.2.5.,
получаемых в контролируемой среде посредством
одного из нижеследующих процессов:
распылением в вакууме;
газоструйным распылением;
центробежным распылением;
спиннингованием;
расплавлением с вращением и
кристаллизацией;
экстракцией расплава;
механическим легированием и изготовленных
из любой системы:
II.1.8.1. никелевых сплавов (Ni-Al-X, Ni-X-Al),
предназначенных для использования в составе
частей или компонентов турбин двигателей,
т.е. с менее чем тремя неметаллическими
частицами (введенными в процессе
производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах
сплава;
II.1.8.2. ниобиевых сплавов (Nb-Al-X или Nb-X-Al,
Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);
II.1.8.3. титановых сплавов (Ti-Al-X или Ti-X-Al);
II.1.8.4. алюминиевых сплавов (Al-Mg-X или Al-X-Mg,
Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe);
II.1.8.5. магниевых сплавов (Mg-Al-X или Mg-X-Al)
Примечание. X служит показателем равенства
содержания в сплаве одного или более
составляющих элементов (примесей)
II.1.9. Технология производства сплавленных материалов в
виде неизмельченных гранул, стружки или тонких
стержней, изготовляемых в контролируемой среде
методом спиннингования, расплавления с вращением
или экстракции расплава, используемых при
производстве порошка для металлических сплавов
или вводимых гранул, указанных в пунктах
I.1.8. - I.1.8.5.
II.1.10. Технология производства магнитных материалов
всех типов и любой формы:
II.1.10.1. Технология производства магнитных материалов с
начальной относительной проницаемостью 120000
или более и толщиной 0,05 мм или менее
II.1.10.2. Технология производства магнитострикционных
сплавов:
II.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением более
5x10E-4;
II.1.10.2.2. с коэффициентом магнитомеханического
сцепления более 0,8
II.1.10.3. Технология производства магнитного сплава в виде
аморфной стружки с составом минимум 75% (по
массе) железа, кобальта или никеля, магнитной
индукцией насыщения не менее 1,6 Т, толщиной
стружки не более 0,02 мм и удельным
электрическим сопротивлением не менее 2x10E-4
Ом/см
Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические
волокна и нити, каучуки и изделия из них
II.2.1. Технология производства полимерных веществ
II.2.1.1. Технология производства бисмалеимида
II.2.1.2. Технология производства ароматических
полиимидных материалов с термостойкостью выше
723 К (450 С)
II.2.1.3. Технология производства ароматических
полихиноксалинов и материалов на их основе
II.2.1.4. Технология производства ароматических
полиэфиримидов, имеющих температуру стеклования
более 503 К (230 С)
II.2.1.5. Технология производства ароматических полиамидов
Примечание. Технология производства
неплавких порошков для формообразования под
давлением или подготовки форм из материалов,
указанных в пунктах II.2.1.1., II.2.1.3.,
II.2.1.5., II.2.1.6., II.2.1.13., экспортному
контролю не подлежат
II.2.1.6. Технология производства изделий из
нефторированных полимерных веществ, указанных в
пунктах I.2. 1.5.-I.2.1.10., I.2.1.13., в виде
пленки, листа, ленты или полосы:
II.2.1.6.1. при толщине свыше 0,254 мм;
II.2.1.6.2. покрытых углеродом, графитом, металлами или
магнитными веществами
II.2.1.7. Технология производства термопластических
жидкокристаллических сополимеров, имеющих
температуру тепловой деформации более 523 К (250
С), измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и
образованных сочетанием:
пара-фенилена, пара-пара-бифенилена или 2,6
нафталина;
метила, третичного бутила или
фенил-замещенного фенилена, бифенилена или
нафталина с любой из следующих кислот:
терефталевой кислотой;
6-гидрокси-2 нафтойной кислотой;
4-гидроксибензойной кислотой
II.2.1.8. Технология производства полиариленовых эфирных
кетонов:
II.2.1.8.1. полиэфироэфирокетона (ПЭЭК);
II.2.1.8.2. полиэфирокетон-кетона (ПЭКК);
II.2.1.8.3. полиэфирокетона (ПЭК);
II.2.1.8.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК)
II.2.1.9. Технология производства полиариленовых кетонов
II.2.1.10. Технология производства полиариленовых
сульфидов, где ариленовая группа представляет
собой бифенилен, трифенилен или их комбинации
II.2.1.11. Технология производства
полибифениленэфирсульфона
II.2.1.12. Технология производства
материалов-полуфабрикатов (т.е. полимерных или
металлорганических материалов
специализированного назначения):
II.2.1.12.1. полидиорганосиланов (для производства
карбида кремния);
II.2.1.12.2. полисилазанов (для производства нитрида
кремния);
II.2.1.12.3. поликарбосилазанов (для производства
керамики с кремниевыми, углеродными или
азотными компонентами)
II.2.1.13. Технология производства полибензотиазолов или
полибензоксозолов
II.2.2. Технология производства фторсодержащих веществ
II.2.2.1. Технология производства необработанных
соединений фтора:
II.2.2.1.1. сополимеров винилиденфторида, содержащих
75% или более бета-кристаллической
структуры, полученной без вытягивания;
II.2.2.1.2. фтористых полимидов, содержащих 30% или
более связанного фтора;
II.2.2.1.3. фтористых фосфазеновых эластомеров,
содержащих 30% или более связанного фтора
II.2.2.2. Технология производства фтористых эластомерных
соединений, содержащих по крайней мере один
дивинилэфирный мономер
II.2.2.3. Технология производства уплотнений, прокладок,
седел клапанов, трубчатых уплотнений или
диафрагм из фторэластомеров, содержащих по
крайней мере один виниловый мономер, специально
предназначенных для авиационной и
аэрокосмической техники, и указанных в пункте
I.2.2.3.
II.2.2.4. Технология производства пьезоэлектрических
полимеров и сополимеров, изготовленных из
фтористого винилидена в виде пленки или листа
толщиной более 200 мкм
II.2.3. Технология производства электропроводных
полимерных материалов с удельной электрической
проводимостью свыше 10 сименс/м или
поверхностным сопротивлением менее 10 Ом/кв. м,
выполненных на основе следующих полимеров:
II.2.3.1. полианилина;
II.2.3.2. полипиррола;
II.2.3.3. политиофена;
II.2.3.4. полифенилен-винилена;
II.2.3.5. политиофенилен-винилена
II.2.3.6. Технологии для нанесения, эксплуатации или
восстановления (ремонта) материалов, указанных в
пунктах I.2.3. - I.2.3.5.
II.2.4. Технология производства ароматических
полиамидных волокон
II.2.5. Технология производства волокнистых или
нитевидных материалов на основе:
II.2.5.1. полиэфиримидов, указанных в пункте
I.2.1.13;
II.2.5.2. материалов, указанных в пунктах
I.2.1.15. - I.2.1.19.
II.2.6. Технология производства фторсилоксановых
каучуков, работоспособных при температурах ниже
213 К (-60 С) и выше 473 К (200 С)
II.2.7. Технология производства герметиков на основе
жидкого тиокола, работоспособных при
температурах ниже 213 К (-60 С) и выше 423 К
(150 С)
II.2.8. Технология производства кремнийорганических
герметиков, работоспособных при температурах
ниже 213 К (-60 С) и выше 523 К (250 С)
II.2.9. Технология производства органических полимерных
фотоприемников для пространственно-временных
модуляторов света
II.2.10. Технология производства дипараксилена (мономера
Д-2)
Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы
II.3.1. Технологии производства материалов на
керамической основе, некомпозиционных
керамических материалов, материалов типа
композит с керамической матрицей, а также их
полуфабрикатов:
II.3.1.1. основных материалов из простых или сложных
боридов титана, имеющих металлические примеси
(кроме специальных добавок) на уровне менее 5000
частиц на миллион, при среднем размере частицы,
равном или меньшем 5 мкм (при этом не более 10%
частиц размером более 10 мкм);
II.3.1.2. некомпозиционных керамических материалов в виде
сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе
боридов титана с плотностью 98% или более от
теоретического значения
II.3.1.3. Технологии для восстановления композиционных
структур, слоистых структур или материалов,
указанных в пунктах I.3.3. - I.3.3.2.
II.3.2. Технология производства трехмерно-армированных
углерод-углеродных материалов типа КИМФ с
повышенной эрозионной стойкостью,
характеризующейся скоростью уноса массы менее 3
мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и
давлении 150 атм и выше
II.3.3. Технология производства объемно-армированных
углерод-углеродных материалов типа "ЗАРЯ", с
повышенной эрозионной стойкостью,
характеризующейся скоростью уноса массы менее
0,05 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и
выше и давлении 150 атм и выше
II.3.4. Технология производства жаростойких углеродных
материалов на рабочие температуры более 2025 К
(1750 С) с пределом прочности более 300 МПа (30
кгс/кв. мм) (для применения в углерод-углеродных
материалах) и более 200 МПа (20 кгс/кв. мм) (для
применения в углерод-керамических материалах)
II.3.5. Технология производства теплоизоляционных
термостабильных (десятки тысяч часов в диапазоне
температур до 1025 К (750 С) экологически чистых
материалов типа КГ-3 на основе графита с
плотностью 0,2 г/куб. см и коэффициентом
теплопроводности 0,1 Вт/(м х К)
II.3.6. Базовые материалы или некомпозиционные
керамические материалы
II.3.6.1. Технология производства базовых материалов с
суммарными металлическими примесями (включая
вносимые преднамеренно) менее чем 1000 частей на
миллион для комплексных соединений и единичных
карбидов 5000 частей на миллион для комплексных
соединений или единичных нитридов, средним
размером частиц, равным или менее 5 мкм, и не
более чем 10% частиц с размерами более 10 мкм,
содержащих пластинки с отношением длины к
толщине, превышающим значение 5, короткие
стержни (усы) с отношением длины к диаметру
более 10 для диаметров стержней менее чем 2 мкм
и длинные или рубленные волокна с диаметром
меньшим 10 мкм, из следующих материалов:
II.3.6.1.1. единичных или комплексных оксидов циркония
и комплексных оксидов кремния или алюминия;
II.3.6.1.2. единичных нитридов бора (с кубическими
формами кристаллов);
II.3.6.1.3. единичных или комплексных карбидов кремния
или бора;
II.3.6.1.4. единичных или комплексных нитридов кремния
Примечание. Для циркония представленные выше
пределы размеров частиц соответствуют 1 мкм и 5
мкм соответственно
II.3.6.2. Технология производства некомпозитных
керамических материалов (кроме абразивов),
указанных в пунктах II.3.6.1. - II.3.6.1.4.
II.3.7. Технология производства пенопласта с
микросферами для применения под водой на морских
глубинах более 1000 м и с плотностью менее 561
кг/куб. м
II.3.7.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
пенопласта с микросферами для применения под
водой на морских глубинах более 1000 м и
плотностью менее 561 кг/куб.м
Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы
II.4.1. Технология производства гидравлических
жидкостей, содержащих в качестве основных
составляющих любые из следующих веществ или
материалов:
II.4.1.1. синтетические углеводородные масла или
кремний-углеводородные масла с точкой
возгорания свыше 477 К (204 С), точкой
застывания 239 К (-34 С) или ниже,
коэффициентом вязкости 75 или более
термостабильностью при 616 К (343 С);
Примечание. Указанные в пункте II.4.1.1.
кремний-углеводородные масла содержат
исключительно кремний водород и углерод
II.4.1.2. хлоро-фторуглероды с температурой
самовоспламенения свыше 977 К (704 С) с
точкой застывания 219 К (-54 С),
коэффициентом вязкости 80 или более и
точкой кипения 473 К (200 С) или более
Примечание. Указанные в пункте II.4.1.2.
хлоро-фторуглероды содержат исключительно хлор,
фтор и углерод
II.4.2. Технология производства смазочных материалов,
содержащих в качестве основных составляющих
следующие вещества и материалы:
II.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры или
тиоэфиры или их смеси, содержащие более
двух эфирных или тиоэфирных функций или
смесей;
II.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкости,
характеризуемые кинематической вязкостью
менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при
температуре 298 К (25 С)
II.4.3. Технология производства увлажняющих или
флотирующих жидкостей с показателем чистоты
более 99,8%, содержащих менее 25 частиц размером
200 мкм или более на 100 мл и изготовленных по
меньшей мере на 85% из следующих веществ и
материалов:
II.4.3.1. дибромтетрафторэтана;
II.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только маслянистые
и воскообразные модификации);
II.4.3.3. полибромтрифторэтилена
Раздел II.5. Фармацевтические препараты
II.5.1. Технология производства полианатоксинов
II.5.2. Технология производства вакцины
инактивированной, концентрированной, очищенной
для профилактики венесуэльского энцефаломиелита
на основе оригинального штамма СМ-27
II.5.3. Технология производства дивакцины
инактивированной культуральной, очищенной для
профилактики восточного и западного
энцефаломиелита лошадей
II.5.4. Технология производства препаратов группы
холинэстераз для определения фосфорорганических
ОВ и информация по использованию препаратов
II.5.5. Технология получения и использования
иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих
риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию
риккетсий группы сыпного тифа, клещевой
пятнистой лихорадки и куриккетсиоза при
иммунофлуоресцентном анализе
II.5.6. Диагностикум, технология получения и
использования культурального, поливалентного
диагностикума геморрагической лихорадки с
почечным синдромом для непрямого метода
иммунофлуоресценции
II.5.7. Гибридомная технология получения
иммунодиагностикума моноклонального
люминесцирующего к вирусу клещевого энцефалита и
информация об использовании диагностикума
Раздел II.6. Токсичные вещества
II.6.1. Информация о синтезе и оценке физико-химических
токсикологических характеристик нейротоксикантов
особо высокой токсичности со средней летальной
дозой менее 0,1 мг/кг в целях поиска
нейротоксикантов высокой эффективности
Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства
изделий электронной техники и оптики
II.7.1. Технология изготовления и нанесения
радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с
коэффициентом отражения менее 15% при
температуре до 623 К (350 С)
II.7.2. Технология производства многослойных структур
кадмий-ртуть-теллур (КРТ) с использованием
вакуумного синтеза
II.7.3. Технологии производства материалов для
оптических датчиков:
II.7.3.1. Технология производства элементарного теллура
(Te) чистотой, равной или более 99,9995%
II.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида
кадмия (CDTe) любой чистоты включая
эпитаксиальные пластины
II.7.3.3. Технология производства заготовок оптических
волокон, специально предназначенных для
производства волокон с высоким
двулучепреломлением, использующихся в
оптоволоконных датчиках, указанных в пунктах
I.12.2.4.3. - I.12.2.4.3.2.
II.7.4. Технологии производства оптических материалов:
II.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ZnSe) и
сульфина цинка (ZnS) в виде пластин-подложек,
изготовляемых в процессе химического осаждения
паров, объемом более 100 куб. см или диаметром
более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм
II.7.4.2. Технологии производства слитков следующих
электрооптических материалов:
II.7.4.2.1. арсенида титаната калия (КТА);
II.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия
(AgGaSe2);
II.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка
(TlзAsSeз), также известного как ТАС
II.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических
материалов, имеющих восприимчивость третьего
порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв. м,
время отклика менее 1 мс
II.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек
карбида кремния или осажденных материалов
бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше 300 мм в
диаметре или длины наибольшей оси
II.7.4.5. Технология производства материалов с малым
оптическим поглощением:
II.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений
фтора, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999%
или более
Примечание. Пункт II.7.4.5.1.
распространяется только на технологию
производства фторидов циркония или алюминия и
подобных соединений
II.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих
стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2.
II.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих
расплавы кремния, стекол из фосфатов
фторфосфатов, фторида циркония (ZrF4) и фторида
гафния (HfF4) с концентрацией гидроксильных
ионов (OH-) менее 5 промилле интегральными
уровнями чистоты металлов менее 1 промилле,
высокой однородностью (вариацией показателя
преломления менее 5x10E-6)
II.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного
материала с поглощением менее 10E-5 см на длине
волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм
II.7.4.8. Технология производства оптоволоконных
заготовок, изготовленных из объемных соединений
фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой
99,999% или лучше, специально разработанных для
производства фторидных волокон, указанных в
пункте I.12.5.4.
II.7.5. Технологии производства материалов для
кристаллических основ лазеров:
II.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном;
II.7.5.2. александрита
II.7.6. Технологии производства материалов резистов и
подложек, покрытых резистами:
II.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со
спектральной чувствительностью оптимизированной
на излучение менее 370 нм
II.7.6.2. Технология производства всех резистов,
используемых для экспонирования электронными или
ионными пучками, с чувствительностью не хуже
0,01 мкКл/кв. мм
II.7.6.3. Технология производства всех резистов,
используемых для экспонирования рентгеновскими
лучами, с чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв.
мм
II.7.6.4. Технология производства всех резистов,
оптимизированных под технологию формирования
рисунка, включая силицированные резисты
II.7.7. Технология производства металлорганических
соединений алюминия, галлия или индия, имеющих
чистоту (металлической основы) более 99,999%
II.7.8. Технология производства гидридов фосфора,
мышьяка или сурьмы, имеющих чистоту более
99,999% даже после разбавления нейтральными
газами
Примечание. Технология производства
гидридов, содержащих 20 и более мольных
процентов инертных газов или водорода, не
подлежит экспортному контролю согласно пункту
II.7.8.
II.7.9. Технология производства заготовок стекла или
любых других материалов, оптимизированных для
производства оптических волокон, указанных в
пункте I.12.5.
II.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические
волокна, специально предназначенные для
подводного применения
Раздел II.8. Электротехника и энергетика
II.8.1. Технология производства сверхпроводящих
композитных материалов длиной более 100 м или
массой, превышающей 100 г:
II.8.1.1. Технология производства многожильных
сверхпроводящих композитных материалов,
содержащих одну ниобиевую нить или более:
II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на
основе медьсодержащего материала;
II.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,
28x10E-4 кв. мм (6 мкм в диаметре в случае
нитей круглого сечения)
II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих
композитных материалов не из ниобий-титана,
состоящих из одной или более сверхпроводящих
нитей:
с критической температурой при нулевой
магнитной индукции, превышающей 9,85 К
(-263,31 С), но не ниже 24 К (-249,16 С);
с площадью поперечного сечения менее 0,
28x10E-4 кв. мм;
которые остаются в состоянии
сверхпроводимости при температуре 4,2 К
(-268,96 С), находясь в магнитном поле с
магнитной индукцией 12 Т
II.8.2. Информация о результатах исследований и
разработок высокотемпературных сверхпроводников
с критическим магнитным полем, с магнитной
индукцией более 150 Т и критическим током более
1000 МА/кв. м при температуре 77 К (-196 С) для
техники магнитного ускорения объектов
II.8.3. Информация о конструкционных и технологических
решениях в области создания импульсных
источников электроэнергии на основе формирующих
линий с мощностью, превышающей 100 ТВт при
энергии, превышающей 5 МДж
II.8.4. Информация о конструкционных и технологических
решениях в области создания импульсных
источников электроэнергии на основе униполярных
генераторов, предназначенных для медленного
отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии
более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее
1 мс) с запасом энергии 1 МДж
II.8.5. Конструкция и технология производства батарей
Примечание. Экспортный контроль не
распространяется на конструкцию и технологию
производства батарей с объемом 26 куб. см и
меньше (например, стандартные угольные
элементы), указанных в пунктах II.8.5. -
II.8.5.3.
II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных
элементов и батарей с плотностью энергии выше
350 Вт х ч/кг, пригодных по техническим условиям
для работы в диапазоне температур от 243 К (-30
С) и ниже до 343 К (70 С) и выше
II.8.5.2. Конструкция и технология производства
подзаряжаемых элементов и батарей с плотностью
энергии свыше 150 Вт х ч/кг после 75 циклов
заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч
(здесь С - номинальная емкость в А х ч), и при
работе в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и
ниже до 333 К (60 С) и выше
II.8.5.3. Конструкция и технология производства
радиационностойких батарей на фотоэлектрических
элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.
м при рабочей температуре 301 К (28 С) и
вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К (2527
С) и создающем энергетическую освещенность 1
кВт/кв. м, пригодных по техническим условиям для
космического применения
II.8.5.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования батарей,
указанных в пунктах I.7.2. - I.7.2.3.
II.8.6. Конструкция и технология производства
накопителей энергии
II.8.6.1. Конструкция и технология производства
накопителей энергии с частотой повторения менее
10 Гц (одноразовых накопителей), имеющих
номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность
энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не
менее 25 кДж
II.8.6.2. Конструкция и технология производства
накопителей энергии с частотой повторения менее
10 Гц и больше (многоразовых накопителей),
имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ,
плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую
энергию не менее 100 Дж и количество циклов
заряда-разряда не менее 10000
II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или
систем для накопления электромагнитной энергии,
содержащих компоненты из сверхпроводящих
материалов, специально спроектированных для
работы при температурах ниже критической
температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих
составляющих, имеющих рабочие резонансные
частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой
энергии не менее 1 МДж/куб. м и время разряда
менее 1 мс
II.8.6.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования накопителей
энергии, указанных в пунктах I.7.3. - I.7.3.3.
II.8.7. Конструкция и технология производства
сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов,
специально спроектированных на полный заряд или
разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную
энергию в разряде, деленную на длительность
разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр
токопроводящих обмоток свыше 250 мм и
номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или
суммарную плотность тока в обмотке больше 300
А/кв. мм
Примечание. Экспортный контроль не
распространяется на конструкцию и технологию
производства сверхпроводящих электромагнитов или
соленоидов, специально спроектированных для
медицинской аппаратуры магниторезонансной
томографии
II.8.7.1. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования сверхпроводящих
электромагнитов или соленоидов, указанных в
пункте I.7.4.
II.8.8. Конструкция и технология производства
рентгеновских систем с короткоимпульсным
разрядом, имеющих пиковую мощность, превышающую
500 МВт, выходное напряжение, превышающее 500
кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс
II.8.8.1. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования рентгеновских
систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в
пункте I.7.5.
II.8.9. Информация о конструкторских решениях,
технологиях, материалах, основных узлах и
системах бортовых ядерных
электроэнергоустановок, позволяющая осуществить
непосредственное воспроизведение или
способствующая ускорению реализации подобных
проектов
II.8.10. Информация о конструкционных и технологических
решениях, позволяющих создать короткоимпульсные
электронные и протонные ускорители с энергией
более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА
Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали
II.9.1. Конструкция и технология производства
антифрикционных подшипников или систем
подшипников и их компонентов
Примечание. Экспортный контроль не
распространяется на конструкцию и технологию
производства шарикоподшипников с допусками,
устанавливаемыми производителями в соответствии
со стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже
II.9.1.1. Конструкция и технология производства шариковых
или роликовых подшипников (кроме конических
роликовых подшипников), имеющих допуски,
устанавливаемые производителем в соответствии со
стандартом ИСО, имеющих любую из следующих
характеристик:
II.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из
медно-никелевого сплава или бериллия;
II.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих
температурах выше 573 К (300 С) либо с
применением специальных материалов или
специальной тепловой обработки;
II.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом,
модифицирующим этот элемент, который в
соответствии со спецификацией изготовителя
специально спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях, соответствующих
значению КСВ более 2,3x10E6
II.9.1.2. Конструкция и технология производства других
шариковых или роликовых подшипников (кроме
конических роликовых подшипников), имеющих
допуски, устанавливаемые производителем в
соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше
(или национальными эквивалентами)
II.9.1.3. Конструкция и технология производства конических
роликовых подшипников, имеющих любую из
следующих характеристик:
II.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом,
модифицирующим этот элемент, который в
соответствии со спецификацией изготовителя
специально спроектирован для подшипников,
работающих при скоростях, соответствующих
значению КСВ более 2,3x10E6;
II.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих
температурах ниже 219 К (-54 С) или выше
423 К (150 С)
II.9.1.4. Конструкция и технология производства
тонкостенных подшипников с газовой смазкой,
изготовленных для применения при рабочих
температурах 561 К (288 С) или выше, и со
способностью выдерживать единичную нагрузку,
превышающую 1 МПа
II.9.1.5. Конструкция и технология производства активных
магнитных подшипниковых систем
II.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно
изготавливаемых самоцентрирующихся или серийно
изготавливаемых и устанавливаемых на шейку вала
подшипников скольжения, изготовленных для
использования при рабочих температурах ниже 219
К (-54 С) или выше 423 К (150 С)
II.9.1.7. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования и производства подшипников,
указанных в пунктах I.8.1. - I.8.1.6.
Раздел II.10. Обработка материалов
II.10.1. Производственные процессы металлообработки
II.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента),
пресс-форм или зажимных приспособлений,
специально спроектированных для следующих
процессов:
II.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования;
II.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания;
II.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого
действия
II.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или
методы реализации процесса, перечисленные ниже и
используемые для управления:
II.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием
алюминиевых, титановых сплавов или
суперсплавов, включая:
подготовку поверхности;
степень деформации;
температуру;
давление
Примечание. К суперсплавам относятся сплавы
на основе никеля, кобальта или железа,
сохраняющие высокую прочность при температурах
свыше 922 К (649 С) в тяжелых условиях
функционирования и окружающей среды
II.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов
или титановых сплавов, включая:
подготовку поверхности;
температуру;
давление
II.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого
действия алюминиевых или титановых сплавов,
включая:
давление;
время цикла
II.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией
титановых, алюминиевых сплавов и
суперсплавов, включая:
температуру;
давление
время цикла
II.10.2. Конструкция и технология производства
гидравлических вытяжных формовочных машин и
матриц для изготовления легких корпусных
конструкций
II.10.3. Конструкция и технология производства
универсальных станков (без программного
управления) для получения оптически качественных
поверхностей:
II.10.3.1. токарных станков, использующих единственную
точку фрезерования и обладающих всеми
нижеследующими характеристиками:
точность положения суппорта меньше (лучше)
чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения;
повторяемость двунаправленного положения
суппорта меньше (лучше) чем 0,00025 мм на
300 мм перемещения;
биение и эксцентриситет шпинделя меньше
(лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего
считывания;
угловая девиация движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) чем 2
дуговые секунды по индикатору общего
считывания на полном перемещении;
перпендикулярность суппорта меньше (лучше)
чем 0,001 мм на 300 мм перемещения;
II.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и
эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм
по индикатору общего считывания и угловую
девиацию движения суппорта (рыскание,
тангаж и вращение вокруг продольной оси)
меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по
индикатору общего считывания на полном
перемещении
II.10.4. Конструкция и технология производства станков с
ЧПУ или станков с ручным управлением, включая
специально спроектированные компоненты, элементы
управления и приспособления для них, специально
спроектированных для фрезерования, финишной
обработки, полирования или хонингования
закаленных (Rс=40 или более) конических или
цилиндрических шестерен в соответствии с
пунктами I.9.3. - I.9.3.2.
II.10.5. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства и применения
программно-управляемых станков, указанных в
пунктах I.9.3. - I.9.3.2.
II.10.6. Конструкция и технология производства
оборудования, специально спроектированного для
реализации процесса и управления процессом
нанесения неорганических покрытий, защитных
слоев и поверхностного модифицирования, а также
специально спроектированных средств
автоматизированного регулирования, установок,
манипуляторов и компонентов управления
II.10.6.1. Конструкция и технология производства снабженных
программноуправляемым запоминающим устройством
производственных установок для нанесения
твердого покрытия из парообразных химических
соединений, указанных в пункте I.9.4.1.
II.10.6.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для нанесения
покрытия из парообразных химических соединений,
указанных в пункте I.9.4.1.
II.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для ионной
имплантации, указанных в пункте I.9.4.2.
II.10.6.4. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для ионной
имплантации, указанных в пункте I.9.4.2.
II.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
электронно-лучевых установок для нанесения
покрытий методом физического осаждения паров,
указанных в пункте I.9.4.3.
II.10.6.6. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
электронно-лучевых установок для нанесения
покрытий методом физического осаждения паров
указанных в пункте I.9.4.3.
II.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для плазменного
напыления, указанных в пунктах I.9.4.4. -
I.9.4.4.2.
II.10.6.8. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для плазменного
напыления, указанных в пунктах I.9.4.4. -
I.9.4.4.2.
II.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для металлизации
напылением, способных обеспечить плотность тока
0,1 мА/мм или более с производительностью
напыления 15 мкм в час или более
II.10.6.10. Программное обеспечение, специально созданное
или модифицированное для разработки,
производства или применения производственных
установок металлизации напылением, указанных в
пункте I.9.4.5.
II.10.6.11. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для катодно-дугового
напыления, включающих систему элекромагнитов для
управления плотностью тока дуги на катоде
II.10.6.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для катодно-дугового
напыления, указанного в пункте I.9.4.6.
II.10.6.13. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
производственных установок для ионной
металлизации, указанных в пункте I.9.4.7.
Примечание. Экспортный контроль не
распространяется на конструкцию и технологию
производства стандартных производственных
установок для покрытий, образуемых ионной
металлизацией на режущем инструменте
металлообрабатывающих станков
II.10.6.14. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для ионной
металлизации, указанных в пункте I.9.4.7.
II.10.6.15. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемыми запоминающими
устройствами производственных установок для
сухого травления анизотропной плазмой, указанных
в пунктах I.9.4.8. - I.9.4.8.2.
II.10.6.16. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для сухого травления
анизотропной плазмой, указанных в пунктах
I.9.4.8. - I.9.4.8.2.
II.10.6.17. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемыми запоминающими
устройствами производственных установок для
химического парофазового осаждения покрытий
плазменной стимуляцией, указанных в пунктах
I.9.4.9. - I.9.4.9.2.
II.10.6.18. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
производственных установок для химического
парофазового осаждения покрытий, указанных в
пунктах I.9.4.9. - I.9.4.9.2.
II.10.7. Процессы нанесения покрытий и модификации
поверхности
II.10.7.1. Технологии нанесения (твердых) покрытий из
парообразных химических соединений
Примечания: 1. Нанесение (твердого) покрытия
из парообразных химических соединений - это
процесс нанесения чисто внешнего покрытия или
покрытия с модификацией покрываемой поверхности,
когда металл, сплав, композит, диэлектрик или
керамика наносится на нагретое изделие.
Газообразные продукты (пары, реактанты)
разлагаются или соединяются на поверхности
изделия, в результате чего на ней образуются
желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия
для такого разложения или химической реакции
может быть обеспечена нагревом изделия,
свечением плазменного разряда или лучом лазера.
2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения
химических соединений из паровой фазы включает
следующие процессы: беспорошковое нанесение
покрытия прямым газовым потоком; пульсирующее
химическое осаждение паров; управляемое
термическое нанесение покрытий с ядерным
дроблением, а также с применением мощного потока
плазмы или реализация химического осаждения
паров с ее участием.
3. Порошковое нанесение означает погружение
изделия в порошок из нескольких составляющих.
4. Газообразные продукты (пары, реактанты),
используемые в беспорошковом процессе,
применяются с несколькими базовыми реакциями и
параметрами, такими как порошковая цементация,
кроме того случая, когда на изделие наносится
покрытие без контакта со смесью порошка.
II.10.7.1.1. Технология нанесения алюминидов на внутренние
поверхности изделий из суперсплавов
II.10.7.1.2. Технологии нанесения силицидов на:
II.10.7.1.2.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.1.2.2. углерод-углеродные композиционные материалы
Примечание. Стекла с малым коэффициентом
расширения, указанные в пунктах II.10.7.1.2.1.,
II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1.,
II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1.,
II.10.7.2.3.3., II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1.,
II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие
коэффициент температурного расширения в
1x10E-7К-1 или менее, измеренный при 293 К (20
С)
II.10.7.1.3. Технология нанесения карбидов на керамики и
стекла с малым коэффициентом расширения
II.10.7.1.4. Технология нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:
II.10.7.1.4.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.1.4.2. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.1.4.3. карбид, цементируемый вольфрамом;
Примечание. Карбид, цементируемый
вольфрамом, указанный в пунктах II.10.7.1.4.3.,
II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1, II.10.7.2.1.7.3.,
II.10.7.2.1.9.1., II.10.7.2.1.10.4.,
II.10.7.2.2.1.4., II.10.7.2.3.1.4.,
II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1.,
II.10.7.6.17.1., II.10.7.7.3.2., II.10.7.7.4.,
не включает материалы, применяемые для резания и
формования металла, состоящие из карбида
вольфрама/(кобальт,никель), карбида
титана/(кобальт, никель), хрома
карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля
II.10.7.1.4.4. молибден и его сплавы;
II.10.7.1.4.5. бериллий и его сплавы;
II.10.7.1.4.6. материалы окон датчиков
Примечания: 1. Материалы окон датчиков,
указанные в пунктах II.10.7.1.4.6.,
II.10.7.2.1.10.8., II.10.7.2.2.1.8.,
II.10.7.2.3.1.8., II.10.7.2.3.2., следующие:
алюмин (окись алюминия), кремний, германий,
сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, а
также следующие галогениды металлов: иодистый
калий, фтористый калий или материалы окон
датчиков диаметром более 40 мм из бромистого
таллия и хлоробромистого таллия.
2. Диэлектрические слоевые покрытия, упомянутые
в пунктах II.10.7.1.4., II.10.7.2.1.10.,
II.10.7.2.2.1., II.10.7.2.3.1., II.10.7.6.8.,
определяются как многослойные изолирующие
материалы, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами
переотражения, что используется для отражения,
передачи или поглощения различных диапазонов
длин волн. Диэлектрические слои определяются по
количеству более четырех или по качеству как
композит: диэлектрик/металл.
II.10.7.1.5. Технологии нанесения карбидов и их смесей на:
II.10.7.1.5.1. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.1.5.2. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.1.5.3. карбиды кремния
Примечание. Смеси, упомянутые в пунктах
II.10.7.1.5., II.10.7.1.7., II.10.7.2.1.1. -
II.10.7.2.1.9., II.10.7.3.1., II.10.7.3.2.,
II.10.7.4.1., II.10.7.4.2., II.10.7.4.7.,
II.10.7.5.3., II.10.7.5.4., II.10. 7.6.1. -
II.10.7.6.7., II.10.7.6.15. - II.10.7.6.17.,
включают инфильтрирующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и
многоуровневые материалы и реализуются одним или
несколькими процессами нанесения покрытий
II.10.7.1.6. Технология нанесения тугоплавких металлов и их
сплавов на керамики и металлические матричные
композиты
Примечание. Тугоплавкие металлы, указанные в
пунктах II.10.7.1.6., II.10.7.2.1.8.,
II.10.7.3.3.2., II.10.7.3.6., II.10.7.4.8.1.,
II.10.7.4.9.1., II.10.7.4.10.1., II.10.7.5.1.,
II.10.7.5.2., II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2.,
II.10.7.6.13.2., II.10.7.6.14.2. II.10.7.6.15.,
состоят из следующих металлов и их сплавов:
ниобия (колумбия - в США), молибдена, вольфрама
и тантала
II.10.7.1.7. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на
II.10.7.1.7.1. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.1.7.2. карбиды кремния
II.10.7.2. Технологии нанесения покрытий методами
физического осаждения паров термовыпариванием
Примечания: 1. Физическое осаждение паров
испарением (термовыпариванием) - это процесс
чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением,
меньшим 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого
материала. В результате процесса конденсат или
покрытие осаждается на соответствующие части
поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной
камере газы в процессе осаждения поглощаются в
большинстве модификаций процесса элементами
сложного состава (компаундами) покрытия.
Использование ионного или электронного излучения
или плазмы для активизации или участия в
нанесении покрытия также свойственно большинству
модификаций процесса физического осаждения паров
термовыпариванием. Применение мониторов для
обеспечения измерения в ходе процесса оптических
характеристик или толщины покрытия может быть
реализовано в будущем для процессов этого типа.
2. Ионное плакирование - специальная модификация
генерального процесса физического осаждения
паров термовыпариванием, в котором плазменный
или ионный источник используется для ионизации
материала наносимых покрытий, а отрицательный
заряд изделия способствует осаждению
составляющих покрытия из плазмы. Введение
активных реагентов, испарение твердых материалов
в камере, а также использование мониторов,
обеспечивающих измерения (в процессе нанесения
покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям
процесса физического осаждения паров
термовыпариванием.
II.10.7.2.1. Технологии нанесения покрытий методом
электронно-лучевого физического осаждения паров
Примечание. Электронно-лучевое физическое
осаждение использует электронный луч для
нагревания и испарения материала, наносимого на
изделие
II.10.7.2.1.1. Технологии нанесения сплавов силицидов и их
смесей на суперсплавы
II.10.7.2.1.2. Технологии нанесения силицидов и их смеси на:
II.10.7.2.1.2.1. суперсплавы;
II.10.7.2.1.2.2. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.1.2.3. углерод-углеродные композиционные материалы
II.10.7.2.1.3. Технология нанесения сплавов алюминидов и их
смесей на суперсплавы
Примечание. Термин "покрытие сплавами на
основе алюминидов", упомянутый в пунктах
II.10.7.2.1.3., II.10.7.2.4.2., II.10.7.4.6.,
включает единичное или многослойное нанесение
покрытий, в котором на элемент или элементы
осаждается покрытие прежде или в течение
процесса алитирования, даже если на эти элементы
были осаждены покрытия другим процессом. Это,
однако, исключает многократное использование
одношагового процесса порошкового алитирования
для получения сплавов алюминидов
II.10.7.2.1.4. Технологии нанесения MCrAlX и их смесей на
II.10.7.2.1.4.1. суперсплавы;
II.10.7.2.1.4.2. коррозионно-стойкие стали
Примечание. MCrAlX, указанный в пунктах
II.10.7.2.1.4., II.10.7.2.4.3., II.10.7.4.1.,
II.10.7.6.4., соответствует сложному составу
покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу,
никелю или их комбинации, а X - эквивалентно
гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом
количестве или другим специально внесенным
добавкам свыше 0,01% по весу в различных
пропорциях и комбинациях, кроме:
CoCrAlY - покрытий, содержащих меньше 22% по
весу хрома, меньше 7% по весу алюминия и меньше
2% по весу иттрия;
CoCrAlY - покрытий, содержащих 21-23% по весу
хрома, 0,5-0,7% по весу иттрия;
NiCrAlY - покрытий, содержащих 22-24% по весу
хрома, 10-12% по весу алюминия и 0,9-1,1% по
весу иттрия;
II.10.7.2.1.5. Технологии нанесения модифицированного оксида
циркония и смесей на его основе на:
II.10.7.2.1.5.1. суперсплавы;
II.10.7.2.1.5.2. коррозионно-стойкие стали
II.10.7.2.1.6. Технология нанесения алюминидов и их смесей на
суперсплавы
II.10.7.2.1.7. Технологии нанесения карбидов и их смесей на:
II.10.7.2.1.7.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.2.1.7.2. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.1.7.3. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.2.1.7.4. карбид кремния
II.10.7.2.1.8. Технологии нанесения тугоплавких металлов и их
сплавов на:
II.10.7.2.1.8.1. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.1.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы
II.10.7.2.1.9. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на:
II.10.7.2.1.9.1. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.2.1.9.2. карбид кремния
II.10.7.2.1.10. Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:
II.10.7.2.1.10.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.2.1.10.2. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.2.1.10.3. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.1.10.4. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.2.1.10.5. карбид кремния;
II.10.7.2.1.10.6. молибден и его сплавы;
II.10.7.2.1.10.7. бериллий и его сплавы;
II.10.7.2.1.10.8. материалы окон датчиков
II.10.7.2.1.11. Технология нанесения боридов на титановые сплавы
Примечание. Титановые сплавы, указанные в
пунктах II.10.7.2.1.11., II.10.7.2.1.12.,
II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4., II.10.7.3.5.,
II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2.,
II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2.,
II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1.,
определяются как аэрокосмические сплавы с
предельным значением прочности на разрыв в 900
МПа или более, измеренным при 293 К (20 С)
II.10.7.2.1.12. Технология нанесения нитридов на титановые
сплавы
II.10.7.2.2. Нанесение покрытий методом физического осаждения
паров с ионизацией посредством резистивного
нагрева (ионное покрытие)
Примечание. Физическое осаждение с
терморезистором использует электрическое
сопротивление в качестве источника тепла,
способного обеспечить контролируемый и
равномерный (однородный) поток паров материала
покрытия
II.10.7.2.2.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:
II.10.7.2.2.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.2.2.1.2. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.2.2.1.3. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.2.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.2.2.1.5. карбиды кремния;
II.10.7.2.2.1.6. молибден и его сплавы;
II.10.7.2.2.1.7. бериллий и его сплавы;
II.10.7.2.2.1.8. материалы окон датчиков
II.10.7.2.3. Нанесение покрытий методом физического осаждения
паров с применением лазерного испарения
Примечание. Лазерное испарение использует
импульсный или непрерывный лазерный луч для
нагрева материала, который формирует покрытие
II.10.7.2.3.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:
II.10.7.2.3.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.2.3.1.2. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.2.3.1.3. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.2.3.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.2.3.1.5. карбиды кремния;
II.10.7.2.3.1.6. молибден и его сплавы;
II.10.7.2.3.1.7. бериллий и его сплавы;
II.10.7.2.3.1.8. материалы окон датчиков
II.10.7.2.3.2. Технология нанесения алмазоподобного углерода на
материалы окон датчиков
II.10.7.2.3.3. Технология нанесения силицидов на керамики и
стекла с малым коэффициентом расширения
II.10.7.2.4. Технологии нанесения покрытий методом
физического осаждения паров с применением
катодно-дугового разряда
Примечание. Процесс покрытия с применением
катодной дуги использует расходуемый катод как
материал, который формирует покрытие, и имеет
установившийся разряд дуги на поверхности катода
после моментального контакта с заземленным
пусковым устройством (триггером). Контролируемая
дуговая эрозия поверхности катода приводит к
образованию высокоионизированной плазмы. Анод
может быть или коническим и расположенным по
периферии катода через изолятор, или сама камера
может играть роль анода. Для нелинейного
управления нанесением изоляции используются
изделия с регулированием их положения. Это
определение не включает нанесение покрытий
беспорядочной (произвольной) катодной дугой с
фиксированным положением изделия
II.10.7.2.4.1. Технология нанесения сплавов силицидов на
суперсплавы
II.10.7.2.4.2. Технология нанесения сплавов алюминидов на
суперсплавы
II.10.7.2.4.3. Технология нанесения MCrAlX на суперсплавы
II.10.7.2.4.4. Технологии нанесения боридов на:
II.10.7.2.4.4.1. полимеры;
Примечание. Упомянутые в пунктах
II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1.,
II.10.7.2.4.6.1. полимеры включают: полиамид,
полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и
полиуретаны
II.10.7.2.4.4.2. органические матричные композиты
II.10.7.2.4.5. Технологии нанесения карбидов на:
II.10.7.2.4.5.1. полимеры;
II.10.7.2.4.5.2. органические матричные композиты
II.10.7.2.4.6. Технологии нанесения нитридов на:
II.10.7.2.4.6.1. полимеры;
II.10.7.2.4.6.2. органические матричные композиты
II.10.7.3. Технологии нанесения покрытий методом цементации
Примечания: 1. Технология для одношаговой
порошковой цементации твердых профилей крыльев
экспортному контролю не подлежит.
2. Порошковая цементация - модификация метода
нанесения покрытия на поверхность или процесс
нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие
погружено в пудру - смесь нескольких компонентов
(в пакет), которая состоит из:
металлических порошков, которые входят в состав
покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их
комбинации);
активатора (в большинстве случаев галогенидная
соль);
инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия.
Изделие и порошок содержатся внутри реторты
(камеры), которая нагревается от 1030 К (757 С)
до 1375 К (1102 С) на время, достаточное для
нанесения покрытия
II.10.7.3.1. Технологии нанесения силицидов и их смесей на:
II.10.7.3.1.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.3.1.2. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.3.2. Технологии нанесения карбидов и их смесей на:
II.10.7.3.2.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.3.2.2. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.3.3. Технологии нанесения силицидов на:
II.10.7.3.3.1. титановые сплавы;
II.10.7.3.3.2. тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.3.4. Технология нанесения алюминидов на титановые
сплавы
II.10.7.3.5. Технология нанесения сплавов алюминидов на
титановые сплавы
II.10.7.3.6. Технология нанесения оксидов на тугоплавкие
металлы и их сплавы
II.10.7.4. Технологии нанесения покрытий методом
плазменного напыления
Примечания: 1. Плазменное напыление -
процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру
и пруток (проволоку) из материала покрытия,
расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие.
Плазменное напыление может быть построено на
напылении плазмой низкого давления или
высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой.
2. Низкое давление означает давление ниже
атмосферного.
3. Высокоскоростная плазма определяется
скоростью газа на срезе сопла (горелки
напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной
при температуре 293 К (20° С) и давлении 0,1
МПа.
II.10.7.4.1. Технология нанесения MGrAlX и их смесей на:
II.10.7.4.1.1. суперсплавы;
II.10.7.4.1.2. алюминиевые сплавы;
Примечание. Термин "алюминиевые сплавы",
упомянутый в пунктах II.10.7.4.1.2.,
II.10.7.4.2.2., II.10.7.4.7., соответствует
сплавам с предельным значением прочности на
разрыв в 190 МПа или более, измеренным при
температуре 293 К (20 С)
II.10.7.4.1.3. коррозионностойкие стали
II.10.7.4.2. Технология нанесения модифицированного оксида
циркония и его смесей на:
II.10.7.4.2.1. суперсплавы;
II.10.7.4.2.2. алюминиевые сплавы;
II.10.7.4.2.3. коррозионностойкие стали
Примечание. Указанный в пунктах
II.10.7.4.2., II.10.7.6.5. модифицированный
оксид циркония соответствует добавкам оксидов
других металлов (таких, как кальций, магний,
иттрий, гафний, редкоземельных оксидов и т.д.) в
оксид циркония в соответствии с условиями
стабильности определенных кристаллографических
фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
оксида циркония, модифицированные кальцием или
оксидом магния методом смешения или расплава,
экспортному контролю не подвергаются
II.10.7.4.3. Технология нанесения эрозионностойкого
никель-графита на:
II.10.7.4.3.1. суперсплавы;
II.10.7.4.3.2. титановые сплавы
II.10.7.4.4. Технология нанесения эрозионностойкого
никель-хром-алюминий-бетонита на:
II.10.7.4.4.1. суперсплавы;
II.10.7.4.4.2. титановые сплавы
II.10.7.4.5. Технология нанесения эрозионностойкого
алюминий-кремний-полиэфира на:
II.10.7.4.5.1. суперсплавы;
II.10.7.4.5.2. титановые сплавы
II.10.7.4.6. Технология нанесения сплавов алюминидов на:
II.10.7.4.6.1. суперсплавы;
II.10.7.4.6.2. титановые сплавы
II.10.7.4.7. Технология нанесения силицидов и их смесей на
алюминиевые сплавы
II.10.7.4.8. Технология нанесения алюминидов на:
II.10.7.4.8.1. тугоплавкие металлы и их сплавы;
II.10.7.4.8.2. титановые сплавы
II.10.7.4.9. Технология нанесения силицидов на:
II.10.7.4.9.1. тугоплавкие металлы и их сплавы;
II.10.7.4.9.2. титановые сплавы
II.10.7.4.10. Технология нанесения карбидов на:
II.10.7.4.10.1. тугоплавкие металлы и их сплавы;
II.10.7.4.10.2. титановые сплавы
II.10.7.5. Технологии нанесения покрытий методом осаждения
суспензии
Примечание. осаждение суспензии - это
процесс нанесения покрытия с модификацией
покрываемой поверхности или чисто внешнего
покрытия, когда металлическая или керамическая
пудра с органическим связующим,
суспензированными в жидкости, связываются с
изделием напылением, погружением или окраской, с
последующим воздушным или печным осушением, и
тепловой обработкой для достижения необходимых
свойств покрытия
II.10.7.5.1. Технология нанесения легкоплавких силицидов на
тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.5.2. Технология нанесения легкоплавких алюминидов
(кроме материалов для теплостойких элементов) на
тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.5.3. Технология нанесения силицидов и их смесей на:
II.10.7.5.3.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.5.3.2. керамические и металлические матричные
композиты;
II.10.7.5.4. Технология нанесения карбидов и их смесей на:
II.10.7.5.4.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.5.4.2. керамические и металлические матричные
композиты
II.10.7.6. Технология нанесения покрытий методом
металлизации распылением
Примечания: 1. Металлизация распылением -
это процесс нанесения чисто внешнего покрытия,
базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в
электрическом поле по направлению к поверхности
мишени (материала покрытия). Кинетическая
энергия ударов ионов достаточна для образования
на поверхности мишени атомов материала покрытия
с подходящим размещением их на изделии.
2. Учитываются только триодная, магнетронная или
реактивная металлизация распылением, которые
применяются для увеличения адгезии материала
покрытия и скорости его нанесения, а также
радиочастотное усиление напыления, используемое
при нанесении парообразующих неметаллических
материалов покрытий.
3. Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5
кэВ) могут быть использованы для ускорения
(активизации) процесса нанесения покрытия
II.10.7.6.1. Технология нанесения сплавов силицидов и их
смесей на суперсплавы
II.10.7.6.2. Технология нанесения сплавов алюминидов и их
смесей на:
II.10.7.6.2.1. суперсплавы;
II.10.7.6.2.2. титановые сплавы
II.10.7.6.3. Технология нанесения покрытий на основе
алюминидов, модифицированных благородными
металлами, на суперсплавы
Примечание. Термин "покрытие на основе
алюминидов с модификацией благородным металлом"
включает многошаговое нанесение покрытий, при
котором благородный металл или благородные
металлы нанесены ранее каким-либо другим
процессом до применения метода нанесения
алюминида
II.10.7.6.4. Технология нанесения MCrAlX и их смесей на
суперсплавы
II.10.7.6.5. Технология нанесения модифицированного оксида
циркония и его смеси на суперсплавы
II.10.7.6.6. Технология нанесения платины и ее смеси на:
II.10.7.6.6.1. суперсплавы;
II.10.7.6.6.2. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения
II.10.7.6.7. Технология нанесения силицидов и их смесей на:
II.10.7.6.7.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.6.7.2. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.6.7.3. керамики и металлические матричные
композиты
II.10.7.6.8. Технологии нанесения диэлектрических слоевых
покрытий на:
II.10.7.6.8.1. керамики и стекла с малым коэффициентом
расширения;
II.10.7.6.8.2. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.6.8.3. керамики и металлические матричные
композиты;
II.10.7.6.8.4. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.6.8.5. карбид кремния;
II.10.7.6.8.6. молибден и его сплавы;
II.10.7.6.8.7. бериллий и его сплавы;
II.10.7.6.8.8. материалы окон датчиков
II.10.7.6.9. Технология нанесения боридов на титановые сплавы
II.10.7.6.10. Технология нанесения нитридов на титановые
сплавы
II.10.7.6.11. Технология нанесения оксидов на:
II.10.7.6.11.1. титановые сплавы;
II.10.7.6.11.2. тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.6.12. Технология нанесения силицидов на:
II.10.7.6.12.1. титановые сплавы;
II.10.7.6.12.2. тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.6.13. Технология нанесения алюминидов на:
II.10.7.6.13.1. титановые сплавы;
II.10.7.6.13.2. тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.6.14. Технология нанесения карбидов на:
II.10.7.6.14.1. титановые сплавы;
II.10.7.6.14.2. тугоплавкие металлы и их сплавы
II.10.7.6.15. Технология нанесения тугоплавких металлов и их
смесей на:
II.10.7.6.15.1. углерод-углеродные композиционные
материалы;
II.10.7.6.15.2. керамики и металлические матричные
композиты
II.10.7.6.16. Технология нанесения карбидов и их смесей на:
II.10.7.6.16.1. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.6.16.2. карбид кремния
II.10.7.6.17. Технология нанесения вольфрама и его смесей на:
II.10.7.6.17.1. карбид, цементируемый вольфрамом;
II.10.7.6.17.2. карбид кремния
II.10.7.7. Технологии нанесения покрытий методом ионной
имплантации
Примечание
Ионная имплантация - это процесс нанесения
покрытия с модификацией поверхности изделия, в
котором материал (сплав) ионизируется,
ускоряется системой, обладающей градиентом
потенциала, и насыщается (имплантируется) на
участок поверхности изделия.
К этим процессам с ионным насыщением относятся и
процессы, в которых ионное насыщение
самопроизвольно выполняется с выпариванием
электронным лучом или металлизацией распылением
II.10.7.7.1. Технологии нанесения добавок хрома, тантала или
ниобия (колумбия) на жаропрочные стали
II.10.7.7.2. Технология нанесения боридов на:
II.10.7.7.2.1. титановые сплавы;
II.10.7.7.2.2. бериллий и его сплавы
II.10.7.7.3. Технология нанесения нитридов на:
II.10.7.7.3.1. титановые сплавы;
II.10.7.7.3.2. карбид, цементируемый вольфрамом
II.10.7.7.4. Технология нанесения карбидов на карбиды,
цементируемые вольфрамом
II.10.8. Конструкция и технология производства специально
разработанного оборудования, инструментов или
приспособлений для производства или измерения
параметров лопаток газовых турбин, литых
лопастей или краев кожухов
II.10.8.1. Конструкция и технология производства
автоматического измерительного оборудования,
использующего немеханические методы измерения
толщины стенок несущих профилей лопаток
II.10.8.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения автоматического измерительного
оборудования, указанного в пункте I.9.5.1.
II.10.8.3. Конструкция и технология производства
инструментов, фиксационного и измерительного
оборудования для лазерного, водоструйного или
электроэрозионного электротехнического сверления
отверстий (полостей), указанных в пунктах
I.9.5.2. - I.9.5.2.2.
II.10.8.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения инструментов, фиксационного и
измерительного оборудования для лазерного,
водоструйного или электроэрозионного
электротехнического сверления отверстий
(полостей), указанных в пунктах I.9.5.2. -
I.9.5.2.2.
II.10.8.5. Конструкция и технология производства
керамических стержней (ядер, сердечников) или
патронов (вкладышей)
II.10.8.6. Конструкция и технология производства
керамических стержней (ядер, сердечников)
производственного оборудования или инструментов
II.10.8.7. Конструкция и технология производства
керамических сердечников для выщелачивающего
оборудования
II.10.8.8. Конструкция и технология производства
керамических патронов (оболочек) оборудования
для изготовления восковых моделей
II.10.8.9. Конструкция и технология производства
керамических патронов (вкладышей, оболочек)
оборудования для обжигания или выжигания
(вжигания)
II.10.9. Конструкция и технология производства систем для
контроля в реальном масштабе времени, приборов
(включая датчики) или оборудование с ЧПУ,
специально разработанных для производства
газотурбинных двигателей, технологически
объединенных агрегатов или компонентов,
указанных в пунктах I. 11.8.1. - I.11.8.13
II.10.10. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения систем для контроля приборов или
оборудования с ЧПУ, указанных в пункте I.9.6.
II.10.11. Конструкция и технология производства
оборудования, специально разработанного для
производства и испытания (проверки) креплений
лопаток газовых турбин, разработанных для
функционирования при скоростях на концах
лопаток, превышающих 335 м/с, и специально
разработанные приспособления или детали для них
II.10.12. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения оборудования для производства и
испытаний креплений лопаток газовых турбин,
указанных в пункте I.9.7.
II.10.13. Конструкция и технология производства
инструментов, штампов и зажимных приспособлений
для соединения в твердом состоянии
(термодиффузионным сращиванием) элементов
газотурбинных двигателей из суперсплавов и
титана
II.10.14. Программное обеспечение для проектирования и
производства инструментов, штампов и зажимных
приспособлений, указанных в пункте I.9.8.
II.10.15. Конструкция и технология производства
инструментов (оснастки) для производства методом
порошковой металлургии и гранульной технологии
элементов роторов турбин двигателей, способных
функционировать при напряжении на уровне 60% или
более предельной прочности на растяжение и
температуре металла 873 К (600 С) или более
II.10.16. Программное обеспечение для проектирования,
производства или применения инструментов
(оснастки), указанных в пункте I.9.9.
II.10.17. Конструкция и технология производства
оборудования для разработки и производства
накопителей на магнитных и оптических дисках
II.10.17.1. Конструкция и технология производства
оборудования, специально спроектированного для
нанесения магнитного покрытия на жесткие (не
гибкие) магнитные или магнитооптические
носители, указанные в пункте I.16.9.5.1.
Примечание. Пункт II.10.17.1. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства оборудования общего назначения для
напыления
II.10.17.2. Конструкция и технология производства
оборудования, снабженного программно-управляемым
запоминающим устройством и специально
спроектированного для обеспечения качества,
сортировки по качеству, прогонов или
тестирования жестких магнитных носителей,
указанного в пункте I.16.9.5.2.
II.10.17.3. Конструкция и технология производства
оборудования, специально спроектированного для
производства или юстировки головок или головок в
сборке с диском, применительно к подлежащим
экспортному контролю жестким магнитным и
магнитооптическим накопителям, а также их
электромеханических или оптических узлов,
указанных в пунктах I.16.9.5. - I.16.9.5.2.
II.10.18. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или использования
оборудования для разработки и производства
накопителей на магнитных и оптических дисках,
указанных в пунктах I.9.10. - I.9.10.3.
Раздел II.11. Датчики, измерительная аппаратура
и приборы
II.11.1. Конструкция и технология производства
оборудования для неразрушающего контроля,
способного обнаруживать дефекты в трех
измерениях, используя методы ультразвуковой или
рентгеновской томографии, специально созданного
для композитных материалов
II.11.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения в
оборудовании для неразрушающего контроля,
указанного в пункте I.10.1.
II.11.3. Конструкция и технология производства
магнитометров, магнитных градиометров, эталонных
магнитных градиометров и компенсационных систем
и специально разработанных компонентов
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.11.3. - II.11.3.12. не распространяется на
конструкцию и технологию производства
специальных инструментов для биомагнитных
измерений медицинской диагностики, если они не
содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.
- I.10.2.8.4.
II.11.3.1. Конструкция и технология производства
магнитометров, использующих технологии
сверхпроводимости с оптической накачкой или
ядерной процессией (протонной/Оверхаузера) и
имеющих среднеквадратическое значение уровня
шумов (чувствительность) менее (лучше) 0,05 нТ,
деленные на корень квадратный из частоты в Гц
II.11.3.2. Конструкция и технология производства
магнитометров с катушкой индуктивности, имеющих
среднеквадратическое значение уровня шумов
меньше (лучше):
II.11.3.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из
частоты в Гц - на частоте менее 1 Гц;
II.11.3.2.2. 1x10E-4 нТ деленные на корень квадратный из
частоты в Гц - на частоте 1 Гц или более,
но не более 10 Гц;
II.11.3.2.3. 1x10E-4 нТ, деленные на корень квадратный
из частоты в Гц - на частоте более 10 Гц;
II.11.3.3. Конструкция и технология производства
волоконнооптических магнитометров со
среднеквадратическим значением уровня шума
(чувствительностью) менее (лучше) чем 1нТ,
деленная на корень квадратный из частоты в Гц
II.11.3.4. Конструкция и технология производства магнитных
градиометров, использующих наборы магнитометров,
указанных в пунктах I.10.2.1., I.10.2.2. или
I.10.2.3.
II.11.3.5. Конструкция и технология производства
волоконнооптических эталонных магнитных
градиометров со среднеквадратическим значением
уровня шума (чувствительностью) градиента
магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ, деленные
на метр и корень квадратный из частоты в Гц
II.11.3.6. Конструкция и технология производства эталонных
магнитных градиометров с использованием
технологии, отличной от оптоволоконной, со
среднеквадратическим значением уровня шума
(чувствительностью) градиента магнитного поля
менее (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и
корень квадратный из частоты в Гц
II.11.3.7. Конструкция и технология производства
магнитокомпенсационных систем для магнитных
датчиков, предназначенных для работы на
подвижных платформах
II.11.3.8. Конструкция и технология производства
электромагнитных датчиков для измерения
электромагнитного поля на частотах 1 кГц и
менее, содержащих компоненты, хотя бы один из
которых является сверхпроводником (включая
устройства на эффекте Джозефсона или
сверхпроводящие устройства квантовой
интерференции (СКВИД), разработанных для
функционирования при температурах ниже
критической и имеющих одну из следующих
характеристик:
II.11.3.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с
минимальным характерным размером менее 2
мкм и соответствующими схемами соединения
входа и выхода;
II.11.3.8.2. разработанные для функционирования при
максимальной скорости нарастания магнитного
поля более 10 квантов магнитного потока в
секунду;
II.11.3.8.3. разработанные для функционирования без
магнитного экрана в окружающем земном
магнитном поле;
II.11.3.8.4. имеющие температурный коэффициент менее 0,1
кванта магнитного потока на кельвин
II.11.3.9. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства и
использования магнитометров, градиометров,
компенсационных систем и специально
разработанных компонентов, указанных в пунктах
I.10.2. - I.10.2.8.4.
II.11.3.10. Специализированное программное обеспечение для
магнитокомпенсационных систем для магнитных
датчиков подвижных платформ (транспортных
средств)
II.11.3.11. Специализированное программное обеспечение для
обнаружения магнитных аномалий на подвижных
платформах (транспортных средствах)
II.11.3.12. Технология производства феррозондовых
магнитометров или систем феррозондовых
магнитометров с уровнем шумов менее чем 0,05 нТ,
деленные на корень квадратный из частоты в Гц -
на частотах менее 1 Гц (среднеквадратическое
значение) или 1x10E-3 нТ, деленные на корень
квадратный из частоты в Гц - на частотах 1 Гц
или более (среднеквадратическое значение)
II.11.4. Конструкция и технология производства
гравитометров
II.11.4.1. Конструкция и технология производства
гравитометров для наземного использования со
статистической точностью менее (лучше)
2
1x10E-7 м/с (10 мкГал)
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.11.4.1. не распространяется на конструкцию и
технологию производства наземных гравитометров
типа кварцевых элементов Уордена
II.11.4.2. Конструкция и технология производства аппаратуры
для настройки и калибровки наземных
гравитометров со статистической погрешностью не
хуже чем
2
7x10E-6 м/с (0,7 мГал)
II.11.5. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства и
использования наземных гравитометров и
аппаратуры для их настройки и калибровки,
указанных в пунктах I.10.3. - I.10.3.2.
II.11.6. Специально разработанное программное обеспечение
для коррекции влияния движения гравитометров или
гравитационных градиометров
II.11.7. Конструкция и технология производства бортовых
альтиметров, действующих на частотах, отличных
от 4,2 до 4,4 ГГц включительно, имеющих одну из
следующих характеристик:
II.11.7.1. управление мощностью;
II.11.7.2. использующих амплитудную модуляцию с
переменной фазой
II.11.8. Программное обеспечение для проектирования или
производства бортовых альтиметров, указанных в
пунктах I.10.4. - I.10.4.2.
II.11.9. Конструкция и технология производства
гироскопов, имеющих характеристики, указанные в
пункте I.10.5.
II.11.10. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования или производства гироскопов,
имеющих характеристики, указанные в пункте
I.10.5.
II.11.11. Конструкция и технология производства
инерциальных навигационных систем (платформенных
и бесплатформенных) и инерциального
оборудования, указанного в пунктах I.10.6. -
I.10.6.2.
II.11.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования или производства инерциальных
навигационных систем и инерциального
оборудования, указанного в пунктах I.10.6. -
I.10.6.2.
II.11.13. Конструкция и технология производства приемной
аппаратуры и специально разработанных
компонентов глобальной спутниковой навигационной
системы, указанных в пунктах I.10.7. - I.10.7.2.
II.11.14. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования и производства приемной
аппаратуры и специально разработанных
компонентов глобальной спутниковой системы,
указанных в пунктах I.10.7. - I.10.7.2.
II.11.15. Программное обеспечение для использования в
любом инерциальном навигационном оборудовании и
в системе определения курсового направления
самолета в воздухе (кроме платформенной системы
определения положения самолета в воздухе)
Примечание. Система определения положения
курсового направления самолета в воздухе обычно
отличается от инерциальной навигационной системы
(ИНС) тем, что система определения углового
(курсового) положения самолета в воздухе
обеспечивает информацией о направлении и не
обеспечивает информацией об ускорении, скорости
и положении (координате), снимаемой с ИНС
II.11.16. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для улучшения
действующих характеристик или уменьшения
навигационной ошибки инерциальных навигационных
систем (платформенных и бесплатформенных) и
инерциального оборудования для определения
местоположения, наведения и управления до
уровней, указанных в пункте I.10.6.1.
II.11.17. Исходная программа для гибридных комплексных
систем, которая улучшает действующие
характеристики или уменьшает навигационную
ошибку систем до 0,8 морской мили в час и менее,
при комбинировании (сочетании) инерциальных
данных с любыми из следующих навигационных
данных:
II.11.17.1. доплеровским определителем (радара)
скорости;
II.11.17.2. глобальной спутниковой навигационной
системой определения местоположения;
II.11.17.3. базой данных о местности
II.11.18. Конструкция и технология производства систем
подводного наблюдения
II.11.18.1. Конструкция и технология производства
телевизионных систем (включая камеру,
осветительные приборы, оборудование мониторинга
и передачи сигнала), имеющих предельное
разрешение, ограниченное более чем 500 линиями
при измерении его в воздушной среде, а также
телесистем, специально спроектированных или
модифицированных для дистанционного управления
подводным судном
II.11.18.2. Конструкция и технология производства подводных
телекамер, имеющих предельное разрешение более
чем 700 линий при измерении разрешения в
воздушной среде
II.11.18.3. Конструкция и технология производства систем,
специально спроектированных или модифицированных
для дистанционного управления подводным судном,
использующих способы минимизации эффектов
обратного рассеяния, включая РЛС облучения в
узком диапазоне или лазерные системы
II.11.18.4. Конструкция и технология производства
телевизионных камер, предназначенных для съемки
объектов с низким уровнем освещенности,
специально спроектированных или модифицированных
для использования под водой и содержащих трубки
с микроканальным усилителем изображения,
указанные в пункте I.12. 2.1.2.1., и имеющих
более чем 150000 активных каналов на площади
твердотельного приемника
II.11.18.5. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем подводного наблюдения, указанных в
пунктах I.10.9. - I.10.9.4.
II.11.18.6. Конструкция и технология производства
фотодиапозитивных камер, специально
спроектированных или модифицированных для
подводного применения, указанных в пункте
I.10.9.5.
II.11.18.7. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
фотодиапозитивных камер, указанных в пункте
I.10.9.5.
II.11.18.8. Конструкция и технология производства
электронных систем наблюдения, специально
спроектированных или модифицированных для
подводного использования, способных хранить в
цифровой форме более чем 50 экспонированных
кадров
II.11.18.9. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
электронных систем наблюдения, указанных в
пункте I.10.9.6.
II.11.19. Конструкция и технология производства систем
подсветки, специально спроектированных или
модифицированных для применения под водой:
II.11.19.1. стробоскопических световых систем с
энергией выхода более чем 300 Дж в одной
вспышке;
II.11.19.2. аргонодуговых световых систем, специально
спроектированных для использования под
водой на глубинах ниже 1000 м;
II.11.19.3. программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем подсветки, указанных в пунктах
I.10.10. - I. 10.10.2.
II.11.20. Конструкция и технология производства
акустической аппаратуры, оборудования и систем
II.11.20.1. Конструкция и технология производства морских
акустических систем, аппаратуры или специально
разработанных компонентов
II.11.20.1.1. Конструкция и технология производства активных
(передающих или приемопередающих) акустических
систем оборудования или специально разработанных
компонентов
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.11.20.1.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства звуковых измерителей
глубины вертикального действия без сканирования
луча в пределах свыше 10 град., имеющих
ограниченное применение для измерения глубины
или расстояния до погруженного или заглубленного
объекта, а также косяков рыбы
II.11.20.1.1.1. Конструкция и технология производства
широкообзорных акустических систем морского
картографирования, разработанных:
II.11.20.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения от
вертикали более 10 град. и измерения глубин
более 600 м от поверхности воды;
II.11.20.1.1.1.2. для использования набора лучей, каждый из
которых не шире 2 град., или для
обеспечения точности измерений лучше 0,5%
глубины воды, полученной усреднением
отдельных измерений
II.11.20.1.1.2. Конструкция и технология производства
акустических систем обнаружения или определения
местоположения объекта, имеющих одну из
следующих характеристик:
II.11.20.1.1.2.1. рабочую частоту менее 10 кГц;
II.11.20.1.1.2.2. уровень звукового давления свыше 224 дБ (1
мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей
частотой в диапазоне от 10 до 24 кГц;
II.11.20.1.1.2.3. уровень звукового давления свыше 235 дБ (1
мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей
частотой в диапазоне от 24 до 30 кГц;
II.11.20.1.1.2.4. формирование луча уже 1 по любой оси и
рабочую частоту ниже 100 кГц;
II.11.20.1.1.2.5. разработанные для нормального
функционирования на глубинах свыше 1000 м и
имеющих передатчик с одной из следующих
характеристик:
II.11.20.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под давление;
II.11.20.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент, отличный от
титаната цирконата;
II.11.20.1.1.2.5.3. разработанный для измерения расстояний до
объектов более 5120 м
II.11.20.1.1.3. Конструкция и технология производства
акустических прожекторов, включающих излучатели
с пьезоэлектрическими, магнитострикционными,
электрострикционными, электродинамическими или
гидравлическими элементами, функционирующих
независимо или в совокупности и имеющих одну из
следующих характеристик:
II.11.20.1.1.3.1. плотность мгновенно излучаемой акустической
мощности, превышающую 0,001 мВт/(кв. мм х
Гц) для приборов, действующих на частотах
ниже 10 кГц;
II.11.20.1.1.3.2. плотность непрерывно излучаемой
акустической мощности, превышающую 0,001
мВт/(кв. мм х Гц) для приборов, действующих
на частотах ниже 10 кГц;
II.11.20.1.1.3.3. проектное предназначение для нормального
функционирования на глубинах свыше 1000 м;
II.11.20.1.1.3.4. способность подавления боковых лепестков
более 22 дБ
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.11.20.1.1.3. - II.11.20.1.1.3.4. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства электронных источников с только
вертикальным акустическим излучением или
механических (например, воздушных или паровых
ружей) или химических (например, взрывных)
источников
II.11.20.1.1.4. Конструкция и технология производства
акустических систем, аппаратуры или специально
разработанных компонентов для определения
положения надводных или подводных судов,
разработанных:
II.11.20.1.1.4.1. для работы на дистанции свыше 1000 м с
точностью позиционирования менее 10 м при
измерении на расстоянии 1000 м;
II.11.20.1.1.4.2. для работы на глубинах более 1000 м
Примечание. Пункты II.11.20.1.1.4. -
II.11.20.1.1.4.2. включают конструкцию и
технологию производства аппаратуры с
использованием когерентной обработки сигналов
между двумя или более маяками и гидрофонного
устройства надводных и подводных судов, либо
аппаратуры, обладающей способностью
автокоррекции погрешности скорости
распространения звука
II.11.20.1.2. Конструкция и технология производства пассивных
(принимающих в штатном режиме независимо от
связи с активной аппаратурой) акустических
систем, аппаратуры или специально разработанных
компонентов
II.11.20.1.2.1. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей)
II.11.20.1.2.1.1. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), включающих гибкие датчики
непрерывного действия или сборки датчиков
дискретного действия с диаметром либо длиной
менее 20 мм и расстоянием между элементами менее
20 мм
II.11.20.1.2.1.2. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), имеющих любой из следующих
чувствительных элементов:
II.11.20.1.2.1.2.1. оптоволоконный;
II.11.20.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный;
II.11.20.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из гибкой керамики
II.11.20.1.2.1.3. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), имеющих гидрозвуковую
чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине,
без компенсации ускорения
II.11.20.1.2.1.4. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), разработанных для глубин не
более 35 м, с гидрозвуковой чувствительностью
лучше -186 дБ и компенсацией ускорения
II.11.20.1.2.1.5. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), разработанных для нормальной
работы на глубинах более 35 м, с гидрозвуковой
чувствительностью лучше -192 дБ и компенсацией
ускорения
II.11.20.1.2.1.6. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), разработанных для нормальной
работы на глубинах свыше 100 м, с гидрозвуковой
чувствительностью лучше -204 дБ
II.11.20.1.2.1.7. Конструкция и технология производства гидрофонов
(преобразователей), разработанных для работы на
глубинах более 1000 м
II.11.20.1.2.2. Конструкция и технология производства
буксируемых акустических гидрофонных решеток:
II.11.20.1.2.2.1. с расположением гидрофонов менее чем на
12,5 м в решетке;
II.11.20.1.2.2.2. с расположением гидрофонной группы от 12,5
до 25 м, разработанной или способной быть
модифицированной для работы на глубине
более 25 м;
II.11.20.1.2.2.3. с расположением гидрофонной группы на
расстоянии 25 м или более, разработанной
для работы на глубине свыше 100 м;
II.11.20.1.2.2.4. разработанных или способных быть
модифицированными для глубин более 35 м с
головными датчиками, включенными в
соединительный кабель решетки и имеющими
точность лучше +-0,5 или датчиками,
смонтированными снаружи соединительного
кабеля решетки, обладающими способностью
работать с вращением на 360 на глубине
более 35 м;
II.11.20.1.2.2.5. с неметаллическими усиливающими элементами
или соединительным кабелем с продольным
усилением кабеля;
II.11.20.1.2.2.6. с диаметром гидрофонной решетки в собранном
виде менее 40 мм;
II.11.20.1.2.2.7. с уплотненным групповым сигналом гидрофона;
II.11.20.1.2.2.8. с характеристиками гидрофона, определенными
в пунктах I.10.11.1.2.1. - I.10.11.1.2.1.7.
II.11.20.1.2.3. Конструкция и технология производства аппаратуры
обработки сигналов, специально разработанной для
акустических гидрофонных решеток, с любой из
следующих характеристик:
II.11.20.1.2.3.1. быстрым преобразованием Фурье или другими
преобразованиями данных по 1024 или более
точкам менее чем за 20 мс без возможности
программирования пользователем;
II.11.20.1.2.3.2. обработкой во временной или частотной
области и корреляцией, включая спектральный
анализ, цифровую фильтрацию и формирование
луча с использованием быстрого
преобразования Фурье или других
преобразований или процессов с возможностью
программирования пользователем
II.11.20.2. Специально разработанное программное обеспечение
для формирования акустического луча, обработки в
реальном масштабе времени акустических данных
при пассивном приеме с использованием шланговых
гидрофонных решеток
II.11.20.3. Программное обеспечение для обработки в реальном
масштабе времени акустических данных для
пассивного приема с использованием шланговых
гидрофонных решеток
II.11.20.4. Конструкция и технология производства наземных
геофонов, обладающих способностью к
преобразованию в морские системы, оборудования
или специально разработанных компонентов,
указанных в пунктах I.10.11.1.2.1. -
I.10.11.1.2.1.7.
II.11.20.5. Конструкция и технология производства аппаратуры
на лагах для корреляционного измерения
горизонтальной составляющей скорости
относительно морского дна на расстояниях между
носителем и дном свыше 500 м
Раздел II.12. Двигатели и движители, системы и
оборудование для них
II.12.1. Конструкция и технологии производства
изолированных от атмосферы двигательных систем,
специально спроектированных для применения под
водой
II.12.1.1. Конструкция и технология производства, ремонта и
восстановления чистоты поверхности изолированных
от атмосферы двигательных систем с двигателями
циклов Брайтона, Стирлинга или Ренкина, имеющих
любую из следующих составляющих:
II.12.1.1.1. химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для удаления
двуокиси углерода и частиц из
рециркулируемого выхлопа двигателя;
II.12.1.1.2. системы, специально спроектированные для
применения моноатомного газа;
II.12.1.1.3. приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой с частотами ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса;
II.12.1.1.4. системы, специально спроектированные для
прессования продуктов реакции, реформации
топлива или хранения продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более
II.12.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем, указанных в пунктах I.11.1.1. -
I.11.1.1.4.
II.12.1.3. Конструкция и технологии производства, ремонта и
восстановления чистоты поверхности дизельных
двигателей (для изолированных от атмосферы
двигательных систем), имеющих все следующие
составляющие:
II.12.1.3.1. химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для удаления
двуокиси углерода, моноокиси углерода и
частиц из рециркулируемого выхлопа
двигателя:
II.12.1.3.2. системы, специально спроектированные для
применения моноатомного газа;
II.12.1.3.3. приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой с частотами ниже 10 кГц или
специально смонтированные для смягчения
хлопка выброса;
II.12.1.3.4. специально спроектированные выхлопные
системы с задержкой выброса продуктов
сгорания
II.12.1.4. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
дизельных двигателей, указанных в пунктах
I.11.1.2. - I.11.1.2.4.
II.12.1.5. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности топливных отсеков для изолированных
от атмосферы двигательных систем с выходной
мощностью, превышающей 2 кВт, имеющих какую-либо
из следующих характеристик:
II.12.1.5.1. приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой с частотами ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса;
II.12.1.5.2. системы, специально спроектированные для
прессования продуктов реакции или для
реформации топлива, хранения продуктов
реакции или выхлопа продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более
II.12.1.6. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования и производства топливных отсеков,
указанных в пунктах I. 11.1.3. - I.11.1.3.2.
II.12.1.7. Конструкция и технология производства подъемных
вентиляторов с уровнем мощности более 400 кВт,
специально спроектированных для судов с
поверхностным эффектом, указанных в пунктах
I.13.1. 6. или I.13.1.7.
II.12.1.8. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
подъемных вентиляторов, указанных в пункте
I.11.2.
II.12.1.9. Конструкция и технология производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности систем движителей с водяным винтом
или передачи мощности, специально
спроектированных для судов с поверхностным
эффектом (полностью изменяемой или неизменяемой
поверхностной конфигурацией), для судов с
гидрокрыльями и на небольшом подводном крыле,
указанных в пунктах I.13.1.6. - I.13.1.9.:
II.12.1.9.1. суперкавитационных, супервентиляторных,
частично погруженных или опускаемых
(проникающих через поверхность) движителей
с уровнем мощности более 7,5 МВт;
II.12.1.9.2. соосных гребных винтов противоположного
вращения с уровнем передаваемой мощности
более 15 МВт;
II.12.1.9.3. систем, служащих для выравнивания потока,
набегающего на движитель;
II.12.1.9.4. легковесного, высокого качества (значение
К-фактора превышает 300) редуктора;
II.12.1.9.5. систем передачи мощности трансмиссионным
валом, включающих компоненты из
композиционных материалов и способных
осуществлять передачу мощности, большую 1
Мвт
II.12.1.10. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем, указанных в пунктах I.11.3. - I.11.3.5.
II.12.1.11. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности движителей с водяным винтом, системы
получения и передачи энергии для применения на
судах:
II.12.1.11.1. гребных винтов регулируемого шага и сборки
ступицы с уровнем передачи мощности более
30 МВт;
II.12.1.11.2. электрических двигателей с водяным
внутренним охлаждением и выходной мощностью
выше 2,5 МВт;
II.12.1.11.3. магнитогидродинамических движителей с
выходной мощностью более 0,1 МВт с
применением сверхпроводимости;
II.12.1.11.4. систем передачи мощности трансмиссионным
валом, включающих компоненты из
композиционных материалов и способных
осуществлять передачу мощности, большую 2
МВт;
II.12.1.11.5. систем вентиляторных (или на базе
вентиляторных) винтов с уровнем
передаваемой мощности более 2,5 МВт
II.12.1.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
движителей, указанных в пунктах I.11.4. -
I.11.4.5.
II.12.1.13. Конструкция, технологии производства и
капитального ремонта систем снижения шума для
применения на судах водоизмещением 1000 тонн или
более:
II.12.1.13.1. систем снижения шума, уменьшающих уровень
шума частотой ниже 500 Гц и состоящих из
компаундных акустических сборок для
акустической изоляции дизельных двигателей,
дизельгенераторных установок, газовых
турбин, газотурбинных генераторных
установок, двигательных установок или
редукторов, специально спроектированных для
звуковой или вибрационной изоляции, имеющих
усредненную массу свыше 30% от массы всего
монтируемого оборудования;
II.12.1.13.2. активных систем снижения шума или его
погашения, или подшипников на магнитном
подвесе, специально спроектированных для
мощных трансмиссионных систем, и включающих
электронные системы управления, способные
активно снижать вибрации оборудования
генерацией антишумовых или антивибрационных
сигналов непосредственно у источника шума
II.12.1.14. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем снижения шума, указанных в пунктах
I.11.5. - I.11.5.2.
II.12.1.15. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности систем движения на струйном
двигателе с уровнем выходной мощности,
превышающим 2,5 МВт, использующих отклоняющееся
сопло и технику регулирования потока лопаткой
(лопастью) с целью увеличения эффективности
движителя или снижения генерируемых движителем и
распространяемых под водой шумов
II.12.1.16. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения в
системах движения на струйном двигателе,
указанных в пункте I.11.6.
II.12.1.17. Специфическое программное обеспечение,
специально созданное или модифицированное для
разработки, производства, текущего ремонта,
капитального ремонта или восстановления чистоты
поверхности (ремашинизации) винтов, специально
спроектированных для снижения их шума под водой
II.12.1.18. Технология производства, текущего ремонта,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности (ремашинизации) винтов, специально
спроектированных для снижения их шума под водой
II.12.2. Конструкция и технология производства, ремонта и
восстановления морских газотурбинных двигателей
с эксплуатационной мощностью 13,795 кВт или
более и удельным расходом топлива менее 0,243
кг/(кВт х ч) и специально разработанных
агрегатов и компонентов для таких двигателей
II.12.3. Программное обеспечение, необходимое для
проектирования и производства морских
газотурбинных двигателей, указанных в пункте
I.11.7.
II.12.4. Программное обеспечение, необходимое для работы
полностью автономных электронно-цифровых
контроллеров для двигательных систем, указанных
в пункте I.11.7.
II.12.5. Конструкция и технология производства специально
разработанных агрегатов и компонентов
газотурбинных двигателей
II.12.5.1. Конструкция и технология производства
многокупольных камер сгорания, работающих при
средних температурах на выходе из камеры свыше
1643 К (1370 С) или камер сгорания, содержащих
термически разделенные теплозащитные элементы,
неметаллические теплозащитные элементы или
неметаллические корпуса
II.12.5.2. Конструкция и технология производства
компонентов, изготовленных из органических
композиционных материалов для температур
применения свыше 588 К (315 С) или из
металлических матричных композиционных,
керамических матричных, интерметаллических
усиленных материалов, в том числе из материалов,
указанных в пунктах I.3.3. - I.3.3.2.
II.12.5.3. Конструкция и технология производства
неохлаждаемых турбинных лопаток, лопастей,
верхних частей венцов или других компонентов,
спроектированных для работы в газовом потоке с
температурой в 1323 К (1050 С) или выше
II.12.5.4. Конструкция и технология производства
охлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних
частей венцов иных, кроме указанных в пунктах
I.11.8.1. и I.11.8.2., работающих без тепловой
защиты при температуре газа в 1643 К (1370 С)
или выше
II.12.5.5. Технология производства и крепления турбинных
лопаток и композитов, способных выдерживать
более чем 2000 кВт при скоростях потока свыше
0,55 М
II.12.5.6. Конструкция и технология производства комбинаций
лопасти с профилем крыла - диском турбины, с
использованием метода соединения элементов в
твердом состоянии
II.12.5.7. Конструкция и технология производства
высокоресурсных вращающихся компонентов
газотурбинного двигателя, использующих
материалы, изготовленные методом порошковой
металлургии
II.12.5.8. Конструкция и технология производства системы
автономного электронно-цифрового контроллера для
газотурбинных двигателей и двигателей
комбинированного цикла, относящегося к ней
диагностического оборудования, датчиков и
специально спроектированных элементов
II.12.5.9. Конструкция и технология производства систем
управления геометрией газового потока и систем
управления в целом для:
II.12.5.9.1. газогенераторных турбин;
II.12.5.9.2. вентиляторных или мощных турбин
Примечание. По пунктам II.12.5.9. -
II.12.5.9.2. экспортный контроль не
распространяется на конструкцию и технологию
производства систем управления газового потока,
осуществляемого с целью реверса тяги
II.12.5.10. Конструкция и технология производства систем
управления зазором между венцом и лопатками
ротора, использующих технологию активной
компенсации зазора турбинным кожухом
II.12.5.11. Конструкция и технология производства газовых
подшипников для сборок ротора газотурбинного
двигателя
II.12.5.12. Конструкция и технология производства пустотелых
лопаток с широкой хордой без межпролетного
крепления
II.12.6. Программное обеспечение, необходимое для
проектирования или производства специально
разработанных агрегатов и компонентов
газотурбинных двигателей, указанных в пунктах
I.11.8. - I.11.8.13.
II.12.7. Программное обеспечение в коде источника,
объектном или машинном коде, требуемое для
применения в активных компенсационных системах
для управления зазором между венцом и лопатками
ротора, указанных в пункте I.11.8.11.
Примечание. По пункту II.12.7. экспортный
контроль не распространяется на программное
обеспечение, вложенное в не подлежащее контролю
оборудование или требуемое для технического
обслуживания, связанного с калибровкой или
ремонтом или модернизацией системы управления с
активной компенсацией зазора
II.12.8. Технология производства компонентов
газотурбинных двигателей с применением
лазерного, водоструйного или электроэрозионного
электротехнического методов сверления отверстий
(полостей):
II.12.8.1. глубиной, более чем в 4 раза большей их
диаметра, диаметром меньше 0,76 мм и углами
наклона, равными или менее 25 град.;
II.12.8.2. глубиной, более чем в 5 раз большей их
диаметра, диаметром меньше 0,4 мм и углами
наклона более 25 град.
Примечание. применительно к пункту II.12.8.
угол наклона измеряется от поверхности,
обдуваемой потоком, тангенциально в точке, где
ось отверстия пересекается с этой поверхностью
II.12.9. Конструкция и технология производства
вертолетных систем передачи мощности или систем
передачи мощности на заваленный несущий винт или
заваленное крыло воздушного летательного
аппарата:
II.12.9.1. способных снизить операционное время на
смазку на 30 мин и более;
II.12.9.2. имеющих на входе соотношение мощности и
веса 8,87 кВт/кг и более
II.12.10. Конструкция и технология производства поршневого
дизельного двигателя наземных систем станции с
силовой установкой, имеющей объем бокса 1,2 куб.
м или меньше, полную выходную мощность более чем
750 кВт, плотность мощности более чем 700
кВт/куб. м объема бокса
Примечание. Объем бокса определяется как
производная трех значений перпендикуляров,
измеренных следующим образом:
длина: длина коленчатого вала от переднего
фланца до лицевой плоскости маховика;
ширина: максимальное значение из следующих
измерений:
внешнего расстояния от одной крайней крышки
клапана до другой крайней крышки;
расстояния между краями головок цилиндров;
диаметра кожуха маховика;
высота: наибольшее из следующих измерений:
расстояния от оси коленчатого вала до
верхней плоскости клапанной крышки (или
головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода
поршня;
диаметра кожуха маховика.
II.12.11. Конструкция и технология производства специально
спроектированных компонентов, предназначенных
для дизельных двигателей с высокой выходной
мощностью
Примечание. Дизельные двигатели с высокой
выходной мощностью - это двигатели с номинальным
значением эффективного давления торможения 1,8
МПа или более при скорости вращения 2300 об/мин,
обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин или
более
II.12.11.1. Конструкция и технология производства систем
двигателя, имеющего гильзы цилиндров, поршни,
головки цилиндров, один или более других
компонентов (включая выхлопные отверстия,
турбонаддув, направляющие клапанов, сборки
клапана или изолированные топливные инжекторы),
изготовленные из керамических материалов
II.12.11.2. Конструкция и технология производства систем
турбонаддува с одноступенчатыми компрессорами,
имеющих соотношение давлений (степень сжатия)
4:1 или выше, расход топлива в диапазоне от 30
до 130 кг/мин и способность изменять сечение
потока внутри компрессора или секций турбины
II.12.11.3. Конструкция и технология производства систем
топливной инжекции со специально
спроектированной многотопливной (т.е. дизельным
или обычным топливом) способностью к изменению
вязкости топлива в диапазоне от дизельного
топлива (2,5 сантистокса при 310,8 К (37,8 С))
до бензина (0,5 сантистокса при 310,8 К (37,8
С)), имеющих инжектируемое количество больше чем
230 куб. м на один впрыск в один цилиндр и
детали специально спроектированного электронного
управления для регулятора переключения и
автоматического измерения характеристик в
зависимости от определенного значения момента
вращения применением адаптивных датчиков
II.12.12. Конструкция и технология производства дизельных
двигателей с высокой выходной мощностью с
твердыми, газофазными или жидкопленочными (или
их комбинациями) смазками стенок цилиндров,
позволяющими выдерживать температуры,
превышающие 723 К (450 С), измеряемые на стенке
цилиндра в верхней предельной точке касания
поршневого кольца
Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование
II.13.1. Оптика
II.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических
зеркал (отражателей)
II.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или
производства деформируемых зеркал с непрерывными
либо многоэлементными поверхностями и
специальными компонентами, способными
динамически менять расположение элементов
поверхности с частотой свыше 100 Гц
II.13.1.1.2. Конструкция и технология производства
сверхлегких монолитных зеркал со средней
эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв. м и
суммарной массой более 10 кг
II.13.1.1.3. Конструкция и технология производства
сверхлегких составных или пенных зеркальных
структур со средней эквивалентной плотностью
менее 30 кг/кв. м и суммарной массой более 2 кг
II.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал
диаметром или с длиной большей оси более 100 мм
и с управлением лучом в полосе частот более 100
Гц
II.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства зеркал, указанных в пунктах
I.12.1.1.1. - I.12.1.4.
II.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических
компонентов из селенида цинка (ZnSe) или
сульфида цинка (ZnS) с передачей в диапазоне
длин волн свыше 3000 нм, но не более 25000 нм,
имеющих одну из следующих характеристик:
II.13.1.2.1. объем более 100 куб. см;
II.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и
толщина (глубина) 20 мм и более
II.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оптических компонентов из селенида
цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), указанных
в пунктах I.12.1.2. - I. 12.1.2.2.
II.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических
систем для космических применений
II.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических
элементов с эквивалентной плотностью менее чем
20% по сравнению с твердотельными пластинами той
же апертуры и толщины
II.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным
покрытием (однослойным, многослойным,
металлическим или диэлектрическим, проводящим,
полупроводящим или изолирующим) или подложек с
защитными пленками
II.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов
зеркал для установки в космосе в оптические
системы с общей апертурой, эквивалентной или
большей 1 м
II.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических
систем, изготовленных из композиционных
материалов с коэффициентом линейного теплового
расширения, равным или меньшим 5x10E-6 в
направлении любой координаты
II.13.1.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства компонентов оптических систем для
космического применения, указанных в пунктах
I.12.1.3. - I.12.1.3.4.
II.13.1.5. Технология производства оптических фильтров
II.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для
длин волн более 250 нм, включающих многослойные
оптические покрытия и имеющих полосу пропускания
до половинной интенсивности до 1 нм включительно
и пиковую передачу 90% и более, или полосу
пропускания до 0,1 нм включительно и пиковую
передачу 50% и более
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.13.1.5.1. не распространяется на технологию
производства оптических фильтров с постоянным
воздушным зазором или фильтров типа Лио
II.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для
длин волн более 250 нм, имеющих настраиваемость
в спектральном диапазоне 500 нм и более,
мгновенную полосу пропускания 1,25 нм или менее,
установку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм или
лучше в пределах перестраиваемого спектрального
диапазона, однопиковый коэффициент пропускания
91% или более
II.13.1.5.3. Технология производства оптических
переключателей на конденсаторах (фильтрах) с
полем обзора 30 или шире и временем отклика,
равным или менее 1 нс
II.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с
шириной полосы пропускания, равной или меньшей
10 нм, полем обзора более 10 и разрешением свыше
0,75 пар линий на мм
II.13.1.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оптических фильтров, указанных в
пунктах I.12.1.4. - I.12.1.4.3. и II.13.1.5.4.
II.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры
оптического контроля
II.13.1.7.1. Конструкция и технология производства
аппаратуры, специально разработанной для
обеспечения качества поверхности или ориентации
оптических компонентов, указанных в пунктах
I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3.
II.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное
для проектирования или производства аппаратуры,
специально разработанной для обеспечения расчета
поверхности или ориентации оптических
компонентов, указанных в пункте I.12.1.5.1.
II.13.1.7.3. Конструкция и технология производства
аппаратуры, имеющей управление, слежение,
стабилизацию или подстройку резонатора с полосой
частот, равной или более 100 Гц, и погрешностью
10 мкрад или менее
II.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства аппаратуры, указанной в пункте
I.12.1.5.2.
II.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых
подвесов с максимальным углом поворота 5,
шириной полосы частот более 100 Гц, обладающих
любой из следующих характеристик:
II.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м,
но не более 1 м, чувствительность к угловым
ускорениям более
2
2 рад/с, погрешность углового наведения 200
мкрад или менее;
II.13.1.7.5.2.
специально разработанных для юстировки
фазированных решеток или фазированных
систем сегментных зеркал, состоящих из
зеркал с диаметром сегмента или его большей
полуоси 1 м или более, обладающих
чувствительностью к угловым
2
ускорениям более 0,5 рад/с и погрешностью
углового наведения 200 мкрад или менее
II.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства кардановых подвесов, указанных в
пунктах I.12.1.5.3. - I.12.1.5.3.2.
II.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры
для измерения абсолютного значения отражательной
способности с погрешностью +-0,1% или менее
II.13.1.9. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства аппаратуры для измерения
абсолютного значения отражательной способности с
погрешностью +-0,1% или менее
II.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических
поверхностей с общими потерями (поглощение и
рассеяние) менее чем 5x10E-3 и диаметром или
длиной большей оси 500 мм и более, требуемая для
достижения однородности оптических покрытий
99,5% или лучше
II.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых
оптических компонентов с суммарной поверхностью
более 10 кв. м в год, или разовой продукции с
площадью более 1 кв. м и среднеквадратической
погрешностью обработки 1/10 длины волны на
заданной длине волны
II.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с
получением конечной среднеквадратической
точности обработки поверхности лучше чем 10 нм
на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв.
м
II.13.2. Конструкция и технология производства оптических
датчиков
II.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических
детекторов
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.13.2.1. - II.13.2.1.4. не распространяется на
конструкцию и технологию производства
германиевых или кремниевых фотодиодов
II.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических
детекторов для использования в космосе в виде
единичного элемента, линейки в фокальной
плоскости или двух двумерных элементов, имеющих:
II.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300
нм и отклик менее 0,1% относительно
пикового отклика на длине волны свыше 400
нм;
II.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше
900 нм, но не более 1200 нм, и постоянную
времени отклика 95 нс или менее;
II.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн более
1200 нм, но не свыше 30000 нм
II.13.2.1.2. Конструкция и технология производства
электронно-оптических усилителей яркости и
специальных компонентов
II.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства
электронно-оптических усилителей яркости,
имеющих пиковый отклик в диапазоне длин волн
свыше 400 нм, но не более 1050 нм,
микроканальный анод для электронного усилителя
изображения с шагом отверстий (расстояние между
центрами) менее 25 мкм и фотокатоды S-20, S-25,
многощелевой фотокатод или фотокатоды из GaAs
или GaInAs
II.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально
разработанных компонентов для
электронно-оптических усилителей яркости:
II.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов;
II.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или
более ламп с тлеющим разрядом на плате и
шаг отверстий (расстояние между центрами)
менее 25 мкм;
II.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из GaAs или GaInAs
II.13.2.1.3. Конструкция и технология производства
неэквидистантных линейных или двумерных матриц в
фокальной плоскости с одной из следующих
характеристик:
II.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым
откликом в пределах диапазона волн свыше
900 нм, но не более 1050 нм, и постоянной
времени отклика менее 0,5 нс;
II.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым
откликом в пределах диапазона волн свыше
1050 нм, но не более 1200 нм, и постоянной
времени 95 нс или меньше;
II.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым
откликом в пределах диапазона волн свыше
1200 нм, но не более 30000 нм;
II.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных
или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов
или фототранзисторов вне фокальной плоскости с
пиковым откликом на длине волны более 1200 нм и
постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не
предназначенных для космических применений
Примечания: 1. Пункты II.13.2.1.3. -
II.13.2.1.4. включают конструкцию производства
матриц фотопроводимости и солнечных батарей
2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства кремниевых матриц в фокальной
плоскости, многоэлементных (не более 16
элементов) фотопроводящих элементов в оболочке
или пироэлектрических детекторов, использующих
любой из следующих материалов:
сульфид свинца;
сульфат триглицерина и его разновидности;
титанат циркония-лантана-свинца и его
разновидности;
танталат лития;
фторид поливиниллидена и его разновидности;
ниобат бария-стронция и его варианты;
селенид свинца
II.13.2.2. Конструкция и технология производства
многоспектральных формирователей изображений для
применений в дистанционном зондировании, имеющих
любую из следующих характеристик:
II.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад;
II.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в
диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не
более 30000 нм, обеспечивающих данные
изображения на выходе в цифровом формате с
использованием детекторов, отличных от
кремниевых и предназначенных для
космического применения или для воздушного
базирования
II.13.2.3. Программное обеспечение специально разработанное
для использования многоспектральных
формирователей изображений, указанный в пунктах
I.12.2.2. - I.12.2.2.2.
II.13.2.4. Конструкция и технология производства аппаратуры
формирования изображений непосредственного
наблюдения в видимом или инфракрасном диапазоне
включающей одно из следующих устройств:
II.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для
усиления яркости изображения, указанные в
пункте I.12.2.1.2.1.;
II.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в
пунктах I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.13.2.4.2. не распространяется на конструкцию
и технологию производства следующей аппаратуры с
фотокатодами, отличными от фотокатодов на GaAs
или GaInAs:
промышленных или гражданских датчиков
охраны, систем учета или контроля дорожного
или производственного движения;
медицинской аппаратуры;
промышленной аппаратуры для контроля,
анализа или сортировки материалов;
детекторов пламени для промышленных печей;
аппаратуры, специально разработанной для
промышленного использования
II.13.2.5. Конструкция и технология производства
специализированных компонентов для оптических
датчиков;
II.13.2.5.1. космического применения с криогенным
охлаждением;
II.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным
охлаждением;
II.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем
наработки на отказ или средним временем
между отказами свыше 2500 ч;
II.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей
Джоуля-Томсона с диаметром отверстия менее
8 мм;
II.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков:
II.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или
структурно, или модифицированных путем
покрытия, с чувствительностью к
акустическим, термическим, инерционным,
электромагнитным или ядерным эффектам;
II.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения
длины биений менее чем 50 мм (наибольшее
двулучепреломление)
II.13.3. Конструкция и технология производства камер
II.13.3.1. Конструкция и технология производства
инструментальных камер
II.13.3.1.1. Конструкция и технология производства
высокоскоростных записывающих кинокамер с любым
форматом пленки от 8 мм до 16 мм включительно, в
которых пленка движется в процессе записи и в
которых запись может производиться со скоростью
свыше 13150 кадров в секунду
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.13.3.1.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства кинокамер для
гражданских целей
II.13.3.1.2. Конструкция и технология производства
механических высокоскоростных камер, в которых
пленка не движется, способных вести запись со
скоростью свыше 10E6 кадров в секунду для пленки
шириной 35 мм, или для пропорционально более
высоких скоростей более узкой пленки, или для
пропорционально меньших скоростей более широкой
пленки
II.13.3.1.3. Конструкция и технология производства
механических или электронных
камер-фотохронографов со скоростью записи свыше
10 мм/мкс
II.13.3.1.4. Конструкция и технология производства
электронных кадровых камер со скоростью свыше
10E6 кадров в секунду
II.13.3.1.5. Конструкция и технология производства
электронных камер, имеющих скорость электронного
затвора (скорость стробирования) менее 1 мкс на
полный кадр и время считывания, позволяющих
получать более чем 125 полных кадров в секунду
II.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображений
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.13.3.2. не распространяется на конструкцию и
технологию производства телевизионных и
видеокамер для телевидения
II.13.3.2.1. Конструкция и технология производства
видеокамер, включающих твердотельные
чувствительные элементы, имеющие одну из
следующих характеристик:
II.13.3.2.1.1. более 4x10E6 активных пикселей на
твердотельную матрицу для монохромной
(черно-белой) камеры;
II.13.3.2.1.2. более 4x10E6 активных пикселей на
твердотельную матрицу для цветных камер с
тремя твердотельными матрицами;
II.13.3.2.1.3. более 12x10E6 активных пикселей на
твердотельную матрицу для цветных камер с
одной твердотельной матрицей;
II.13.3.2.2. Конструкция и технология производства
сканирующих камер и систем сканирующих камер,
включающих линейную решетку детекторов с более
чем 8192 элементами на решетке, и с механическим
сканированием в одном направлении
II.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображения, включающих
преобразователь для усиления яркости
изображения, указанных в пункте I.12.2.1.2.1.
II.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для
получения видеоизображения, включающих матрицы в
фокальной плоскости, указанные в пунктах
I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.
II.13.4. Конструкция и технология производства лазеров,
компонентов оптического оборудования для них
II.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых
лазеров
II.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных
лазеров, имеющих одну из следующих
характеристик:
II.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не
превышающую 150 нм, выходную энергию более
50 мДж на импульс или среднюю, или
непрерывную мощность более 1 Вт;
II.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150
нм, но не превышающую 190 нм, выходную
энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или
среднюю или непрерывную мощность,
превышающую 120 Вт;
II.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения,
превышающую 190 нм, но не более 360 нм,
выходную энергию на импульс, превышающую 10
Дж, или среднюю, или непрерывную выходную
мощность, превышающую 500 Вт;
II.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения,
превышающую 369 нм, выходную энергию на
импульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю,
или непрерывную выходную мощность более 30
Вт
II.13.4.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства эксимерных лазеров, указанных в
пунктах I.12.4.1.1. - I.12.4.1.1.1.4.
II.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на
парах металлов:
II.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства
медных (Cu) лазеров со средней или
непрерывной выходной мощностью более 20 Вт;
II.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства
золотых (Au) лазеров со средней или
непрерывной выходной мощностью более 5 Вт;
II.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства
натриевых (Na) лазеров с выходной мощностью
более 5 Вт;
II.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства
бариевых (Ba) лазеров со средней или
непрерывной выходной мощностью более 2 Вт
II.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на парах металлов,
указанных в пунктах I.12.4.1.2. - I.12.4.1.2.4.
II.13.4.1.5. Конструкция и технология производства лазеров на
моноокиси углерода (CO) с:
II.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и
импульсной пиковой мощностью более 5 кВт;
II.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью
более 5 кВт
II.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на основе моноокиси
углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.3. -
I.12.4.1.3.2.
II.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на
двуокиси углерода (CO2) с:
II.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10
кВт;
II.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью
импульса более 10 мкс, средней выходной
мощностью свыше 10 кВт или импульсной
пиковой мощностью более 100 кВт;
II.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью
импульса, равным или менее 10 мкс, энергией
импульса более 5 Дж, импульсной пиковой
мощностью свыше 2,5 кВт или средней, или
непрерывной выходной мощностью более 2,5
кВт
II.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на двуокиси углерода,
указанных в пунктах I.12.4.1.4. - I.12.4.1.4.3.
II.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических
лазеров:
II.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (HF) лазеров;
II.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых (DF) лазеров;
II.13.4.1.9.3. переходных лазеров:
II.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (O2-I);
II.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных
(DF-CO2) лазеров
II.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства химических лазеров, на которые
наложены ограничения пунктами I.12.4.1.5. -
I.12.4.1.5.3.2.
II.13.4.1.11. Конструкция и технология производства
газоразрядных и ионных лазеров (на ионах
криптона или аргона), имеющих:
II.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и
импульсную пиковую мощность более 50 Вт;
II.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50
Вт
II.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства газоразрядных и ионных лазеров,
указанных в пунктах I.12.4.1.6. - I.12.4.1.6.2.
II.13.4.1.13. Конструкция и технология производства других
газовых лазеров, за исключением азотных лазеров
с:
II.13.4.1.13.1. длиной волны выходного излучения не более
150 нм, выходной энергией на импульс свыше
50 мДж, импульсной пиковой мощностью более
1 Вт или средней, или непрерывной выходной
мощностью более 1 Вт;
II.13.4.1.13.2. длиной волны выходного излучения не более
150 нм, но не более 800 нм, выходной
энергией более 1,5 Дж на импульс,
импульсной пиковой мощностью более 30 Вт
или средней, или непрерывной выходной
мощностью более 30 Вт;
II.13.4.1.13.3. длиной волны выходного излучения более 800
нм, но не более 1400 нм, выходной энергией
на импульс более 0,25 Дж, импульсной
пиковой мощностью более 10 Вт или средней,
или непрерывной выходной мощностью более 10
Вт;
II.13.4.1.13.4. длиной волны выходного излучения свыше 1400
нм и средней или непрерывной мощностью
более 1 Вт
II.13.4.1.14. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства газовых лазеров, указанных в
пунктах I.12.4.1. - I.12.4.1.7.4.
II.13.4.2. Конструкция и технология производства
полупроводниковых лазеров
II.13.4.2.1. Конструкция и технология производства отдельных
полупроводниковых одномодовых лазеров с
поперечной модой, имеющих среднюю выходную
мощность свыше 100 мВт или длину волны более
1050 нм
II.13.4.2.2. Конструкция и технология производства отдельных
полупроводниковых многомодовых лазеров с
поперечными модами или массивов лазеров с:
II.13.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на импульс
и импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт;
II.13.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощностью
свыше 10 Вт;
II.13.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм
II.13.4.2.3. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства полупроводниковых лазеров,
указанных в пунктах I.12.4.2.1. - I.12.4.2.2.3.
II.13.4.3. Конструкция и технология производства
твердотельных лазеров
II.13.4.3.1. Конструкция и технология производства
перестраиваемых твердотельных лазеров, имеющих
следующие характеристики:
II.13.4.3.1.1. длину волны излучения менее 600 нм,
выходную энергию более 50 мДж на импульс,
импульсную пиковую мощность более 1 Вт или
среднюю, или непрерывную выходную мощность
более 1 Вт;
II.13.4.3.1.2. длину волны 600 нм или более, но не более
1400 нм, выходную энергию более 1 Дж в
импульсе, импульсную пиковую мощность свыше
20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
мощность свыше 20 Вт;
II.13.4.3.1.3. длину волны выходного излучения более 1400
нм, выходную энергию свыше 50 мДж на
импульс, импульсную пиковую мощность более
1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 1 Вт
Примечание. Пункт II.13.4.3.1. включает
конструкцию и технологию производства
титаново-сапфировых (Ti:Al2Oз), тулий-YAG,
тулий-YSGG - александрит (Сr:BeAl2O4) лазеров и
лазеров с окрашенным центром
II.13.4.3.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства перестраиваемых твердотельных
лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.1. -
I.12.4.3.1.3.
II.13.4.3.3. Конструкция и технология производства
неперестраиваемых лазеров
Примечание. Пункты II.13.4.3.3. -
II.13.4.3.3.7.4. включают конструкцию и
технологию производства твердотельных лазеров на
атомных переходах
II.13.4.3.3.1. Конструкция и технология производства рубиновых
лазеров с выходной энергией более 20 Дж в
импульсе
II.13.4.3.3.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства рубиновых лазеров с выходной
энергией более 20 Дж в импульсе
II.13.4.3.3.3. Конструкция и технология производства лазеров на
неодимовом стекле:
II.13.4.3.3.3.1. лазеров с модуляцией добротности, имеющих
выходную энергию свыше 20 Дж, но не более
50 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность
более 10 Вт или выходную энергию свыше 50
Дж в импульсе;
II.13.4.3.3.3.2. лазеров без модуляции добротности, имеющих
выходную энергию свыше 50 Дж, но не более
100 Дж в импульсе, среднюю выходную
мощность более 20 Вт или выходную энергию
более 100 Дж в импульсе
II.13.4.3.3.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на неодимовом стекле,
указанных в пунктах I.12.4.3.2.2. -
I.12.4.3.2.2.2.
II.13.4.3.3.5. Конструкция и технология производства лазеров с
растворенным неодимом с длиной волны более 1000
нм, но не свыше 1100 нм:
II.13.4.3.3.5.1. лазеров с модуляцией добротности,
импульсным возбуждением и синхронизацией
мод с длительностью импульса менее 1 нс,
имеющих пиковую мощность более 5 ГВт,
среднюю выходную мощность более 10 Вт или
импульсную энергию более 0,1 Дж;
II.13.4.3.3.5.2. лазеров с модуляцией добротности и
синхронизацией мод с длительностью импульса
равной или большей 1 нс:
II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением, имеющим пиковую
мощность более 100 МВт, среднюю выходную
мощность более 20 Вт или импульсную энергию
свыше 2 Дж;
II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением, имеющим пиковую
мощность более 200 МВт, среднюю выходную
мощность более 50 Вт или импульсную энергию
более 2 Дж
II.13.4.3.3.5.3. лазеров с импульсным возбуждением без
модуляции добротности, имеющих:
II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью
более 500 кВт или средней выходной
мощностью более 150 Вт;
II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью
более 1 МВт или средней мощностью свыше 500
Вт
II.13.4.3.3.5.4. лазеров непрерывного возбуждения, имеющих:
II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью
более 500 кВт или средней, или непрерывной
мощностью свыше 150 Вт;
II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью
более 1 МВт или средней, или непрерывной
мощностью свыше 500 Вт
II.13.4.3.3.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров с растворенным неодимом,
указанных в пунктах I.12.4.3.2.3. -
I.12.4.3.2.3.4.2.
II.13.4.3.3.7. Конструкция и технология производства других
неперестраиваемых лазеров, имеющих:
II.13.4.3.3.7.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию
более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую
мощность более 1 Вт или среднюю, или
непрерывную выходную мощность более 1 Вт;
II.13.4.3.3.7.2. длину волны не менее 150 нм, но не более
800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж на
импульс, импульсную пиковую мощность более
30 Вт или среднюю, или непрерывную мощность
более 30 Вт;
II.13.4.3.3.7.3. длину волны более 800 нм, но не более 1400
нм:
II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной
энергией более 0,5 Дж в импульсе,
импульсной пиковой мощностью более 50 Вт
или средней выходной мощностью, превышающей
10 Вт для одномодовых лазеров и 30 Вт для
многомодовых лазеров;
II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с
выходной энергией более 2 Дж в импульсе,
импульсной пиковой мощностью свыше 50 Вт
или средней, или непрерывной выходной
мощностью более 50 Вт;
II.13.4.3.3.7.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию
более 100 мДж в импульсе, импульсную
пиковую мощность более 1 Вт или среднюю,
или непрерывную мощность более 1 Вт
II.13.4.3.3.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства неперестраиваемых лазеров,
указанных в пунктах I.12.4.3.2.4. -
I.12.4.3.2.4.4.
II.13.4.4. Конструкция и технология производства лазеров на
красителях и других жидкостях, имеющих:
II.13.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию
более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую
мощность свыше 1 Вт или среднюю, или
непрерывную выходную мощность более 1 Вт;
II.13.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свыше
800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж в
импульсе, импульсную пиковую мощность свыше
20 Вт, или среднюю, или непрерывную
выходную мощность более 20 Вт, или имеющие
генератор одиночной продольной моды со
средней выходной мощностью более 1 Вт и
частотой повторения более 1 кГц при
длительности импульса менее 100 нс;
II.13.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 1400
нм, выходную энергию более 500 мДж в
импульсе, импульсную пиковую мощность более
10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
мощность более 10 Вт;
II.13.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию
более 100 мДж в импульсе, импульсную
пиковую мощность более 1 Вт или среднюю,
или непрерывную выходную мощность более 1
Вт
II.13.4.5. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на красителях и других
жидкостях, указанных в пунктах I.12.4.4. -
I.12.4.4.4.
II.13.4.6. Конструкция и технология производства лазеров на
свободных электронах
II.13.4.7. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства лазеров на свободных электронах
II.13.4.8. Конструкция и технология производства
компонентов для лазеров
II.13.4.8.1. Конструкция и технология производства зеркал,
охлаждаемых либо активным охлаждением, либо
трубчатой охладительной системой
II.13.4.8.2. Конструкция и технология производства оптических
зеркал или прозрачных, или частично прозрачных
оптических, или электрооптических компонентов
для использования в лазерах, подлежащих
экспортному контролю
II.13.4.9. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства компонентов лазеров, указанных в
пунктах I.12.4.6. - I.12.4.6.2.
II.13.4.10. Конструкция и технология производства
оптического оборудования
II.13.4.10.1. Конструкция и технология производства
оборудования динамического измерения фазы
волнового фронта с более 50 позициями на
волновом фронте луча с:
II.13.4.10.1.1. частотой кадра равной или более 100 Гц и
фазовой дискриминацией 5% и более длины
волны луча;
II.13.4.10.1.2. частотой кадра равной или более 1000 Гц и
фазовой дискриминацией 20% и более длины
волны луча
II.13.4.10.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оборудования для динамического
измерения фазы волнового фронта, указанного в
пунктах I.12.4.7.1. - I.12.4.7.1.2.
II.13.4.10.3. Конструкция и технология производства
оборудования лазерной диагностики со
способностью измерения ошибок управления луча
лазера сверхвысокой мощности с точностью, равной
или менее 10 мкрад
II.13.4.10.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оборудования лазерной диагностики,
указанного в пункте I.12.4.7.2.
II.13.4.10.5. Конструкция и технология производства оптической
аппаратуры, узлов и компонентов для системы
лазера сверхвысокой мощности с фазированным
сложением лучей с точностью 1/10 длины волны или
0,1 мкм (в зависимости от того, что меньше)
II.13.4.10.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства аппаратуры, узлов и компонентов,
указанных в пункте I.12.4.7.3.
II.13.4.10.7. Конструкция и технология производства защищенных
объективов для использования с системами лазеров
сверхвысокой мощности
II.13.4.10.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства защищенных объективов для
использования с системами лазеров сверхвысокой
мощности
II.13.4.11. Конструкция и технология производства специально
разработанного или модифицированного
оборудования, включая инструменты, красители,
контрольно-измерительные приборы и другие
специальные компоненты и вспомогательные
элементы:
II.13.4.11.1. для производства или осмотра:
II.13.4.11.1.1. магнитных систем лазеров на свободных
электронах;
II.13.4.11.1.2. фотоинжекторов лазеров на свободных
электронах;
II.13.4.11.2. для юстировки в пределах требуемой
погрешности продольного магнитного поля
лазеров на свободных электронах
II.13.4.12. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства специально разработанного или
модифицированного оборудования, указанного в
пунктах I.12.4.8. - I.12.4.8.2.
II.13.4.13. Технология производства или методы использования
специализированных диагностических инструментов
или мишеней в испытательных установках для
испытаний лазеров сверхвысокой мощности либо
испытаний или оценки стойкости материалов,
облучаемых излучением таких лазеров
II.13.5. Конструкция и технология производства
оптоволоконных кабелей связи, оптических волокон
и специально разработанных компонентов и
вспомогательного оборудования:
II.13.5.1. Технология производства оптических волокон или
кабелей длиной свыше 50 м:
II.13.5.1.1. разработанных для функционирования в
одномодовом режиме;
II.13.5.1.2. способных выдерживать напряжение
(механическое) 2x10E9 Н/кв. м или более в
контрольном тесте
II.13.5.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оптических волокон или кабелей,
указанных в пунктах I.12.5.1. - I.12.5.1.2.
II.13.5.3. Конструкция и технология производства
компонентов и вспомогательного оборудования,
специально разработанных для оптических волокон
или кабелей, указанных в пункте I.12.5.1., за
исключением соединителей для использования с
оптическими волокнами или кабелями, имеющими
потери соединения 0,5 дБ или более
II.13.5.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства компонентов и вспомогательного
оборудования, указанного в пункте I.12.5.2.
II.13.5.5. Конструкция и технология производства
оптоволоконных кабелей и вспомогательного
оборудования, разработанных для использования
под водой (для оптоволоконных соединителей и
измерителей излучения экспортный контроль
осуществляется в соответствии с пунктами
I.13.2.1.3. и I.13.2.3.)
II.13.5.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства оптоволоконных кабелей
вспомогательного оборудования, указанных в
пункте I.12.5.3.
II.13.5.7. Конструкция и технология производства кабеля из
волокон на основе соединений фтора или
оптических волокон с поглощением менее 4 дБ/км в
диапазоне длин волн более 1000 нм, но не более
3000 нм
II.13.5.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства кабеля из волокон на основе
соединений фтора, указанного в пункте I.12.5.4.
Раздел II.14. Транспортные средства и специально
разработанное для них оборудование
II.14.1. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности подводных аппаратов или надводных
судов
II.14.1.1. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности пилотируемых человеком, управляемых
по проводам подводных аппаратов,
спроектированных для операций на глубинах,
превышающих 1000 м
II.14.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
подводных аппаратов, указанных в пункте
I.13.1.1.
II.14.1.3. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности пилотируемых человеком,
неуправляемых по проводам подводных аппаратов:
II.14.1.3.1. спроектированных для автономного плавания и
имеющих характеристику по подъемной силе
10% или более их собственного веса (веса в
воздухе) или 15 кН или более;
II.14.1.3.2. спроектированных для плавания на глубинах,
превышающих 1000 м;
II.14.1.3.3. спроектированных для экипажа из 4 и более
человек, предназначенных для автономного
плавания в течение 10 часов и более,
имеющих радиус действия 25 морских миль или
более и длину 21 м или менее
Примечания: 1. При автономном плавании
аппарат полностью погружается без шнорхеля, все
системы функционируют и обеспечивают плавание
при минимальной скорости, при которой погружение
может безопасно управляться (с учетом
необходимой динамики по глубине погружения) с
использованием только глубинных рулей, без
участия надводных судов поддержки или базы
(береговой или корабля-матки), аппарат имеет
двигательную систему для движения в погруженном
или надводном состоянии
2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки
без учета массы экипажа
3. Радиус действия равен половине максимального
расстояния, которое аппарат может преодолеть в
погруженном состоянии
II.14.1.4. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
подводных аппаратов, указанных в пунктах
I.13.1.2.1. - I.13.1.2.3.
II.14.1.5. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности не пилотируемых человеком,
управляемых по проводам подводных аппаратов,
спроектированных для плавания на глубинах,
превышающих 1000 м, предназначенных для
самоходного маневра, используя двигатели и
ускорители, указанные в пункте I.13.2.1.2., или
имеющих оптоволоконные линии обмена данными
II.14.1.6. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
подводных аппаратов, указанных в пунктах
I.13.1.3. - I.13.1.3.2.
II.14.1.7. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности не пилотируемых человеком, не
управляемых по проводам подводных аппаратов:
II.14.1.7.1. спроектированных для решения задачи
достижения (прокладки курса) любого
географического ориентира без участия
человека в реальном масштабе времени;
II.14.1.7.2. имеющих канал передачи акустических данных
или команд;
II.14.1.7.3. имеющих оптоволоконную линию передачи
данных или линию передачи команд,
превышающую по длине 1000 м
II.14.1.8. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения не
пилотируемых человеком, не управляемых по
проводам подводных аппаратов, указанных в
пунктах I.13.1.4. - I.13.1.4.3.
II.14.1.9. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности океанских систем спасения с
подъемной силой, превышающей 5 МН, для спасения
объектов с глубин, превышающих 250 м, имеющих
одну из следующих характеристик:
II.14.1.9.1. системы динамического управления
положением, способные стабилизироваться в
пределах (внутри) 20 м относительно
заданной точки, фиксируемой навигационной
системой;
II.14.1.9.2. системы придонной навигации и навигационной
интеграции для глубин, превышающих 1000 м,
с точностью обеспечения положения в
пределах (внутри) 10 м относительно
заданной точки
II.14.1.10. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
океанских систем спасения, имеющих
характеристики, указанные в пунктах I.13.1.5. -
I.13.1.5.2.
II.14.1.11. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности судов с поверхностным эффектом (с
полностью изменяемой поверхностной
конфигурацией), обладающих максимальной
проектной скоростью, превышающей при полной
загрузке 30 узлов при высоте волны 1,25 м
(Морская статья 3) или более, амортизирующим
давлением свыше 3830 Па и соотношением
водоизмещения незагруженного и полнозагруженного
судна менее чем 0,7
II.14.1.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
судов, указанных в пункте I.13.1.6.
II.14.1.13. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности судов с поверхностным эффектом (с
неизменяемой поверхностной конфигурацией) с
максимальной проектной скоростью, превышающей
при полной загрузке 40 узлов при высоте волны
3,25 м (Морская статья 5) или более
II.14.1.14. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
судов, указанных в пункте I.13.1.7.
II.14.1.15. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности судов с гидрокрылом и активными
системами для автоматического управления крылом
с максимальной проектной скоростью при полной
загрузке 40 узлов или более и высоте волны 3,25
м (Морская статья 5) или более
II.14.1.16. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
судов, указанных в пункте I.13.1.8.
II.14.1.17. Конструкция и технологии производства,
капитального ремонта и восстановления чистоты
поверхности судов на небольшом подводном крыле
с:
II.14.1.17.1. водоизмещением при полной загрузке,
превышающим 500 т, с максимальной проектной
скоростью, превышающей при полной загрузке
35 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская
статья 5) или более;
II.14.1.17.2. водоизмещением при полной загрузке,
превышающим 1500 т, с максимальной
проектной скоростью при полной загрузке,
превышающей 25 узлов при высоте волны 4 м
(Морская статья 6) или более
II.14.1.18. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
судов, указанных в пунктах I.13.1.9. -
I.13.1.9.2.
II.14.2. Конструкция и технология производства систем и
оборудования для транспортных средств
II.14.2.1. Конструкция и технология производства следующих
систем или оборудования, специально
спроектированных или модифицированных для
подводных судов, спроектированных для плавания
на глубинах, превышающих 1000 м:
II.14.2.1.1. помещений под давлением или корпусов под
давлением с максимальным внутренним
диаметром камеры, превышающим 1,5 м;
II.14.2.1.2. электродвигателей постоянного тока или
тяговых двигателей;
II.14.2.1.3. кабельных разъемов и соединителей, в том
числе использующих оптоволокно и имеющих
силовые элементы из синтетических
материалов
II.14.2.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем и оборудования, указанных в пунктах
I.13.2.1. - I.13.2.1.3.
II.14.2.3. Конструкция и технологии производства систем,
специально спроектированных или модифицированных
для автоматического управления движением
подводных судов, указанных в пунктах I.13.1. -
I.13.1.5.2., использующих навигационные данные и
имеющих закрытые с обратной связью
сервоконтролирующие средства:
II.14.2.3.1. способных управлять движением судна в
пределах (внутри) 10 м относительно
заданной точки водяного столба;
II.14.2.3.2. позволяющих поддерживать положение судна в
пределах (внутри) 10 м относительно
заданной точки водяного столба;
II.14.2.3.3. позволяющих поддерживать положение судна в
пределах (внутри) 10 м при следовании на
морском аппарате-матке или на тросе
(кабеле) под ним
II.14.2.4. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем, указанных в пунктах I.13.2.2. -
I.13.2.2.3.
II.14.2.5. Конструкция и технология производства
оптоволоконных корпусных разъемов или
соединителей, специально спроектированных для
применения под водой
II.14.2.6. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
оптоволоконных корпусных разъемов или
соединителей, специально спроектированных для
применения под водой
II.14.2.7. Конструкция и технология производства кромок,
корпусов, уплотнений и выдвижных элементов,
имеющих следующие характеристики:
II.14.2.7.1. спроектированных для внешних давлений в
3830 Па или более, функционирующих при
высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или
более и специально спроектированных для
судов с поверхностным эффектом (полностью
изменяемой поверхностной конфигурацией),
указанных в пункте I.13.1.6.
II.14.2.7.2. спроектированных для давлений в 6224 Па или
более, функционирующих при высоте волны
3,25 м (Морская статья 5) или более и
специально спроектированных для судов с
поверхностным эффектом (с неизменяемой
поверхностной конфигурацией), указанных в
пункте I.13.1.7.
II.14.2.8. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
кромок, корпусов, уплотнений и выдвижных
элементов с характеристиками, указанными в
пунктах I.13.2.4. - I.13.2.4.2.
II.14.2.9. Конструкция и технология производства полностью
погружаемых подкавитационных или
суперкавитационных гидрокрыльев для судов,
указанных в пункте I.13.1.8.
II.14.2.10. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
гидрокрыльев, указанных в пункте I.13.2.5.
II.14.2.11. Конструкция и технология производства активных
систем компенсации движения морской среды,
специально спроектированных или модифицированных
для обеспечения автоматического управления
лодками или судами, указанными в пунктах
I.13.1.6. - I.13.1.9.
II.14.2.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
систем, указанных в пункте I.13.2.6.
II.14.3. Конструкция и технология систем управления
летательных аппаратов
II.14.3.1. Исходная программа для интегрирования
(объединения) авиационной электроники и
программы полета, которая сочетает данные
датчиков и использует научную базу экспертных
систем
II.14.3.2. Исходная программа для разработки:
II.14.3.2.1. системы организации работы цифровой
полетной системы для полета по
оптимизированной траектории;
II.14.3.2.2. интегрального двигателя и системы
управления полетом;
II.14.3.2.3. системы управления по проводам и по
сигнальным огням;
II.14.3.2.4. отказоустойчивой и самоперестраиваемой
активной системы управления полетом;
II.14.3.2.5. бортового автоматического оборудования
ориентации;
II.14.3.2.6. систем воздушных данных, основанных на
данных о поверхностных помехах;
II.14.3.2.7. дисплея с растровым типом головки и
объемного дисплея, имеющего три измерения
II.14.3.3. Технология производства бортового автоматически
управляемого оборудования, работающего на
частотах свыше 5 МГц
II.14.3.4. Технология создания системы данных, основанной
только на информации о профиле поверхности, т.е.
системы, полученной обычным зондированием
II.14.3.5. Технология производства дисплеев объемного
изображения (в трех измерениях) с растровым
типом головки
II.14.3.6. Методы создания активных систем управления
полетом
II.14.3.6.1. Конструкция схемы связи множества движущихся
микроэлектронных элементов (в бортовых
компьютерах), позволяющей реализовать управление
в реальном масштабе времени
II.14.3.6.2. Методы учета (компенсации) в алгоритме
управления погрешностей определения
местоположения датчика или аэродинамической
нагрузки на корпус (планер) летательного
аппарата, вызванных возмущениями внешней среды
II.14.3.6.3. Методы электронного управления избыточными
данными или системами резервирования для
определения ошибки, определения допустимого
отклонения ошибки, локализации ошибки и ее
реконфигурации
Примечание. Экспортному контролю не подлежат
методы проектирования физической избыточности
II.14.3.6.4. Методы создания системы управления полетом при
воздействии сил и моментов управления, которая
позволяет осуществлять перестройку своей
структуры для обеспечения управления в реальном
масштабе времени автономным летательным
аппаратом
II.14.3.6.5. Методы объединения цифрового управления полетом,
навигационных данных и данных управления
двигателем в цифровую систему управления полетом
для оптимизации траектории полета, исключая
методы для самолетных средств, предназначенные
для ненаправленного радиомаяка сверхвысокой
частоты, дальномерной аппаратуры, системы слепой
посадки, захода на посадку
II.14.3.6.6. Методы разработки цифровой системы управления
полетом или программы организации работы
многодатчиковых управляющих систем, объединяющих
научные экспертные системы
II.14.3.7. Методы разработки систем управления вертолетом
II.14.3.7.1. Методы разработки многокоординатных средств
управления по проводам или сигнальным огням,
которые объединяют функции по крайней мере двух
из нижеследующих элементов в один управляющий
элемент:
коллективное управление;
вращательное управление;
управление рысканием
II.14.3.7.2. Методы разработки системы управления моментом
вращения и скручивающим усилием при вращательном
движении
II.14.3.7.3. Методы разработки вращающихся лопастей с
переменной геометрией аэродинамического профиля
для использования в системах управления лопастью
Раздел II.15. Испытательное оборудование
II.15.1. Конструкция и технология производства
гидроканалов, имеющих шумовой фон менее 100 дБ
(эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от
0 до 500 Гц, спроектированных для измерения
акустических полей, генерируемых гидропотоком
около моделей системы движителя
II.15.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
гидроканалов, указанных в пункте I.14.1.
II.15.3. Конструкция и технология производства
измерительно-информационных систем, работающих в
реальном масштабе времени, инструментов (включая
датчики) или автоматических накопителей данных,
специально разработанных для использования в
следующих аэродинамических трубах или
установках:
II.15.3.1. в установках для моделирования набегающего
потока с числами Маха, превышающими 5,
включая тепловые, плазменно-дуговые и
ударные аэродинамические трубы, а также
аэродинамические трубы с газовым поршнем и
газовые пушки;
II.15.3.2. в аэродинамических трубах или установках,
отличных от двумерных, способных
моделировать обтекание потоками при числах
Рейнольдса свыше 25x10E6
II.15.4. Программное обеспечение, необходимое для
проектирования, производства и применения
измерительно-информационных систем, указанных в
пунктах I.14.2. - I.14.2.2.
II.15.5. Конструкция и технология производства датчиков,
специально разработанных для непосредственного
измерения поверхностного трения на стенке в
потоке с температурой торможения свыше 833 К
(560 С)
II.15.6. Программное обеспечение, необходимое для
проектирования, производства и применения
датчиков для непосредственного измерения
поверхностного трения на стенке в потоке с
температурой торможения свыше 833 К (560 С),
указанных в пункте I.14.3.
II.15.7. Программное обеспечение, необходимое для
задействования полностью автономного
электронно-цифрового контроллера для
аэрокосмических испытательных установок или
воздуходувных установок для испытания двигателей
II.15.8. Программное обеспечение для моделирования двух-
или трехвязкого внутридвигательного течения
потока в аэродинамических трубах или для
обработки данных летных испытаний, позволяющих
детально моделировать внутридвигательный поток
II.15.9. Программное обеспечение с допусками на аварийное
выключение двигательных установок,
ассоциированное в стендовое оборудование
II.15.10. Программное обеспечение для испытаний воздушных
газотурбинных двигателей, сборок или
компонентов, специально разработанное для
обобщения, преобразования и анализа данных в
реальном масштабе времени, способное обеспечить
управление с обратной связью, включая
динамическую настройку испытуемых изделий или
условий испытаний в ходе проведения
экспериментов
II.15.11. Конструкция и технология производства
аэродинамических моделей газотурбинных
двигателей для испытания в аэродинамической
трубе, оборудованных съемными датчиками,
способными транслировать данные от первичных
сенсоров в систему сбора информации
Раздел II.16. Робототехника
II.16.1. Конструкция и технология производства роботов,
специально спроектированных для подводного
применения, управляемых с использованием
программно-управляемой специализированной ЭВМ
II.16.1.1. Конструкция и технология производства роботов,
имеющих управляющие системы с использованием
информации от датчиков, которые измеряют усилие
или момент вращения, прикладываемые к внешнему
объекту, расстояние до внешнего объекта или
контактное (тактильное) взаимодействие между
роботом и внешним объектом
II.16.1.2. Конструкция и технология производства роботов,
способных создавать усилие в 250 Н или более,
или момент вращения 250 Н х м или более, и
использующих сплавы на основе титана или
волоконные или нитевидные композиционные
материалы в элементах конструкции
II.16.2. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное для
разработки, производства или применения роботов,
указанных в пунктах I.15.1. - I.15.1.2.
II.16.3. Конструкция и технология производства
дистанционно управляемых шарнирных
манипуляторов, специально спроектированных или
модифицированных для использования с подводными
судами
II.16.3.1. Конструкция и технология производства
манипуляторов, имеющих управляющие системы,
использующие информацию от датчиков, измеряющих
усилие или момент вращения, прикладываемые к
внешнему объекту, или контактное (тактильное)
взаимодействие между манипулятором и внешним
объектом
II.16.3.2. Конструкция и технология производства
манипуляторов, управляемых способами
пропорционального управления "ведущий-ведомый"
или с применением программно-управляемой
специализированной ЭВМ и имеющих пять или более
степеней свободы движения
II.16.4. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное для
разработки, производства или применения
манипуляторов, указанных в пунктах I.15.2. -
I.15.2.2.
Раздел II.17. Радиоэлектроника
II.17.1. Конструкция и технология производства
электронных приборов и элементной базы
Примечания: 1. Экспортный контроль по
подразделу II.17.1. не распространяется на
конструкцию и технологии производства:
микроволновых транзисторов, работающих на
частотах ниже 31 ГГц; интегральных схем,
указанных в пунктах I.16.1.1. - I.16.1.1.8.2.,
использующих проектные нормы 1 мкм и выше и не
содержащих многослойных структур
2. Не контролируется экспорт многослойной
технологии приборов, содержащих максимум два
металлических слоя и два слоя поликремния
II.17.1.1. Конструкция и технология производства
интегральных схем
II.17.1.1.1. Конструкция и технология производства
микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных
микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих
хотя бы одну из следующих характеристик:
Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту
II.17.1.1.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства кремниевых
микрокомпьютерных микросхем и микросхем
микроконтроллеров, имеющих длину операнда
(данных) 8 бит и менее
2. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1.
распространяется на конструкцию и технологию
производства цифровых сигнальных процессоров,
цифровых матричных процессоров и цифровых
сопроцессоров
II.17.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных превышает
32 бита либо разрядность доступа к
арифметико-логическому устройству превышает
32 бита;
II.17.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц;
II.17.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет разрядность 32
бита и более, а производительность равна
12,5 млн. команд в секунду и более;
II.17.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен для
внешнего подключения более чем одной шиной
данных или команд, или последовательным
портом связи с пропускной способностью
свыше 2,4 Мбайт/с
II.17.1.1.2. Конструкция и технология производства
интегральных схем памяти
II.17.1.1.2.1. Конструкция и технология производства
электрически перепрограммируемых полупостоянных
запоминающих устройств с емкостью памяти,
превышающей 1 кбит на один корпус или
превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющих
максимальное время доступа менее 80 нс
II.17.1.1.2.2. Конструкция и технология производства
статических запоминающих устройств с
произвольной выборкой с емкостью памяти,
превышающей 1 Мбит на один корпус или
превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющих
максимальное время доступа менее 25 нс
II.17.1.1.2.3. Конструкция и технология производства
интегральных схем памяти, изготовленных на
основе сложного полупроводника
II.17.1.1.3. Конструкция и технология производства
электронно-оптических или оптических
интегральных схем для обработки сигналов,
имеющих:
один внутренний лазерный диод или более;
один внутренний светочувствительный элемент
или более;
оптические волноводы
II.17.1.1.4. Конструкция и технология производства
программируемых у пользователя базовых матричных
кристаллов, имеющих хотя бы одну из следующих
характеристик:
II.17.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей свыше
30000 (в пересчете на двухвходовые);
II.17.1.1.4.2. типовое время задержки распространения
сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс
II.17.1.1.5. Конструкция и технология производства
программируемых у пользователя логических
матриц, имеющих хотя бы одну из следующих
характеристик:
II.17.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей свыше
5000 (в пересчете на двухвходовые);
II.17.1.1.5.2. частота переключения превышает 100 МГц
II.17.1.1.6. Конструкция и технология производства
интегральных схем для нейронных сетей
II.17.1.1.7. Конструкция и технология производства заказных
интегральных схем, имеющих хотя бы одну из
следующих характеристик:
II.17.1.1.7.1. число выводов свыше 144;
II.17.1.1.7.2. типовое время задержки распространения
сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс;
II.17.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц
II.17.1.1.8. Конструкция и технология производства цифровых
интегральных схем, отличающихся от описанных в
пунктах I.16.1.1.1. - I.16.1.1.7., созданных на
основе любого сложного полупроводника и имеющих
хотя бы одну из следующих характеристик:
II.17.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей свыше 300
(в пересчете на двухвходовые);
II.17.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц
II.17.1.2. Конструкция и технология производства приборов
микроволнового или миллиметрового диапазона
II.17.1.2.1. Конструкция и технология производства
электронных вакуумных ламп и катодов
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.17.1.2.1. - II.17.1.2.1.3.2. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства ламп, предназначенных для работы в
стандартном диапазоне частот гражданской
телекоммуникации, с частотами, не превышающими
31 ГГц
II.17.1.2.1.1. Конструкция и технология производства ламп
бегущей волны импульсного или непрерывного
действия:
II.17.1.2.1.1.1. работающих на частотах свыше 31 ГГц;
II.17.1.2.1.1.2. имеющих элемент подогрева катода со
временем от включения до выхода лампы на
номинальную радиочастотную мощность менее 3
с;
II.17.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их
модификации;
II.17.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификаций, имеющих
хотя бы один из следующих признаков:
II.17.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот составляет
пол-октавы и более, и произведение
номинальной средней выходной мощности (в
кВт) на максимальную рабочую частоту (в
ГГц) превышает 0,2;
II.17.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот составляет
менее пол-октавы и произведение номинальной
средней выходной мощности (в кВт) на
максимальную рабочую частоту (в ГГц)
превышает 0,4;
II.17.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для
космического применения
II.17.1.2.1.2. Конструкция и технология производства
СВЧ-приборов - усилителей магнетронного типа с
коэффициентом усиления более 17 дБ
II.17.1.2.1.3. Конструкция и технология производства
импрегнированных катодов для электронных ламп,
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номинальную
эмиссию менее 3 с;
II.17.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии и
штатных условиях функционирования свыше 5
А/кв. см
II.17.1.2.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства электронных вакуумных ламп и
катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1. -
I.16.1.2.1.3.2.
II.17.1.2.3. Конструкция и технология производства
интегральных схем или модулей микроволнового
диапазона, содержащих твердотельные интегральные
схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц
Примечание
Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства схем или модулей для оборудования,
разработанного или пригодного для работы в
стандартном диапазоне частот гражданской
телекоммуникации с частотами, не превышающими 31
ГГц
II.17.1.2.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства интегральных схем или модулей
микроволнового диапазона, указанных в пункте
I.16.1.2.2.
II.17.1.2.5. Конструкция и технология производства
микроволновых транзисторов, предназначенных для
работы на частотах, превышающих 31 ГГц
II.17.1.2.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства микроволновых транзисторов,
предназначенных для работы на частотах,
превышающих 31 ГГц
II.17.1.2.7. Конструкция и технология производства
микроволновых твердотельных усилителей:
II.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и
имеющих ширину рабочей полосы частот более
чем пол-октавы;
II.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.1.2.7. не распространяется на конструкцию
и технологию производства усилителей:
специально спроектированных для медицинских
целей;
специально спроектированных для простых учебных
приборов;
имеющих выходную мощность не более 10 Вт и
специально спроектированных для:
промышленных или гражданских систем защиты
периметра, обнаружения посторонних лиц или
охранной сигнализации;
автодорожных или промышленных систем
управления движением и систем подсчета;
систем обнаружения экологического
загрязнения воздуха или воды
II.17.1.2.8.
Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства микроволновых твердотельных
усилителей, указанных в пунктах I.16.1.2.4. -
I.16.1.2.4.2.
II.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых
или заграждающих фильтров с электронной или
магнитной настройкой, имеющих свыше 5
настраиваемых резонаторов, обеспечивающих
настройку в полосе частот с соотношением
максимальной и минимальной частот 1,5 менее чем
за 10 мкс, причем полоса пропускания составляет
более 0,5% от резонансной частоты или полоса
подавления составляет менее 0,5% от резонансной
частоты
II.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства полосовых или заграждающих
фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5.
II.17.1.2.11. Конструкция и технология производства
микроволновых сборок, способных работать на
частотах, превышающих 31 ГГц
II.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства микроволновых сборок, способных
работать на частотах, превышающих 31 ГГц
II.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких
волноводов, спроектированных для использования
на частотах свыше 40 ГГц
II.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства гибких волноводов, спроектированных
для использования на частотах свыше 40 ГГц
II.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов
на акустических волнах и специально
спроектированных для них компонентов
II.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов
на поверхностных акустических волнах в тонкой
подложке (т.е. приборов для обработки сигналов,
использующих упругие волны в материале), имеющих
хотя бы один из следующих признаков:
II.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц;
II.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное
подавление боковых лепестков диаграммы
направленности превышает 55 дБ,
произведение максимального времени задержки
(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц)
больше 100 или задержка распространения
превышает 10 мкс
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.1.3.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства приборов, специально
спроектированных для бытовой электроники или
развлечений
II.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства приборов на поверхностных
акустических волнах в тонкой подложке, указанных
в пунктах I.16.1.3.1. - I.16.1. 3.1.2.
II.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов
на объемных акустических волнах (т.е. приборов
для обработки сигналов, использующих упругие
волны в материале), обеспечивающих
непосредственную обработку сигналов на частотах
свыше 1 ГГц
II.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства приборов на объемных акустических
волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2.
II.17.1.3.5. Конструкция и технология производства
акустооптических приборов обработки сигналов,
использующих взаимодействие между акустическими
волнами (объемными или поверхностными) и
световыми волнами, что обеспечивает
непосредственную обработку сигналов или
изображения, включая анализ спектра, корреляцию
или свертку
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.1.3.5. не распространяется на конструкцию
и технологию производства приборов, специально
спроектированных для гражданского телевидения,
видео- или амплитудно модулированной и частотно
модулированной широковещательной аппаратуры
II.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства акустооптических приборов обработки
сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3.
II.17.1.4. Конструкция и технология производства
электронных приборов или схем, содержащих
элементы, изготовленные из сверхпроводящих
материалов, специально спроектированных для
работы при температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из сверхпроводящих
составляющих, имеющих хотя бы один из следующих
признаков:
II.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на
частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем
шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше 31
ГГц;
II.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых
схем, использующих сверхпроводящие вентили,
у которых произведение времени задержки на
вентиль (в секундах) на рассеяние мощности
на вентиль (в ваттах) ниже 10E-14 Дж;
II.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех
диапазонах частот с использованием
резонансных контуров с добротностью свыше
10000
II.17.1.5. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства электронных приборов или схем,
содержащих элементы, изготовленные из
сверхпроводящих материалов, указанных в пунктах
I.16.1.4. - I.16.1.4.3.
II.17.1.6. Конструкция и технология производства
вращающихся преобразователей абсолютного
углового положения вала в код, имеющих хотя бы
один из следующих признаков:
II.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного
диапазона (18 бит);
II.17.1.6.2. точность лучше чем +-2,5 угл. с
II.17.1.7. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства вращающихся преобразователей
абсолютного углового положения вала в код,
указанных в пунктах I.16.1.5. - I.16.1.5.2.
II.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных
микроэлектронных приборов
II.17.1.9. Конструкция и технология производства
полупроводниковых приборов с гетероструктурой,
например, транзисторов с высокой подвижностью
электронов (ВПЭТ), биполярных транзисторов на
гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте
потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках
II.17.1.10. Конструкция и технология производства
электронных приборов со сверхпроводимостью
II.17.2. Конструкция и технология производства
электронной аппаратуры общего назначения
II.17.2.1. Конструкция и технология производства
записывающей аппаратуры
II.17.2.1.1. Конструкция и технология производства
накопителей на магнитной ленте для аналоговой
аппаратуры, включая накопители с возможностью
записи цифровых сигналов (т.е. использующей
модуль цифровой записи высокой плотности),
имеющих хотя бы один из следующих признаков:
II.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
II.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на
электронный канал или дорожку при числе
дорожек более 42;
II.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы
менее +-0,1 мкс
II.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства накопителей на магнитной ленте для
аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах
I.16.2.1.1. - I.16.2.1.1.3.
II.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых
видеомагнитофонов, имеющих максимальную
пропускную способность цифрового интерфейса
свыше 180 Мбит/с, кроме специально
спроектированных для телевизионной записи по
стандартам или рекомендациям для гражданского
телевидения
II.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства цифровых видеомагнитофонов,
указанных в пункте I.16.2.1.2.
II.17.2.1.5. Конструкция и технология производства
накопителей на магнитной ленте для цифровой
аппаратуры, имеющих хотя бы один из следующих
признаков:
II.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность
цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с и
использование методов спирального
сканирования;
II.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность
цифрового интерфейса свыше 120 Мбит/с и
использование фиксированных магнитных
головок;
II.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для
космического применения
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.2.5.3. не распространяется на конструкцию
и технологию производства аналоговых накопителей
на магнитной ленте, оснащенных электроникой для
преобразования в цифровую запись высокой
плотности и предназначенных для записи только
цифровых данных
II.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства накопителей на магнитной ленте для
цифровой аппаратуры, указанных в пунктах
I.16.2.1.3. - I.16.2.1.3.3.
II.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры
с максимальной пропускной способностью цифрового
интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для
переделки цифровых видеомагнитофонов в
устройство записи данных цифровой аппаратуры
II.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства аппаратуры, указанной в пункте
I.16.2.1.4.
II.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок
синтезаторов частоты, имеющих время переключения
с одной заданной частоты на другую менее 1 мс
II.17.2.3. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства сборок синтезаторов частоты,
указанных в пункте I.16.2.2.
II.17.2.4. Конструкция и технология производства
анализаторов сигналов:
II.17.2.4.1. способных анализировать частоты,
превышающие 31 ГГц;
II.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с
полосой пропускания в реальном масштабе
времени, превышающей 25,6 кГц, кроме тех,
которые используют фильтры с полосой
пропускания фиксированных долей (известные
также как октавные или дробно-октавные
фильтры)
II.17.2.5. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства анализаторов сигналов, указанных в
пунктах I.16.2.3. - I.16.2.3.2.
II.17.2.6. Конструкция и технология производства
генераторов сигналов синтезированных частот,
формирующих выходные частоты с управлением по
параметрам точности, кратковременной и
долговременной стабильностью на основе или с
помощью внутренней эталонной частоты, имеющих
хотя бы один из следующих признаков:
II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота,
превышающая 31 ГГц;
II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс;
II.17.2.6.3.
фазовый шум одной боковой полосы (ОБП)
лучше чем -(126+20lg(F)-20lg(f)) в единицах
дБ/Гц,
где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f
- рабочая частота в МГц
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.17.2.6. - II.17.2.6.3. не распространяется на
конструкцию и технологию производства
аппаратуры, в которой выходная частота либо
создается путем сложения или вычитания частот с
двух и более кварцевых генераторов, либо путем
сложения или вычитания с последующим умножением
результирующей частоты
II.17.2.7. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства генераторов сигналов
синтезированных частот, указанных в пунктах
I.16.2.4. - I.16.2.4.3.
II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых
анализаторов с максимальной рабочей частотой,
превышающей 31 ГГц
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.2.8. не распространяется на конструкцию и
технологию производства сетевых анализаторов с
качающейся частотой, рабочая частота которых не
превосходит 40 ГГц и которые не имеют шины
данных для интерфейса дистанционного управления
II.17.2.9. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства сетевых анализаторов, указанных в
пункте I.16.2.5.
II.17.2.10. Конструкция и технология производства
приемников-тестеров микроволнового диапазона,
имеющих максимальную рабочую частоту более 31
ГГц и способных одновременно измерять амплитуду
и фазу
II.17.2.11. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства приемников-тестеров микроволнового
диапазона, указанных в пункте I.16.2.6.
II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных
эталонов частоты, имеющих хотя бы один из
следующих признаков:
II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение)
менее (лучше) 10E-11/ мес;
II.17.2.12.2. по техническим условиям пригодны для
космического применения
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.12.1. не распространяется на конструкцию и
технологию производства рубидиевых эталонов, не
предназначенных для космического применения
II.17.2.13. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства атомных эталонов частоты, указанных
в пунктах I.16.2.7. - I.16.2.7.2.
II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов
микросхем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или
I.16.1.1.6.
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.2.14. не распространяется на конструкцию и
технологию производства эмуляторов,
спроектированных под семейство, содержащее хотя
бы один прибор, на который не распространяется
экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или
I.16.1.1.6.
II.17.2.15. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства эмуляторов микросхем, указанных в
пункте I.16.2.8.
II.17.3. Конструкция и технология производства
оборудования для производства и испытания
полупроводниковых приборов
II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных
программно-управляемым запоминающим устройством
установок для эпитаксиального выращивания
II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок
для эпитаксиального выращивания, способных
выдерживать толщину эпитаксиального слоя с
отклонением не более +-2,5% на протяжении не
менее 75 мм вдоль пластины
II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок
химического осаждения металлорганических паров,
специально предназначенных для выращивания
кристаллов сложных полупроводников с помощью
химических реакций материалов, указанных в
пунктах I.6.11. - I.6.11.4. или I.6.12.
II.17.3.1.3. Конструкция и технология производства установок
молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих
газовые источники
II.17.3.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения установок для эпитаксиального
выращивания, указанных в пунктах I.16.3.1. -
I.16.3.1.3.
II.17.3.3. Конструкция и технология производства
многофункциональных фокусируемых ионно - лучевых
систем, снабженных программно - управляемым
запоминающим устройством, специально
спроектированных для производства, ремонта,
анализа физической топологии и тестирования
масок или полупроводниковых приборов, имеющих
хотя бы один из следующих признаков:
II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на
мишени 0,25 мкм или лучше;
II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового
преобразования свыше 12 бит
II.17.3.4. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения многофункциональных фокусируемых
ионно-лучевых систем, указанных в пунктах
I.16.3.2. - I.16.3.2.2.
II.17.3.5. Конструкция и технология производства
многокамерного центра обработки
полупроводниковых пластин с автоматической
загрузкой и программно-управляющим запоминающим
устройством, имеющего устройства для загрузки и
выгрузки пластин, к которому должны быть
присоединены более двух установок
технологической обработки полупроводников,
образуя комплексную вакуумированную систему для
последовательной многопозиционной обработки
пластин
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.3.5. не распространяется на конструкцию и
технологию производства автоматических
робототехнических систем обработки пластин, не
предназначенных для работы в вакууме
II.17.3.6. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения многокамерного центра обработки
полупроводниковых пластин, указанного в пункте
I.16.3.3.
II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок
литографии, снабженных программно-управляющим
запоминающим устройством
II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок
многократного совмещения и экспонирования для
обработки пластин методами фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющих хотя бы один
из следующих признаков:
II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны
короче 400 нм;
II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40;
II.17.3.7.1.3. точность совмещения +-0,20 мкм (3 сигма)
или лучше
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.3.7.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства установок
многократного совмещения и экспонирования,
имеющих длину волны источника освещения 436 нм
или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше,
диаметр изображения 22 мм и меньше
II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок,
специально спроектированных для производства
масок или обработки полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого фокусируемого
электронного пучка, ионного пучка или лазерного
пучка, имеющих хотя бы один из следующих
признаков:
II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм;
II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с
минимальными размерами менее 1 мкм;
II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +-0,20 мкм (3
сигма)
II.17.3.8. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения установок литографии, указанных в
пунктах I.16.3.4. - I.16.3.4.2.3.
II.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов
II.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов
для интегральных схем, указанных в пунктах
I.16.1. - I.16.1.1.8.2.
II.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок,
оснащенных фазосдвигающим слоем
II.17.3.10. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения масок или фотошаблонов, указанных
в пунктах I.16.3.5. - I.16.3.5.2.
II.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов
совмещения скрытых локальных слоев и топологии
интегральных схем с высокой точностью (лучше
+-0,20 мкм)
II.17.3.12. Конструкция и технология производства
испытательной аппаратуры, снабженной
программно-управляющим запоминающим устройством,
специально спроектированной для испытания
полупроводниковых приборов и бескорпусных
кристаллов:
II.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы
рассеяния на частотах свыше 31 ГГц
II.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем
и их сборок, способной выполнять
функциональное тестирование (по таблицам
истинности) с частотой тестирования строк
свыше 40 МГц
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.3.12.2. не распространяется на конструкцию
и технологию производства аппаратуры, специально
спроектированной для испытаний:
сборок или класса сборок для бытовой электроники
или развлечений;
электронных компонентов, сборок или интегральных
схем, не подлежащих экспортному контролю
II.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых
интегральных схем на частотах, превышающих
31 ГГц;
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.3.12.3. не распространяется на конструкцию
и технологию производства аппаратуры, специально
спроектированной для испытаний микроволновых
интегральных схем, для оборудования,
предназначенного или пригодного по техническим
условиям для работы в стандартном гражданском
диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц
II.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных
для работы ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых
систем для бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых приборов,
имеющих одновременно стробоскопический
режим либо с затенением луча, либо с
детекторным стробированием и электронный
спектрометр для замера напряжений менее 0,5
В
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.3.12.4. не распространяется на конструкцию
и технологию производства сканирующих
электронных микроскопов, кроме тех, которые
специально спроектированы и оснащены для
бесконтактного зондирования запитанных
полупроводниковых приборов
II.17.3.13. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования или
производства аппаратуры испытаний
полупроводниковых приборов и бескорпусных
кристаллов, указанных в пунктах I.16.3.6. -
I.16.3.6.4.
II.17.3.14. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования (САПР)
полупроводниковых приборов или интегральных
схем, имеющее хотя бы один из следующих
признаков:
II.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
II.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их
физической топологии;
II.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов
для проектирования
Примечания: 1. Имитатор литографических
процессов - это пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования для
определения последовательности операций
литографии, травления и осаждения с целью
воплощения структур на фотошаблонах в конкретные
топологические структуры проводников,
диэлектриков или полупроводников
2. Экспортный контроль по пунктам II.17.3.14. -
II.17.3.14.3. не распространяется на программное
обеспечение, специально созданное для описания
принципиальных схем, логического моделирования,
раскладки и маршрутизации, создания магнитных
лент для верификации топологии или формирования
рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и
сопутствующие данные для проектирования
полупроводниковых приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология
II.17.4. Конструкция и технология производства
радиолокационных станций (РЛС), аппаратуры,
узлов и специально разработанных компонентов
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.17.4 - II.17.4.20.2. не распространяется на
конструкцию и технологию производства:
РЛС с активным ответом;
автомобильных РЛС для предотвращения
столкновений;
дисплеев и мониторов, используемых для контроля
воздушного движения, имеющих разрешение не более
12 элементов на мм
II.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС,
работающих на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и
имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт
II.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС,
имеющих перестраиваемую частоту в пределах более
чем +-6,25% от центральной рабочей частоты
II.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС,
имеющих возможность работать на двух или более
несущих частотах
II.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС
воздушного базирования, имеющих возможность
функционирования в режимах синтезированной
апертуры, обратной синтезированной апертуры или
бокового обзора
II.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС,
включающих фазированные антенные решетки для
электронного управления лучом
II.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС,
обладающих способностью нахождения высотных
одиночных целей
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.4.6. не распространяется на конструкцию и
технологию производства аппаратуры РЛС точной
посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и
метеорологических (погодных) РЛС
II.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС,
предназначенных специально для воздушного
базирования и имеющих доплеровскую обработку
сигнала для обнаружения движущихся целей
II.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС,
использующих обработку сигнала методами
расширения спектра или перестройки частоты
II.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС,
обеспечивающих наземное функционирование с
максимальной инструментальной дальностью свыше
185 км
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.4.9. не распространяется на конструкцию и
технологию производства наземных РЛС наблюдения
рыбных косяков
II.17.4.10. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения РЛС, указанных в пунктах
I.16.4.1. - I.16.4.9.
II.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных
локационных станций или лазерных дальномеров
(ЛИДАРов):
II.17.4.11.1. имеющих космическое применение;
II.17.4.11.2. использующих методы когерентного
гетеродинного или гомодинного
детектирования и имеющих угловое разрешение
менее (лучше) 20 мкрад
Примечание. Экспортный контроль по пунктам
II.17.4.11. - II. 17.4.11.2. не распространяется
на конструкцию и технологию производства
ЛИДАРов, специально спроектированных для
метеорологических наблюдений
II.17.4.12. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения лазерных локационных станций или
лазерных дальномеров, указанных в пунктах
I.16.4.10. - I.16.4.10.2.
II.17.4.13. Конструкция и технология производства РЛС,
имеющих подсистемы обработки сигнала в виде
сжатия импульса с коэффициентом сжатия свыше 150
или шириной импульса менее 200 нс
II.17.4.14. Конструкция и технология производства РЛС,
имеющих подсистемы обработки данных:
II.17.4.14.1. с автоматическим сопровождением целей,
обеспечивающим при любом вращении антенны
предполагаемое положение цели далее, чем до
следующего прохождения луча антенны;
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.4.14.1. не распространяется на конструкцию
и технологию производства средств выдачи сигнала
для предупреждения столкновений в системах
контроля воздушного движения, морских или
прибрежных РЛС
II.17.4.14.2. с вычислением скорости цели относительно
РЛС, имеющей непериодическое сканирование;
II.17.4.14.3. для автоматического распознавания образов
(выделение признаков) и сравнения с базами
данных характеристик цели (сигналов или
образов) для идентификации или
классификации целей;
II.17.4.14.4. с наложением, корреляцией или слиянием
данных цели от двух или более
пространственно распределенных на местности
и взаимосвязанных датчиков РЛС для
улучшения различения целей
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.4.14.4. не распространяется на конструкцию
и технологию производства систем, оборудования и
узлов для контроля морского движения
II.17.4.15. Конструкция и технология производства импульсных
РЛС измерения площади поперечного сечения с
длительностью импульса 100 нс или менее и
специальными компонентами
II.17.4.16. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения РЛС, указанных в пунктах
I.16.4.11. - I.16.4.13
II.17.4.17. Программное обеспечение для управления воздушным
движением на компьютерах общего назначения,
находящихся в центрах управления воздушным
движением и обладающих следующими возможностями:
II.17.4.17.1. обработка и отображение более чем 150
одновременных траекторий;
II.17.4.17.2. прием РЛС информации о целях от более чем
четырех первичных РЛС;
II.17.4.17.3. автоматическая обработка с передачей данных
о целях от первичных РЛС (в случае
отсутствия корреляции с информацией
наблюдения РЛС с активным ответом) с одного
центра управления воздушным движением на
другой центр управления
II.17.4.18. Конструкция и технология производства антенных
фазированных решеток, функционирующих на
частотах выше 10,5 ГГц, содержащих активные
элементы и распределенные компоненты,
позволяющие осуществлять электронное управление
формой и направлением луча, за исключением
систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей
стандартам ИКАО (система посадки СВЧ-диапазона)
II.17.4.19. Программное обеспечение, специально
разработанное для проектирования, производства
или применения антенных фазированных решеток,
указанных в пункте I.16.4.14.
II.17.4.20. Программное обеспечение для разработки или
производства обтекателей, которые:
II.17.4.20.1. специально разработаны для защиты
фазированных решеток с электронной
перестройкой луча, указанных в пункте
I.16.4.14.
II.17.4.20.2. ограничивают увеличение среднего уровня
боковых лепестков менее чем на 13 дБ для
частот равных или выше 2 ГГц
II.17.5. Конструкция и технология производства
телекоммуникационной аппаратуры, узлов и
компонентов
II.17.5.1. Конструкция и технология производства
телекоммуникационного оборудования любого типа,
имеющего хотя бы одну из перечисленных
характеристик, свойств или качеств:
II.17.5.1.1. специально разработанное для защиты от
транзисторного эффекта или
электромагнитного импульса, возникающих при
ядерном взрыве;
II.17.5.1.2. специально разработанное с повышенной
стойкостью к гамма, нейтронному или ионному
излучению;
II.17.5.1.3. специально разработанное для
функционирования за пределами интервала
температур от 219 К (-54° С) до 397 К (124°
С)
Примечания: 1. Пункт II.17.5.1.3.
применяется только в отношении конструкции и
технологии производства электронной аппаратуры
2. Пункты II.17.5.1.2. и II.17.5.1.3. не
применяются в отношении конструкции и технологии
производства бортовой аппаратуры спутников
II.17.5.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
телекоммуникационного оборудования, указанного в
пунктах I.16.5.1. - I.16.5.1.3.
II.17.6. Конструкция и технология производства
телекоммуникационной аппаратуры передачи или
специально разработанных компонентов и
вспомогательного оборудования, содержащих:
II.17.6.1. аппаратуру, использующую цифровые методы,
включая цифровую обработку аналоговых
сигналов, разработанную для
функционирования при скорости цифровой
передачи на верхнем пределе уплотнения
свыше 45 Мбит/с или общей скорости цифровой
передачи свыше 90 Мбит/с;
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.6.1. не распространяется на конструкцию и
технологию производства аппаратуры, специально
разработанной для включения и функционирования в
любой спутниковой системе гражданского
назначения
II.17.6.2. аппаратуру цифровой коммутации со
встроенным программным управлением и
скоростью цифровой передачи свыше 8,5
Мбит/с на порт;
II.17.6.3. аппаратуру, включающую:
II.17.6.3.1. модемы, использующие полосу одного
телефонного канала, со скоростью цифровой
передачи свыше 9600 бит/с;
II.17.6.3.2. контроллеры канала связи с цифровым
выходом, имеющие скорость передачи свыше
64000 бит/с на канал;
II.17.6.3.3. контроллеры доступа в сеть и связанную с
ними общую среду со скоростью передачи
свыше 33 Мбит/с;
II.17.6.4. аппаратуру, использующую лазер и имеющую
хотя бы одну из следующих характеристик:
II.17.6.4.1. длина волны излучения лазера свыше 1000 нм;
II.17.6.4.2. использование аналоговых методов и полосы
частот более 45 МГц;
II.17.6.4.3. когерентная оптическая передача или
когерентные методы оптического
детектирования (также называемые
оптическими гетеродинными или гомодинными
методами);
II.17.6.4.4. использование методов уплотнения с
разделением по длине волны;
II.17.6.4.5. осуществление оптического усиления;
II.17.6.5. радиоаппаратуру, функционирующую на
частотах входного или выходного сигнала
свыше:
II.17.6.5.1. 31 ГГц для применения на наземных станциях
систем спутниковой связи;
II.17.6.5.2. 26,5 ГГц для других применений;
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.6.5.2. не распространяется на конструкцию
и технологию производства радиоаппаратуры,
рассчитанной на гражданское применение,
функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в
соответствии с рекомендациями Международного
союза электросвязи
II.17.6.6. радиоаппаратуру, использующую квадратурную
амплитудную модуляцию выше уровня 4 или
другие цифровые методы модуляции и имеющую
спектральную эффективность свыше 3
бит/(с х Гц);
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.6.6. не распространяется на конструкцию и
технологию производства аппаратуры, специально
разработанной для включения и работы в любой
спутниковой системе гражданского назначения
II.17.6.7. радиоаппаратуру, функционирующую в
диапазоне 1,5 - 87,5 МГц и имеющую
какую-либо из указанных ниже характеристик:
II.17.6.7.1. автоматические прогнозирование и выбор
значений частот и общей скорости цифровой
передачи для ее оптимизации;
II.17.6.7.2. наличие линейного усилителя мощности,
способного одновременно поддерживать
множественные сигналы с выходной мощностью
1 кВт или более в частотном диапазоне
1,5-30 МГц, или 250 Вт или более в
частотном диапазоне 30-87,5 МГц, свыше
пределов мгновенной полосы одной октавы или
более, с содержанием гармоник и искажений
на выходе лучше 80 дБ;
II.17.6.7.3. включающая адаптивные методы,
обеспечивающие более чем 15 дБ подавления
помехового сигнала;
II.17.6.8. радиоаппаратуру, использующую расширение
спектра или методы перестройки частоты,
имеющую коды расширения, программируемые
пользователем, или общую ширину полосы
частот передачи, в 100 или более раз
превышающую полосу частот одного
информационного канала и составляющую более
чем 50 кГц;
II.17.6.9. радиоприемники с цифровым управлением и
более чем 1000 каналами, которые ищут или
сканируют в части электромагнитного
спектра, идентифицируют принятый сигнал или
тип передатчика и имеют время переключения
частоты менее 1 мс;
II.17.6.10. аппаратуру, обеспечивающую функцию цифровой
обработки сигналов в виде:
II.17.6.10.1. кодирования речи со скоростью менее 2400
бит/с;
II.17.6.10.2. использования схем, обеспечивающих
программируемость пользователем схем
цифровой обработки сигналов, превышающих
пределы, указанные в пункте I.16.9.7.;
II.17.6.11. системы подводной связи, имеющие любую из
следующих характеристик:
II.17.6.11.1. использование акустической несущей частоты
за пределами интервала от 20 до 60 кГц;
II.17.6.11.2. использование электромагнитной несущей
частоты ниже 30 кГц;
II.17.6.11.3. использование методов электронного
сканирования луча
II.17.7. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
телекоммуникационной передающей аппаратуры,
указанной в пунктах I.16.5.2. - I.16.5.2.11.3.
II.17.8. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации с встроенным программным управлением
и связанными системами сигналообразования,
имеющей любую из приведенных ниже характеристик,
функций или качеств, и специально разработанные
компоненты и вспомогательное оборудование
II.17.8.1. Конструкция и технология производства систем
сигналообразования общего канала, указанных в
пункте I.16.5.3.1.
II.17.8.2. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, выполняющей функции цифровых сетей
интегрального обслуживания (ЦСИО), указанной в
пунктах I.16.5.3.2. - I.16.5.3.2.2.
II.17.8.3. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, имеющей многоуровневый приоритет и
иерархию цепей коммутации, указанной в пункте
I.16.5.3.3.
II.17.8.4. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, имеющей адаптивную динамическую
маршрутизацию, указанной в пункте I.16.5.3.4.
II.17.8.5. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию
дейтограммных пакетов, указанных в пункте
I.16.5.3.5.
II.17.8.6. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию
пакетов быстрого выбора, указанной в пункте
I.16.5.3.6.
II.17.8.7. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, разработанной для автоматического
вызова сотового радио к другим сотовым
коммутаторам или для автоматического соединения
абонентов с централизованной базой данных,
являющейся общей более чем для одного
коммутатора, указанной в пункте I.16.5.3.7.
II.17.8.8. Конструкция и технология производства
коммутаторов пакетов, каналов и маршрутизаторов,
указанных в пунктах I.16.5.3.8. - I.16.5.3.8.2.
II.17.8.9. Конструкция и технология производства аппаратуры
оптической коммутации, указанной в пункте
I.16.5.3.9.
II.17.8.10. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, использующей методы асинхронного
режима передачи, указанной в пункте I.16.5.3.10.
II.17.8.11. Конструкция и технология производства аппаратуры
коммутации, содержащей оборудование цифровой
кросс-коммутации со встроенным программным
управлением со скоростью передачи более 8,5
Мбит/с на порт, указанной в пункте I.16.5.3.11.
II.17.9. Программное обеспечение, специально
разработанное или модтфицированное для
проектирования или применения аппаратуры
коммутации, указанной в пунктах I.16.5.3. -
I.16.5.3.11
II.17.10. Конструкция и технология производства комплекса
аппаратуры централизованного управления сети,
указанной в пункте I.16.5.4.
II.17.11. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
комплекса аппаратуры централизованного
управления сети, указанного в пункте I.16.5.4.
II.17.12. Технология для разработки или производства
телекоммуникационного оборудования, специально
разработанного для использования на борту
спутников
II.17.13. Конструкция и технология производства комплектов
аппаратуры лазерной связи со способностью
автоматического захвата, слежения сигнала и
поддержания связи через атмосферу или
подповерхностную среду (воду)
II.17.14. Технология для производства аппаратуры,
использующей методы синхронной цифровой иерархии
или синхронной оптической сети
II.17.15. Технология производства коммутационных центров
со скоростью свыше 64 кбит/с на информационный
канал, отличных от цифровых кросс-соединителей,
встроенных в переключатель (коммутатор)
II.17.16. Технология для централизованного управления
сетью
II.17.17. Технология производства цифровых сотовых
радиосистем
II.17.18. Технология для производства цифровых сетей
интегрального обслуживания (ЦСИО)
II.17.19. Общее программное обеспечение в отличной от
машинно-исполняемой форме, специально
разработанное или модифицированное для
использования систем или оборудования цифровой
коммутации с встроенным программным управлением
II.17.20. Программное обеспечение в отличной от
машинно-исполняемой форме, специально
разработанное или модифицированное для
использования оборудования или систем цифрового
сотового радио
II.17.21. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
обеспечения характеристик, функций или свойств
аппаратуры, указанных в пунктах I.16.5. -
I.16.5.4.
II.17.22. Программное обеспечение, обеспечивающее
способность восстановления программного кода
телекоммуникационного программного обеспечения,
указанного в пунктах II.17.7. - II.17.21.
II.17.23. Конструкция и технология производства систем
аппаратуры, специальных узлов, модулей или
интегральных схем для защиты информации и других
специально разработанных компонентов
II.17.23.1. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для использования в
криптографии с применением цифровых методов
обеспечения защиты информации
II.17.23.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
для использования в криптографии, на которые
распространяется экспортный контроль по пункту
I.16.6.1.
II.17.23.3. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для выполнения
криптоаналитических функций
II.17.23.4. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для выполнения
криптоаналитических функций
II.17.23.5. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для использования в
криптографии с применением аналоговых методов
для обеспечения защиты информации, указанных в
пункте I.16.6.3.
II.17.23.6. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для использования в
криптографии с применением аналоговых методов
для обеспечения защиты информации, указанных в
пункте I.16.6.3.
II.17.23.7. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для подавления
нежелательной утечки сигнала, содержащего
информацию
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.23.7. не распространяется на конструкцию и
технологию производства аппаратуры специального
подавления утечки излучений, вредных для
здоровья или безопасности окружающих
II.17.23.8. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для подавления
нежелательной утечки сигнала, содержащего
информацию, указанных в пункте I.16.6.4.
II.17.23.9. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для применения
криптографических методов генерации кода
расширения спектра или перестройки частоты
II.17.23.10. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для применения
криптографических методов генерации кода
расширения спектра или перестройки частоты
II.17.23.11. Конструкция и технология производства
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для обеспечения
сертифицированной или подлежащей сертификации
многоуровневой защиты или изоляции пользователя
на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки
надежных компьютерных систем или эквивалентном
ему уровне
II.17.23.12. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных
или модифицированных для обеспечения
сертифицированной или подлежащей сертификации
многоуровневой защиты или изоляции пользователя,
на которые распространяется экспортный контроль
по пункту I.16.6.6.
II.17.23.13. Конструкция и технология производства кабельных
систем связи, разработанных или модифицированных
с использованием механических, электрических или
электронных средств для обнаружения
несанкционированного доступа
II.17.23.14. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
кабельных систем связи, указанных в пункте
I.16.6.7.
II.17.24. Программное обеспечение с характеристиками или
выполняющее функции аппаратуры, указанной в
пунктах I.16.6.1. - I.16.6.7.
II.17.25. Программное обеспечение для сертификации
программного обеспечения, указанного в пункте
II.17.24.
II.17.26. Программное обеспечение, разработанное или
модифицированное для защиты против нанесения
преднамеренного ущерба, например, вирусов
II.17.27. Конструкция и технология производства цифровых
ЭВМ, специально разработанных или
приспособленных для решения задач криптографии и
оснащенных оборудованием и программными
средствами для защиты информации
II.17.28. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или использования
цифровых ЭВМ, указанных в пункте I.16.7.
II.17.29. Конструкция и технология производства гибридных
ЭВМ, а также сборок и специально созданной для
них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.
- I.16.8.2.
II.17.30. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
гибридных ЭВМ, а также сборок и специально
созданной для них элементной базы, указанных в
пунктах I.16.8. - I.16.8.2.
II.17.31. Конструкция и технология производства цифровых
ЭВМ, их сборок и сопутствующего оборудования, а
также специально созданной для них элементной
базы:
II.17.31.1. Конструкция и технология производства цифровых
ЭВМ, а также сборок, спроектированных для
комбинированного распознавания, понимания и
интерпретации изображений или непрерывной
(связной) речи
II.17.31.2. Конструкция и технология производства цифровых
ЭВМ, а также сборок, указанных в пункте
I.16.9.2., спроектированных или модифицированных
для обеспечения отказоустойчивости
II.17.31.3. Конструкция и технология производства цифровых
ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую
производительность (СТП) свыше 12,5 миллиона
теоретических операций в секунду (мегатопсов)
II.17.31.4. Конструкция и технология производства сборок
цифровых ЭВМ, специально спроектированных или
модифицированных для повышения
производительности путем объединения
вычислительных элементов, указанных в пунктах
I.16.9.4. - I.16.9.4.2.
II.17.31.5. Конструкция и технология производства
накопителей на дисках и твердотельных приборов
памяти
II.17.31.5.1. Конструкция и технология производства
накопителей на магнитных, перезаписываемых
оптических или магнитооптических дисках с
максимальной скоростью передачи информации,
превышающей 25 Мбит/с
II.17.31.5.2. Конструкция и технология производства
твердотельных приборов памяти, не относящихся к
оперативной памяти (известных также под
названием твердотельных (жестких) дисков или
дисков с произвольным доступом), с максимальной
скоростью передачи информации, превышающей 36
Мбит/с
II.17.31.6. Конструкция и технология производства устройств
управления вводом-выводом, спроектированных для
применения с оборудованием, указанным в пунктах
I.16.9.5.1. - I.16.9.5.2.
II.17.31.7. Конструкция и технология производства аппаратуры
для обработки сигналов или улучшения качества
изображения, имеющей совокупную теоретическую
производительность свыше 8,5 миллиона
теоретических операций в секунду (мегатопсов)
II.17.31.8. Конструкция и технология производства
графических акселераторов или графических
сопроцессоров, превышающих скорость исчисления
трехмерных векторов, равную 400000, а если
аппаратно поддерживаются только двумерные
вектора, то превышающих скорость исчисления
двумерных векторов, равную 600000
Примечание. Пункт II.17.31.9. не
распространяется на конструкцию и технологию
производства рабочих станций, созданных и
ограниченных графическим искусством (например,
полиграфией, книгопечатанием) или отображением
двумерных векторов
II.17.31.9. Конструкция и технология производства цветных
дисплеев или мониторов, имеющих более 12
разрешающих элементов на миллиметр в направлении
максимальной плотности пикселей
Примечание. Экспортный контроль по пункту
II.17.31.9. не распространяется на конструкцию и
технологию производства дисплеев или мониторов,
не спроектированных специально для ЭВМ
II.17.31.10. Конструкция и технология производства
аппаратуры, содержащей в своем составе
терминальный интерфейс, превосходящий пределы,
установленные пунктом I.16.5.2.3., и на которую
распространяется экспортный контроль по пункту
I.16.9.10.
II.17.32. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или применения
цифровых ЭВМ, сборок и сопутствующего
оборудования, указанных в пунктах I.16.9. -
I.16.9.10.
II.17.33. Конструкция и технология производства
вычислительных машин и специально
спроектированного сопутствующего оборудования,
их сборок и элементной базы
II.17.33.1. Конструкция и технология производства
систолических матричных вычислительных машин
II.17.33.2. Конструкция и технология производства нейронных
вычислительных машин
II.17.33.3. Конструкция и технология производства оптических
вычислительных машин
II.17.34. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
проектирования, производства или использования
вычислительных машин и специально
спроектированного сопутствующего оборудования,
указанных в пунктах I.16.10. - I.16.10.3.
II.17.35. Технология производства оборудования,
спроектированного для многопоточной обработки
данных
II.17.36. Технология производства накопителей на жестких
магнитных дисках с максимальной скоростью
передачи информации свыше 11 Мбит/с
II.17.37. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для поддержки
технологии, на которую распространяется
экспортный контроль по пунктам II.17.35 и
II.17.36
II.17.38. Специальное программное обеспечение:
II.17.38.1. Программное обеспечение для доказательства
корректности программы и испытания качества с
применением математических и аналитических
методов, разработанное или модифицированное под
программы, имеющие свыше 500000 команд в
исходных кодах
II.17.38.2. Программное обеспечение, позволяющее
автоматически генерировать исходные коды по
данным, поступающим в режиме "он-лайн" с внешних
датчиков, описанных в позициях данного перечня
II.17.38.3. Программное обеспечение операционных систем,
инструментарий разработки программного
обеспечения и компиляторы, специально
спроектированные для оборудования многопоточной
обработки данных в исходных кодах
II.17.38.4. Экспертные системы или программное обеспечение
для механизмов логического вывода экспертных
систем, обладающие обоими признаками
одновременно:
правилами, зависящими от времени;
примитивами для работы с временными
характеристиками правил и факторов
II.17.38.5. Операционные системы, специально
спроектированные для оборудования обработки
информации в реальном масштабе времени,
гарантирующие полное время обработки прерывания
меньше чем за 30 мкс
__________________________________________________________________
"Собрание актов Президента и Правительства РФ", 14.02.94, N 7, ст. 505
"Российская газета", N 31, 16.02.94
|
