УТРАТИЛ СИЛУ - УКАЗ ПРЕЗИДЕНТА РФ ОТ 05.05.2004 N 580
26 августа 1996 года N 1268
-------------------------------------------------------------------
УКАЗ
ПРЕЗИДЕНТА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
(с изм. и доп., согл. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6,
от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000 N 1477,
от 11.04.2001 N 412, от 28.09.2001 N 1156)
В соответствии со статьей 16 Федерального закона "О
государственном регулировании внешнеторговой деятельности"
(Собрание законодательства Российской Федерации, 1995, N 42, ст.
3923) и в целях обеспечения выполнения международных обязательств
Российской Федерации, вытекающих из Вассенаарских договоренностей
по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и
технологиями двойного назначения, постановляю:
1. Утвердить представленный Правительством Российской Федерации
Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых
контролируется (прилагается).
2. Правительству Российской Федерации утвердить положение о
порядке контроля за вывозом из Российской Федерации товаров и
технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется,
обеспечив введение его в действие одновременно с вступлением в
силу настоящего Указа.
3. Установить, что коды товарной номенклатуры
внешнеэкономической деятельности, приведенные в Списке товаров и
технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется,
при необходимости могут уточняться Государственным таможенным
комитетом Российской Федерации по согласованию с Федеральной
службой России по валютному и экспортному контролю.
4. Признать утратившим силу распоряжение Президента Российской
Федерации от 11 февраля 1994 г. N 74-рп "О контроле за экспортом
из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов,
оборудования, технологий и научно - технической информации,
которые могут быть применены при создании вооружения и военной
техники" (Собрание актов Президента и Правительства Российской
Федерации, 1994, N 8, ст. 591).
5. Настоящий Указ (кроме пункта 2) вступает в силу через три
месяца со дня его официального опубликования.
Президент
Российской Федерации
Б.ЕЛЬЦИН
Москва, Кремль
26 августа 1996 года
N 1268
Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 26 августа 1996 г. N 1268
СПИСОК
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ,
ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6,
от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000 N 1477,
от 11.04.2001 N 412, от 28.09.2001 N 1156)
Раздел 1
-------------T---------------------------------------T------------
N ¦ Наименование <*> ¦Код товарной
позиции ¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэконо
¦ ¦мической
¦ ¦деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 1. Перспективные материалы
--------------------------------
<*> Принадлежность конкретного товара или технологии к товарам
и технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется
соответствием технических характеристик этого товара или
технологии техническому описанию, приведенному в графе
"Наименование".
1.1. Системы, оборудование и компоненты
1.1.1. Компоненты, изготовленные из
фторированных соединений, такие как:
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные 391990900
материалы или трубчатые уплотнения,
предназначенные для применения в
авиационной или аэрокосмической технике
и изготовленные из материалов,
содержащих более 50% (по весу) любого
материала, контролируемого по
подпунктам "б" и "в" пункта 1.3.9;
1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры и 392190900
сополимеры, изготовленные из фтористых
винилиденовых материалов,
контролируемых по подпункту "а" пункта
1.3.9:
а) в виде пленки или листа; и
б) толщиной более 200 мкм;
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, 391990900
трубчатые уплотнения или диафрагмы,
изготовленные из фторэластомеров,
содержащих по крайней мере одну группу
винилового эфира как структурную
единицу, специально предназначенные для
авиационной, аэрокосмической или
ракетной техники
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.1.2. Композиционные конструкции или слоистые
структуры (ламинаты), имеющие любую из
следующих составляющих:
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из 392690100
материалов, контролируемых по пунктам
1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5
Примечание. По пункту 1.1.2.1 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего только
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях;
1.1.2.2. Металлическую или углеродную матрицу и
выполненные из:
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или нитевидных 3801;
материалов: 392690100;
а) с удельным модулем упругости свыше 690310000
10,15 x 10E6 м; и
б) с удельной прочностью на растяжение
свыше 17,7 x 10E4 м; или
1.1.2.2.2. Материалов, контролируемых по пункту
1.3.10.3
Примечание. По пункту 1.1.2.2 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего только
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях
Технические примечания. 1. Удельный
модуль упругости - модуль Юнга,
выраженный в паскалях или в Н/кв. м,
деленный на удельный вес в Н/куб. м,
измеренные при температуре (296 +- 2) К
[(23 + 2) град. C] и относительной
влажности (50 +- 5)%
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. Удельная прочность на растяжение -
критическая прочность на разрыв,
выраженная в паскалях или в Н/кв. м,
деленная на удельный вес в Н/куб. м,
измеренные при температуре (296 +/- 2)
K ((23 +/- 2) град. C) и относительной
влажности (50 +/- 5)%
Примечание. По пункту 1.1.2 не
контролируются композиционные структуры
или ламинаты, изготовленные из
эпоксидной смолы, импрегнированной
углеродом, волокнистые или нитевидные
материалы для ремонта структур
летательных аппаратов или ламинаты,
имеющие размеры, не превышающие 1 кв. м
1.1.3. Изделия из нефторидных полимерных 391990900;
веществ, контролируемых по пункту 392099900
1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты
или полосы:
1.1.3.1. При толщине свыше 0,254 мм;
1.1.3.2. Покрытые углеродом, графитом, металлами
или магнитными веществами
Примечание. По пункту 1.1.3 не
контролируются изделия, покрытые или
ламинированные медью и предназначенные
для производства электронных печатных
плат
1.1.4. Оборудование для защиты и обнаружения и
его части, не предназначенные
специально для военного применения,
такие как:
1.1.4.1. Газовые маски, коробки противогазов с 902000900
фильтрами и оборудование для
обеззараживания, предназначенные или
модифицированные для защиты от
биологических факторов или
радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов, и специально предназначенные
для этого компоненты;
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и ботинки, 620429900;
предназначенные или модифицированные 621600000;
для защиты от биологических факторов 640590
или радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов;
1.1.4.3. Ядерные, биологические и химические 902710100;
системы обнаружения, специально 902710900;
предназначенные или модифицированные 902790900;
для обнаружения или распознавания 903010900
биологических факторов или
радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов, и специально предназначенные
для этого компоненты
Примечание. По пункту 1.1.4 не
контролируются:
а) персональные радиационные
мониторинговые дозиметры;
б) оборудование, ограниченное
конструктивным или функциональным
назначением для защиты от токсичных
веществ, специфичных для гражданской
промышленности: горного дела, работ в
карьерах, сельского хозяйства,
фармацевтики, медицинского,
ветеринарного использования, утилизации
отходов или для пищевой промышленности
1.1.5. Бронежилеты и специально 620429900
предназначенные компоненты,
изготовленные не по военным стандартам
или спецификациям и не равноценные им в
исполнении
Примечания. 1. По пункту 1.1.5 не
контролируются индивидуальные
бронежилеты и принадлежности к ним,
которые вывозятся пользователями для
собственной индивидуальной защиты
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. По пункту 1.1.5 не контролируются
бронежилеты, предназначенные только для
обеспечения фронтальной защиты как от
осколков, так и от взрыва невоенных
взрывчатых устройств
1.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
1.2.1. Оборудование для производства волокон,
препрегов, преформ или композиционных
материалов либо изделий, контролируемых
по пунктам 1.1.2 или 1.3.10, а также
специально предназначенные компоненты и
вспомогательные устройства:
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, у которых 844630000
перемещения, связанные с
позиционированием, обволакиванием и
намоткой волокон, координируются и
программируются по трем или более осям
и которые специально предназначены для
производства композиционных конструкций
или ламинатов из волокнистых или
нитевидных материалов;
1.2.1.2. Машины для намотки ленты или троса, у 844630000
которых перемещения, связанные с
позиционированием и намоткой ленты,
троса или рулона, координируются и
программируются по двум или более осям
и которые специально предназначены для
производства элементов корпусов боевых
ракет или летательных аппаратов из
композиционных материалов;
1.2.1.3. Ткацкие машины или машины для плетения, 844621000
действующие в разных измерениях и
направлениях, включая адаптеры и
устройства для изменения функций машин,
которые предназначены для ткачества,
перемеживания или переплетения волокон
с целью изготовления композиционных
материалов
Примечание. По пункту 1.2.1.3 не
контролируются текстильные машины, не
модифицированные для вышеуказанного
конечного использования;
1.2.1.4. Оборудование, специально
предназначенное или приспособленное для
производства усиленных волокон, такое
как:
1.2.1.4.1. Оборудование для преобразования 845610000;
полимерных волокон, таких как 845690000;
полиакрилонитрил, вискоза, пек или 851580900
поликарбосилан, в углеродные или
карбид - кремниевые волокна, включая
специальное оборудование для усиления
волокон в процессе нагревания;
1.2.1.4.2. Оборудование для осаждения паров 841780900
химических элементов или сложных
веществ на нагретую нитевидную подложку
с целью производства карбид -
кремниевых волокон;
1.2.1.4.3. Оборудование для производства 844590000;
термостойкой керамики, такой как оксид 845180900
алюминия, методом влажной намотки;
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем 845180900
термообработки волокон
алюминийсодержащих прекурсоров в
волокна, содержащие глинозем (оксид
алюминия)
1.2.1.5. Оборудование для производства 845180900;
препрегов, контролируемых по пункту 847759100;
1.3.10.5, методом горячего плавления; 847759900
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего 902219000;
контроля, способное обнаруживать 902229000;
дефекты в трех измерениях с применением 903180390
методов ультразвуковой или
рентгеновской томографии, специально
созданное для композиционных материалов
1.2.2. Оборудование для производства
металлических сплавов, порошкообразных
металлических сплавов или сплавленных
материалов, специально предназначенное
для того, чтобы предотвратить
загрязнения, и специально разработанное
для использования в одном из процессов,
указанных в пункте 1.3.2.3.2
(п. 1.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1.2.3. Инструменты, пресс - формы, матрицы или 820730100
арматура для суперпластического
формования или диффузионной сварки
титана, алюминия или их сплавов,
специально предназначенных для
производства:
а) корпусов летательных аппаратов или
аэрокосмических конструкций;
б) двигателей летательных или
аэрокосмических аппаратов;
в) компонентов, специально
предназначенных для таких конструкций
или двигателей
1.3. Материалы
Техническое примечание. До тех пор,
пока нет возражений по существу, то
термины "металлы" и "сплавы" охватывают
следующие необработанные и
полуфабрикатные формы:
необработанные формы - аноды, шары,
полосы (включая отрубленные полосы и
проволочные полосы), металлические
заготовки, блоки, стальные болванки,
брикеты, бруски, катоды, кристаллы,
кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки,
глыбы, катыши, чушки, порошок, кольца,
дробь, слябы, куски металла
неправильной формы, губка, прутки;
полуфабрикатные формы (независимо от
того, облицованы, анодированы,
просверлены либо прессованы они или
нет):
а) определенной формы или обработанные
материалы, полученные путем прокатки,
волочения, горячей штамповки
выдавливанием, ковки, импульсного
выдавливания, прессования, дробления,
распыления и размалывания, а именно:
угольники, швеллеры, кольца, диски,
пыль, хлопья, фольга и лист, поковки,
плиты, порошок, изделия, обработанные
прессованием или штамповкой, ленты,
фланцы, прутки (включая сварные
брусковые прутки, проволочные прутки и
прокатанные проволоки), профили, формы,
листы, полоски, трубы и трубки (включая
трубные кольца, трубные прямоугольники
и полостные трубки), тянутая или
экструдированная проволока;
б) литейный материал (отливки),
полученный литьем в песке, матрице,
металле, пластике или других типах
материалов, включая литье под высоким
давлением, "шлаковые формы"
(оплавляемые модели) и формы,
полученные с помощью порошковой
металлургии.
Цель контроля не должна нарушаться
экспортом форм, выдаваемых за
законченные изделия, не указанные в
Списке, но которые на самом деле
представляют собой контролируемые
заготовки или полуфабрикаты
1.3.1. Материалы, специально предназначенные
для поглощения электромагнитных волн,
или электропроводящие полимеры, такие
как:
1.3.1.1. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 2 x 10E8 Гц, но 391000000
меньших 3 x 10E12 Гц
Примечание 1. По пункту 1.3.1.1 не
контролируются:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) абсорберы волосяного типа,
изготовленные из натуральных и
синтетических волокон, с немагнитным
наполнением для абсорбции;
б) абсорберы, не имеющие магнитных
потерь, рабочая поверхность которых не
является плоской, включая пирамиды,
конусы, клинья и спиралевидные
поверхности;
в) плоские абсорберы, имеющие все
следующие характеристики:
1) изготовленные из любых следующих
материалов:
пенопластических материалов (гибких или
негибких) с углеродным наполнением или
органических материалов, включая
связывающие присадки, обеспечивающих
коэффициент отражения более 5% по
сравнению с металлом в диапазоне волн,
отличающихся от центральной частоты
падающей энергии более чем на +-15%, и
не способных противостоять
температурам, превышающим 450 К
(177 град. C); или
керамических материалов, обеспечивающих
более чем 20% отражение по сравнению с
металлом в диапазоне волн, отличающихся
от центральной частоты падающей энергии
более чем на +-15%, и не способных
противостоять температурам, превышающим
800 К (527 град. C)
Техническое примечание. Образцы
для проведения испытаний на поглощение
по последнему подпункту примечания к
пункту 1.3.1.1 должны иметь форму
квадрата со стороной не менее пяти
длин волн на центральной частоте,
расположенной в дальней зоне
излучающего элемента
2) с прочностью на растяжение менее 7 х
10E6 Н/кв. м; и
3) с прочностью на сжатие менее 14 х
10E6 Н/кв. м
г) плоские абсорберы, выполненные из
спеченного феррита, имеющие:
1) удельный вес более 4,4; и
2) максимальную рабочую температуру
548 К (275 град. C)
Примечание 2. Магнитные материалы
для обеспечения поглощения волн,
указанные в примечании 1 к пункту
1.3.1.1, не освобождаются от контроля,
если они содержатся в красках;
(примечание 2 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(Примечание в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 1,5 x 10E14 Гц, 391000000
но меньших 3,7 x 10E14 Гц, и
непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы
с объемной электропроводностью свыше
10000 См/м или поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв. м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 390930000
1.3.1.3.2. Полипиррола; 391190900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.1.3.3. Политиофена; 391190900
1.3.1.3.4. Полифенилен - винилена; или 391190900
1.3.1.3.5. Политиенилен - винилена 391990900
Техническое примечание. Объемная
электропроводность и поверхностное
удельное сопротивление должны
определяться в соответствии со
стандартной методикой ASTM D-257 или ее
национальным эквивалентом
1.3.2. Металлические сплавы, порошки
металлических сплавов или сплавленные
материалы следующего типа:
Примечание. По пункту 1.3.2 не
контролируются металлические сплавы,
порошки металлических сплавов или
сплавленные материалы, предназначенные
для грунтующих покрытий
Технические примечания: 1. К
металлическим сплавам, указанным в
пункте 1.3.2, относятся те, которые
содержат больший процент (по весу)
указанного металла, чем других
элементов
2. Срок эксплуатации до разрыва
следует определять в соответствии со
стандартной методикой ASTM Е-139 или
ее национальным эквивалентом
3. Показатель циклической усталости
должен определяться в соответствии со
стандартной методикой ASTM Е-606
"Рекомендаций по тестированию на
усталость при небольшом количестве
циклов и постоянной амплитуде" или ее
национальным эквивалентом. Тестирование
следует производить в осевом
направлении при среднем значении
показателя нагрузки, равном единице, и
коэффициенте концентрации нагрузки
(Кt), равном единице. Средняя нагрузка
определяется как частное от деления
разности максимальной и минимальной
нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.2.1. Алюминиды, такие, как:
1.3.2.1.1. Никелевые алюминиды, содержащие 7502200000
минимально 15% (по весу), максимально
38% (по весу) алюминия и не менее
одного дополнительного элемента сплава;
1.3.2.1.2. Титановые алюминиды, содержащие 10% (по 810810100
весу) или более алюминия и не менее
одного дополнительного элемента сплава
1.3.2.2. Металлические сплавы, изготовленные из
материалов, контролируемых по пункту
1.3.2.3, такие, как:
1.3.2.2.1. Никелевые сплавы: 7502200000
а) со сроком эксплуатации 10000 часов
или более до разрыва в условиях
нагружения на уровне 676 МПа при
температуре 923 К (650 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 823 К (550 град. C) и
максимальном нагружении 1095 МПа;
1.3.2.2.2. Ниобиевые сплавы: 8112913100;
а) со сроком эксплуатации 10000 часов 8112993000
или более до разрыва в условиях
нагружения на уровне 400 МПа при
температуре 1073 К (800 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 973 К (700 град. C) и
максимальном нагружении 700 МПа;
1.3.2.2.3. Титановые сплавы: 810810100
а) со сроком эксплуатации 10000 часов
или более до разрыва в условиях
нагружения на уровне 200 МПа при
температуре 723 К (450 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 723 К (450 град. C) и
максимальном нагружении 400 МПа;
1.3.2.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом прочности 760120;
на растяжение: 7604291000;
а) 240 МПа или более при температуре 7608209100;
473 К (200 град. C); или 7608209900
б) 415 МПа или более при температуре
298 К (25 град. C);
1.3.2.2.5. Магниевые сплавы: 8104
а) с пределом прочности на растяжение
345 МПа или более; и
б) со скоростью коррозии менее 1 мм в
год в 3-процентном водном растворе
хлорида натрия, измеренной в
соответствии со стандартной методикой
ASTM G-31 или ее национальным
эквивалентом
1.3.2.3. Порошки металлических сплавов или
частицы материала, имеющие все
следующие характеристики:
1.3.2.3.1. Изготовленные из любых следующих
композиционных систем:
Техническое примечание. X в
дальнейшем соответствует одному или
более элементам, входящим в состав
сплава
1.3.2.3.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 7504000000
квалифицированные для использования в
составе частей или компонентов турбин
двигателей, т.е. менее чем с тремя
неметаллическими частицами (введенными
в процессе производства) крупнее 100
мкм в 1E9 частицах сплава;
1.3.2.3.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, 8112913100;
Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или 8112993000
Nb-X-Ti);
1.3.2.3.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 810810100
1.3.2.3.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или 7603
Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X
или Al-X-Fe); или
1.3.2.3.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); 8104300000
и
1.3.2.3.2. Изготовленные в контролируемой среде
при помощи одного из нижеследующих
процессов:
а) вакуумного распыления;
б) газового распыления;
в) центробежного распыления;
г) резкого охлаждения;
д) спиннингования расплава и
кристаллизации;
е) экстракции расплава и
кристаллизации;
или
ж) механического легирования
1.3.2.3.3. Способные образовывать материалы,
контролируемые по пунктам 1.3.2.1 или
1.3.2.2;
1.3.2.4. Сплавленные материалы, имеющие все 7503009000;
следующие характеристики: 7504000000;
а) изготовленные из любых 7505120000;
композиционных систем, определенных в 7506;
пункте 1.3.2.3.1; 7603200000;
б) в виде неизмельченных чешуек, лент 7604291000;
или тонких стержней; и 7606129100;
в) изготавливаемые в контролируемой 7606920000;
среде любым из следующих методов: 760719;
1) резкого охлаждения; 8104300000;
2) спиннингования расплава; или 8104900000;
3) экстракции расплава; 810810100;
8108109000;
8108903000;
8112913100;
8112913900;
8112993000
(п. 1.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1.3.3. Магнитные материалы всех типов и любой
формы, имеющие какую-нибудь из
следующих характеристик:
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную 850511000;
проницаемость 120000 или более и 850519;
толщину 0,05 мм или менее 850519100;
850519900
Техническое примечание. Замер
начальной относительной магнитной
проницаемости должен осуществляться с
использованием полностью отожженных
материалов;
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие 720690000
любую из следующих характеристик:
а) магнитострикционное насыщение более
5 x 10E-4; или
б) коэффициент магнитомеханического
сцепления (к) более 0,8; или
1.3.3.3. Аморфная или нанокристаллическая 7206;
лента сплава, имеющая все следующие 7506;
характеристики: 8105
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) состав минимум 75% (по весу)
железа, кобальта или никеля;
б) магнитную индукцию насыщения (Bs)
1,6 Т или более; и
в) любое из нижеследующего:
1) толщину ленты не более 0,02 мм;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
или
2) удельное электрическое сопротивление
2 x 10E-4 Ом/см или более
Примечание. Нанокристаллические
материалы, указанные в пункте 1.3.3.3,
являются материалами, имеющими
кристаллические зерна размером 50 нм
или менее, что определяется дифракцией
Х-лучей
1.3.4. Урано - титановые сплавы или 284410000;
вольфрамовые сплавы с матрицей на 810810100;
основе железа, никеля или меди, 810199000
имеющие все следующие характеристики:
а) плотность свыше 17,5 г/куб. см;
б) предел упругости свыше 880 МПа;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
в) предел прочности на растяжение более
1270 МПа;
г) относительное удлинение свыше 8%
1.3.5. Сверхпроводящие композиционные
материалы длиной более 100 м или
массой, превышающей 100 г, такие как:
1.3.5.1. Многожильные сверхпроводящие 811299300;
композиционные материалы, содержащие 854419900
одну или несколько ниобиево - титановых
нитей:
а) уложенные в матрицу не из меди или
не на основе медьсодержащего материала;
или
б) имеющие площадь поперечного сечения
менее 0,28 x 10E-4 кв. мм (6 мкм в
диаметре при нитях круглого сечения);
1.3.5.2. Сверхпроводящие композиционные 854419900
материалы, состоящие из одной или более
сверхпроводящих нитей, выполненных не
из ниобий - титана, имеющие все
следующие характеристики:
а) с критической температурой при
нулевой магнитной индукции, превышающей
9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже
24 K (-249,16 град. C);
б) площадь поперечного сечения менее
0,28 x 10E-4 кв. мм; и
в) остающиеся в состоянии
сверхпроводимости при температуре 4,2 K
(-268,96 град. C), находясь в магнитном
поле, соответствующем магнитной
индукции 12 Т
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы, такие
как:
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в
качестве основных составляющих любые из
следующих веществ и материалов:
1.3.6.1.1. Синтетические кремний - углеводородные 391000000
масла, имеющие все следующие
характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) точку возгорания свыше 477 K
(204 град. C);
б) точку застывания 239 K (-34 град. C)
или ниже;
в) коэффициент вязкости 75 или более;
г) термостабильность при 616 K
(343 град. C); или
1.3.6.1.2. Хлоро - фторуглероды, имеющие все 381900000;
следующие характеристики: 382390960;
а) точка возгорания отсутствует; 2812;
б) температуру самовоспламенения свыше 2826
977 K (704 град. C);
в) точку застывания 219 K (-54 град. C)
или ниже;
г) коэффициент вязкости 80 или более; и
д) точку кипения 473 K (200 град. C)
или более
Технические примечания. 1. Для
целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1,
кремний - углеводородные масла содержат
исключительно кремний, водород и
углерод
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2. Для целей, указанных в пункте
1.3.6.1.2, хлоро - фторуглероды
содержат исключительно углерод, фтор и
хлор
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в
качестве основных составляющих
следующие вещества или материалы:
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые эфиры 290930900;
или тиоэфиры или их смеси, содержащие 293090800
более двух эфирных или тиоэфирных
функций или их смесей; или
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийсодержащие 391000000
жидкости, характеризуемые
кинематической вязкостью менее
5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при
температуре 298 K (25 град. C)
1.3.6.3. Увлажняющие или флотирующие жидкости с
показателем чистоты более 99,8%,
содержащие менее 25 частиц размером
200 мкм или более на 100 мл и
изготовленные по меньшей мере на 85%
из любых следующих соединений и
материалов:
1.3.6.3.1. Дибромтетрафторэтана; 290340800
1.3.6.3.2. Полихлортрифторэтилена (только 390469000
маслянистые и воскообразные
модификации); или
1.3.6.3.3. Полибромтрифторэтилена 390469000
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для 382390980
электроники, имеющие все следующие
характеристики:
1.3.6.4.1. Содержащие 85% (по весу) или более
любого из следующих веществ или их
смесей:
1.3.6.4.1.1. Мономерных форм
перфторполиалкилэфиртриазинов или
перфторалифатических эфиров;
1.3.6.4.1.2. Перфторалкиламинов;
1.3.6.4.1.3. Перфторциклоалканов; или
1.3.6.4.1.4. Перфторалканов
1.3.6.4.2. Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K
(25 град. C);
1.3.6.4.3. Жидкое состояние при 273 K (0 град. C);
и
1.3.6.4.4. Содержащие 60% (по весу) или более
фтора
Техническое примечание. Для целей,
указанных в пункте 1.3.6:
а) точка возгорания определяется с
использованием метода Кливлендской
открытой чашки, описанного в
стандартной методике ASTM D-92 или ее
национальных эквивалентах;
б) точка плавления определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
D-97 или ее национальных эквивалентах;
в) коэффициент вязкости определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
D-2270 или ее национальных
эквивалентах;
г) термостабильность определяется в
соответствии со следующей методикой
испытаний или ее национальными
эквивалентами: 20 мл испытуемой
жидкости помещаются в камеру объемом
46 мл из нержавеющей стали типа 317,
содержащую шары номинального диаметра
12,5 мм из инструментальной стали М-10,
стали марки 52100 и корабельной бронзы
(60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера
продута азотом, загерметизирована при
давлении, равном атмосферному, и
температуре, повышенной до
(644 +/- 6) K ((371 +/- 6 град. C)) и
выдерживаемой в течение шести часов;
образец признается термостабильным,
если по завершении вышеописанной
процедуры выполняются следующие
условия:
1) потеря веса каждого шара не
превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;
2) изменение первоначальной вязкости,
определенной при 311 K (38 град. C), не
превышает 25%;
3) общее кислотное или базовое число не
превышает 0,40;
д) температура автогенного
воспламенения определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
E-659 или ее национальных эквивалентах
1.3.7. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, композиционные материалы с
керамической матрицей и материалы -
предшественники, такие как:
1.3.7.1. Основные материалы из простых или 285000900
сложных боридов титана, имеющие
суммарно металлические примеси,
исключая специальные добавки, на уровне
менее 5000 частиц на миллион, при
среднем размере частицы равном или
меньшем 5 мкм, и при этом не более 10%
частиц имеют размер более 10 мкм;
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические материалы 285000900
в сыром виде или в виде полуфабриката
на основе боридов титана с плотностью
98% или более от теоретического
предела
Примечание. По пункту 1.3.7.2 не
контролируются абразивы;
1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849;
керамика - керамика со стеклянной или 285000;
оксидной матрицей, укрепленные 8803909900;
волокнами, имеющие все следующие 930690
характеристики:
а) изготовленные из любых нижеследующих
материалов:
1)Si-N;
2) Si-C;
3) Si-Al-O-N; или
4) Si-O-N; и
б) имеющие удельную прочность на
растяжение, превышающую 12,7 x 1E3 м;
(п. 1.3.7.3 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1.3.7.4. Композиционные материалы типа 880390990;
керамика - керамика с постоянной 930690
металлической фазой или без нее,
включающие частицы, нитевидные
кристаллы или волокна, в которых
матрица образована из карбидов или
нитридов кремния, циркония или бора;
1.3.7.5. Материалы - предшественники (т.е. 391000000
полимерные или металлоорганические
материалы специализированного
назначения) для производства какой-либо
фазы или фаз материалов, контролируемых
по пункту 1.3.7.3, такие как:
а) полидиорганосиланы (для производства
карбида кремния);
б) полисилазаны (для производства
нитрида кремния);
в) поликарбосилазаны (для производства
керамики с кремниевыми, углеродными или
азотными компонентами);
1.3.7.6. Композиционные материалы типа 6903;
керамика - керамика с оксидными или 691490900
стеклянными матрицами, укрепленные
непрерывными волокнами любой из
следующих систем:
1.3.7.6.1. Al2O3; или
1.3.7.6.2. Si-C-N
Примечание. По пункту 1.3.7.6 не
контролируются композиционные
материалы, содержащие волокна из этих
систем, имеющие предел прочности на
растяжение менее 700 МПа при 1273 K
(1000 град. C) или относительное
удлинение более 1% при нагрузке 100 МПа
и 1273 K (1000 град. C) за 100 ч
1.3.8. Полимерные вещества, не содержащие
фтор, такие как:
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 292519900
1.3.8.1.2. Ароматические полиамидимиды; 390890000
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 390930000
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие 390720900;
температуру перехода в стеклообразное 390791900
состояние (Tg) более 513 K
(240 град. C), измеренную сухим
методом, описанным в стандартной
методике ASTM D 3418
Примечание. По пункту 1.3.8.1 не
контролируются неплавкие порошки для
формообразования под давлением или
фасонных форм
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические 390791900
сополимеры, имеющие температуру
тепловой деформации более 523 K
(250 град. C), измеренную в
соответствии со стандартной методикой
ASTM D-648, метод А, или ее
национальными эквивалентами, при
нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и образованные
сочетанием:
а) любого из следующих веществ:
1) фенилена, бифенилена или нафталина;
или
2) метила, тетрабутила или фенил -
замещенного фенилена, бифенилена или
нафталина; и
б) любой из следующих кислот:
1) терефталиковой кислоты;
2) 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты;
3) 4-гидроксил бензойной кислоты;
1.3.8.3. Полиариленовые эфирные кетоны, такие
как:
1.3.8.3.1. Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); 390791900
1.3.8.3.2. Полиэфирокетон - кетон (ПЭКК); 390791900
1.3.8.3.3. Полиэфирокетон (ПЭК); 390791900
1.3.8.3.4. Полиэфирокетон эфирокетон - кетон 380791900
(ПЭКЭКК)
1.3.8.4. Полиариленовые кетоны; 390799000
1.3.8.5. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая 391190900
группа представляет собой бифенилен,
трифенилен или их комбинации;
1.3.8.6. Полибифениленэфирсульфон 391190900
Техническое примечание. Температура
перехода в стеклообразное состояние
(Tg) для материалов, контролируемых по
пункту 1.3.8, определяется с
использованием метода, описанного в
стандартной методике ASTM D 3418,
применяющей сухой метод
1.3.9. Необработанные соединения фтора, такие 390469000
как:
а) сополимеры винилидена фторида,
содержащие 75% или более структуры
бета - кристаллина, полученной без
вытягивания;
б) фтористые полиимиды, содержащие 10%
(по весу) или более связанного фтора;
в) фтористые фосфазеновые эластомеры,
содержащие 30% (по весу) или более
связанного фтора
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы,
которые могут быть использованы в
органических, металлических или
углеродных матричных композиционных
материалах или слоистых структурах,
такие как:
1.3.10.1. Органические волокнистые или нитевидные 392690100
материалы, имеющие все следующие
характеристики:
а) удельный модуль упругости свыше 12,7
x 10E6 м; и
б) удельную прочность на растяжение
свыше 23,5 x 10E4 м
Примечание. По пункту 1.3.10.1 не
контролируется полиэтилен;
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные 3801;
материалы, имеющие все следующие 392690100;
характеристики: 540210100;
а) удельный модуль упругости свыше 12,7 540490900;
x 10E6 м; и 681510000;
б) удельную прочность на растяжение 690310000
свыше 23,5 x 10E4 м
Техническое примечание. Свойства
материалов, указанных в пункте
1.3.10.2, должны определяться методами
12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми
Ассоциацией производителей
усовершенствованных композиционных
материалов (SACMA), или их
национальными эквивалентами и должны
основываться на средних значениях из
большого количества опытов
Примечание. По пункту 1.3.10.2 не
контролируются изделия, изготовленные
из волокнистых или нитевидных
материалов, для ремонта структур
летательных аппаратов или ламинаты, у
которых размеры единичных листов не
превышают 50 x 90 см;
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или 392690100;
нитевидные материалы, имеющие все 810192000;
следующие характеристики: 810890300 -
а) удельный модуль упругости, 810890700
превышающий 2,54 x 10E6 м; и
б) точку плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде, превышающую 1922 K (1649 град.
C)
Примечание. По пункту 1.3.10.3 не
контролируются:
а) дискретные, многофазные,
поликристаллические волокна глинозема,
содержащие 3% или более (по весу)
кремнезема, имеющие удельный модуль
упругости менее 10 x 10E6 м;
б) молибденовые волокна и волокна из
молибденовых сплавов;
в) волокна на основе бора;
г) дискретные керамические волокна с
температурой плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде менее 2043 K (1770 град. C);
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.4.1. Изготовленные из любого из следующих
материалов:
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по 540249990;
пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или 550190000;
550390900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 540224990;
1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или 550190900;
1.3.8.6; или 550390900
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов,
контролируемых по пунктам 1.3.10.4.1.1
или 1.3.10.4.1.2, и связанные с
волокнами других типов, контролируемых
по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или
1.3.10.3
1.3.10.5. Волокна, импрегнированные смолой или 3801;
пеком (препреги), волокна, покрытые 392690100;
металлом или углеродом (преформы), или 681510000;
преформы углеродных волокон следующего 681599900;
типа: 690310000;
а) изготовленные из волокнистых или 701910;
нитевидных материалов, контролируемых 701920
по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или
1.3.10.3;
б) изготовленные из органических или
углеродных волокнистых или нитевидных
материалов:
1) с удельной прочностью на растяжение,
превышающей 17,7 x 10E4 м;
2) с удельным модулем упругости,
превышающим 10,15 x 10E6 м;
3) не контролируемых по пунктам
1.3.10.1 или 1.3.10.2; и
4) пропитанных материалами,
контролируемыми по пункту 1.3.8 или
подпункту "б" пункта 1.3.9, обладающими
температурой перехода в стеклообразное
состояние (Tg) свыше 383 K (110 град.
C), фенольными либо эпоксидными
смолами, имеющими температуру перехода
в стеклообразное состояние (Tg), равную
или превышающую 418 K (145 град. C)
(пп. 4 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 1.3.10.5 не
контролируются:
а) матрицы из эпоксидной смолы,
импрегнированные углеродными
волокнистыми или нитевидными
материалами (препрегами), для ремонта
структур летательных аппаратов или
ламинаты, у которых размер единичных
листов препрегов не превышает
50 x 90 см;
б) препреги, импрегнированые фенольными
или эпоксидными смолами, имеющими
температуру перехода в стеклообразное
состояние (Tg) менее 433 K (160 град.
C) и температуру отверждения меньшую,
чем температура перехода
в стеклообразное состояние
Техническое примечание. Температура
перехода в стеклообразное состояние
(Tg) для материалов, контролируемых по
пункту 1.3.10.5, определяется с
использованием метода, описанного в
ASTM D 3418, с применением сухого
метода. Температура перехода в
стеклообразное состояние для фенольных
эпоксидных смол определяется с
использованием метода, описанного в
ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и
скорости нагрева 2 град. C в минуту,
с применением сухого метода
Технические примечания. 1. Удельный
модуль упругости определяется как
модуль Юнга, выраженный в паскалях или
в Н/кв. м, деленный на удельный вес в
Н/куб. м, измеренные при температуре
(296 +/- 2) К ((23 +/- 2) град. C) и
относительной влажности (50 +/- 5)%
2. Удельная прочность на растяжение
определяется как критическая прочность
на разрыв, выраженная в паскалях или в
Н/кв. м, деленная на удельный вес в
Н/куб. м, измеренные при температуре
(296 +/- 2) К ((23 +/- 2) град. C) и
относительной влажности (50 +/- 5)%
1.3.11. Металлы и компаунды, такие как:
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами менее 810430000;
60 мкм, имеющие сферическую, 810910100
пылевидную, сфероидальную форму,
расслаивающиеся или молотые,
изготовленные из материала, содержащего
99% или более циркония, магния или их
сплавов
Примечание. Металлы или сплавы,
указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат
контролю независимо от того,
инкапсулированы они или нет в алюминий,
магний, цирконий или бериллий;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Техническое примечание. При
определении содержания циркония в него
включается природная примесь гафния
(обычно 2 - 7%)
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
1.3.11.2. Бор или карбид бора чистотой 85% или 280450100;
выше и с размером частиц 60 мкм или 284990100
менее
Примечание. Металлы или сплавы,
указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат
контролю независимо от того,
инкапсулированы они или нет в алюминий,
магний, цирконий или бериллий;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.3.11.3. Гуанидин нитрат 282510000;
283429900;
2904
1.3.11.4. Нитрогуанидин (NQ) 2925200000
(пп. 1.3.11.4 введен Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.3.12. Материалы, такие как:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 284420910;
изотопа плутония-238 более 50% (по 284420990
весу)
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один грамм
плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или менее
при использовании в качестве
чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2. Предварительно очищенный нептуний-237 в 284440000
любой форме
Примечание. По пункту 1.3.12.2 не
контролируются поставки с содержанием в
один грамм нептуния-237 или менее
Техническое примечание. Материалы,
указанные в пункте 1.3.12, обычно
используются для ядерных тепловых
источников
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
1.4. Программное обеспечение
1.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
применения оборудования,
контролируемого по пункту 1.2
1.4.2. Программное обеспечение для разработки
органических матриц, металлических
матриц или углеродных матричных
ламинатов или композиционных материалов
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2
или 1.3
1.5.2. Другие технологии, такие как:
1.5.2.1. Технологии для разработки или
производства полибензотиазолов или
полибензоксазолей;
1.5.2.2. Технологии для разработки или
производства фтористых эластомерных
соединений, содержащих по крайней мере
один винилэфирный мономер;
1.5.2.3. Технологии для проектирования или
производства следующих базовых
материалов или некомпозиционных
керамических материалов:
1.5.2.3.1. Базовых материалов, обладающих всем
нижеперечисленным:
1.5.2.3.1.1. Любой из следующих структур:
а) простыми или сложными оксидами
циркония и сложными оксидами кремния
или алюминия;
б) простыми нитридами бора (с
кубическими формами кристаллов);
в) простыми или сложными карбидами
кремния или бора; или
г) простыми или сложными нитридами
кремния;
1.5.2.3.1.2. Суммарными металлическими примесями,
исключая преднамеренно вносимые
добавки, в количестве, не превышающем:
а) 1000 частей на миллион для простых
оксидов или карбидов; или
б) 5000 частей на миллион для сложных
соединений или простых нитридов; и
1.5.2.3.1.3. Являющихся любым из следующего:
а) цирконием, имеющим средний размер
частиц, равный или меньший 1 мкм, и не
более 10% частиц с размером,
превышающим 5 мкм;
б) другими базовыми материалами,
имеющими средний размер частиц, равный
или меньший 5 мкм, и не более 10%
частиц с размером, превышающим 10 мкм;
или
в) имеющими все следующее:
1) защитные пластинки с отношением
длины к толщине, превышающим значение
5;
2) короткие стержни ("усы") с
отношением длины к диаметру,
превышающим значение 10 для диаметров
стержней менее 2 мкм; и
3) длинные или рубленые волокна с
диаметром, меньшим 10 мкм
(п. 1.5.2.3.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических
материалов, изготовленных из
материалов, указанных в пункте
1.5.2.3.1
Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не
контролируются абразивные материалы
1.5.2.4. Технологии для производства
ароматических полиамидных волокон;
1.5.2.5. Технологии для сборки, эксплуатации или
восстановления материалов,
контролируемых по пункту 1.3.1;
1.5.2.6. Технологии для восстановления
композиционных материалов, слоистых
структур или материалов, контролируемых
по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4
Примечание. По пункту 1.5.2.6 не
контролируются технологии для ремонта
структур гражданских летательных
аппаратов, использующие углеродные
волокнистые или нитевидные материалы и
эпоксидные смолы, содержащиеся в
авиационных изделиях
Категория 2. Обработка материалов
2.1. Системы, оборудование и компоненты
2.1.1. Антифрикционные подшипники или системы
подшипников и их компоненты, такие
как:
Примечание. По пункту 2.1 не
контролируются шарикоподшипники с
допусками, устанавливаемыми
производителем в соответствии с
международным стандартом ИСО 3290 по
классу 5 или хуже
2.1.1.1. Шариковые и твердороликовые подшипники, 848210900;
имеющие допуски, устанавливаемые 848250000
производителем в соответствии с
международным стандартом ИСО 492 по
классу точности 4 или лучше или его
национальным эквивалентом, и имеющие
кольца, шарики или ролики, сделанные из
медно - никелевого сплава или бериллия
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Примечание. По пункту 2.1.1.1 не
контролируются конические роликовые
подшипники;
2.1.1.2. Другие шариковые и твердороликовые 848280000
подшипники, имеющие допуски,
устанавливаемые производителем в
соответствии с международным стандартом
ИСО 492 по классу точности 2 или лучше
или его национальным эквивалентом
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Примечание. По пункту 2.1.1.2 не
контролируются конические роликовые
подшипники;
2.1.1.3. Активные магнитные подшипниковые 848330100;
системы, имеющие любую из следующих 848330900
составляющих:
а) материалы с магнитной индукцией 2 Т
или больше и пределом текучести больше
414 МПа;
б) оснащенные электромагнитным
устройством для привода с трехмерным
униполярным высокочастотным
подмагничиванием; или
в) высокотемпературные, с температурой
450 K (177 град. C) и выше, позиционные
датчики
2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
Технические примечания. 1.
Вторичные параллельные горизонтальные
оси (например, W-ось на фрезах
горизонтальной расточки или вторичная
ось вращения, центральная линия которой
параллельна первичной оси вращения) не
засчитываются в общее число
горизонтальных осей
Ось вращения необязательно
предусматривает поворот на угол,
больший 360 град. Ось вращения может
управлять устройством линейного
перемещения (например, винтом или
зубчатой рейкой)
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2. Для целей пункта 2.2 количество
осей, которые могут быть одновременно
скоординированы для контурного
управления, является количеством осей,
которые осуществляют относительное
движение между любой обрабатываемой
деталью и инструментом, отрезной
головкой или шлифовальным кругом,
которые отрезают или снимают материал с
обрабатываемой детали. Это не включает
любую из следующих дополнительных осей,
которые осуществляют другие
относительные движения в пределах
станка:
а) кругозаправочные системы в
шлифовальных станках;
б) параллельно вращающиеся оси,
предназначенные для установки отдельных
обрабатываемых деталей;
в) совместно вращающиеся оси,
предназначенные для управления
одинаковыми обрабатываемыми деталями
путем закрепления их в патроне с разных
концов;
(п. 2 введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3. Номенклатура оси определяется в
соответствии с международным стандартом
ИСО 841 "Станки с числовым программным
управлением. Номенклатура осей и видов
движения"
4. Для этой категории наклоняющиеся
шпиндели рассматриваются как оси
вращения
5. Для всех станков каждой модели может
использоваться значение заявленной
точности позиционирования, полученное
не в результате индивидуальных
механических испытаний, а рассчитанное
в соответствии с международным
стандартом ИСО 230/2 (1997) или его
национальным эквивалентом
5. Исключен. - Указ Президента РФ от
29.02.2000 N 447
Заявленная точность
позиционирования означает величину
точности, устанавливаемую
производителем в качестве показателя,
отражающего точность всех станков
определенной модели.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(п. 4 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Определение показателя точности:
а) Выбирается пять станков модели,
подлежащей оценке
б) Измеряется точность линейных осей в
соответствии с международным стандартом
ИСО 230/2 (1997)
в) Определяется значение показателя А
для каждой оси каждого станка. Метод
определения значения показателя А
описан в стандарте ИСО
г) Определяется среднее значение
показателя А для каждой оси. Эта
средняя величина А становится
заявленной величиной (Ах, Ау...) для
всех станков данной модели
д) Поскольку станки, указанные в
категории 2 настоящего Списка, имеют
несколько линейных осей, количество
заявленных величин показателя точности
равно количеству линейных осей
е) Если параметры осей определенной
модели станка не подпадают под контроль
по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, а
показатель А для шлифовальных станков
равен или меньше (лучше) 5 мкм, для
фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм,
то производитель обязан каждые 18
месяцев вновь подтверждать величину
точности
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000
N 447)
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые их
сочетания для обработки или резки
металлов, керамики и композиционных
материалов, которые в соответствии с
техническими спецификациями
изготовителя могут быть оснащены
электронными устройствами для числового
программного управления:
Примечания: 1. По пункту 2.2.1 не
контролируются станки специального
назначения, ограниченные обработкой
шестерен. Для таких станков см. пункт
2.2.3
2. По пункту 2.2.1 не контролируются
станки специального назначения,
ограниченные обработкой любых из
следующих деталей:
а) коленчатых или распределительных
валов;
б) резцов или фрез;
в) червяков экструдеров;
г) гравированных или ограненных деталей
ювелирных изделий
(Примечания введены Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие 8458;
характеристики: 846490900;
а) точность позиционирования со всей 846599100
доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии
с международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
и
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
б) две или более оси, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз;
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из 845931000;
следующих характеристик: 845939000;
а) имеющие все следующие 845951000;
характеристики: 845961;
1) точность позиционирования со всей 845969;
доступной компенсацией, равную или 846490900;
меньшую (лучшую) 4,5 мкм, в 846592000
соответствии с международным стандартом
ИСО 230/2 (1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
и
2) три линейные оси плюс одну ось
вращения, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления;
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) пять или более осей, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления; или
в) точность позиционирования для
координатно - расточных станков со
всей доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с
международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
г) станки с летучей фрезой, имеющие все
следующие характеристики:
1) биение и эксцентриситет шпинделя
меньше (лучше) 0,0004 мм полного
показания индикатора (ППИ); и
2) угловую девиацию движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) двух
дуговых секунд ППИ на более чем 300 мм
перемещения;
(пп. "г" введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из 846011000;
следующих характеристик: 846019000;
а) имеющие все следующие 846021;
характеристики: 846029;
1) точность позиционирования со всей 846420900;
доступной компенсацией, равную или 846593000
меньшую (лучшую) 3 мкм, в соответствии
с международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
и
2) три или более чем три оси, которые
могут быть одновременно скоординированы
для контурного управления; или
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) пять или более осей, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления
Примечание. По пункту 2.2.1.3 не
контролируются следующие шлифовальные
станки:
а) цилиндрические внешние, внутренние и
внешне - внутренние шлифовальные
станки, обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) ограниченные цилиндрическим
шлифованием; и
2) с максимально возможной длиной или
диаметром изделия 150 мм;
б) станки, специально спроектированные
для шлифования по шаблону и имеющие
любую из следующих характеристик:
1) C-ось применяется для поддержания
шлифовального круга в нормальном
положении по отношению к рабочей
поверхности; или
2) A-ось определяет конфигурацию
цилиндрического кулачка;
в) исключен. - Указ Президента РФ от
28.09.2001 N 1156;
г) исключен. - Указ Президента РФ от
28.09.2001 N 1156;
в) плоскошлифовальные станки;
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки 845630000
(СЭО) без подачи проволоки, имеющие две
или более оси вращения, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления;
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, керамики 842430900;
или композиционных материалов, имеющие 845610000;
все следующие характеристики: 845690000
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
а) обработка материалов осуществляется
посредством любого из следующего:
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1) водяных или других жидких струй,
включая струи с абразивными присадками;
2) электронного луча; или
3) лазерного луча; и
б) имеющие две или более оси вращения,
которые:
1) могут быть одновременно
скоординированы для управления по
контуру; и
2) имеют точность позиционирования
меньше (лучше) 0,003 град.;
2.2.1.6. Станки для сверления глубоких отверстий 8458;
или токарные станки, модифицированные 845921
для сверления глубоких отверстий,
обеспечивающие максимальную глубину
сверления отверстий 5000 мм или более,
и специально разработанные для них
компоненты
2.2.2. Исключен
(п. 2.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2.2.2.1 - 2.2.2.2 исключены. - Указ Президента РФ от 04.01.1999
N 6
2.2.3. Станки с числовым программным 846140710;
управлением или станки с ручным 846140790
управлением и специально разработанные
для них компоненты, оборудование для
контроля и приспособления, специально
разработанные для шевингования,
финишной обработки, шлифования или
хонингования закаленных (Rc = 40 или
более) прямозубых цилиндрических,
одно- или двухзаходных винтовых
шестерен с модулем более 1250 мм и с
лицевой шириной, равной 15% от модуля
или более, с качеством после финишной
обработки в соответствии с
международным стандартом ИСО 1328 по
классу 3
2.2.4. Горячие изостатические прессы, имеющие 846299
все следующие составляющие, и
специально разработанные для них
компоненты и приспособления:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) камеры с контролируемыми тепловыми
условиями внутри закрытой полости и
внутренним диаметром полости 406 мм и
более; и
б) любую из следующих характеристик:
1) максимальное рабочее давление более
207 МПа;
2) контролируемые температурные
условия, превышающие 1773 K (1500 град.
C); или
3) оборудование для насыщения
углеводородом и удаления газообразных
продуктов разложения
Техническое примечание. Внутренний
размер камеры относится к камере, в
которой достигаются рабочие давление и
температура; в размер камеры не
включается размер зажимных
приспособлений. Указанный выше размер
будет минимальным из двух размеров -
внутреннего диаметра камеры высокого
давления или внутреннего диаметра
изолированной высокотемпературной
камеры - в зависимости от того, какая
из двух камер находится в другой
2.2.5. Оборудование, специально
спроектированное для оснащения,
реализации процесса и управления
процессом нанесения неорганического
покрытия, защитных слоев и
поверхностных модификаций, например
нижних слоев неэлектронными методами,
или процессами, представленными в
таблице и отмеченными в примечаниях
после пункта 2.5.3.4, а также
специально спроектированные средства
автоматизированного регулирования,
установки, манипуляции и компоненты
управления, включая:
2.2.5.1. Управляемое встроенной программой 845690000;
производственное оборудование для 942420100
химического осаждения паров (CVD) со
всеми следующими показателями:
а) процесс модифицирован для одного из
следующих методов:
1) пульсирующего CVD;
2) управляемого термического
осаждения с образованием центров
кристаллизации (CNTD); или
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
3) усиленного плазмой или с помощью
плазмы CVD; и
б) включает какой-либо из следующих
способов:
1) использующий высокий вакуум (равный
или менее 0,01 Па) для уплотнения
вращением; или
2) использующий средства контроля
толщины слоя покрытия на месте;
2.2.5.2. Управляемое встроенной программой 845610000
производственное оборудование ионной
имплантации с силой тока луча 5 мА или
более;
2.2.5.3. Управляемое встроенной программой 854389900
производственное оборудование для
физического осаждения паров электронным
лучом (EB - PVD), включающее системы
электропитания с расчетной мощностью
свыше 80 кВт, имеющее любую из
следующих составляющих:
а) лазерную систему управления уровнем
в заливочной ванне, которая точно
регулирует скорость подачи исходного
вещества; или
б) управляемый компьютером регистратор
скорости, работающий на принципе
фотолюминесценции ионизированных атомов
в потоке пара, необходимый для
нормирования скорости осаждения
покрытия, содержащего два или более
элемента;
(п. 2.2.5.3 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2.2.5.4. Управляемое встроенной программой 845690000
производственное оборудование
плазменного напыления, обладающее любой
из следующих характеристик:
а) работающее при уменьшающемся
давлении контролируемой атмосферы
(равной или менее 10 кПа, измеряемой
выше и внутри 300 мм выходного сечения
сопла плазменной горелки) в вакуумной
камере, способной обеспечивать снижение
давления до 0,01 Па, предшествующее
началу процесса напыления; или
б) имеющее в своем составе средства
контроля толщины слоя покрытия;
2.2.5.5. Управляемое встроенной программой 845690000
производственное оборудование
металлизации напылением, способное
обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм
или более, с производительностью
напыления 15 мкм/ч или более;
2.2.5.6. Управляемое встроенной программой 851580900
производственное оборудование катодно -
дугового напыления, включающее систему
электромагнитов для управления
плотностью тока дуги на катоде;
2.2.5.7. Управляемое встроенной программой 845610000
производственное оборудование ионной
металлизации, позволяющее осуществлять
на месте любое из следующих измерений:
а) толщины слоя подложки и величины
производительности; или
б) оптических характеристик
Примечание. По пунктам 2.2.5.1,
2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не
контролируется оборудование химического
парового осаждения, катодно - дугового
напыления, капельного осаждения, ионной
металлизации или ионной имплантации,
специально разработанное для покрытия
режущего инструмента или для
механообработки
2.2.6. Системы или оборудование для измерения
или контроля размеров, такие как:
2.2.6.1. Управляемые ЭВМ, с числовым программным 903180310
управлением, управляемые встроенной
программой машины контроля размеров,
имеющие погрешность измерения длины по
трем осям, равную или менее (лучше)
(1,7 + L/1000) мкм (L - длина,
измеряемая в миллиметрах), тестируемую
в соответствии с международным
стандартом ИСО 10360-2;
2.2.6.2. Измерительные инструменты для линейных
или угловых перемещений, такие как:
2.2.6.2.1. Измерительные инструменты для линейных 903140000
перемещений, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) измерительные системы бесконтактного
типа с разрешающей способностью, равной
или менее (лучше) 0,2 мкм, при
диапазоне измерений до 0,2 мм;
б) системы с линейным регулируемым
дифференциальным преобразователем
напряжения с двумя следующими
характеристиками:
1) линейностью, равной или меньше
(лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до
5 мм; и
2) отклонением, равным или меньшим
(лучшим) 0,1% в день, при стандартных
условиях с колебанием окружающей
температуры +/- 1 К; или
в) измерительные системы, имеющие все
следующие составляющие:
1) содержащие лазер; и
2) эксплуатируемые непрерывно по
крайней мере 12 часов при колебаниях
окружающей температуры +/- 1 К при
стандартных температуре и давлении,
имеющие все следующие характеристики:
разрешение на их полной шкале
составляет 0,1 мкм или меньше (лучше);
и
погрешность измерения равна или меньше
(лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - длина,
измеряемая в миллиметрах)
Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не
контролируются измерительные
интерферометрические системы без
обратной связи с замкнутым или открытым
контуром, содержащие лазер для
измерения погрешностей перемещения
подвижных частей станков, средств
контроля размеров или подобного
оборудования;
2.2.6.2.2. Угловые измерительные приборы с 903140000;
отклонением углового положения, равным 903180310;
или меньшим (лучшим) 0,00025 град. 903180910
Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не
контролируются оптические приборы,
такие как автоколлиматоры, использующие
коллимированный свет для фиксации
углового смещения зеркала
2.2.6.3. Оборудование для измерения неровностей 903140000
поверхности с применением оптического
рассеяния как функции угла, с
чувствительностью 0,5 нм или меньше
(лучше)
Примечания. 1. Станки, которые
могут быть использованы в качестве
средств измерения, подлежат контролю,
если их параметры соответствуют или
превосходят критерии, установленные для
функций станков или измерительных
приборов
2. Системы, указанные в пункте 2.2.6,
подлежат контролю, если они по своим
параметрам превышают подлежащий
контролю уровень где-либо в их рабочем
диапазоне
2.2.7. Нижеперечисленные роботы и специально 847989500;
спроектированные контроллеры и рабочие 853710100;
органы для них: 853710910;
а) способные в реальном масштабе 853710990
времени полно отображать процесс или
объект в трех измерениях с
генерированием или модификацией
программ или с генерированием или
модификацией цифровых программируемых
данных
Технические примечания. Ограничения
по указанному процессу или объекту не
включают аппроксимацию третьего
измерения через заданный угол или
интерпретацию через ограниченную
пределами шкалу для восприятия глубины
или текстуры модификации заданий
(2 1/2 D);
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
б) специально разработанные в
соответствии с национальными
стандартами безопасности,
приспособленные к условиям изготовления
взрывного военного снаряжения; или
в) специально спроектированные или
оцениваемые как радиационно стойкие,
выдерживающие больше 5 х 10E3 Гр
(кремний) [5 х 10E5 рад (кремний)] без
операционной деградации;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
г) специально предназначенные для
операций на высотах, превышающих
30000 м
2.2.8. Узлы или блоки, специально
разработанные для станков, или контроля
размеров, или измерительных систем и
оборудования, такие, как:
(п. 2.2.8 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2.2.8.1. Блоки оценки линейного положения с 8466
обратной связью (например, приборы
индуктивного типа, калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или лазерные
системы), имеющие полную точность
меньше (лучше) (800 + (600 x L x
10E-3)) нм (L - эффективная длина в
миллиметрах)
Особое примечание. Для лазерных
систем применяется также примечание к
пункту 2.2.6.2.1;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2.2.8.2. Блоки оценки положения вращения с 8466
обратной связью (например, приборы
индуктивного типа, калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или лазерные
системы), имеющие точность меньше
(лучше) 0,00025 град.
Особое примечание. Для лазерных
систем применяется также примечание к
пункту 2.2.6.2.1;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2.2.8.3. Составные вращающиеся столы или 8466
наклоняющиеся шпиндели, применение
которых в соответствии со спецификацией
изготовителя может модифицировать
станки до уровня, указанного в пункте
2.2, или выше
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные 846229100;
станки, которые в соответствии с 846390100;
технической спецификацией изготовителя 846390900
могут быть оборудованы блоками
числового программного управления или
компьютерного управления и которые
имеют все следующие характеристики:
а) с двумя или более контролируемыми
осями, которые могут одновременно и
согласованно координироваться для
контурного управления; и
б) с вращательной силой более 60 кН
Техническое примечание. Станки,
объединяющие функции обкатных
вальцовочных и гибочных станков,
рассматриваются для целей пункта 2.2.9
как относящиеся к обкатным вальцовочным
станкам
2.3. Материалы - нет
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем
контролируемое по пункту 2.4.2,
специально спроектированное или
модифицированное для разработки,
производства или применения
оборудования, контролируемого по
пунктам 2.1 или 2.2;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2.4.2. Программное обеспечение для электронных
устройств, в том числе встроенное,
дающее возможность таким устройствам
или системам функционировать как блок
ЧПУ, способное координировать
одновременно более четырех осей для
контурного управления:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2.4.2.1. Исключен. - Указ Президента РФ от 28.09.2001 N 1156
2.4.2.2. Исключен. - Указ Президента РФ от 28.09.2001 N 1156
Примечание. По пункту 2.4.2 не
контролируется программное обеспечение,
специально разработанное или
модифицированное для работы станков, не
контролируемых по пунктам Категории 2
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пунктам
2.1, 2.2 или 2.4
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 2.1 или 2.2
2.5.3. Другие технологии, такие как:
2.5.3.1. Технологии для разработки интерактивной
графики как интегрирующей части блоков
числового программного управления для
подготовки или модификации элементов
программ;
2.5.3.2. Нижеперечисленные технологии
производственных процессов
металлообработки:
2.5.3.2.1. Технологии проектирования инструмента,
пресс - форм или зажимных
приспособлений, специально
спроектированных для любого из
следующих процессов:
а) сверхпластического формования;
б) диффузионного сваривания; или
в) гидравлического прессования прямого
действия;
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие
параметры или методы реализации
процесса, перечисленные ниже и
используемые для управления:
а) сверхпластическим формованием
алюминиевых, титановых сплавов или
суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) данные о степени деформации;
3) температура;
4) давление;
б) диффузионным свариванием титановых
сплавов или суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) температура;
3) давление;
в) гидравлическим прессованием прямого
действия алюминиевых или титановых
сплавов:
1) давление;
2) время цикла;
г) горячей изостатической модификацией
титановых, алюминиевых сплавов или
суперсплавов:
1) температура;
2) давление;
3) время цикла
2.5.3.3. Технологии разработки или производства
гидравлических вытяжных формовочных
машин и соответствующих матриц для
изготовления конструкций корпусов
летательных аппаратов;
2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов
машинных команд (то есть элементов
программ) из проектных данных,
находящихся внутри блоков числового
программного управления;
2.5.3.5. Технологии для разработки
интегрирующего программного обеспечения
для обобщения экспертных систем,
повышающих в заводских условиях
операционные возможности блоков
числового программного управления;
2.5.3.6. Технологии для применения в
неорганических чисто поверхностных
покрытиях или неорганических покрытиях
с модификацией поверхности изделия,
отмеченных в графе "Результирующее
покрытие" нижеследующей таблицы;
неэлектронных слоевых покрытий
(субстратов), отмеченных в графе
"Подложки" нижеследующей таблицы;
процессов, отмеченных в графе
"Наименование процесса нанесения
покрытия" нижеследующей таблицы и
определенных техническим примечанием
Особое примечание. Нижеследующая
таблица определяет, что технология
конкретного процесса нанесения покрытия
подлежит экспортному контролю только в
том случае, когда позиция графы
"Результирующее покрытие"
непосредственно соответствует позиции
графы "Подложки". Например, в
результате обработки подложки типа
"углерод - углерод, керамика и
композиционные материалы с
металлической матрицей" путем
химического осаждения паров может быть
получено силицидное покрытие, которое
не может получиться при том же способе
нанесения покрытия на подложку типа
"цементированный карбид вольфрама,
карбид кремния". Во втором случае
позиция графы "Результирующее покрытие"
не находится непосредственно напротив
позиции "цементированный карбид
вольфрама, карбид кремния" графы
"Подложки";
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000
N 447)
Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий
-----------------T--------------------T---------------------------
Наименование ¦ Подложки ¦ Результирующее
процесса ¦ ¦ покрытие
нанесения ¦ ¦
покрытия ¦ ¦
-----------------+--------------------+---------------------------
1. Химическое ¦суперсплавы ¦ алюминиды для внутренних
осаждение ¦ ¦ каналов
паров ¦ ¦
¦керамика (19) и ¦ силициды, карбиды, слои
¦стекла с малым ¦ диэлектриков (15), алмаз,
¦коэффициентом ¦ алмазоподобный углерод
¦расширения (14) <*> ¦ (17)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
--------------------------------
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
¦углерод - углерод, ¦ силициды, карбиды,
¦керамика и ¦ тугоплавкие металлы, смеси
¦композиционные ¦ перечисленных выше
¦материалы с ¦ материалов (4), слои
¦металлической ¦ диэлектриков (15),
¦матрицей ¦ алюминиды, сплавы
¦ ¦ алюминидов (2), нитрид
¦ ¦ бора
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦цементированный ¦ карбиды, вольфрам, смеси
¦карбид ¦ перечисленных выше
¦вольфрама (16), ¦ материалов (4), слои
¦карбид кремния (18) ¦ диэлектриков (15)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦молибден и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦материалы окон ¦ слои диэлектриков (15)
¦датчиков (9) ¦
¦ ¦
2. Физическое ¦ ¦
осаждение ¦ ¦
паров ¦ ¦
термовыпа- ¦ ¦
риванием ¦ ¦
¦ ¦
2.1. Физическое ¦суперсплавы ¦ сплавы силицидов, сплавы
осаждение ¦ ¦ алюминидов (2), MCrAlX
паров ¦ ¦ (5), модифицированные виды
электронным ¦ ¦ циркония (12), силициды,
лучом ¦ ¦ алюминиды, смеси
¦ ¦ перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4)
¦ ¦
¦керамика и стекла с ¦ слои диэлектриков (15)
¦малым коэффициентом ¦
¦расширения (14) ¦
¦ ¦
¦коррозиестойкие ¦ MCrAlX (5),
¦стали (7) ¦ модифицированные виды
¦ ¦ циркония (12), смеси
¦ ¦ перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4)
¦ ¦
¦углерод - углерод, ¦ силициды, карбиды,
¦керамика и ¦ тугоплавкие металлы, смеси
¦композиционные ¦ перечисленных выше
¦материалы с ¦ материалов (4), слои
¦металлической ¦ диэлектриков (15), нитрид
¦матрицей ¦ бора
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦цементированный ¦ карбиды, вольфрам, смеси
¦карбид ¦ перечисленных выше
¦вольфрама (16), ¦ материалов (4), слои
¦карбид кремния ¦ диэлектриков (15)
¦ ¦
¦молибден и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ слои диэлектриков (15),
¦сплавы ¦ бориды, бериллий
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦материалы окон ¦ слои диэлектриков (15)
¦датчиков (9) ¦
¦ ¦
¦титановые сплавы ¦ бориды, нитриды
¦(13) ¦
¦ ¦
2.2. Физическое ¦керамика и стекла с ¦ слои диэлектриков (15),
осаждение ¦малым коэффициентом ¦ алмазоподобный углерод
паров с ¦расширения (14) ¦
¦(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
ионизацией ¦ ¦
посредством ¦углерод - углерод, ¦ слои диэлектриков (15)
резистивного¦керамика и ¦
нагрева ¦композиционные ¦
(ионное ¦материалы с ¦
гальвани- ¦металлической ¦
ческое ¦матрицей ¦
покрытие) ¦ ¦
¦цементированный ¦ слои диэлектриков (15)
¦карбид ¦
¦вольфрама (16), ¦
¦карбид кремния ¦
¦ ¦
¦молибден и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦материалы окон ¦ слои диэлектриков (15),
¦датчиков (9) ¦ алмазоподобный углерод
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
2.3. Физическое ¦керамика и стекла с ¦ силициды, слои
осаждение ¦малым коэффициентом ¦ диэлектриков (15),
паров: ¦расширения (14) ¦ алмазоподобный углерод
¦(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
выпаривание ¦ ¦
лазером ¦углерод - углерод, ¦ слои диэлектриков (15)
¦керамика и ¦
¦композиционные ¦
¦материалы с ¦
¦металлической ¦
¦матрицей ¦
¦ ¦
¦цементированный ¦ слои диэлектриков (15)
¦карбид ¦
¦вольфрама (16), ¦
¦карбид кремния ¦
¦ ¦
¦молибден и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦материалы окон ¦ слои диэлектриков (15),
¦датчиков (9) ¦ алмазоподобный углерод
¦ ¦
2.4. Физическое ¦суперсплавы ¦ сплавы силицидов, сплавы
осаждение ¦ ¦ алюминидов (2), MCrAlX (5)
паров: ¦ ¦
катодный ¦полимеры (11) и ¦ бориды, карбиды, нитриды,
дуговой ¦композиционные ¦ алмазоподобный углерод
разряд ¦материалы с ¦
¦органической ¦
¦матрицей ¦
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
3. Цементация ¦углерод - углерод, ¦ силициды, карбиды, смеси
(10) ¦керамика и ¦ перечисленных выше
¦композиционные ¦ материалов (4)
¦материалы с ¦
¦металлической ¦
¦матрицей ¦
¦ ¦
¦сплавы титана (13) ¦ силициды, алюминиды,
¦ ¦ сплавы алюминидов (2)
¦ ¦
¦тугоплавкие металлы ¦ силициды, оксиды
¦и сплавы (8) ¦
¦ ¦
4. Плазменное ¦суперсплавы ¦ MCrAlX (5),
напыление ¦ ¦ модифицированные виды
¦ ¦ циркония (12), смеси
¦ ¦ перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4), эрозионно
¦ ¦ стойкий никель - графит,
¦ ¦ эрозионно стойкие
¦ ¦ материалы, содержащие
¦ ¦ никель - хром - алюминий,
¦ ¦ эрозионно стойкий
¦ ¦ алюминий - кремний -
¦ ¦ полиэфир, сплавы
¦ ¦ алюминидов (2)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦алюминиевые ¦ MCrAlX (5),
¦сплавы (6) ¦ модифицированные виды
¦ ¦ циркония (12), силициды,
¦ ¦ смеси перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4)
¦ ¦
¦тугоплавкие металлы ¦ алюминиды, силициды,
¦и сплавы (8) ¦ карбиды
¦ ¦
¦коррозиестойкие ¦ модифицированные виды
¦стали (7) ¦ циркония (12), смеси
¦ ¦ перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4), МСrАlХ (5)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦титановые ¦ карбиды, алюминиды,
¦сплавы (13) ¦ силициды, сплавы
¦ ¦ алюминидов (2), эрозионно
¦ ¦ стойкий никель - графит,
¦ ¦ эрозионно стойкие
¦ ¦ материалы, содержащие
¦ ¦ никель - хром - алюминий,
¦ ¦ эрозионно стойкий
¦ ¦ алюминий - кремний -
¦ ¦ полиэфир
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
5. Осаждение ¦тугоплавкие металлы ¦ легкоплавкие силициды,
суспензии ¦и сплавы (8) ¦ легкоплавкие алюминиды
(шлама) ¦ ¦ (кроме материалов для
¦ ¦ теплостойких элементов)
¦ ¦
¦углерод - углерод, ¦ силициды, карбиды, смеси
¦керамика и ¦ перечисленных выше
¦композиционные ¦ материалов (4)
¦материалы с ¦
¦металлической ¦
¦матрицей ¦
¦ ¦
6. Металлизация ¦суперсплавы ¦ сплавы силицидов, сплавы
распылением ¦ ¦ алюминидов (2),
¦ ¦ благородные металлы,
¦ ¦ модифицированные
¦ ¦ алюминидами (3), MCrAlX
¦ ¦ (5), модифицированные виды
¦ ¦ циркония (12), платина,
¦ ¦ смеси перечисленных выше
¦ ¦ материалов (4)
¦ ¦
¦керамика и стекла с ¦ силициды, платина, смеси
¦малым коэффициентом ¦ перечисленных выше
¦расширения (14) ¦ материалов (4), слои
¦ ¦ диэлектриков (15),
¦ ¦ алмазоподобный углерод
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦титановые ¦ бориды, нитриды, оксиды,
¦сплавы (13) ¦ силициды, алюминиды,
¦ ¦ сплавы алюминидов (2),
¦ ¦ карбиды
¦ ¦
¦углерод - углерод, ¦ силициды, карбиды,
¦керамика и ¦ тугоплавкие металлы, смеси
¦композиционные ¦ перечисленных выше
¦материалы с ¦ материалов (4), слои
¦металлической ¦ диэлектриков (15), нитрид
¦матрицей ¦ бора
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦цементированный ¦ карбиды, вольфрам, смеси
¦карбид ¦ перечисленных выше
¦вольфрама (16), ¦ материалов (4), слои
¦карбид кремния ¦ диэлектриков (15), нитрид
¦ ¦ бора
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦молибден и его ¦ слои диэлектриков (15)
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ бориды, слои
¦сплавы ¦ диэлектриков (15),
¦ ¦ бериллий
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦материалы окон ¦ слои диэлектриков (15),
¦датчиков (9) ¦ алмазоподобный углерод
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
¦ ¦
¦тугоплавкие металлы ¦ алюминиды, силициды,
¦и сплавы (8) ¦ оксиды, карбиды
¦ ¦
7. Ионная ¦высокотемпературные ¦ добавки хрома, тантала или
имплантация ¦стойкие стали ¦ ниобия (колумбия в США)
¦ ¦
¦титановые ¦ бориды, нитриды
¦сплавы (13) ¦
¦ ¦
¦бериллий и его ¦ бориды
¦сплавы ¦
¦ ¦
¦цементированный ¦ карбиды, нитриды
¦карбид ¦
¦вольфрама (16) ¦
Примечания к таблице. 1. Процесс нанесения покрытия включает
как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление
существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или
многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или
элементы осаждается покрытие до или в течение процесса
алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия
с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное
использование одношагового процесса пакетной цементации для
получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными
алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором
благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-
либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые
материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов
нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M
эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X
эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве
или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в
различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома,
менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10
- 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10
- 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с
предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более,
измеренным при температуре 293 K (20 град. C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям,
удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института
железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по
300 различным показателям, или требованиям соответствующих
национальных стандартов для сталей.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их
сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал. (в
ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия),
кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия,
алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более
40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых
профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с
внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких как
оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в
соответствии с условиями стабильности определенных
кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом
смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются исключительно как
аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв
900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как
стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E-7 КЕ-1
или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным
изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что
используется для отражения, передачи или поглощения различных
волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из
четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции
диэлектрик - металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы,
применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида
вольфрама / (кобальт - никель), карбида титана / (кобальт -
никель), карбид хрома / (никель - хром) и карбид хрома / никель.
17. Не контролируется технология, специально разработанная для
нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного:
магнитные дисководы и головки, оборудование для производства
расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков
акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие
инструменты, пресс - формы для штамповки - прессования, офисное
автоматизированное оборудование, микрофоны или медицинские
приборы.
(п. 17 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447, в ред.
Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных
инструментов.
(п. 18 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин
применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические
материалы, содержащие 5% от веса или более, клей или цемент как
отдельные составляющие, а также их сочетания.
(п. 19 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в
графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются
следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой
поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал,
диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие.
Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности
изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы,
сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической
реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным
разрядом или лучом лазера.
Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает
следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым
потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое
термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с
применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с
участием плазмы;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких
составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в
беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями
и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда
на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в
вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого материала. В
результате процесса конденсат или покрытие осаждается на
соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в
вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в
большинстве модификаций процесса элементами сложного состава
покрытия. Использование ионного или электронного излучения или
плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом
процессе также свойственно большинству модификаций процесса
физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного
нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе
процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть
реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с
ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в
следующем:
а) при электронно - лучевом физическом осаждении для нагревания
и испарения материала, наносимого на изделие, используется
электронный луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка,
обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток
паров материала покрытия, используется электрическое
сопротивление;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
в) при парообразовании лазером для испарения материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный
лазерный луч;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся
разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с
заземленным пусковым устройством (триггером), используется
расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности
катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод
может быть коническим и располагаться по периферии катода через
изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного
управления нанесением изоляции используются изделия с
регулированием их положения.
Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не
относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с
фиксированным положением изделия;
д) ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется
для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное
смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих
покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых
материалов в камере, а также использование мониторов,
обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий)
оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным
модификациям процесса физического осаждения паров
термовыпариванием.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия
на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия,
когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в
пакет), которая состоит из:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град.
C) на время, достаточное для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление
может быть основано на напылении плазмой низкого давления или
высокоскоростной плазмой.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже
атмосферного;
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия
с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего
покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с
органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с
изделием посредством напыления, погружения или окраски с
последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для
достижения необходимых свойств покрытия.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле
по направлению к поверхности мишени (материала покрытия).
Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на
поверхности мишени требуемого покрытия.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о
триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением,
которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и
скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении
напыления, используемом при нанесении парообразующих
неметаллических материалов покрытий;
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения
покрытия.
7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав)
ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом
потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К
процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых
ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания
электронным лучом или металлизации распылением.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий:
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий,
продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии
(п. 1.4.4 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов,
указанных в таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры;
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
2.6. Контроль структуры покрытия
(п. 2.6 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно - временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки
для последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения
параметров является длина волны):
(п. 4.3 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.2.7.6. Исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
-------------T---------------------------------------T------------
N ¦ Наименование ¦Код товарной
позиции ¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэко -
¦ ¦номической
¦ ¦деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания. 1. Контрольный статус
оборудования и компонентов, указанных в
пункте 3.1, других, нежели те, которые
указаны в пунктах 3.1.1.1.3 -
3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12,
которые специально разработаны или
имеют те же самые функциональные
характеристики, как и другое
оборудование, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -
3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12,
программы которых не могут быть
изменены, или разработанных для
выполнения конкретных функций для
другого оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание. В тех случаях,
когда изготовитель или заявитель не
может определить контрольный статус
другого оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.12; если интегральная схема
является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда
8 бит или менее, то ее контрольный
статус должен определяться в
соответствии с пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания. 1. Контрольный статус
готовых пластин или полуфабрикатов для
их изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным в
пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире";
оптические интегральные схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) общую дозу 5 х 10E3 Гр (кремний)
[5 х 10E5 рад (кремний)] или выше; или
б) предел мощности дозы 5 х 10E6 Гр/с
(кремний) [5 х 10E8 рад (кремний)]/с
или выше;
(п. 3.1.1.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на полупроводниковых
соединениях, аналого - цифровые
преобразователи, цифроаналоговые
преобразователи, электронно -
оптические или оптические интегральные
схемы для обработки сигналов,
программируемые пользователем
логические устройства, интегральные
схемы для нейронных сетей, заказные
интегральные схемы, у которых функция
неизвестна либо производителю не
известно, распространяется ли
контрольный статус на аппаратуру, в
которой будут использоваться данные
интегральные схемы, процессоры быстрого
преобразования Фурье, интегральные
схемы электрически программируемых
постоянных запоминающих устройств
(ЭППЗУ), программируемые с
ультрафиолетовым стиранием, и
статических запоминающих устройств с
произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие
любую из следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125 град.
C);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55 град.
C); или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей среды
от 218 К (-55 град. C) до 398 К
(+125 град. C)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные схемы,
применяемые для гражданских автомобилей
и железнодорожных поездов;
(п. 3.1.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3
включает процессоры цифровых сигналов,
цифровые матричные процессоры и
цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 854211870
производительность (СТП) 6500 млн.
теоретических операций в секунду
(Мтопс) или более и арифметико -
логическое устройство с длиной выборки
32 бита или более;
(в ред. Указов Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, от 28.09.2001
N 1156)
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542
соединениях и работающие на тактовой
частоте, превышающей 40 МГц; или
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, 854211760
или порт последовательной связи,
которые обеспечивают прямое внешнее
межсоединение между параллельными
микросхемами микропроцессоров со
скоростью передачи, превышающей 150
Мбит/с
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 854211550;
изготовленные на полупроводниковых 854211720;
соединениях; 854211760
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого - 854211830 -
цифровых и цифро - аналоговых 854211870;
преобразователей, такие, как: 854211990;
а) аналого - цифровые преобразователи, 854220100;
имеющие любую из следующих 854220900
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования менее 5 нс;
(в ред. Указов Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, от 28.09.2001
N 1156)
2) разрешающую способность 12 бит с
общим временем преобразования менее 200
нс; или
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3) разрешающую способность более 12 бит
с общим временем преобразования менее 2
мкс;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
б) цифро - аналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит и более
и временем выхода на установившийся
режим менее 10 нс;
Технические примечания. 1.
Разрешающая способность n битов
n
соответствует 2 уровням квантования
2. Общее время преобразования является
обратной величиной разрешающей
способности
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
3.1.1.1.6. Электронно - оптические и оптические 854219
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно все
перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний светочувствительный
элемент или более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 854211300
логические устройства, имеющие любую из
следующих характеристик:
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000
N 1477)
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые);
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс; или
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
в) частоту переключения, превышающую
133 МГц
(пп. "в" введен Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.7
включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС)
(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Особое примечание. Программируемые
пользователем логические устройства
также известны как программируемые
пользователем вентильные или
программируемые пользователем
логические матрицы
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
3.1.1.1.8. Исключен;
(п. 3.1.1.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 854219
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых 854219
функция неизвестна либо производителю
неизвестно, распространяется ли
контрольный статус на аппаратуру, в
которой будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) свыше 1000 выводов;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,1 нс; или
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 854211990
отличающиеся от указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,
созданные на основе какого-либо
полупроводникового соединения и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 3000 (в пересчете на
двухвходовые); или
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
б) частоту переключения, превышающую
1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 854211810;
Фурье, имеющие расчетное время 854211830
выполнения комплексного N-точечного 854211850;
сложного быстрого преобразования Фурье 854211870
менее (N log2 N)/20480 мс, где N -
число точек
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
а) исключен. - Указ Президента РФ от
28.09.2001 N 1156;
б) исключен. - Указ Президента РФ от
28.09.2001 N 1156;
в) исключен. - Указ Президента РФ от
28.09.2001 N 1156
Техническое примечание. В случае,
когда N равно 1024 точкам, формула в
пункте 3.1.1.1.12 дает результат
времени выполнения 500 мкс
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001
N 1156)
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие, как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные
лампы и катоды:
Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, разработанные или
спроектированные для работы в любом
диапазоне частот, который удовлетворяет
всем следующим характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц; и
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 854049000
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со
временем от включения до выхода лампы
на предельную радиочастотную мощность
менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с относительной
шириной полосы частот более 7% или
пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
г) спиральные лампы или их модификации,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более одной
октавы и произведение средней мощности
(выраженной в кВт) на рабочую частоту
(выраженную в ГГц) более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы - усилители магнетронного типа с 854041000
коэффициентом усиления более 17 дБ;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540990000
разработанные для электронных ламп,
имеющих плотность тока при непрерывной
эмиссии и штатных условиях
функционирования, превышающую 5 А/кв.
см
(п. 3.1.1.2.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 854049000
модули, имеющие все следующее:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
а) содержащие твердотельные
интегральные схемы, имеющие один или
более чем один элемент активных цепей;
и
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) работающие на частотах выше 3 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.2
не контролируются схемы или модули для
оборудования, разработанного или
спроектированного для работы в любом
диапазоне частот, который удовлетворяет
всем следующим характеристикам:
а) не превышает 31 ГГц; и
б) распределен Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование, разработанное
или спроектированное для работы в
полосе частот от 40,5 до 42,5 ГГц;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 854049000
предназначенные для работы на частотах,
превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 854049000
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах свыше
10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол - октавы;
б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 854049000
настройкой, содержащие более пяти
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе
частот с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin)
менее чем за 10 мкс, имеющие любую из
следующих составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 854049000
работать на частотах, превышающих
31 ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 854049000
разработанные для расширения частотного
диапазона аппаратуры, указанной в
пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 854081000
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной мощности,
превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб. см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
разработанная или спроектированная для
работы в любом диапазоне частот,
распределенном Международным союзом
электросвязи для обслуживания
радиосвязи, но не для радиоопределения
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 28.09.2001
N 1156)
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 854160000
волнах и на акустических волнах в
тонкой подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250 МГц;
или
4) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000
(т.е. приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в
материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов на
частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 854280000
компоненты, изготовленные из
сверхпроводящих материалов, специально
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) исключен. - Указ Президента РФ от
09.08.2000 N 1477;
а) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в
ваттах) ниже 10E-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 850619900
элементах, такие как:
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг и
пригодные по техническим условиям для
работы в диапазоне температур от 243 K
(-30 град. C) и ниже до 343 K
(70 град. C) и выше
Техническое примечание. Плотность
энергии определяется путем умножения
средней мощности в ваттах (произведение
среднего напряжения в вольтах на
средний ток в амперах) на длительность
цикла разряда в часах, при котором
напряжение на разомкнутых клеммах
падает до 75% от номинала, и деления
полученного произведения на общую массу
элемента (или батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг
после 75 циклов заряда - разряда при
токе разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер - часах),
при работе в диапазоне температур от
253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K
(60 град. C) и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с удельной
мощностью свыше 160 Вт/кв. м при
рабочей температуре 301 K (28 град. C)
и вольфрамовом источнике, нагретом до
2800 K (2527 град. C) и создающем
энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не
контролируются батареи объемом
27 куб. см и меньше (например,
стандартные угольные элементы или
батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 850619900;
850780900
а) накопители с частотой повторения
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее
5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда - разряда
не менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально спроектированные
на полный заряд или разряд менее чем за
одну секунду, имеющие все
нижеперечисленные характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию свыше
8 Т или суммарную плотность тока в
обмотке больше 300 А/кв. мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально спроектированные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного 903180310
углового положения вала в код, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от полного
диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +/- 2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900
аналоговой аппаратуры, включая
аппаратуру с возможностью записи
цифровых сигналов (например,
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на
электронный канал или дорожку, при
числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(EIA), менее +/- 0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются как
записывающая аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;
максимальную пропускную способность 852190000
цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие формат сигнала,
который может включать сжатие формата
сигнала, стандартизированный или
рекомендуемый для применения в
гражданском телевидении Международным
союзом электросвязи, Международной
электротехнической комиссией,
Организацией инженеров по развитию кино
и телевидения, Европейским союзом
радиовещания или Институтом инженеров
по электротехнике и радиоэлектронике;
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;
или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются аналоговые накопители на
магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для преобразования
в цифровую запись высокой плотности и
предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000
способностью цифрового интерфейса свыше
175 Мбит/с, спроектированная в целях
переделки цифровых видеомагнитофонов
для использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 854380900
цифровую форму и записи переходных
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму не менее 200 млн. проб в секунду
и разрешение 10 или более проб в
секунду; и
б) пропускную способность не менее
2 Гбит/с
Техническое примечание. Для таких
приборов с архитектурой на параллельной
шине пропускная способность есть
произведение наибольшего объема слов на
количество бит в слове. Пропускная
способность - это наивысшая скорость
передачи данных аппаратуры, с которой
информация поступает в запоминающее
устройство без потерь при сохранении
скорости выборки и аналого - цифрового
преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 854380900
частоты, имеющие время переключения с
одной заданной частоты на другую менее
1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 854380900
а) способные анализировать частоты,
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов с
полосой пропускания в реальном времени,
превышающей 500 кГц
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Примечание. По подпункту "б" пункта
3.1.2.3 не контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей (известны также как
октавные или дробно - октавные фильтры)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Техническое примечание исключено. -
Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 854320000
частот, формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую частоту
более 31 ГГц;
б) время переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в
единицах дБ x с/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо путем
сложения или вычитания частот с двух
или более кварцевых генераторов, либо
путем сложения или вычитания с
последующим умножением результирующей
частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 854380900
рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники - тестеры, 852790990
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 854320000
из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10E-11 в
месяц; или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
стандарты, не предназначенные для
космического применения
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых приборов
или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка для
них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания, такие,
как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 841989900
толщину слоя с отклонением не более
+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 841989900
металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно - лучевые установки 841780100
эпитаксиального выращивания,
использующие газовые или твердые
источники
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 845610000
программой, специально предназначенные
для ионной имплантации, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) энергию излучения (ускоряющее
напряжение) свыше 1 МэВ;
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с энергией
излучения (ускоряющим напряжением) ниже
2 кэВ;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной 845690000
плазмой, управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с критической
величиной отклонения размера 0,3 мкм
или менее при среднеквадратичной
погрешности 3сигма = +/- 5%; или
(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв. см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные или оптимизированные
для производства структур с критической
величиной отклонения размера 0,3 мкм
или менее при среднеквадратичной
погрешности 3сигма = +/- 5%; или
(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв. см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.2.1.4. Установки химического парофазового 845690000
осаждения и плазменной стимуляции,
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической величиной
отклонения размера 0,3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3сигма = +/- 5%; или
(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв. см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разработанные в соответствии с
техническими условиями производителя
или оптимизированные для производства
структур с критической величиной
отклонения размера 0,3 мкм или менее
при среднеквадратичной погрешности
3сигма = +/- 5%; или
(пп. 1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
2) разработанные для обеспечения
дефектности поверхности менее 0,04
частицы на кв. см для частиц размером
более 0,1 мкм в диаметре;
(пп. 2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610000;
автоматически загружаемые многокамерные 845690000
системы с центральной загрузкой
пластин, имеющие все следующие
составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки
пластин, к которым присоединяется более
двух единиц оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной
системы последовательной
многопозиционной обработки пластин в
вакуумной среде
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы загрузки
пластин, не предназначенные для работы
в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 900922900
экспонирования (прямого
последовательного шагового
экспонирования) или шагового
сканирования (сканеры) для обработки
пластин методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие любую
из следующих составляющих:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) источник света с длиной волны короче
350 нм; или
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
б) способность воспроизводить рисунок с
минимальным размером разрешения от
0,5 мкм и менее
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Техническое примечание. Минимальный
размер разрешения (МРР) рассчитывается
по следующей формуле:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(экспозиция источника освещения с
длиной волны в мкм) x (К фактор)
МРР = ---------------------------------
цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные 845610000
для производства шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча, пучка
ионов или лазерного луча, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок с
минимальными разрешенными проектными
нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше
+/- 0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,
разработанные для интегральных схем,
контролируемых по пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090000
слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания готовых
или находящихся в разной степени
изготовления полупроводниковых
приборов, и специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 903180390
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 903180390
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам истинности) с
частотой тестирования строк более
333 МГц
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для
испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
в) запоминающих устройств;
(пп. "в" введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Техническое примечание. Для целей
этого пункта оценочной характеристикой
является максимальная частота цифрового
режима работы тестера, поэтому она
является эквивалентом наивысшему
значению оценки, которое может
обеспечить тестер во внемультиплексном
режиме. Она также относится к скорости
испытания, максимальной цифровой
частоте или к максимальной цифровой
скорости
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9031200000;
интегральных схем, контролируемых по 9031803900
пункту 3.1.1.2.2;
(п. 3.2.2.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Примечание. Исключено. - Указ
Президента РФ от 09.08.2000 N 1477
3.2.2.4. Исключен. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N 1477
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими любую
из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 381800900
3.3.1.2. Германий; 381800900
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818009000
(п. 3.3.1.3 введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или 381800900
индия
Техническое примечание. Соединения
III/V - это поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты, состоящие
из элементов групп IIIA и VA
периодической системы Менделеева (по
отечественной классификации это группы
A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид
галлия, фосфид индия и т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки, покрытые
контролируемыми резистами, такие, как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для 854140990
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования на
спектральную чувствительность менее
350 нм;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 854140990
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или
лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 854150990
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 854140990
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества мокрого
и сухого проявления
3.3.3. Органо - неорганические компаунды,
такие, как:
3.3.3.1. Органо - металлические соединения на 293100900
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы свыше
99,999%;
3.3.3.2. Органо - мышьяковистые, органо - 293100900
сурьмянистые и органо - фосфорные
соединения с чистотой органической
элементной основы свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения, чей
металлический, частично металлический
или неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом в
органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 284890000;
имеющие чистоту свыше 99,999% даже 285000100
после растворения в инертных газах или
водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие 20%
и более молей инертных газов или
водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -
3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по
пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), имеющее все следующие
составляющие:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.4.3.1. Спроектировано для разработки
полупроводниковых приборов или
интегральных схем; и
(п. 3.4.3.1 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.4.3.2. Спроектировано для выполнения или
использования любой из следующих
составляющих:
а) правил проектирования или правил
проверки схем;
б) моделирования схем по их физической
топологии; или
в) имитаторов литографических процессов
для проектирования;
(п. 3.4.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.4.3.3. Исключен. - Указ Президента РФ от 28.09.2001 N 1156
Примечания. 1. По пункту 3.4.3 не
контролируется программное обеспечение,
специально созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки), проверки
топологии или размножения шаблонов
2. Библиотеки, проектные атрибуты или
сопутствующие данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
3.1, 3.2 или 3.3
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Примечание. По пункту 3.5.1 и
пункту 3.5.2 не контролируются
технологии разработки или производства:
(в ред. Указов Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, от 28.09.2001
N 1156)
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых по
пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих
оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы 0,7 мкм
или выше; и
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2) не содержащие многослойных структур
Техническое примечание. Термин
"многослойные структуры" в подпункте 2
пункта "б" примечания не включает
приборы, содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3.5.2. Технологии, соответствующие общему
технологическому примечанию, другие,
чем те, которые контролируются по
пункту 3.5.1, для разработки или
производства микропроцессорных
микросхем, микрокомпьютерных микросхем
и микросхем микроконтроллеров, имеющих
совокупную теоретическую
производительность (СТП) 530 Мтопс или
более и арифметико - логическое
устройство с длиной выборки 32 бита или
более
(п. 3.5.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
3.5.3. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на
диэлектрике (КНД - структур) для
интегральных схем с диэлектриком из
двуокиси кремния;
е) подложек из карбида кремния для
электронных компонентов
(п. 3.5.3 введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее
оборудование или программное
обеспечение, задействованные в
телекоммуникациях или локальных
вычислительных сетях, должны быть также
проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации)
2. Устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не
входят в понятие телекоммуникационной
аппаратуры, рассматриваемой в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации);
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Особое примечание. Для определения
контрольного статуса программного
обеспечения, которое специально создано
для коммутации пакетов, следует
использовать пункт 5.4.1
3. ЭВМ, сопутствующее оборудование или
программное обеспечение, выполняющие
функции криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой защиты
информации или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть также
проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 2
Категории 5 (Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее
оборудование, а также электронные
сборки и специально разработанные для
них компоненты:
4.1.1.1. Специально созданные для достижения 847110;
любой из следующих характеристик: 847120
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше
358 K (85 град. C)
Примечание. По подпункту "а" пункта
4.1.1.1 не контролируются ЭВМ,
специально созданные для гражданских
автомобилей или железнодорожных
поездов;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) радиационно стойкие, превышающие
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5 х 10E3 Гр
(кремний) [5 х 10E5 рад (кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5 х 10E6 Гр/с
(кремний) [5 х 10E8 рад (кремний)]/с;
или
3) сбой от высокоэнергетической частицы
10E-7 ошибок / бит / день;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
4.1.1.2. Имеющие характеристики или 847110;
функциональные особенности, 847120
превосходящие пределы, указанные в
части 2 Категории 5 (Защита информации)
Примечание. По пункту 4.1.1.2 не
контролируются цифровые персональные
ЭВМ и относящееся к ним оборудование,
когда они вывозятся пользователями для
своего индивидуального использования
(примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки и 847110
специально разработанные для них
компоненты:
а) имеющие в своем составе цифровые
ЭВМ, которые контролируются по пункту
4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого - цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более; и
2) разрешающей способностью 14 бит
(плюс знаковый разряд) или выше со
скоростью 200000 преобразований/с или
выше
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
Примечания. 1. Пункт 4.1.3
включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) цифровые центральные процессоры;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества
изображения;
е) оборудование для обработки сигналов
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или
сопутствующего оборудования, описанных
в пункте 4.1.3, определяется
контрольным статусом другого
оборудования или других систем в том
случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование необходимы для работы
другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее
оборудование не являются основным
элементом другого оборудования или
других систем; и
в) технология для цифровых ЭВМ и
сопутствующего оборудования подпадает
под действие пункта 4.5
Особые примечания. 1. Контрольный
статус оборудования обработки сигналов
или улучшения качества изображения,
специально спроектированного для
другого оборудования с функциями,
ограниченными функциональным
назначением другого оборудования,
определяется контрольным статусом
другого оборудования, даже если первое
соответствует критерию основного
элемента
2. Для определения контрольного статуса
цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования для телекоммуникационной
аппаратуры см. часть 1 Категории 5
(Телекоммуникации)
4.1.3.1. Спроектированные или модифицированные 8471
для обеспечения отказоустойчивости (кроме
847110)
Примечание. Применительно к пункту
4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее
оборудование не считаются
спроектированными или модифицированными
для обеспечения отказоустойчивости,
если в них используется любое из
следующего:
а) алгоритмы обнаружения или
исправления ошибок, хранимые в
оперативной памяти;
б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая,
что если активный центральный процессор
отказывает, ждущий, но отслеживающий
центральный процессор может продолжить
функционирование системы;
в) взаимосвязь двух центральных
процессоров посредством каналов
передачи данных или с применением общей
памяти, чтобы обеспечить одному
центральному процессору возможность
выполнять другую работу, пока не
откажет второй центральный процессор,
тогда первый центральный процессор
принимает его работу на себя, чтобы
продолжить функционирование системы;
или
г) синхронизация двух центральных
процессоров, объединенных посредством
программного обеспечения так, что один
центральный процессор распознает, когда
отказывает другой центральный
процессор, и восстанавливает задачи
отказавшего устройства;
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (СТП) (кроме
свыше 28000 Мтопс; 847110)
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477, от 28.09.2001 N 1156)
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или модифицированные (кроме
для повышения производительности путем 847110)
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3
распространяется только на электронные
сборки и программируемые взаимосвязи,
не превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок. Он
не применим к электронным сборкам,
конструкция которых пригодна только для
использования в качестве сопутствующего
оборудования, контролируемого по
пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются
электронные сборки, специально
спроектированные для продукции или
целого семейства продукции,
максимальная конфигурация которых не
превышает пределы, указанные в пункте
4.1.3.2;
4.1.3.4. Графические акселераторы или 854380900
графические сопроцессоры, превышающие
скорость исчисления трехмерных
векторов, равную 200000000;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
4.1.3.5. Оборудование, выполняющее 852520900
аналого - цифровые преобразования,
превосходящее пределы, указанные в
пункте 3.1.1.1.5;
4.1.3.6 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
4.1.3.7. Аппаратура, специально разработанная 847199900
для обеспечения внешней взаимосвязи
цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования, которые в коммуникациях
имеют скорость передачи данных свыше
1,25 Гбайт/с
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 28.09.2001
N 1156)
Примечание. По пункту 4.1.3.7 не
контролируется оборудование внутренней
взаимосвязи (например, объединительные
платы, шины), оборудование пассивной
взаимосвязи, контроллеры доступа к сети
или контроллеры каналов связи
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
4.1.4. Нижеперечисленные ЭВМ, специально 8471
спроектированное сопутствующее
оборудование, электронные сборки и
компоненты для них:
4.1.4.1. ЭВМ с систолической матрицей;
4.1.4.2. Нейронные ЭВМ;
4.1.4.3. Оптические ЭВМ
4.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование - нет
4.3. Материалы - нет
4.4. Программное обеспечение
Примечание. Контрольный статус
программного обеспечения для
разработки, производства или
использования оборудования, указанного
в других категориях, определяется по
описанию соответствующей категории. В
данной категории дается контрольный
статус программного обеспечения для
оборудования этой категории
4.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
использования оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
4.4.2. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для поддержки технологии,
контролируемой по пункту 4.5
4.4.3. Специальное программное обеспечение,
такое, как:
4.4.3.1. Программное обеспечение операционных
систем, инструментарий разработки
программного обеспечения и компиляторы,
специально разработанные для
оборудования многопоточной обработки
данных в исходных кодах;
4.4.3.2. Исключен;
(п. 4.4.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
4.4.3.3. Программное обеспечение, имеющее
характеристики или выполняющее функции,
которые превосходят пределы, указанные
в части 2 Категории 5 (Защита
информации);
Примечание. По пункту 4.4.3.3 не
контролируется программное обеспечение,
когда оно вывозится пользователями для
своего индивидуального использования
(примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
4.4.3.4. Операционные системы, специально
разработанные для оборудования
обработки в реальном масштабе времени,
гарантирующие время обработки полного
прерывания менее 20 мкс
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки,
производства или использования
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пункту
4.1 или 4.4
Техническое примечание (по вычислению совокупной
теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое
устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного
элемента);
СТП - совокупная теоретическая производительность (всех
вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
x - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП
выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС
выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах
теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной
теоретической производительности конфигурации вычислительных
элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого
вычислительного элемента (ВЭ);
2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой
скорости (R), что даст в результате теоретическую
производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ);
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной
конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента.
Подробное описание этих процедур приведено ниже.
Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных
элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы,
вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей
памятью объединяются в группы, затем с использованием
предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих
общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых
ограничена скоростью работы устройства ввода - вывода данных и
периферийных функциональных блоков (например, дисковода,
контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при
вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета
эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного
элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
--------------------------------T---------------------------------
Для вычислительных ¦ Эффективная скорость
элементов, реализующих: ¦ вычислений
--------------------------------+---------------------------------
только ФЗ 1/[3 x (время сложения ФЗ)]
если операции сложения нет,
то через умножение:
(Rфз) 1/(время умножения ФЗ)
если нет ни операции сложения,
ни операции умножения, то Rфз
рассчитывается через самую
быструю из имеющихся
арифметических операций:
1/[3 x (время операции ФЗ)]
см. примечания X и Z
только ПЗ МАХ {1/(время сложения ПЗ),
(Rпз) 1/(время умножения ПЗ)}
см. примечания X и Y
и ФЗ, и ПЗ вычисляется как Rфз, так и Rпз
(R)
Для простых логических 1/[3 x (время логической
процессоров, не выполняющих операции)]
указанные арифметические
операции здесь время логической операции -
это время выполнения операции
"исключающее ИЛИ", а если ее нет,
то берется самая быстрая простая
логическая операция
см. примечания Х и Z
Для специализированных R = R' x ДС/64,
логических процессоров, не где R' - число результатов
выполняющих указанные в секунду
арифметические и логические ДС - число битов, над которым
операции выполняется логическая
операция
64 - коэффициент,
нормализующий под
64-разрядную операцию
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо
Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки
данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость
обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну
арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость
вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше,
чем без ее использования.
Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют
многократные арифметические операции за один цикл (например, два
сложения за цикл), время решения t вычисляется как:
время цикла
t = -------------------------------------
число арифметических операций в цикле
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы
арифметических или логических операций в одном машинном цикле,
должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих
одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции
сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из
которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за
один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и
векторные функции, то используют значение самого короткого времени
исполнения.
Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни
умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
Rпз = 1/(время деления ПЗ)
Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3,
умножение П3 или деление П3, тогда
Rпз = 1/(время обратной величины ПЗ)
Если нет и деления, то используется эквивалентная операция.
Если ни одна из указанных команд не используется, то Rпз = 0.
Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в
которой в одной команде выполняется одно логическое действие не
более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая
операция - это операция, в которой в одной команде выполняются
многократные логические действия над двумя или более операндами и
выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений
рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов,
рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и
непоследовательные операции, использующие самые короткие операции
для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Последовательные, или операции регистр - регистр.
Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для
операций на заранее определенном операнде или операндах (например,
умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет,
следует руководствоваться пунктом 2;
2. Самая быстрая операция регистр - память или память -
регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3;
3. Память - память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие
операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с
учетом корректировки длины слова L:
ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это
длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды
разной длины, пользуйтесь максимальной ДС).
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с
плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним
вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной
количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при
вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим
процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется.
В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (Rфз);
Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (Rпз);
Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
Каждого простого логического процессора, не использующего ни
одной из указанных арифметических операций; и
Каждого специализированного логического процессора, не
использующего ни одной из указанных арифметических или логических
операций.
Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТПфз, ТПпз)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП
вычисляется следующим образом:
Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно
не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация
с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной
конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как
максимально возможное теоретическое значение.
Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ
работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ,
начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве
циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ.
Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в
течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией.
При определении результата должны приниматься в расчет все
технические средства и (или) схема ограничения целостности
перекрывающихся операций.
2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата
может содержать множество ВЭ.
3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если
изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по
эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных,
параллельных или одновременных операций или действий.
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ,
взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные
сети, объединенные устройствами ввода - вывода, контроллерами
ввода - вывода и любыми другими взаимосвязанными системами
передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ,
специально разработанных для повышения их характеристик за счет
объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной
памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем
использования специально разработанных технических средств. Это не
относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
СТП = ТП1 + C2 х ТП2 + ... + Cn х ТПn,
где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1,
имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая
наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой
взаимосвязей между ВЭ следующим образом:
Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих
общую память: C2 = C3 = C4 = ...= Cn = 0,75.
Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и
величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена
дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню
квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего
доступа при условии:
а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая
кэш - память) осуществляется по общему каналу; и
в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в
любое данное время.
Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам,
контролируемым по Категории 3.
2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к
общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в
себя кэш - память, оперативную память или иную внутреннюю память.
Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с
произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти,
взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
Сi = 0,75 x ki (i = 2,...,32) (см. примечание ниже)
= 0,60 x ki (i = 33,...,64)
= 0,45 x ki (i = 65,...,256)
= 0,30 x ki (i > 256)
Величина Сi основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,
где ki = min (Si/Kr , 1); и
Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек)
для всех информационных каналов, связывающих i-ый ВЭ или группу
ВЭ, имеющих общую память.
Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе
определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации
групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать
ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп -
0,60.
Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого
быстрого к самому медленному, то есть:
ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и
в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому
маленькому, т.е.
Ci >= Ci + 1
Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ
или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен
0,75
-------------T---------------------------------------T------------
N ¦ Наименование ¦Код товарной
позиции ¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэко -
¦ ¦номической
¦ ¦деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 5
Часть 1. Телекоммуникации
Примечания. 1. В части 1 Категории
5 определяется контрольный статус
компонентов, лазерного, испытательного
и производственного оборудования,
материалов и программного обеспечения,
специально разработанных для
телекоммуникационного оборудования или
систем
2. В тех случаях, когда для
функционирования или поддержки
телекоммуникационного оборудования,
указанного в этой категории, и его
обеспечения важное значение имеют
цифровые ЭВМ, связанное с ними
оборудование или программное
обеспечение, которые рассматриваются в
качестве специально спроектированных
компонентов при условии, что они
являются стандартными моделями, обычно
поставляемыми производителем. Имеются в
виду функционирование,
администрирование, эксплуатация,
проектирование или правовые вопросы
компьютерных систем
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.1. Телекоммуникационное оборудование,
имеющее любые из следующих
характеристик, свойств или качеств:
а) специально разработанное для защиты 8517;
от транзисторных электронных эффектов 852520900;
или электромагнитных импульсных 852790990;
эффектов, возникающих при ядерном 854380900
взрыве;
б) специально повышенной стойкости к 8517;
гамма-, нейтронному или ионному 852520900;
излучению; или 852790990;
854380900
в) специально разработанное для 8471;
функционирования за пределами интервала 852520900;
температур от 218 K (-55 град. C) до 852790990;
397 K (124 град. C) 854380900
Примечания: 1. В пункте 5.1.1.1
подпункт "в" применяется только к
электронной аппаратуре
2. По подпунктам "б" и "в" пункта
5.1.1.1 не контролируется оборудование,
предназначенное или модифицированное
для использования на борту спутников;
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие системы
и аппаратура и специально разработанные
компоненты и принадлежности, имеющие
любые из следующих характеристик,
свойств или качеств:
Примечание исключено. - Указ
Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.1 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.1. Наличие систем подводной связи, имеющих 901580910
любую из следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) акустическую несущую частоту за
пределами интервала от 20 до 60 кГц;
б) использующие электромагнитную
несущую частоту менее 30 кГц; или
в) использующие методы электронного
сканирования луча
5.1.1.2.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.4 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.5 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.6 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.2.2. Наличие радиоаппаратуры, 852520900
функционирующей в диапазоне частот
1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую из
следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) включающая адаптивные методы,
обеспечивающие более 15 дБ подавления
помехового сигнала; или
б) имеющая все следующие составляющие:
1) автоматически прогнозируемые и
выбираемые значения частоты и общей
скорости цифровой передачи для ее
оптимизации; и
2) встроенный линейный усилитель
мощности, способный одновременно
поддерживать множественные сигналы с
выходной мощностью 1 кВт или более в
диапазоне частот 1,5 - 30 МГц или
250 Вт или более в диапазоне частот
30 - 87,5 МГц, свыше предельной полосы
пропускания в одну октаву или более и с
соотношением гармоник и искажений на
выходе лучше - 80 дБ;
5.1.1.2.3. Наличие радиоаппаратуры, использующей 852520900
методы расширения спектра, включая
методы скачкообразной перестройки
частоты, имеющей любую из следующих
характеристик:
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000
N 1477)
а) коды расширения, программируемые
пользователем; или
б) общую ширину полосы передачи частот,
в 100 или более раз превышающую полосу
частот любого одного информационного
канала и составляющую более 50 кГц
Примечания. 1. По подпункту "б"
пункта 5.1.1.2.3 не контролируется
оборудование, специально разработанное
для использования в коммерческих
гражданских сотовых
радиокоммуникационных системах
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000
N 1477)
2. По пункту 5.1.1.2.3 не
контролируется оборудование,
спроектированное для работы с выходной
мощностью 1,0 Вт или менее;
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
5.1.1.2.4. Наличие радиоприемников с цифровым 852520900
управлением, имеющих все следующие
характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) более 1000 каналов;
б) время переключения частоты менее
1 мс;
в) автоматический поиск или
сканирование в части электромагнитного
спектра; и
г) возможность идентификации принятого
сигнала или типа передатчика
Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не
контролируется оборудование, специально
разработанное для использования в
коммерческих гражданских сотовых
радиокоммуникационных системах;
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000
N 1477)
5.1.1.2.5. Использующие функции цифровой обработки 852520900
сигнала для обеспечения кодирования
речи со скоростью менее 2400 бит/с
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.1.1.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.1.3. Волоконно - оптические кабели связи, 900110900;
оптические волокна и принадлежности, 854470000
такие как:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) оптические волокна и кабели длиной
более 500 м, способные выдерживать
напряжение на растяжение 2 х 1E9 Н/кв.
м или более в контрольном тесте
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Техническое примечание.
Контрольный тест - проверка на стадиях
изготовления или после изготовления,
которая заключается в приложении
заданного напряжения к волокну длиной
от более 0,5 до 3 м на скорости хода от
2 до 5 м/с при прохождении между
ведущими валами приблизительно 150 мм в
диаметре. Окружающая среда имеет
номинальные значения температуры 293 К
и относительной влажности 40%. Для
выполнения проверочного теста могут
использоваться соответствующие
национальные стандарты;
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
Особое примечание. Исключено. -
Указ Президента РФ от 09.08.2000
N 1477
б) волоконно - оптические кабели и
принадлежности, разработанные для
использования под водой
Примечание. По подпункту "б" пункта
5.1.1.3 не контролируются стандартные
телекоммуникационные кабели и
принадлежности для гражданского
использования
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Особые примечания. 1. Для подводных
кабельных разъемов и соединителей для
них см. пункт 8.1.2.1.3.
2. Для волоконно - оптических корпусных
разъемов и соединителей см. пункт
8.1.2.3;
(особые примечания в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.1.1.4. Антенные фазированные решетки с 852910900
электронным сканированием луча,
функционирующие на частотах свыше
31 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Примечание. По пункту 5.1.1.4 не
контролируются антенные фазированные
решетки для систем посадки с
аппаратурой, удовлетворяющей стандартам
Международной организации гражданской
авиации (ИКАО), перекрывающим системы
посадки СВЧ - диапазона (MLS)
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
5.2.1.1. Оборудование и специально разработанные
компоненты или принадлежности для него,
специально предназначенные для
разработки, производства или
использования оборудования, функций или
свойств, контролируемых по части 1
Категории 5
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Примечание. По пункту 5.2.1.1 не
контролируются оптические волокна и
волоконно - оптические заготовки для
оборудования, не использующего
полупроводниковые лазеры
5.2.1.2. Оборудование и специально
спроектированные компоненты или
принадлежности для него, специально
предназначенные для разработки любого
из следующего телекоммуникационного
оборудования передачи данных или
управляемого встроенной программой
коммутационного оборудования:
(п. 5.2.1.2 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1.2.1. Оборудования, использующего цифровую
технику, включающую асинхронный режим
передачи, предназначенную для
выполнения операций с общей скоростью
цифровой передачи, превышающей 1,5
Гбит/с;
(п. 5.2.1.2.1 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1.2.2. Оборудования, использующего лазер и
имеющего любую из следующих
составляющих:
а) длину волны передачи данных,
превышающую 1750 нм;
б) исполнение оптического усиления;
в) использование техники когерентной
оптической передачи или когерентного
оптического детектирования (известного
также как техника оптического
гетеродина или гомодина); или
г) использование аналоговой техники и
наличие ширины полосы пропускания свыше
2,5 ГГц
Примечание. По подпункту "г" пункта
5.2.1.2.2 не контролируется
оборудование, специально
предназначенное для разработки систем
коммерческого телевидения;
(п. 5.2.1.2.2 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1.2.3. Оборудования, использующего оптическую
коммутацию;
(п. 5.2.1.2.3 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1.2.4. Радиоаппаратуры, использующей методы
квадратурно - амплитудной модуляции с
уровнем выше 128
(п. 5.2.1.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
5.2.1.2.5. Оборудования, использующего передачу
сигнала по общему каналу,
осуществляемую либо в несвязанном, либо
в квазисвязанном режиме работы
(п. 5.2.1.2.5 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.3.1. Материалы - нет
(п. 5.3.1 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.3.1.1 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.4.1. Программное обеспечение
5.4.1.1. Программное обеспечение, специально
созданное или модифицированное для
разработки, производства или
использования оборудования, операций
или устройств, контролируемых по части
1 Категории 5
5.4.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
поддержки технологий, контролируемых по
пункту 5.5.1
5.4.1.3. Специальное программное обеспечение,
такое, как:
5.4.1.3.1 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.4.1.3.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
обеспечения характеристик, функций или
свойств аппаратуры, контролируемой по
пункту 5.1.1 или 5.2.1;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1.3.2. Исключен;
(п. 5.4.1.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
5.4.1.3.3. Программное обеспечение в отличной от
машиноисполняемой форме, специально
разработанное для динамической
адаптивной маршрутизации
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Особое примечание исключено. - Указ
Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.4.1.4. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки любого из следующего
телекоммуникационного оборудования
передачи данных или управляемого
встроенной программой коммутационного
оборудования:
(п. 5.4.1.4 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1.4.1. Оборудования, использующего цифровую
технику, включающую асинхронный режим
передачи, предназначенную для
выполнения операций с общей скоростью
цифровой передачи, превышающей 1,5
Гбит/с;
(п. 5.4.1.4.1 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1.4.2. Оборудования, использующего лазер и
имеющего любую из следующих
составляющих:
а) длину волны передачи данных,
превышающую 1750 нм;
б) использование аналоговой техники и
наличие ширины полосы пропускания свыше
2,5 ГГц
Примечание. По подпункту "б" пункта
5.4.1.4.2 не контролируется программное
обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки систем коммерческого
телевидения;
(п. 5.4.1.4.2 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1.4.3. Оборудования, использующего оптическую
коммутацию;
(п. 5.4.1.4.3 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1.4.4. Радиоаппаратуры, использующей методы
квадратурно - амплитудной модуляции с
уровнем выше 128
(п. 5.4.1.4.4 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
5.5.1. Технология
5.5.1.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки,
производства или использования
(исключая функционирование)
оборудования, операций или свойств,
или программного обеспечения,
контролируемых по части 1 Категории 5;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.2. Отдельные виды технологий, такие, как:
5.5.1.2.1. Технология, требуемая для разработки
или производства телекоммуникационного
оборудования, специально разработанного
для использования на борту спутников;
5.5.1.2.2. Технология для разработки или
использования методов лазерной связи со
способностью автоматического захвата и
слежения сигнала и поддержания связи
через внешнюю атмосферу или через слой
жидкости (воды);
5.5.1.2.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.4 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.5 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.6 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.3. Технология для разработки цифровых
сотовых радиосистем;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.2.8 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.9 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.5.1.2.4. Технология для разработки аппаратуры,
использующей методы расширения спектра,
включая методы скачкообразной
перестройки частоты
(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 09.08.2000
N 1477)
5.5.1.3. Технологии, предназначенные в
соответствии с общим технологическим
примечанием для разработки или
производства любого из следующего
телекоммуникационного оборудования
передачи данных по линиям связи или
управляемого встроенной программой
коммутационного оборудования:
(п. 5.5.1.3 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.3.1. Оборудования, использующего цифровую
технику, включающую асинхронный режим
передачи, предназначенную для
выполнения операций с общей скоростью
цифровой передачи, превышающей 1,5
Гбит/с;
(п. 5.5.1.3.1 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.3.2. Оборудования, использующего лазер и
имеющего любую из следующих
составляющих:
а) длину волны передачи данных,
превышающую 1750 нм;
б) использование оптического усиления с
применением фторсодержащих с добавкой
празеодимия волоконных усилителей;
в) использование техники когерентной
оптической передачи или когерентного
оптического детектирования (известного
также как техника оптического
гетеродина);
г) использование техники
мультиплексирования при распределении
длин волн, обладающей более чем 8
оптическими разрядами переноса в
одинарное оптическое окно; или
д) использование аналоговой техники и
наличие ширины полосы пропускания свыше
2,5 ГГц
Примечание. По подпункту "д" пункта
5.5.1.3.2 не контролируются технологии
для разработки или производства систем
коммерческого телевидения;
(п. 5.5.1.3.2 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.3.3. Оборудования, использующего оптическую
коммутацию;
(п. 5.5.1.3.3 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.3.4. Радиоаппаратуры, имеющей любую из
следующих составляющих:
а) технику квадратурно - амплитудной
модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или
б) действующей на входных или выходных
частотах, превышающих 31 ГГц
Примечание. По подпункту "б" пункта
5.5.1.3.4 не контролируются технологии
для разработки или производства
оборудования, сконструированного или
модифицированного для работы в любом
диапазоне частот, распределенном
Международным союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не для
радиоопределения;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
(п. 5.5.1.3.4 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.5.1.3.5. Оборудования, использующего передачу
сигнала по общему каналу,
осуществляемую либо в несвязанном, либо
в квазисвязанном режиме работы
(п. 5.5.1.3.5 введен Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Часть 2. Защита информации
Примечания. 1. Контрольный статус
Информационная безопасность
оборудования, программного обеспечения,
систем, электронных сборок специального
применения, модулей, интегральных схем,
компонентов или функций, применяемых
для защиты информации, определяется по
части 2 Категории 5, даже если они
являются компонентами или электронными
сборками другой аппаратуры
2. Экспортный контроль не
распространяется на продукцию,
перечисленную в части 2 Категории 5,
когда она вывозится пользователями для
своего индивидуального использования
3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не
контролируются предметы, которые
удовлетворяют всем следующим
требованиям:
а) общедоступны для продажи
общественности без ограничений, из
имеющегося в наличии в местах розничной
продажи, посредством любого из
следующего:
1) сделок по продаже в розничной
торговле;
2) сделок по почтовым запросам (высылка
товаров по почте);
3) электронных сделок; или
4) сделок по телефонным заказам;
б) криптографические возможности
которых не могут быть легко изменены
пользователем;
в) разработанные для установки
пользователем без дальнейшей
существенной поддержки поставщиком; и
г) исключен;
(пп. "г" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Техническое примечание. В части 2
Категории 5 разряды четности не
включаются в длину ключа
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.1.2. Системы, оборудование и компоненты
5.1.2.1. Системы, аппаратура, специальные
сборки, модули и интегральные схемы,
применяемые для защиты информации, и
другие специально разработанные для
этого компоненты:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Особое примечание. Для контроля
глобальных навигационных спутниковых
систем, содержащих приемную аппаратуру
или использующих дешифровку (Глобальной
спутниковой системы радиоопределения -
GPS или Глобальной навигационной
спутниковой системы - ГЛОНАСС), см.
пункт 7.1.5
5.1.2.1.1. Спроектированные или модифицированные 854389900
для использования криптографии с
применением цифровой техники,
выполняющие любые криптографические
функции, иные чем определение
подлинности или электронной подписи,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) симметричный алгоритм, использующий
длину ключа, превышающую 56 бит; или
б) асимметричный алгоритм, где защита
алгоритма базируется на любом из
следующего:
1. Разложении на множители целых чисел,
превышающих 512 бит; или
2. Вычислении дискретных логарифмов в
мультипликативной группе конечного поля
размера, превышающего 512 бит; или
3. Дискретном логарифме в группе,
отличной от поименованных в подпункте
"б" пункта 5.1.2.1.1 и размера,
превышающего 112 бит
Технические примечания. 1. Функции
определения подлинности электронной
подписи включают в себя связанную с
ними функцию ключевого управления
2. Определение подлинности включает в
себя все аспекты контроля доступа, где
нет шифрования файлов или текстов, за
исключением шифрования, которое
непосредственно связано с защитой
паролей, персональных идентификационных
номеров или подобных данных для защиты
от несанкционированного доступа
3. Криптография не включает технику для
постоянного сжатия данных или
кодирования
Примечание. Пункт 5.1.2.1.1
включает оборудование, разработанное
или модифицированное для использования
криптографии, работающее на
аналоговом принципе, выполнение
которого обеспечивается цифровой
техникой
(п. 5.1.2.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.1.2.1.2. Разработанные или модифицированные для 854380900
выполнения криптоаналитических функций;
5.1.2.1.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
5.1.2.1.4. Специально разработанные или 854389900
модифицированные для снижения
нежелательной утечки несущих информацию
сигналов, кроме того, что необходимо
для защиты здоровья или соответствия
установленным стандартам
электромагнитных помех
(п. 5.1.2.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.1.2.1.5. Разработанные или модифицированные для 854380900
применения криптографических методов
генерации расширяющегося кода для
систем расширения спектра, включая
скачкообразную перестройку кодов для
систем скачкообразной перестройки
частоты;
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
5.1.2.1.6. Разработанные или модифицированные для 854380900
обеспечения сертифицированной или
подлежащей сертификации многоуровневой
защиты или изоляции пользователя на
уровне, превышающем класс В2 критерия
оценки надежности компьютерных систем
или эквивалентном;
5.1.2.1.7. Кабельные системы связи, разработанные 854380900
или модифицированные с использованием
механических, электрических или
электронных средств для обнаружения
несанкционированного доступа
Примечание. По пункту 5.1.2 не
контролируются:
1. Персональные кредитные карточки со
встроенной микроЭВМ, где
криптографические возможности
ограничены использованием в
оборудовании или системах, выведенных
из-под контроля подпунктами 2 - 6
настоящего примечания
Если персональная кредитная карточка со
встроенной микроЭВМ имеет несколько
функций, то контрольный статус каждой
функции определяется индивидуально
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2. Приемное оборудование для
радиовещания, коммерческого телевидения
или иной передачи сообщений
коммерческого типа для вещания на
ограниченную аудиторию без шифрования
цифрового сигнала, кроме случаев его
использования исключительно для
отправки счетов или возврата
информации, связанной с программой,
поставщикам
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3. Оборудование, криптографические
возможности которого недоступны
пользователю, специально разработанное
или ограниченное для применения любым
из следующего:
а) программное обеспечение исполнено в
защищенном от копирования виде;
б) доступом к любому из следующего:
защищенному от копирования содержимому,
хранящемуся на доступном только для
чтения носителе информации; или
информации, накопленной в зашифрованной
форме в среде (например, в связи с
защитой прав интеллектуальной
собственности), когда такая среда
предлагается на продажу населению в
идентичных наборах; или
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
в) одноразовым копированием аудио- или
видеоинформации, защищенной авторскими
правами
4. Криптографическое оборудование,
специально спроектированное и
ограниченное применением для банковских
или финансовых операций
Техническое примечание. Финансовые
операции, указанные в пункте 4
примечания к пункту 5.1.2, включают
сборы и оплату за транспортные услуги
или кредитование
5. Портативные или мобильные
радиотелефоны гражданского назначения
(например, для использования в
коммерческих гражданских системах
сотовой радиосвязи), которые не
содержат функции сквозного шифрования
6. Беспроводное телефонное оборудование
с батарейным питанием, не способное к
сквозному шифрованию, максимальный
диапазон беспроводного действия
которого на батарейном питании без
усиления (одиночное, без ретрансляции,
соединение между терминалом и домашней
базовой станцией) составляет менее 400
м в соответствии со спецификацией
производителя
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
5.2.2.1. Оборудование, специально разработанное 854380900
для:
а) разработки аппаратуры или функций,
контролируемых по части 2 Категории 5,
включая аппаратуру для измерений или
испытаний;
б) производства аппаратуры или функций,
контролируемых по части 2 Категории 5,
включая аппаратуру для измерений,
испытаний, ремонта или производства
5.2.2.2. Измерительная аппаратура, специально 854380900
разработанная для оценки и
подтверждения функций защиты
информации, контролируемых по пункту
5.1.2 или 5.4.2
5.3.2. Материалы - нет
5.4.2. Программное обеспечение
5.4.2.1. Программное обеспечение, специально
созданное или модифицированное для
разработки, производства или
использования оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по части 2 Категории 5;
5.4.2.2. Программное обеспечение, специально
созданное или модифицированное для
поддержки технологии, контролируемой по
пункту 5.5.2;
5.4.2.3. Специальные виды программного
обеспечения, такие как:
5.4.2.3.1. Программное обеспечение, имеющее
характеристики или выполняющее, или
воспроизводящее функции аппаратуры,
контролируемой по пункту 5.1.2 или
5.2.2;
5.4.2.3.2. Программное обеспечение для
сертификации программного обеспечения,
контролируемого по пункту 5.4.2.3.1
Примечание. По пункту 5.4.2 не
контролируются:
а) программное обеспечение, требуемое
для использования в аппаратуре, не
контролируемой примечанием к пункту
5.1.2;
б) программное обеспечение, реализующее
любую функцию аппаратуры, не
контролируемой примечанием к пункту
5.1.2
5.5.2. Технология
5.5.2.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки,
производства или использования
оборудования либо программного
обеспечения, контролируемых по части 2
Категории 5
Категория 6. Датчики и лазеры
6.1. Системы, оборудование и компоненты
6.1.1. Акустика
6.1.1.1. Морские акустические системы,
оборудование и специально разработанные
для них компоненты, такие как:
6.1.1.1.1. Нижеперечисленные активные (передающие
и приемопередающие) системы,
оборудование и специально разработанные
компоненты для этого:
Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не
контролируются:
а) гидролокаторы глубины вертикального
действия, не обладающие функцией
сканирования луча свыше +/- 20 град., и
ограниченного применения для измерения
глубины воды, расстояния до погруженных
или заглубленных объектов или косяков
рыбы;
б) следующие акустические буи:
1) аварийные акустические буи;
2) излучатели ультразвуковых импульсов,
специально разработанные для
перемещения или возвращения в подводное
положение
6.1.1.1.1.1. Измеряющие глубину широкообзорные 901580910
системы, предназначенные для
картографирования морского дна, имеющие
все следующие характеристики:
а) предназначенные для измерения при
углах отклонения от вертикали более
20 град.;
б) предназначенные для измерения
глубины более 600 м от поверхности
воды; и
в) предназначенные для обеспечения
любой из следующих характеристик:
1) объединения нескольких лучей, любой
из которых уже 1,9 град; или
2) точности измерений лучше 0,3% от
глубины воды, полученных путем
усреднения отдельных измерений в
пределах полосы;
6.1.1.1.1.2. Системы обнаружения или определения 901580910
местоположения, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) частоту передачи ниже 10 кГц;
б) уровень звукового давления выше
224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне от
10 кГц до 24 кГц включительно;
в) уровень звукового давления выше
235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне между
24 кГц и 30 кГц;
г) формирование лучей уже 1 град. по
любой оси и рабочую частоту ниже
100 кГц;
д) предназначенные для работы с
дальностью разрешения целей более
5120 м; или
е) предназначенные для нормального
функционирования на глубинах свыше
1000 м и имеющие датчики с любыми из
следующих характеристик:
1) динамически подстраиваемые под
давление; или
2) содержащие другие преобразующие
элементы, нежели изготовленные из
свинцового титаната цирконата;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.1.3. Акустические прожекторы, включающие 901580910
преобразователи, объединяющие
пьезоэлектрические,
магнитострикционные,
электрострикционные,
электродинамические или гидравлические
элементы, действующие индивидуально или
в определенной комбинации, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) плотность мгновенной излучаемой
акустической мощности, превышающую
0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов,
действующих на частотах ниже 10 кГц;
б) плотность непрерывно излучаемой
акустической мощности, превышающую
0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов,
действующих на частотах ниже 10 кГц;
или
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Техническое примечание. Плотность
акустической мощности получается в
результате деления выходной
акустической мощности на произведение
площади излучающей поверхности и
рабочей частоты;
в) исключен. - Указ Президента РФ от
09.08.2000 N 1477
в) подавление боковых лепестков более
22 дБ
Примечания. 1. Контрольный статус
акустических прожекторов, включающих
преобразователи, специально
разработанные для другого оборудования,
определяется контрольным статусом этого
другого оборудования
2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не
контролируются электронные источники,
осуществляющие только вертикальное
зондирование, механические (например,
пневматические ружья или пароударные
ружья) или химические (например,
взрывные) источники;
6.1.1.1.1.4. Акустические системы, оборудование и 9015801100
специально разработанные компоненты
для определения положения надводных
судов и подводных аппаратов,
предназначенные для работы на
дистанции более 1000 м, с точностью
позиционирования менее 10 м СКО
(среднеквадратичное отклонение) при
измерении на расстояниях до 1000 м
Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4
включает:
а) оборудование, использующее
когерентную обработку сигналов между
двумя или более буями и гидрофонное
устройство надводных судов и подводных
аппаратов;
б) оборудование, обладающее
способностью автокоррекции погрешности
скорости распространения звука для
вычислений местоположения
(п. 6.1.1.1.1.4 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
6.1.1.1.2. Пассивные (принимающие в штатном режиме
независимо от связи с активной
аппаратурой) системы, оборудование и
специально разработанные для них
компоненты, такие как:
6.1.1.1.2.1. Гидрофоны с любой из следующих
характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) включающие гибкие датчики 901580110;
непрерывного действия или сборки 901580930
датчиков дискретного действия с
диаметром или длиной менее 20 мм и с
расстоянием между элементами менее
20 мм;
б) имеющие любой из следующих 901580930
чувствительных элементов:
1) волоконно - оптический;
2) пьезоэлектрический полимерный; или
3) гибкий пьезоэлектрический из
керамических материалов;
в) имеющие гидрофонную чувствительность 901580930
лучше -180 дБ на любой глубине без
компенсации ускорения;
г) разработанные для действия на 9015809300
глубинах, превышающих 35 м, с
компенсацией ускорения; или
(пп. "г" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
д) исключен. - Указ Президента РФ от
09.08.2000 N 1477
е) исключен. - Указ Президента РФ от
09.08.2000 N 1477
д) созданные для работы на глубинах 901580930
более 1000 м
Техническое примечание. Гидрофонная
чувствительность определяется как
двадцатикратный десятичный логарифм
отношения среднеквадратичного выходного
напряжения к опорному напряжению 1 В
(СКО), когда гидрофонный датчик без
предусилителя помещен в акустическое
поле плоской волны со
среднеквадратичным давлением 1 мкПа.
Например: гидрофон c -160 дБ (опорное
напряжение 1 В на мкПа) даст выходное
напряжение 10E-8 В в таком поле, в то
время как другой, с чувствительностью
-180 дБ, даст только 10E-9 В на
выходе. Таким образом, -160 дБ лучше,
чем -180 дБ;
Примечание. Контрольный статус
гидрофонов, специально разработанных
для другого оборудования, определяется
контрольным статусом этого
оборудования
(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные 901580930;
решетки, имеющие любую из следующих 901580990
характеристик:
а) гидрофонные группы, расположенные с
шагом 12,5 м и менее;
б) разработанные или способные быть
модифицированными для работы на
глубинах более 35 м
Техническое примечание. Способность
к модификации, указанная в подпункте
"б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает
наличие возможности изменения обмотки
или внутренних соединений для изменения
расположения гидрофонной группы или
пределов рабочих глубин. Такими
возможностями являются наличие запасных
витков обмотки более 10% от числа
рабочих витков, блоков настройки
конфигурации гидрофонной группы или
устройств ограничения глубины
погружения, обеспечивающих регулировку
или контроль более чем одной
гидрофонной группы;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
в) исключен. - Указ Президента РФ от
09.08.2000 N 1477
в) имеющие управляемые датчики,
контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4;
г) имеющие продольно укрепленные
соединительные кабели решеток;
д) имеющие собранные решетки диаметром
менее 40 мм;
е) мультиплексированные сигналы
гидрофонных групп, разработанных для
работы на глубинах более 35 м или
имеющих регулируемое либо сменное
глубинное чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; или
ж) характеристики гидрофонов, указанные
в пункте 6.1.1.1.2.1;
6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных, специально 901580930;
разработанная для применения в 901580990
буксируемых акустических гидрофонных
решетках, обладающая программируемостью
пользователем, обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований или
процессов;
6.1.1.1.2.4. Управляемые датчики, имеющие все 901580110;
следующие характеристики: 901580930
а) точность лучше +/- 0,5 град.; и
б) разработанные для работы на
глубинах, превышающих 35 м, либо
имеющие регулируемое или сменное
глубинное чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
6.1.1.1.2.5. Донные или притопленные кабельные 901580930;
системы, имеющие любую из следующих 901580990
составляющих:
а) объединяющие гидрофоны, указанные в
пункте 6.1.1.1.2.1; или
б) объединенные мультиплексированной
гидрофонной группой сигнальные модули,
имеющие все следующие характеристики:
1) разработаны для работы на глубинах,
превышающих 35 м, либо имеют
регулируемое или сменное глубинное
чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; и
2) способны оперативно
взаимодействовать с модулями
буксируемых акустических гидрофонных
решеток;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(п. 6.1.1.1.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально 901580930;
разработанная для донных или 901580990
притопленных кабельных систем,
обладающая программируемостью
пользователем и обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований либо
процессов
(п. 6.1.1.1.2.6 введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.2. Аппаратура на лагах для корреляционного 901580930;
измерения горизонтальной составляющей 901580990
скорости носителя аппаратуры
относительно морского дна на
расстояниях между носителем и дном моря
более 500 м
6.1.2. Оптические датчики
6.1.2.1. Оптические детекторы, такие как:
Примечание. По пункту 6.1.2.1 не
контролируются германиевые или
кремниевые фотоустройства
6.1.2.1.1. Нижеперечисленные твердотельные
детекторы, годные для применения в
космосе:
6.1.2.1.1.1. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие все
следующие характеристики:
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм;
и
б) чувствительность на длине волны
более 400 нм менее 0,1% относительно
максимальной чувствительности;
6.1.2.1.1.2. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие все
следующие характеристики:
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 900 нм до
1200 нм; и
б) постоянную времени отклика 95 нс или
менее;
6.1.2.1.1.3. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие
максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 1200 нм до
30000 нм
6.1.2.1.2. Электронно - оптические
преобразователи и специально
разработанные для них компоненты, такие
как:
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
6.1.2.1.2.1. Электронно - оптические 8540203000
преобразователи, имеющие все
нижеперечисленное:
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 400 нм до
1050 нм;
б) микроканальный анод для электронного
усиления изображения с шагом отверстий
(расстоянием между центрами) 15 мкм или
менее; и
в) следующие фотокатоды:
1) фотокатоды S-20, S-25 или
многощелочные фотокатоды со
светочувствительностью более
240 мкА/лм;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2) фотокатоды на GaAs или GaInAs;
3) другие полупроводниковые фотокатоды
на соединениях групп III - V
Примечание. По последнему подпункту
пункта 6.1.2.1.2.1 не контролируются
фотокатоды на полупроводниковых
соединениях с максимальной
интегральной чувствительностью
к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.2.1.2.2. Специально разработанные компоненты:
а) микроканальные платы, с шагом 854140990
отверстий (расстояние между центрами)
15 мкм или менее;
б) фотокатоды на GaAs или GaInAs; 854140990
в) другие полупроводниковые фотокатоды 854140990
на соединениях групп III - V
Примечание. По подпункту "в" пункта
6.1.2.1.2.2 не контролируются
фотокатоды на полупроводниковых
соединениях с максимальной
интегральной чувствительностью к
лучистому потоку 10 мА/Вт или менее
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.2.1.3. Решетки фокальной плоскости,
непригодные для применения в космосе,
такие, как:
Техническое примечание. Линейные
или двухмерные многоэлементные
детекторные решетки относятся к
решеткам фокальной плоскости
Примечания. 1. Пункт 6.1.2.1.3
включает фотопроводящие и
фотогальванические решетки
2. По пункту 6.1.2.1.3 не
контролируются:
а) кремниевые решетки фокальной
плоскости;
б) многоэлементные (не более 16
элементов) герметизированные
фотопроводящие элементы, использующие
или сульфиды, или селенид свинца;
в) пироэлектрические детекторы на
основе любого из следующих материалов:
1) триглицинсульфата и его производных;
2) титаната свинца - лантана - циркония
и его производных;
3) танталата лития;
4) поливинилиденфторида и его
производных; или
5) ниобата бария - стронция и его
производных
(п. 2 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
6.1.2.1.3.1. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие все следующие составляющие:
а) отдельные элементы с максимальной
чувствительностью в диапазоне длин волн
от 900 нм до 1050 нм; и
б) постоянную времени отклика менее
0,5 нс;
6.1.2.1.3.2. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие все следующие характеристики:
а) отдельные элементы с максимальной
чувствительностью в диапазоне длин волн
от 1050 нм до 1200 нм; и
б) постоянную времени отклика 95 нс или
менее;
6.1.2.1.3.3. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие отдельные элементы с
максимальной чувствительностью в
диапазоне длин волн от 1200 нм до
30000 нм
6.1.2.2. Моноспектральные датчики изображения и 854089900
многоспектральные датчики изображения,
предназначенные для применения при
дистанционном зондировании и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) мгновенное поле обзора (МПО) менее
200 мкрад; или
б) предназначенные для работы в
диапазоне длин волн от 400 нм до
30000 нм и имеющие все следующие
составляющие:
1) обеспечивающие выходные данные
изображения в цифровом формате; и
2) являющиеся годными для применения в
космосе или разработанными для работы
на борту летательного аппарата при
использовании некремниевых детекторов,
имеющие МПО менее 2,5 мрад;
6.1.2.3. Оборудование прямого наблюдения
изображения, работающее в видимом или
ИК диапазонах и содержащее любую из
следующих составляющих:
6.1.2.3.1. Электронно - оптические 854020300;
преобразователи, имеющие 854099000
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.2.1; или
6.1.2.3.2. Решетки фокальной плоскости, имеющие 854099000
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.3
Техническое примечание. Прямое
наблюдение относится к оборудованию для
получения изображения, работающему в
видимом или ИК диапазонах, которое
представляет визуальное изображение
человеку - наблюдателю без
преобразования изображения в
электронный сигнал для телевизионного
дисплея и которое не может
регистрировать или сохранять
изображение фотографически, а также
электронным или другим способом
Примечание. По пункту 6.1.2.3 не
контролируется следующее оборудование,
содержащее фотокатоды на материалах,
отличных от GaAs или GaInAs:
а) производственные или гражданские
сигнальные устройства, системы
управления движением транспорта или
производственным движением либо системы
счета;
б) медицинское оборудование;
в) технологическое оборудование,
используемое для инспекции, сортировки
или анализа свойств материала;
г) сигнализаторы пожара для
производственных печей;
д) оборудование, специально
разработанное для лабораторного
использования
6.1.2.4. Специальные компоненты обеспечения для
оптических датчиков, такие как:
6.1.2.4.1. Криоохладители, годные для применения в 901380000;
космосе; 901390000
6.1.2.4.2. Нижеперечисленные криоохладители,
непригодные для применения в космосе, с
температурой охлаждения источника ниже
218 K (-55 град. C):
6.1.2.4.2.1. Замкнутого цикла с определенным средним 901380000;
временем наработки на отказ или средним 901390000
временем наработки между отказами более
2500 ч;
6.1.2.4.2.2. Саморегулирующиеся миниохладители 901380000;
Джоуля - Томсона с наружными диаметрами 901390000
канала менее 8 мм;
6.1.2.4.3. Оптические чувствительные волокна, 900190900;
специально изготовленные композиционно 901380000
или структурно либо модифицированные с
помощью покрытия, чтобы стать
акустически, термически, инерциально,
электромагнитно чувствительными или
чувствительными к ядерному излучению;
6.1.2.5. Решетки фокальной плоскости, годные для 901380000
применения в космосе, имеющие более
2048 элементов на решетку и
максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм
6.1.3. Камеры
Особое примечание. Для камер,
специально разработанных или
модифицированных для подводного
использования, см. пункты 8.1.2.4 и
8.1.2.5
6.1.3.1. Камеры контрольно - измерительных
приборов и специально разработанные для
них компоненты, такие как:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.3.1.1. Высокоскоростные записывающие 900711000;
кинокамеры, использующие любой формат 900719000
пленки от 8 до 16 мм, в которых пленка
непрерывно движется вперед в течение
всего периода записи и которые способны
записывать при скорости кадрирования
более 13150 кадров/с
Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не
контролируются записывающие кинокамеры,
разработанные для обычных гражданских
целей;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.3.1.2. Механические высокоскоростные камеры, в 900719000
которых пленка не движется и которые
способны записывать при скорости более
1000000 кадров/с для полной высоты
кадрирования 35-мм пленки или при
пропорционально более высокой скорости
для меньшей высоты кадров, или при
пропорционально меньшей скорости для
большей высоты кадров;
6.1.3.1.3. Механические или электронные 900719000
фотохронографы, имеющие скорость записи
более 10 мм/мкс;
6.1.3.1.4. Электронные передающие камеры с 900719000
кадровой синхронизацией, имеющие
скорость более 1000000 кадров/с;
6.1.3.1.5. Электронные передающие камеры, имеющие 900719000
все следующие характеристики:
а) скорость электронного затвора
(способность стробирования) менее 1 мкс
за полный кадр; и
б) время считывания, обеспечивающее
скорость кадрирования более 125 полных
кадров в секунду
Примечание. Измерительные камеры с
модульными конструкциями,
контролируемые по пунктам 6.1.3.1.3 -
6.1.3.1.5, должны оцениваться их
максимальной способностью использования
подходящих сменных плат в соответствии
со спецификацией изготовителя
(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477, в
ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.3.1.6. Сменные платы, имеющие все следующие 9007190000
характеристики:
а) специально разработанные для камер
контрольно - измерительных приборов,
имеющих модульную структуру и
контролируемых по пункту 6.1.3.1; и
б) дающие возможность камерам
удовлетворять характеристикам,
установленным в пунктах 6.1.3.1.3,
6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в соответствии
с техническими требованиями
производителей
(п. 6.1.3.1.6 введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.3.2. Камеры формирования изображения, такие
как:
Примечание. По пункту 6.1.3.2 не
контролируются телевизионные или
видеокамеры, специально предназначенные
для телевизионного вещания
6.1.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные 852190000
датчики и имеющие любую из следующих
характеристик:
а) более 4 x 10E6 активных пикселов на
твердотельную решетку для монохромных
(черно - белых) камер;
б) более 4 x 10E6 активных пикселов на
твердотельную решетку для цветных
камер, включающих три твердотельные
решетки; или
в) более 12 x 10E6 активных пикселов
для цветных камер на основе одной
твердотельной решетки;
Техническое примечание. Для целей
настоящего пункта цифровые видеокамеры
должны оцениваться максимальным числом
активных пикселов, используемых для
фиксации движущихся изображений
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001
N 1156)
6.1.3.2.2. Сканирующие камеры и системы на основе 852190000
сканирующих камер, имеющие все
следующие характеристики:
а) линейные детекторные решетки с более
чем 8192 элементами на решетку; и
б) механическое сканирование в одном
направлении;
6.1.3.2.3. Камеры формирования изображений, 852190000
содержащие электронно - оптические
усилители яркости, имеющие
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.2.1;
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
6.1.3.2.4. Камеры формирования изображений, 852190000
включающие решетки фокальной плоскости,
имеющие характеристики, указанные в
пункте 6.1.2.1.3
Примечание. По пункту 6.1.3.2.4 не
контролируются камеры формирования
изображений, содержащие линейные
решетки фокальной плоскости с 12 или
меньшим числом элементов, не
применяющих время задержки и
интегрирования в элементе,
разработанные для любого из следующего:
а) производственных или гражданских
охранно - сигнальных систем контроля за
движением транспорта или подсчета
промышленных процессов;
б) производственного оборудования,
используемого для контроля или
мониторинга высокотемпературных
процессов в строительстве, технике или
производстве;
в) производственного оборудования,
используемого для контроля, сортировки
или анализа свойств материалов;
г) оборудования, специально
разработанного для лабораторного
использования;
д) медицинского оборудования
(примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
6.1.4. Оптика
6.1.4.1. Оптические зеркала (рефлекторы), такие
как:
6.1.4.1.1. Деформируемые зеркала, имеющие сплошные 900190900
или многоэлементные поверхности, и
специально разработанные для них
компоненты, которые способны
динамически осуществлять
перерегулировку положения частей
поверхности зеркала при скорости более
100 Гц;
6.1.4.1.2. Легкие монолитные зеркала, имеющие 900190900
среднюю эквивалентную плотность менее
30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг;
6.1.4.1.3. Зеркала из легких композиционных или 900190900
пенообразных материалов, имеющие
среднюю эквивалентную плотность менее
30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг;
6.1.4.1.4. Зеркала для управления лучом с 900190900
диаметром или длиной главной оси более
100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины
волны или лучше (длина волны равна
633 нм) и ширину полосы управления
более 100 Гц
6.1.4.2. Оптические компоненты, изготовленные из 900190900
селенида цинка (ZnSe) или сульфида
цинка (ZnS), со спектром пропускания от
3000 нм до 25000 нм, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) объем более 100 куб. см; или
б) диаметр или длину главной оси более
80 мм и толщину (глубину) более 20 мм;
6.1.4.3. Компоненты для оптических систем,
годные для применения в космосе, такие
как:
6.1.4.3.1. Оптические элементы облегченного типа с 900190900
эквивалентной плотностью менее 20% по
сравнению с твердотельными пластинами с
той же самой апертурой и толщиной;
6.1.4.3.2. Необработанные подложки, обработанные 900190900
подложки с поверхностным покрытием
(однослойным или многослойным,
металлическим или диэлектрическим,
проводящим, полупроводящим или
изолирующим) или имеющие защитные
пленки;
(п. 6.1.4.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.4.3.3. Сегменты или узлы зеркал, 900290990
предназначенные для сборки в космосе в
оптическую систему с приемной
апертурой, равной или более одного
оптического метра в диаметре;
6.1.4.3.4. Изготовленные из композиционных 900390000
материалов, имеющих коэффициент
линейного термического расширения,
равный или менее 5 x 10E-6 в любом
направлении координат
6.1.4.4. Оборудование оптического контроля,
такое как:
6.1.4.4.1. Специально предназначенное для 903140000;
поддержания профиля поверхности или 903289900
ориентации оптических компонентов,
годных для применения в космосе,
контролируемых по пунктам 6.1.4.3.1 или
6.1.4.3.3;
6.1.4.4.2. Имеющее управление, слежение, 903140000;
стабилизацию или юстировку резонатора в 903289900
полосе частот, равной или более 100 Гц,
и погрешность 10 мкрад или менее;
6.1.4.4.3. Кардановые подвесы, имеющие все 903289900
следующие характеристики:
а) максимальный угол поворота более
5 град;
б) ширину полосы, равную или более
100 Гц;
в) ошибки угловой наводки, равные или
менее 200 мкрад; и
г) имеющие любую из следующих
характеристик:
1) диаметр или длину главной оси более
0,15 м, но не более 1 м и угловое
ускорение более 2 рад/с2; или
2) диаметр или длину главной оси более
1 м и угловое ускорение более
0,5 рад/с2;
6.1.4.4.4. Специально разработанное для 903289900
поддержания юстировки фазированной
решетки или систем зеркал с
фазированными сегментами, содержащее
зеркала с диаметром сегмента или длиной
главной оси 1 м или более
6.1.4.5. Асферические оптические элементы, 9001909000
имеющие все следующие характеристики:
а) наибольший размер оптического
отверстия диаметром более 400 мм;
б) шероховатость поверхности менее 1
нм (среднеквадратичную) для выборочного
исследования длин, равных или
превышающих 1 мм; и
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
в) абсолютную величину коэффициента
линейного теплового расширения менее
3 х 1E(-6)/К при 25 град. C
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Технические примечания. 1.
Асферический оптический элемент -
любой элемент, используемый в
оптической системе, в которой
воображаемая поверхность или
поверхности отличаются от очертаний
идеальной сферы
2. Изготовители не нуждаются в
измерении шероховатости поверхности,
указанной в подпункте "б" пункта
6.1.4.5, за исключением тех случаев,
когда оптический элемент разработан
или изготовлен с целью соответствия
или превышения контрольного параметра
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
Примечание. По пункту 6.1.4.5 не
контролируются асферические оптические
элементы, имеющие любые из следующих
характеристик:
а) наибольший размер оптического
отверстия менее 1 м и относительное
отверстие, равное или более 4,5:1;
б) наибольший размер оптического
отверстия, равный или более 1 м, и
относительное отверстие, равное или
более 7:1;
в) разработанные в качестве
Френелевого плавающего видеосенсора,
полосы, призмы или дифракционных
оптических элементов;
г) изготовленные из боросиликатного
стекла, имеющего коэффициент линейного
теплового расширения более 2,5 х
1Е(-6)/К при 25 град. C; или
д) являющиеся оптическими элементами
для рентгеновских лучей, имеющие
внутренние зеркальные способности
(например, зеркала трубчатого типа)
(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Особое примечание. Для
асферических оптических элементов,
специально разработанных для
литографического оборудования, см.
пункт 3.2.1.
(п. 6.1.4.5 и особое примечание введены Указом Президента РФ от
09.08.2000 N 1477)
Лазеры
6.1.5. Лазеры, компоненты и оптическое
оборудование:
Примечания. 1. Импульсные лазеры
включают лазеры, работающие в
квазинепрерывном режиме с импульсным
перекрытием
2. Лазеры с импульсной накачкой
включают лазеры, работающие в
непрерывном режиме при импульсной
накачке
3. Контрольный статус рамановских
лазеров определяется параметрами
лазерного источника накачки. Лазерным
источником накачки может быть любой
лазер, рассматриваемый ниже
6.1.5.1. Газовые лазеры, такие как:
6.1.5.1.1. Эксимерные лазеры, имеющие любую из 901320000
следующих характеристик:
а) выходную длину волны не более 150 нм
и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж; или
2) среднюю выходную мощность более
1 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) выходную длину волны в диапазоне от
150 нм до 190 нм и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж; или
2) среднюю выходную мощность более
120 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
в) выходную длину волны в диапазоне от
190 нм до 360 нм и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
10 Дж; или
2) среднюю выходную мощность более
500 Вт; или
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
г) выходную длину волны более 360 нм и
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж; или
2) среднюю выходную мощность более
30 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Особое примечание. Для эксимерных
лазеров, специально разработанных для
литографического оборудования, см.
пункт 3.2.1
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 29.02.2000
N 447)
6.1.5.1.2. Лазеры на парах металла, такие как:
6.1.5.1.2.1. Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю 901320000
выходную мощность более 20 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.5.1.2.2. Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю 901320000
выходную мощность более 5 Вт;
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.5.1.2.3. Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную 901320000
мощность более 5 Вт;
6.1.5.1.2.4. Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю 901320000
выходную мощность более 2 Вт
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.5.1.3. Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие 901320000
любую из следующих характеристик:
а) выходную энергию в импульсе более
2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт;
или
б) среднюю мощность или выходную
мощность в непрерывном режиме более
5 кВт;
6.1.5.1.4. Лазеры на диоксиде углерода (CO2), 901320000
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) выходную мощность в непрерывном
режиме более 15 кВт;
б) длительность импульсов в импульсном
режиме более 10 мкс и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) среднюю выходную мощность более
10 кВт; или
2) пиковую мощность более 100 кВт; или
в) длительность импульсов в импульсном
режиме равную или менее 10 мкс и
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) импульсную энергию более 5 Дж; или
2) среднюю выходную мощность более
2,5 кВт;
6.1.5.1.5. Химические лазеры, такие как:
6.1.5.1.5.1. Водородно - фторовые (HF) лазеры; 901320000
6.1.5.1.5.2. Дейтерий - фторовые (DF) лазеры; 901320000
6.1.5.1.5.3. Переходные лазеры, такие как: 901320000
а) кислородно - йодные (О2-I) лазеры;
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) дейтерий - фторовые - диоксид - 901320000
углеродные (DF-CO2) лазеры
6.1.5.1.6. Лазеры на ионах аргона (Ar) или 901320000
криптона (Kr), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт;
или
б) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 50 Вт;
(п. 6.1.5.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.5.1.7. Другие газовые лазеры, имеющие любую из 901320000
следующих характеристик:
а) выходную длину волны не более 150 нм
и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт;
или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт;
б) выходную длину волны в диапазоне от
150 нм до 800 нм и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;
или;
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 30 Вт;
в) выходную длину волны от 800 нм до
1400 нм и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт;
или;
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 10 Вт; или
г) выходную длину волны более 1400 нм и
среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт
Примечание. По пункту 6.1.5.1.7 не
контролируются азотные лазеры
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
6.1.5.2. Полупроводниковые лазеры, такие, как: 8541401100;
а) отдельные с единичной поперечной 9013200000
модой полупроводниковые лазеры, имеющие
все следующие характеристики:
1) длину волны менее 950 нм или более
2000 нм; и
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 100 мВт;
б) отдельные с многократно поперечной
модой полупроводниковые лазеры, имеющие
все следующие характеристики:
1) длину волны менее 950 нм или более
2000 нм; и
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 10 Вт;
в) отдельные решетки отдельных
полупроводниковых лазеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
1) длину волны менее 950 нм и среднюю
или выходную мощность в непрерывном
режиме более 60 Вт; или
2) длину волны, равную или превышающую
2000 нм, и среднюю или выходную
мощность в непрерывном режиме более 10
Вт
Техническое примечание.
Полупроводниковые лазеры обычно
называются лазерными диодами
Примечания: 1. Пункт 6.1.5.2 включает
полупроводниковые лазеры, имеющие
оптические выходные соединители
(например, волоконно - оптические
гибкие проводники)
2. Статус контроля полупроводниковых
лазеров, специально предназначенных для
другого оборудования, определяется
статусом контроля другого оборудования;
(п. 6.1.5.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.1.5.3. Твердотельные лазеры, такие как:
6.1.5.3.1. Перестраиваемые лазеры, имеющие любую 901320000
из следующих характеристик:
Примечание. Пункт 6.1.5.3.1
включает титано - сапфирные Ti:Al2O3,
тулий - YAG (Tm:YAG), тулий - YSGG
(Tm:YSGG) лазеры, лазеры на
александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры с
окрашенным центром
а) выходную длину волны менее 600 нм и
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт;
б) выходную длину волны 600 нм или
более, но не более 1400 нм и имеющие
любую из следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
1 Дж и импульсную пиковую мощность
более 20 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 20 Вт; или
в) выходную длину волны более 1400 нм и
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт
6.1.5.3.2. Неперестраиваемые лазеры, такие как:
Примечание. Пункт 6.1.5.3.2
включает твердотельные лазеры на
атомных переходах
6.1.5.3.2.1. Лазеры на неодимовом стекле, такие 901320000
как:
а) лазеры с модуляцией добротности,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю
выходную мощность более 10 Вт; или
2) выходную энергию в импульсе более
50 Дж;
б) лазеры без модуляции добротности,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю
выходную мощность более 20 Вт; или
2) выходную энергию в импульсе более
100 Дж;
6.1.5.3.2.2. Лазеры с растворенным неодимом (другие, 901320000
нежели на стекле), имеющие выходную
длину волны более 1000 нм, но не более
1100 нм:
Особое примечание. Для лазеров с
растворенным неодимом (других, нежели
на стекле), имеющих выходную длину
волны менее 1000 нм или более 1100 нм,
см. пункт 6.1.5.3.2.3
а) лазеры с модуляцией добротности,
импульсным возбуждением и
синхронизацией мод, длительностью
импульса менее 1 нс и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) пиковую мощность более 5 ГВт;
2) среднюю выходную мощность более
10 Вт; или
3) импульсную энергию более 0,1 Дж;
б) лазеры с модуляцией добротности и
импульсным возбуждением с длительностью
импульса, равной или больше 1 нс, и
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) одномодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 100 МВт;
среднюю выходную мощность более 20 Вт;
или
импульсную энергию более 2 Дж; или
2) многомодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 400 МВт;
среднюю выходную мощность более 2 кВт;
или
импульсную энергию более 2 Дж;
в) лазеры с импульсным возбуждением без
модуляции добротности, имеющие:
1) одномодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 500 кВт; или
среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 150 Вт; или
2) многомодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 1 МВт; или
среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 2 кВт;
г) лазеры с непрерывным возбуждением,
имеющие:
1) одномодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 500 кВт; или
среднюю мощность или выходную мощность
в непрерывном режиме более 150 Вт; или
2) многомодовое излучение поперечной
моды, имеющее:
пиковую мощность более 1 МВт; или
среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 2 кВт
6.1.5.3.2.3. Другие неперестраиваемые лазеры, 901320000
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны менее 150 нм и:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт;
б) длину волны не менее 150 нм, но не
более 800 нм и:
1) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;
или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 30 Вт;
в) длину волны более 800 нм, но не
более 1400 нм, такие как:
1) лазеры с модуляцией добротности,
имеющие:
выходную энергию в импульсе более
0,5 Дж и импульсную пиковую мощность
более 50 Вт; или
среднюю выходную мощность, превышающую:
10 Вт для лазеров с одной поперечной
модой;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
30 Вт для лазеров с несколькими
поперечными модами;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2) лазеры без модуляции добротности,
имеющие:
выходную энергию в импульсе более 2 Дж
и импульсную пиковую мощность более
50 Вт; или
среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 50 Вт; или
г) длину волны более 1400 нм и:
1) выходную энергию в импульсе более
100 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт
6.1.5.4. Лазеры на красителях и других 901320000
жидкостях, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны менее 150 нм и имеющие
любую из следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
50 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт
б) длину волны 150 нм или более, но не
более 800 нм и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и импульсную пиковую мощность
более 20 Вт;
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 20 Вт; или
3) импульсный генератор, работающий на
одной продольной моде со средней
выходной мощностью более 1 Вт и
частотой повторения импульсов более
1 кГц, если длительность импульса менее
100 нс
в) длину волны более 800 нм, но не
свыше 1400 нм и имеющие любую из
следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
0,5 Дж и импульсную пиковую мощность
более 10 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме не более 10 Вт; или
г) длину волны более 1400 нм и имеющие
любую из следующих характеристик:
1) выходную энергию в импульсе более
100 мДж и импульсную пиковую мощность
более 1 Вт; или
2) среднюю или выходную мощность в
непрерывном режиме более 1 Вт
6.1.5.5. Компоненты, такие как:
6.1.5.5.1. Зеркала, охлаждаемые либо активным 900290990;
методом, либо трубчатой охладительной 901390000
системой
Техническое примечание. Активным
охлаждением является метод охлаждения
оптических компонентов, в котором
используется течение жидкости по
субповерхности (расположенной обычно
менее чем в 1 мм ниже от оптической
поверхности) оптического компонента для
отвода тепла от оптики;
6.1.5.5.2. Оптические зеркала или прозрачные или 900290990
частично прозрачные оптические или
электрооптические компоненты,
специально разработанные для
использования с контролируемыми
лазерами
6.1.5.6. Оптическое оборудование, такое как:
6.1.5.6.1. Оборудование, измеряющее динамический 901390000;
волновой фронт (фазу), использующее по 903140000
крайней мере 50 позиций на волновом
фронте луча, имеющее любую из следующих
характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) частоту кадров, равную или более
100 Гц, и фазовую дискриминацию,
составляющую по крайней мере 5% от
длины волны луча; или
б) частоту кадров, равную или более
1000 Гц, и фазовую дискриминацию,
составляющую по крайней мере 20% от
длины волны луча
6.1.5.6.2. Оборудование лазерной диагностики, 901390000;
способное измерять погрешности углового 903140000
управления положением луча лазера
сверхвысокой мощности, равные или менее
10 мкрад;
6.1.5.6.3. Оптическое оборудование и компоненты, 901390000;
специально предназначенные для 903140000
использования с системой лазера
сверхвысокой мощности с фазированными
решетками для суммирования когерентных
лучей с точностью 1/10 длины волны или
0,1 мкм, в зависимости от того, какая
из величин меньше;
6.1.5.6.4. Защищенные объективы, специально 901390000;
предназначенные для использования с 903140000
системами лазеров сверхвысокой мощности
Магнитометры
6.1.6. Магнитометры, магнитные градиентометры,
внутренние магнитные градиентометры и
компенсационные системы и специально
разработанные для них компоненты,
такие как:
Примечание. По пункту 6.1.6 не
контролируются инструменты, специально
разработанные для биомагнитных
измерений медицинской диагностики
6.1.6.1. Магнитометры, использующие технологию 901580930
на основе эффекта сверхпроводимости с
оптической накачкой или ядерной
прецессией (протонной / Оверхаузера),
имеющей среднеквадратичный уровень шума
(чувствительность) менее (лучше)
0,05 нТ, деленные на корень квадратный
из частоты в герцах;
6.1.6.2. Магнитометры с катушкой индуктивности, 901580930
имеющие среднеквадратичное значение
уровня шума (чувствительности) менее
(лучше), чем любой из следующих
показателей:
а) 0,05 нТ, деленные на корень
квадратный из частоты в герцах, на
частоте менее 1 Гц;
б) 1 x 10E-3 нТ, деленные на корень
квадратный из частоты в герцах, на
частоте 1 Гц или более, но не более
10 Гц; или
в) 1 x 10E-4 нТ, деленные на корень
квадратный из частоты в герцах, на
частотах более 10 Гц
6.1.6.3. Волоконно - оптические магнитометры со 901580930
среднеквадратичным уровнем шума
(чувствительностью) менее (лучше) 1 нТ,
деленной на корень квадратный из
частоты в герцах;
6.1.6.4. Магнитные градиентометры, использующие 901580930
наборы магнитометров, контролируемых по
пунктам 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3;
6.1.6.5. Волоконно - оптические внутренние 901580930
магнитные градиентометры со
среднеквадратичным уровнем шума
(чувствительностью) градиента
магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ/м,
деленные на корень квадратный из
частоты в герцах;
6.1.6.6. Внутренние магнитные градиентометры, 901580930
использующие технологию, отличную от
волоконно - оптической, со
среднеквадратичным уровнем шума
(чувствительностью) градиента
магнитного поля менее (лучше)
0,015 нТ/м, деленные на корень
квадратный из частоты в герцах;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.6.7. Магнитокомпенсационные системы для 901580930
магнитных датчиков, предназначенных для
работы на подвижных платформах;
6.1.6.8. Сверхпроводящие электромагнитные 901580930
датчики, содержащие компоненты,
изготовленные из сверхпроводящих
материалов и имеющие все следующие
составляющие:
а) специально разработанные для работы
при температурах ниже критической
температуры по меньшей мере одного из
компонентов сверхпроводников (включая
устройства на эффекте Джозефсона или
сверхпроводящие устройства квантовой
интерференции (СКВИДы);
б) специально разработанные для
измерений вариаций электромагнитного
поля на частотах 1 кГц или менее; и
в) имеющие любую из следующих
характеристик:
1) включающие тонкопленочные СКВИДы с
минимальным размером элемента менее 2
мкм и с соответствующими схемами
соединения входа и выхода;
2) разработанные для функционирования
при максимальной скорости нарастания
магнитного поля более 10E6 квантов
магнитного потока в секунду;
3) разработанные для функционирования
без магнитного экрана в окружающем
земном магнитном поле; или
4) имеющие температурный коэффициент
менее 0,1 кванта магнитного потока,
деленного на кельвин
(п. 6.1.6.8 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Гравиметры
6.1.7. Гравиметры и гравитационные
градиентометры:
6.1.7.1. Гравиметры, разработанные или 901580930
модифицированные для наземного
использования со статистической
точностью менее (лучше) 10 микрогалей
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 6.1.7.1 не
контролируются наземные гравиметры типа
кварцевых элементов (Уордена);
6.1.7.2. Гравиметры, разработанные для подвижных 901580930
платформ для наземных, морских,
погруженных, воздушных и космических
применений, имеющие все следующие
характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) статистическую точность менее
(лучше) 0,7 миллигалей; и
б) рабочую точность менее (лучше) 0,7
миллигалей со временем регистрации в
состоянии готовности менее 2 мин в
любой комбинации корректирующих
компенсаций и влияния движения;
6.1.7.3. Гравитационные градиентометры
Радиолокаторы
6.1.8. Локационные системы, оборудование и
узлы, имеющие любую из следующих
характеристик, и специально
предназначенные для них компоненты:
Примечание. По пункту 6.1.8 не
контролируются:
а) РЛС с активным ответом;
б) автомобильные РЛС, предназначенные
для предотвращения столкновений;
в) дисплеи или мониторы, используемые
для управления воздушным движением
(УВД), имеющие разрешение не более
12 элементов на 1 мм;
г) метеорологические (погодные)
локаторы
6.1.8.1. Работающие на частотах от 40 ГГц до 852610900
230 ГГц и имеющие среднюю выходную
мощность более 100 мВт;
6.1.8.2. РЛС, рабочая частота которых может 852610900
перестраиваться в пределах более чем
+/- 6,25% от центральной рабочей
частоты
Техническое примечание. Центральная
рабочая частота равна половине суммы
наибольшей и наименьшей несущих частот;
6.1.8.3. Способные работать одновременно на двух 852610900
или более несущих частотах;
6.1.8.4. Имеющие возможность функционирования в 852610900
режимах синтезированной апертуры или в
обратной синтезированной апертуры
локатора, или в режиме локатора
бокового обзора воздушного базирования;
6.1.8.5. Включающие фазированные антенные 852610900
решетки с электронным сканированием
луча;
6.1.8.6. Обладающие способностью нахождения 852610900
высотных одиночных целей
Примечание. По пункту 6.1.8.6 не
контролируется прецизионное
радиолокационное оборудование для
контроля захода на посадку,
соответствующее стандартам ИКАО;
6.1.8.7. Специально разработанные для воздушного 852610900
базирования (устанавливаются на
воздушном шаре или корпусе летательного
аппарата) и имеющие допплеровскую
обработку сигнала для обнаружения
движущихся целей;
6.1.8.8. РЛС, использующие обработку сигналов 852610900
локатора с применением любой из
следующих составляющих:
а) методов расширения спектра РЛС; или
б) методов РЛС с частотной ажильностью;
6.1.8.9. РЛС, обеспечивающие наземное 852610900
функционирование с максимальной
инструментальной дальностью действия
более 185 км
Примечание. По пункту 6.1.8.9 не
контролируются:
а) наземные РЛС для наблюдения рыбных
косяков;
б) наземные РЛС, специально
разработанные для управления воздушным
движением в случае, когда они
удовлетворяют всем следующим условиям:
1) имеют максимальную инструментальную
дальность действия 500 км или менее;
2) спроектированы так, что данные с РЛС
о цели могут быть переданы только одним
путем от места нахождения локатора к
одному или нескольким гражданским
центрам УВД на маршруте;
3) не содержат средств для
дистанционного управления скоростью
сканирования локатора из центра УВД на
маршруте; и
4) должны устанавливаться надолго;
в) локаторы для метеорологического
наблюдения с воздушного шара;
6.1.8.10. Являющиеся лазерными локационными 901380000
станциями или лазерными дальномерами
(ЛИДАРы), имеющими любую из следующих
характеристик:
а) годные для применения в космосе; или
б) использующие методы когерентного
гетеродинного или гомодинного
детектирования и имеющие угловое
разрешение менее (лучше) 20 мкрад
Примечание. По пункту 6.1.8.10 не
контролируются ЛИДАРы, специально
спроектированные для съемки или
метеорологического наблюдения;
6.1.8.11. Имеющие подсистемы обработки сигнала в 852110900
виде сжатия импульса с любой из
следующих характеристик:
а) коэффициентом сжатия импульса более
150; или
б) шириной импульса менее 200 нс; или
6.1.8.12. Имеющие подсистемы обработки данных с 852110900
любой из следующих характеристик:
а) автоматическое сопровождение цели,
обеспечивающее при любом вращении
антенны определение предполагаемого
положения цели за время до следующего
прохождения луча антенны;
б) вычисление скорости цели от активной
РЛС, имеющей непериодическое
(переменное) сканирование;
в) обработка для автоматического
распознавания образов (выделение
признаков) и сравнения с базами данных
характеристик цели (сигналов или
образов) для идентификации или
классификации целей; или
г) наложение и корреляция или слияние
данных о цели от двух или более
пространственно распределенных и
взаимосвязанных измерительных РЛС для
усиления и различения целей
Примечания. 1. По подпункту "а"
пункта 6.1.8.12 не контролируются
средства выдачи сигнала для
предупреждения столкновений в системах
контроля воздушного движения, морских
или прибрежных РЛС
2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не
контролируются системы, оборудование и
узлы, используемые для контроля
морского движения
6.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
6.2.1. Акустика - нет
6.2.2. Оптические датчики - нет
6.2.3. Камеры - нет
Оптика
6.2.4. Следующее оптическое оборудование:
6.2.4.1. Оборудование для измерения абсолютного 903140000
значения отражательной способности с
погрешностью +/- 0,1% от значения
отражательной способности;
6.2.4.2. Оборудование, отличное от оборудования 903140000
для измерения рассеяния оптической
поверхностью, имеющее незатемненную
апертуру с диаметром более 10 см,
специально предназначенное для
бесконтактного оптического измерения
неплоской фигуры (профиля) оптической
поверхности с точностью 2 нм или менее
(лучше) от требуемого профиля
Примечание. По пункту 6.2.4 не
контролируются микроскопы
6.2.5. Лазеры - нет
6.2.6. Магнитометры - нет
Гравиметры
6.2.7. Оборудование для производства, 903180390
юстировки и калибровки гравиметров
наземного базирования со статической
точностью лучше 0,1 миллигала
Радиолокаторы
6.2.8. Импульсные локационные системы для 852610900
измерения поперечного сечения, имеющие
длительность передаваемых импульсов
100 нс или менее, и специально
предназначенные для них компоненты
6.3. Материалы
6.3.1. Акустика - нет
Оптические датчики
6.3.2. Материалы для оптических датчиков,
такие как:
6.3.2.1. Химически чистый элементарный теллур 280450900
(Te) с уровнями чистоты 99,9995% или
более;
6.3.2.2. Монокристаллы (включая эпитаксиальные 3818009000;
пластины) любого из следующего: 8107900000
а) цинкового теллурида кадмия с
содержанием цинка менее 6% по молярным
долям;
б) теллурида кадмия (CdTe) любого
уровня чистоты; или
в) ртутного теллурида кадмия (HgCdTe)
любого уровня чистоты
Техническое примечание. Молярная
доля определяется отношением
молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe,
присутствующих в кристалле
(п. 6.3.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
6.3.3. Камеры - нет
Оптика
6.3.4. Оптические материалы, такие как:
6.3.4.1. Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и 284290100;
сульфида цинка (ZnS), полученные 283020000
химическим осаждением паров, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) объем более 100 куб. см; или
б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм
или более;
6.3.4.2. Слитки следующих электрооптических
материалов:
6.3.4.2.1. Арсенат титаната калия (KTA); 284290900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.3.4.2.2. Серебряный селенид галлия (AgGaSe2); 284290100
6.3.4.2.3. Таллиевый селенид мышьяка (Tl3AsSe3, 284290100
известный также как TAS);
6.3.4.3. Нелинейные оптические материалы, 702000900
имеющие все следующие характеристики:
а) восприимчивость третьего порядка
(хи 3) 10E-6 кв. м/В2 или более; и
б) время отклика менее 1 мс;
6.3.4.4. Заготовки карбида кремнезема или 284920000;
осажденных материалов бериллия - 811219000
бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной
главной оси более 300 мм;
6.3.4.5. Стекло, содержащее расплавы кремния, 700100900;
фосфатное стекло, фторофосфатное 702000900
стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид
гафния (HfF4), имеющее все следующие
характеристики:
а) концентрацию гидроксильных ионов
(OH-) менее 5 частей на миллион;
б) интегральные уровни чистоты металлов
менее 1 части на миллион; и
в) высокую однородность (вариацию
показателя коэффициента преломления)
менее 5 x 10E-6
6.3.4.6. Синтетический алмазный материал с 710490000;
поглощением менее 10E-5 см-1 на длине 710510000
волны от 200 нм до 14000 нм
Лазеры
6.3.5. Синтетические кристаллические материалы
(основа) лазера в необработанном виде,
такие как:
6.3.5.1. Корунд с титаном; 710310000
6.3.5.2. Александрит 710310000
6.3.6. Магнитометры - нет
6.3.7. Гравиметры - нет
6.3.8. Радиолокаторы - нет
6.4. Программное обеспечение
6.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 6.1.4,
6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8
6.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для использования
оборудования, контролируемого по
пунктам 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8
6.4.3. Другое программное обеспечение, такое
как:
Акустика
6.4.3.1. Следующее программное обеспечение:
а) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием буксируемых гидрофонных
решеток;
б) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием буксируемых гидрофонных
решеток;
в) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча при обработке
акустических данных в реальном масштабе
времени при пассивном приеме донными
или погруженными кабельными системами;
(пп. "в" в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
г) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема донными
или погруженными кабельными системами
(пп. "г" введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.4.3.2. Оптические датчики - нет
6.4.3.3. Камеры - нет
6.4.3.4. Оптика - нет
6.4.3.5. Лазеры - нет
Магнитометры
6.4.3.6. Программное обеспечение, такое как:
6.4.3.6.1. Программное обеспечение, специально
разработанное для
магнитокомпенсационных систем для
магнитных датчиков, предназначенных для
работы на подвижных платформах;
6.4.3.6.2. Программное обеспечение, специально
разработанное для обнаружения магнитных
аномалий на подвижных платформах
Гравиметры
6.4.3.7. Программное обеспечение, специально
разработанное для коррекции влияния
движения гравиметров или гравитационных
градиентометров;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Радиолокаторы
6.4.3.8. Программное обеспечение, такое как:
6.4.3.8.1. Программы для применения программного
обеспечения для управления воздушным
движением на компьютерах общего
назначения, находящихся в центрах
управления воздушным движением и
обладающих любой из следующих
возможностей:
а) одновременной обработкой и
отображением более 150 траекторий
систем; или
б) приемом информации о целях РЛС от
более чем четырех первичных РЛС
6.4.3.8.2. Программное обеспечение для разработки
или производства обтекателей антенн
радиолокаторов, которые:
а) специально разработаны для защиты
фазированных антенных решеток с
электронным сканированием луча,
контролируемых по пункту 6.1.8.5; и
б) имеют результирующий средний уровень
боковых лепестков более чем на 40 дБ
ниже максимального уровня главного луча
Техническое примечание. Средний
уровень боковых лепестков, указанный в
подпункте "б" пункта 6.4.3.8.2
измеряется целиком для всей решетки, за
исключением диапазона углов, в который
входят главный луч и первые два боковых
лепестка по обе стороны главного луча
6.5. Технология
6.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования, материалов или
программного обеспечения,
контролируемых по пунктам 6.1, 6.2, 6.3
или 6.4
6.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования или материалов,
контролируемых по пунктам 6.1, 6.2 или
6.3
6.5.3. Другие технологии:
6.5.3.1. Акустика - нет
6.5.3.2. Оптические датчики - нет
6.5.3.3. Камеры - нет
Оптика
6.5.3.4. Технологии, такие как:
6.5.3.4.1. Технология обработки и покрытия
оптических поверхностей, требуемая для
достижения однородности 99,5% или
лучше, для оптических покрытий
диаметром или длиной главной оси более
500 мм и с общими потерями (поглощение
и рассеяние) менее 5 x 10E-3
Особое примечание. Смотрите также
пункт 2.5.3.6;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.5.3.4.2. Оптические технологии изготовления,
использующие методы одноточечного
вращения алмазов с получением конечных
среднеквадратичных точностей обработки
поверхности лучше, чем корень
квадратный из 10 нм на неплоских
поверхностях площадью более 0,5 кв. м
Лазеры
6.5.3.5. Технология, требуемая для разработки,
производства или использования
специализированных диагностических
инструментов или мишеней в
испытательных установках для испытаний
лазеров сверхвысокой мощности или
испытаний, или оценки стойкости
материалов, облучаемых лучами лазеров
сверхвысокой мощности;
Магнитометры
6.5.3.6. Технология, требуемая для разработки
или производства феррозондовых
магнитометров или систем феррозондовых
магнитометров, имеющих любую из
следующих характеристик:
а) уровень шума менее 0,05 нТ, деленные
на корень квадратный из частоты в
герцах, на частотах менее 1 Гц
(среднеквадратичное); или
б) уровень шума 1 x 10E-3 нТ, деленные
на корень квадратный из частоты в
герцах, на частотах 1 Гц или более
(среднеквадратичное)
6.5.3.7. Гравиметры - нет
6.5.3.8. Радиолокаторы - нет
Категория 7. Навигация и авиационная
электроника
7.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечание. Для автопилотов
подводных аппаратов смотрите Категорию
8, для РЛС смотрите Категорию 6
7.1.1. Линейные акселерометры, предназначенные 901420900;
для использования в инерциальных 903289
системах навигации или наведения и
имеющие любую из следующих
характеристик, и специально
разработанные для них компоненты:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
а) стабильность смещения менее (лучше)
130 микро g относительно фиксированной
калиброванной величины на протяжении
периода в 1 год;
б) стабильность масштабного
коэффициента менее (лучше) 130 долей на
миллион относительно фиксированной
калиброванной величины на протяжении
периода в 1 год; или
в) специфицируемые для функционирования
при уровнях линейных ускорений,
превышающих 100 g
Особое примечание. Для угловых или
вращающихся акселерометров см. пункт
7.1.2
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001
N 1156)
7.1.2. Гироскопы и угловые или вращающиеся 901420990;
акселерометры, имеющие любую из 903289
следующих характеристик, и специально
разработанные для них компоненты:
а) стабильность скорости дрейфа,
измеренную в условиях воздействия 1 g
на протяжении периода в 3 месяца
относительно фиксированной
калиброванной величины:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1) менее (лучше) 0,1 град. в час, когда
паспортные (номинальные) данные
приведены для функционирования при
уровнях линейных ускорений ниже 10 g;
или
2) менее (лучше) 0,5 град. в час, когда
приведены паспортные (номинальные)
данные для функционирования при уровнях
линейных ускорений от 10 до 100 g
включительно; или
б) специфицируемые для функционирования
при линейных ускорениях с уровнем,
превышающем 100 g
7.1.3. Инерциальные навигационные системы 901410900;
(платформенные карданные и 901420900
бесплатформенные бескарданные) и
инерциальное оборудование,
разработанное для летательных
аппаратов, наземных средств
передвижения или космических аппаратов
для определения местоположения,
наведения или управления, имеющие любую
из следующих характеристик, и
специально разработанные для них
компоненты:
а) навигационную ошибку (чисто
инерциальную) после нормальной выставки
от 0,8 морской мили в час
(50-процентная круговая вероятная
ошибка -КВО) или менее (лучше); или
б) специфицируемые для функционирования
при уровнях линейных ускорений свыше
10 g
Примечания. 1. Параметры, указанные
в подпункте "а" пункта 7.1.3, применимы
для любого из следующих условий среды:
а) входная случайная вибрация на
предельном уровне величиной корень
квадратный из 7,7 g в первые полчаса и
общие испытания в течение полутора
часов вдоль каждой из осей по трем
перпендикулярным направлениям, когда
может иметь место следующая случайная
вибрация:
1) постоянная спектральная плотность
мощности от 0,04 g2/Гц в частотном
интервале от 15 до 1000 Гц; и
2) спектральная плотность мощности
спадает в зависимости от частоты от
0,04 g2/Гц до 0,01 g2/Гц в частотном
интервале от 1000 до 2000 Гц; или
б) вращение и рыскание равны или более
+2,62 рад/с (150 град/с); или
в) условий, указанных в национальных
стандартах, положения которых
эквивалентны пунктам "а" и "б"
настоящего примечания
2. По пункту 7.1.3 не контролируются
инерциальные навигационные системы,
сертифицированные для применения на
гражданских летательных аппаратах
гражданской администрацией
государства - участника соглашений
7.1.4. Гироастрокомпасы и другие устройства, 901420900;
которые обеспечивают определение 901480000
местоположения или ориентацию
посредством автоматического слежения
небесных тел или спутников с точностью
по азимуту, равной или менее (лучше)
5 угловых секунд
7.1.5. Приемная аппаратура глобальных 901420900;
навигационных спутниковых систем (GPS 901480000
или ГЛОНАСС), имеющая одну из следующих
характеристик, и специально
разработанные для нее компоненты:
а) использующая дешифровку; или
б) использующая антенны с управляемой
диаграммой направленности ("провал" в
диаграмме направленности)
7.1.6. Бортовые альтиметры, действующие на 852610110;
частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц 852691900
включительно, имеющие одну из следующих
характеристик:
а) управление мощностью; или
б) использующие амплитудную модуляцию с
переменной фазой
7.1.7. Радиопеленгаторное оборудование, 852691900
действующее на частотах свыше 30 МГц и
имеющее все следующие характеристики, и
специально разработанные для него
компоненты:
а) мгновенное значение ширины полосы
пропускания 1 МГц или более;
б) параллельную работу на более чем 100
частотных каналах; и
в) производительность более 1000
пеленгований в секунду на частотный
канал
7.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
7.2.1. Оборудование для испытаний, калибровки, 903110000;
выставки, специально разработанное для 903120000;
оборудования, контролируемого по 903180
пункту 7.1
Примечание. По пункту 7.2.1 не
контролируется оборудование для
испытаний, калибровки, выставки для
технического обслуживания по первому и
второму уровням
Технические примечания.
1. Техническое обслуживание по первому
уровню
Повреждение инерциального
навигационного устройства на
летательном аппарате обнаруживается по
показаниям устройств контроля и
отображения информации или по сообщению
сигнализации от соответствующей
подсистемы. Впоследствии вызванное
повреждение может быть устранено
фирмой - изготовителем путем замены
неисправного устройства. Оператор
удаляет это устройство и заменяет его
запасным
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. Техническое обслуживание по второму
уровню
Неисправное устройство посылается для
ремонта в производственный цех фирмы
или оператору, ответственному за
техническое обслуживание по второму
уровню. В производственном цехе
неисправное устройство испытывается
различными соответствующими средствами,
чтобы проверить и локализовать
неисправный модуль устройства,
подлежащий замене в цехе. Этот
поврежденный модуль устройства
удаляется и заменяется действующим
запасным. Поврежденный модуль
устройства (или по возможности
устройство) затем возвращается
изготовителю
Техническое обслуживание по второму
уровню не включает извлечение
подпадающих под контроль акселерометров
и гироскопических датчиков из
заменяемого в заводских условиях модуля
устройства
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
7.2.2. Оборудование, специально разработанное
для оценки характеристик зеркал
кольцевых лазерных гироскопов, такое
как:
7.2.2.1. Рефлектометры, имеющие точность 903180
измерений в 10 миллионных долей или
менее (лучше)
7.2.2.2. Профилометры, имеющие точность 903180
измерений в 0,5 нм (5 ангстрем) или
менее (лучше)
7.2.3. Оборудование, специально разработанное 8413;
для производства оборудования, 842119910;
контролируемого по пункту 7.1 842119990;
Примечание. Пункт 7.2.3 включает: 903110000;
а) испытательные установки для 903120000;
регулирования гироскопов; 903180
б) установки для динамической
балансировки гироскопов;
в) установки для испытания гиромотора;
г) установки для наполнения и откачки
рабочего вещества гироскопа;
д) центрифуги для гироподшипников;
е) установки для выравнивания осей
акселерометра
7.3. Материалы - нет
7.4. Программное обеспечение
7.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное или модифицированное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по пункту
7.1 или 7.2
7.4.2. Текст программы для использования в
любом инерциальном навигационном
оборудовании, включая инерциальное
оборудование, не контролируемое по
пункту 7.1.3 или 7.1.4, либо в системах
определения курсового направления
в воздухе
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 7.4.2 не
контролируются тексты программ для
использования в платформенных системах
определения положения в воздухе
Техническое примечание. Система
определения положения (курсового
направления) летательного аппарата в
воздухе, как правило, отличается от
инерциальной навигационной системы
(ИНС) тем, что система определения
углового (курсового) положения
летательного аппарата в воздухе
обеспечивает информацией о положении
самолета в воздухе и направлении и
обычно не обеспечивает информацией об
ускорении, скорости и положении
(координате), снимаемой с ИНС
7.4.3. Другое программное обеспечение, такое
как:
7.4.3.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
улучшения действующих характеристик или
уменьшения навигационной ошибки систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3
или 7.1.4;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
7.4.3.2. Текст программы для гибридных
комплексированных систем, которые
улучшают действующие характеристики или
уменьшают навигационную ошибку систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3,
при комплексировании инерциальных
данных с любыми из навигационных
данных, получаемых от:
а) допплеровского определителя
скорости;
б) глобальной навигационной спутниковой
системы (GPS или ГЛОНАСС); или
в) базы данных о рельефе местности;
7.4.3.3. Текст программы для комплексированных
авиационных или космических систем,
которые объединяют данные измерительных
датчиков и используют экспертные
системы;
7.4.3.4. Текст программы для разработки любого
из следующих видов оборудования:
7.4.3.4.1. Цифровых систем управления полетом для
общего управления полетом;
7.4.3.4.2. Комплексированных систем управления
полетом и двигателей;
7.4.3.4.3. Систем управления по проводам или по
сигнальным огням;
7.4.3.4.4. Отказоустойчивых и самоперестраиваемых
активных систем управления полетом;
7.4.3.4.5. Бортового автоматического оборудования,
управляющего ориентацией;
7.4.3.4.6. Воздушно - информационных систем,
основанных на сведениях о поверхностных
помехах; или
7.4.3.4.7. Проекционных дисплеев с головками
растрового типа или трехмерных дисплеев
7.4.3.5. Программное обеспечение системы
автоматизированного проектирования,
специально разработанное для создания
активных систем управления полетом,
систем многокоординатного управления
вертолетом по проводам или сигнальным
огням или вертолетных систем контроля
направления или противовращения с
контролируемой циркуляцией, технологии
которых контролируются по пунктам
7.5.4.2, 7.5.4.3.1 или 7.5.4.3.2
7.5. Технология
7.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пунктам
7.1, 7.2 или 7.4
7.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
7.1 или 7.2
7.5.3. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для ремонта,
капитального ремонта и восстановления
оборудования, контролируемого по
пунктам 7.1.1 - 7.1.4
Примечание. По пункту 7.5.3 не
контролируются технологии технического
обслуживания, непосредственно
связанного с калибровкой, демонтажем
или заменой неисправных или непригодных
к эксплуатации типовых заменяемых
элементов и местоположением
специализированного ремонта летательных
аппаратов гражданского применения,
которые описаны в руководствах
технического обслуживания по первому
или второму уровню
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Особое примечание. Для целей пункта
7.5.3 см. техническое примечание к
пункту 7.2.1
7.5.4. Другие технологии, такие как:
7.5.4.1. Технология для разработки или
производства:
7.5.4.1.1. Бортового автоматически управляемого
оборудования, работающего на частотах,
превосходящих 5 мГц;
7.5.4.1.2. Воздушно - информационных систем,
основанных только на поверхностных
статических данных, то есть систем,
которые обходятся без стандартных
воздушных проб;
7.5.4.1.3. Проекционных дисплеев с головками
растрового типа или трехмерных дисплеев
для летательных аппаратов;
7.5.4.1.4. Инерциальных навигационных систем или
гироастрокомпасов, содержащих в себе
акселерометры или гироскопы,
контролируемые по пункту 7.1.1 или
7.1.2;
7.5.4.1.5. Электрических исполнительных механизмов
(то есть электромеханических,
электрогидростатических и
интегрированных исполнительных блоков),
специально разработанных для прямого
управления полетом;
7.5.4.1.6. Групп оптических датчиков системы
управления полетом, специально
разработанных для применения в активных
системах управления полетом
7.5.4.2. Технологии разработки активных систем
управления полетом (включающих полет с
управлением по проводам или сигнальным
огням), включая:
7.5.4.2.1. Конфигурацию, разработанную для связи
множества микроэлектронных
вычислительных элементов (бортовых
компьютеров), позволяющую реализовать
законы управления в реальном масштабе
времени;
7.5.4.2.2. Компенсацию зависимости управления от
расположения измерительного датчика или
динамических нагрузок каркаса
летательного аппарата, например,
компенсацию вибрационного фона датчика
или вариацию размещения датчиков
относительно центра тяжести;
7.5.4.2.3. Электронное управление избыточными
данными или системами резервирования
для определения ошибки, допустимого
отклонения ошибки, локализации ошибки
или ее реконфигурации
Примечание. По пункту 7.5.4.2.3 не
контролируется технология
проектирования физической избыточности;
7.5.4.2.4. Управление летательным аппаратом,
которое позволяет автономно изменять
структуру сил и моментов в полете в
реальном масштабе времени;
7.5.4.2.5. Комплексирование цифровой системы
управления полетом, системы навигации и
данных системы управления двигателем в
цифровую систему общего управления
полетом
Примечание. По пункту 7.5.4.2.5 не
контролируются:
а) технологии проектирования
комплексированных цифровых систем
управления полетом, навигации и
контроля данных двигателя, объединенных
в цифровую систему управления полетом
для оптимизации траектории полета;
б) технологии проектирования
авиационных средств навигации,
предназначенных исключительно для
курсового всенаправленного радиомаяка
СВЧ - диапазона, дальномерной
аппаратуры, системы "слепой" посадки,
системы посадки СВЧ - диапазона или
системы захода на посадку;
7.5.4.2.6. Полностью автономную цифровую систему
управления полетом или многодатчиковую
систему организации работы управляющих
систем, использующих экспертные системы
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Особое примечание. Для технологий
полностью автономной электронно -
цифровой системы управления двигателями
(ФАДЕК) см. пункт 9.5.3.1.9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
7.5.4.3. Технология для разработки следующих
вертолетных систем:
7.5.4.3.1. Многокоординатных средств управления по
проводам или сигнальным огням, которые
объединяют по крайней мере две из
следующих функций в один управляющий
элемент:
а) управление несущим винтом;
б) управление вращением;
в) управление рысканием
7.5.4.3.2. Системы управления моментом вращения и
скручивающим усилием при вращательном
движении;
7.5.4.3.3. Вращающихся лопастей с переменной
геометрией аэродинамического профиля
для систем с управляемыми лопастями
Категория 8. Морское дело
8.1. Системы, оборудование и компоненты
8.1.1. Подводные аппараты и надводные суда,
такие как:
Особое примечание. Для оценки
контрольного статуса оборудования
подводных аппаратов смотрите: для
оборудования передачи зашифрованной
информации - часть 2 Категории 5
(Защита информации); применительно к
датчикам - Категорию 6; для
навигационного оборудования - Категории
7 и 8; для оборудования передачи,
зашифрованной для подводного
оборудования, - пункт 8.1
8.1.1.1. Пилотируемые человеком, управляемые по 890600910;
проводам подводные аппараты, 890600990
спроектированные для операций на
глубинах, превышающих 1000 м;
8.1.1.2. Пилотируемые человеком, не управляемые
по проводам подводные аппараты, имеющие
любую из следующих характеристик:
8.1.1.2.1. Спроектированные для автономного 890600910;
плавания и имеющие все следующие 890600990
характеристики по подъемной силе:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) 10% или более их собственного веса
(веса в воздухе); и
б) 15 кН или более
8.1.1.2.2. Спроектированные для плавания на 890600910;
глубинах, превышающих 1000 м; или 890600990
8.1.1.2.3. Имеющие все следующие характеристики: 890600910;
а) спроектированные для экипажа из 890600990
четырех или более человек;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) спроектированные для автономного
плавания в течение 10 часов или более;
в) имеющие радиус действия 25 морских
миль или более; и
г) имеющие длину 21 м или менее
Технические примечания. 1. Для
целей пункта 8.1.1.2 "автономное
плавание" означает, что аппараты
полностью погружены без шнорхеля, все
их системы функционируют и обеспечивают
плавание на минимальной скорости, при
которой погружением можно безопасно
управлять (с учетом необходимой
динамики по глубине погружения) с
использованием только глубинных рулей
без участия надводного судна поддержки
или базы (береговой или корабля -
матки); аппараты имеют двигательную
систему для движения в погруженном и
надводном состоянии;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. Для целей пункта 8.1.1.2 радиус
действия составляет половину
максимального расстояния, которое может
преодолеть подводный аппарат
8.1.1.3. Не пилотируемые человеком, управляемые 890600910;
по проводам подводные аппараты, 890600990
спроектированные для плавания на
глубинах, превышающих 1000 м, имеющие
любую из следующих составляющих:
8.1.1.3.1. Спроектированные для самоходного
маневра с применением двигателей или
тяговых установок, контролируемых по
пункту 8.1.2.1.2; или
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
8.1.1.3.2. Имеющие волоконно - оптические линии
передачи данных
8.1.1.4. Не пилотируемые человеком, 890600910;
неуправляемые по проводам подводные 890600990
аппараты, имеющие любую из следующих
составляющих:
8.1.1.4.1. Спроектированные для решения задачи
достижения (прокладки курса) любого
географического ориентира в реальном
масштабе времени без участия человека;
8.1.1.4.2. Имеющие канал передачи акустических
данных или команд; или
8.1.1.4.3. Имеющие волоконно - оптическую линию
передачи данных или линию передачи
команд, превышающую по длине 1000 м
8.1.1.5. Океанские системы спасения с подъемной
силой, превышающей 5 МН, для спасения
объектов с глубин, превышающих 250 м, и
имеющие одну из следующих
характеристик:
8.1.1.5.1. Системы динамического управления 890590100;
положением, способные стабилизироваться 890600910
в пределах (внутри) 20 м относительно
заданной точки, фиксируемой
навигационной системой; или
8.1.1.5.2. Системы придонной навигации и 890590100;
навигационной интеграции для глубин, 890600910
превышающих 1000 м с точностью
обеспечения положения в пределах
(внутри) 10 м относительно заданной
точки
8.1.1.6. Амфибийные суда на воздушной подушке (с 890600910;
полностью изменяемой поверхностной 890600990
конфигурацией), имеющие все следующие
характеристики:
а) максимальную проектную скорость при
полной загрузке более 30 узлов при
значении высоты волны в 1,25 м (Морская
статья 3) или более;
б) амортизирующее давление более
3830 Па; и
в) соотношение водоизмещения
незагруженного и полнозагруженного
судна менее 0,70;
8.1.1.7. Амфибийные суда на воздушной подушке (с 890600910;
неизменяемой поверхностной 890600990
конфигурацией) с максимальной проектной
скоростью, превышающей при полной
загрузке 40 узлов при значении высоты
волны в 3,25 м (Морская статья 5) или
более;
8.1.1.8. Суда с гидрокрылом с активными 890600910;
системами для автоматического 890600990
управления крылом с максимальной
проектной скоростью при полной загрузке
в 40 узлов или более и значении высоты
волны в 3,25 м (Морская статья 5) или
более;
8.1.1.9. Суда с малой площадью ватерлинии, 890600910;
имеющие любую из следующих 890600990
характеристик:
а) водоизмещение при полной загрузке,
превышающее 500 тонн, с максимальной
проектной скоростью, превышающей при
полной загрузке 35 узлов, при значении
высоты волны в 3,25 м (Морская статья
5) или более; или
б) водоизмещение при полной загрузке,
превышающее 1500 тонн, с максимальной
проектной скоростью при полной
загрузке, превышающей 25 узлов, при
значении высоты волны в 4 м (Морская
статья 6) или более
Техническое примечание.
Принадлежность судна к судам с малой
площадью ватерлинии определяется
следующей формулой: площадь ватерлинии
при известном значении водоизмещения
при операционной проектной осадке
меньше 2 x (водоизмещение при
операционной проектной осадке)E2/3
8.1.2. Системы или оборудование, такие, как:
Примечание. Для систем подводной
связи смотрите часть 1 Категории 5
(Телекоммуникации)
8.1.2.1. Системы и оборудование, специально
спроектированные или модифицированные
для подводных аппаратов,
спроектированных для плавания на
глубинах, превышающих 1000 м, такие,
как:
8.1.2.1.1. Помещения под давлением или корпуса под 890590100;
давлением с максимальным внутренним 890600900
диаметром камеры, превышающим 1,5 м;
8.1.2.1.2. Электродвигатели постоянного тока или 850133910;
тяговые установки; 850134500;
850134990
8.1.2.1.3. Кабельные разъемы и соединители для 853690110;
них, использующие оптическое волокно и 853690190;
имеющие силовые элементы из 901390000
синтетических материалов
8.1.2.2. Системы, специально спроектированные 901480000
или модифицированные для
автоматического управления движением
подводных аппаратов, контролируемых по
пункту 8.1.1, использующие
навигационные данные и имеющие
сервоуправляющие средства с замкнутым
контуром:
а) способные управлять движением
аппарата в пределах 10 м относительно
заданной точки водяного столба;
б) поддерживающие положение аппарата в
пределах 10 м относительно заданной
точки водяного столба; или
в) поддерживающие положение аппарата в
пределах 10 м при следовании на тросе
(кабеле) за или под кораблем - маткой
8.1.2.3. Волоконно - оптические корпусные 901390000
разъемы или соединители;
8.1.2.4. Системы подводного наблюдения,
включающие:
8.1.2.4.1. Телевизионные системы и телевизионные
камеры, такие, как:
8.1.2.4.1.1. Телевизионные системы (включая камеру, 852510900
оборудование для мониторинга и передачи
сигнала), имеющие предельное разрешение
более 800 линий при измерении его в
воздушной среде и телесистемы,
специально спроектированные или
модифицированные для дистанционного
управления подводным судном; или
8.1.2.4.1.2. Подводные телекамеры, имеющие 852530900
предельное разрешение более 1100 линий
при измерении разрешения в воздушной
среде;
8.1.2.4.1.3. Телевизионные камеры для съемки 852530990
объектов с низким уровнем освещенности,
специально спроектированные или
модифицированные для использования под
водой и содержащие все следующие
составляющие:
а) трубки с усилителем изображения,
которые контролируются по пункту
6.1.2.1.2.1; и
б) более 150000 активных пикселов на
площади твердотельного приемника
Техническое примечание. Предельное
разрешение в телевидении измеряется
горизонтальным (строчным) разрешением,
обычно выраженным в максимальном числе
линий по высоте изображения (экрана),
различаемых на тестовой таблице,
использующей стандарт IEEE 208/1960 или
любой эквивалент этого стандарта
8.1.2.4.2. Системы, специально спроектированные 852692000
или модифицированные для дистанционного
управления подводным аппаратом,
использующие способы минимизации
эффектов обратного рассеяния, включая
облучатели с пропусканием сигнала в
определенном диапазоне значений
дальности, или лазерные системы
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
8.1.2.5. Фотодиапозитивные камеры, специально 900653000;
спроектированные или модифицированные 900659000
для подводного применения на глубинах
более 150 м, имеющие формат ленты 35 мм
или более и любую из следующих
составляющих:
а) аннотацию ленты данными,
определяющими специфику внешнего
источника камеры;
б) автоматическую обратную коррекцию
фокусного расстояния; или
в) управление с автоматической
компенсацией, специально
спроектированное для боксов подводной
фотосъемки, способных выдерживать
глубину, превышающую 1000 м
8.1.2.6. Электронные системы наблюдения, 903081900
специально спроектированные или
модифицированные для подводного
использования, способные хранить в
цифровой форме более 50 экспонированных
кадров;
8.1.2.7. Системы подсветки, специально
спроектированные или модифицированные
для применения под водой:
8.1.2.7.1. Стробоскопические световые системы с 902920900;
энергией выхода более 300 Дж в одной 940540100;
вспышке и частотой вспышки более 5 раз 940540390
в секунду;
8.1.2.7.2. Аргонодуговые световые системы, 940540100;
специально спроектированные для 940540390
использования на глубинах более 1000 м
8.1.2.8. Роботы, специально спроектированные для 847989500;
подводного применения, управляемые с 847990980
использованием специализированной ЭВМ,
управляемой встроенной программой,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) системы, управляющие роботом с
использованием информации от датчиков,
которые измеряют усилие или момент
вращения, прикладываемые к внешнему
объекту, расстояние до внешнего объекта
или контактное (тактильное)
взаимодействие между роботом и внешним
объектом; или
б) способные создавать усилие в 250 Н
или более или момент вращения 250 Нм
или более и использующие сплавы на
основе титана или волоконные, или
нитевидные композиционные материалы в
элементах конструкции роботов
8.1.2.9. Дистанционно управляемые шарнирные 847989500;
манипуляторы, специально 847990980
спроектированные или модифицированные
для использования с подводными
аппаратами, имеющими любую из следующих
составляющих:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) системы, управляющие манипулятором,
используя информацию от датчиков,
измеряющих момент вращения или усилие,
прикладываемые к внешнему объекту, или
контактное (тактильное) взаимодействие
между манипулятором и внешним объектом;
или
б) пропорциональное управление
ведущий - ведомый или управление с
применением специализированной ЭВМ,
управляемой встроенной программой,
имеющие пять степеней свободы движения
или более
Примечание. При определении
количества степеней свободы движения в
расчет принимаются только функции,
имеющие пропорциональное управление с
применением позиционной обратной связи
или с применением специализированной
ЭВМ, управляемой встроенной программой,
обеспеченной библиотекой программ;
8.1.2.10. Изолированные от атмосферы силовые
системы, специально спроектированные
для применения под водой, такие, как:
8.1.2.10.1. Изолированные от атмосферы силовые 840810;
системы с двигателями циклов Брайтона 840999000
или Ренкина, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для
удаления диоксида углерода, оксида
углерода и частиц из рециркулируемого
выхлопа двигателя;
б) системы, специально спроектированные
для применения моноатомного газа;
в) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; или
г) системы, специально спроектированные
для:
1) прессования продуктов реакции или
восстановления топлива;
2) хранения продуктов реакции; и
3) выхлопа продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.2. Дизельные двигатели для изолированных 840810;
от атмосферы силовых систем, имеющие 840999000
все следующие характеристики:
а) химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для
удаления диоксида углерода, оксида
углерода и частиц из рециркулируемого
выхлопа двигателя;
б) системы, специально спроектированные
для применения моноатомного газа;
в) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; и
г) специально спроектированные
выхлопные системы с задержкой выброса
продуктов сгорания;
8.1.2.10.3. Воздушно - независимые энергетические 840999000
установки на топливных элементах (ЭХГ)
с выходной мощностью, превышающей
2 кВт, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; или
б) системы, специально спроектированные
для:
1) прессования продуктов реакции или
восстановления топлива;
2) хранения продуктов реакции; и
3) выхлопа продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.4. Независимые от атмосферы силовые 840810;
системы с двигателями цикла Стирлинга, 840999000
имеющие все следующие составляющие:
а) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; и
б) специально спроектированные
выхлопные системы с выхлопом продуктов
сгорания при противодавлении в 100 кПа
или более
8.1.2.11. Кромки корпуса, уплотнения и выдвижные 847990980;
элементы, имеющие любую из следующих 890600910;
составляющих: 890600990
а) спроектированные для давлений в
подушке 3830 Па или более,
функционирующие при значении высоты
волны 1,25 м (Морская статья 3) или
более и специально спроектированные для
амфибийных судов на воздушной подушке
(с полностью изменяемой поверхностной
конфигурацией), контролируемых по
пункту 8.1.1.6; или
б) спроектированные для давлений в
6224 Па или более, функционирующие при
значении высоты волны 3,25 м (Морская
статья 5) или более и специально
спроектированные для амфибийных судов
на воздушной подушке (с неизменяемой
поверхностной конфигурацией),
контролируемых по пункту 8.1.1.7;
8.1.2.12. Подъемные вентиляторы мощностью более 841239900;
400 кВт, специально спроектированные 841280990;
для амфибийных судов на воздушной 848510900
подушке, контролируемых по пунктам
8.1.1.6 или 8.1.1.7;
8.1.2.13. Полностью погружаемые подкавитационные 847990980;
или суперкавитационные гидрокрылья, 890600910;
специально разработанные для судов, 890600990
контролируемых по пункту 8.1.1.8;
8.1.2.14. Активные системы, специально 847990980;
спроектированные или модифицированные 890600910;
для автоматического управления 890600990
движением подводных аппаратов или
судов, контролируемых по пунктам
8.1.1.6, 8.1.1.7, 8.1.1.8 или 8.1.1.9;
8.1.2.15. Винты, системы передачи мощности,
системы получения энергии и системы
снижения шума, такие, как:
8.1.2.15.1. Системы двигателя с водяным винтом или
системы передачи мощности, специально
спроектированные для амфибийных судов
на воздушной подушке (с полностью
изменяемой или неизменяемой
поверхностной конфигурацией), для судов
с гидрокрыльями и судов с малой
площадью ватерлинии, контролируемых по
пунктам 8.1.1.6, 8.1.1.7, 8.1.1.8 или
8.1.1.9, такие, как:
8.1.2.15.1.1. Суперкавитационные, супервентиляторные, 840810
частично погруженные или опускаемые
(проникающие через поверхность)
движители мощностью более 7,5 МВт;
8.1.2.15.1.2. Противовращательные движительные 841229500;
системы мощностью более 15 МВт; 848510900
8.1.2.15.1.3. Системы, служащие для выравнивания 841229500
потока, набегающего на движитель с
использованием методов устранения
завихрений потока до и после их
образования;
8.1.2.15.1.4. Легковесный, высокой мощности (К-фактор 848340930
превышает величину 300) редуктор;
8.1.2.15.1.5. Системы передачи мощности 848310900
трансмиссионным валом, включающие
компоненты из композиционных материалов
и способные осуществлять передачу
мощности более 1 МВт
8.1.2.15.2. Движители с водяным винтом, системы
получения и передачи энергии,
разработанные для применения на судах,
такие, как:
8.1.2.15.2.1. Гребные винты с регулируемым шагом и 848510900
сборки ступицы мощностью более 30 МВт;
8.1.2.15.2.2. Электрические двигатели с водяным 850134990
внутренним охлаждением и выходной
мощностью, превышающей 2,5 МВт;
8.1.2.15.2.3. Движители с применением 850120900
сверхпроводимости или долго работающие
магнитоэлектрические двигатели с
выходной мощностью, превышающей
0,1 МВт;
8.1.2.15.2.4. Системы передачи мощности 848310900
трансмиссионным валом, включающие
компоненты из композиционных материалов
и способные осуществлять передачу
мощности более 2 МВт;
8.1.2.15.2.5. Системы вентиляторных или системы на 848510900
базе вентиляторных винтов мощностью
более 2,5 МВт
8.1.2.15.3. Системы снижения шума, разработанные
для применения на судах водоизмещением
1000 тонн или более, включая:
8.1.2.15.3.1. Системы снижения шума под водой на 840999000;
частотах ниже 500 Гц, состоящие из 841229500
компаундных акустических сборок для
акустической изоляции дизельных
двигателей, дизель - генераторных
установок, газовых турбин,
газотурбинных генераторных установок,
двигательных установок или редукторов,
специально спроектированных для
звуковой или вибрационной изоляции,
имеющие усредненную массу, превышающую
30% от массы монтируемого оборудования;
8.1.2.15.3.2. Активные системы снижения шума или его 841229500
погашения или подшипники на магнитном
подвесе, специально спроектированные
для мощных трансмиссионных систем,
включающие электронные системы
управления, способные активно снижать
вибрации оборудования генерацией
антишумовых или антивибрационных
сигналов непосредственно у источника
шума
8.1.2.16. Системы движения на струйном движителе 841229500
с выходной мощностью, превышающей
2,5 МВт, использующие отклоняющееся
сопло и технику регулирования потока
лопаткой (лопастью) в целях увеличения
эффективности движителя или снижения
генерируемых движителем и
распространяемых под водой шумов;
8.1.2.17. Аппараты, погружаемые под воду или
плавающие под водой, автономные,
закрытого или полузакрытого типа
(имеющие собственное
воздухообеспечение)
Примечание. По пункту 8.1.2.17 не
контролируются индивидуальные
аппараты, сопровождаемые пользователем
для своего персонального
использования
(примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
8.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
8.2.1. Гидроканалы, имеющие шумовой фон менее 903120000
100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в
частотном диапазоне от 0 до 500 Гц,
спроектированные для измерения
акустических полей, генерируемых
гидропотоком около моделей движительных
систем
8.3. Материалы
8.3.1. Синтактный материал, разработанный для 392190900
применения под водой, имеющий все
следующие характеристики:
а) предназначенный для морских глубин
более 1000 м; и
б) плотность менее 561 кг/куб. м
Техническое примечание. Синтактный
материал состоит из полых сфер из
пластика или стекла, залитых резиновой
матрицей
8.4. Программное обеспечение
8.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
применения оборудования или материалов,
контролируемых по пунктам 8.1, 8.2 или
8.3
8.4.2. Специфическое программное обеспечение,
специально созданное или
модифицированное для разработки,
производства, текущего ремонта,
капитального ремонта или восстановления
чистоты поверхности (ремашинизации)
винтов, специально спроектированных для
снижения их шума под водой
8.5. Технология
8.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
8.1, 8.2 или 8.3
8.5.2. Другие технологии, такие, как:
8.5.2.1. Технологии для разработки,
производства, текущего ремонта,
капитального ремонта, восстановления
(ремашинизации) винтов, специально
спроектированных для снижения их шума
под водой;
8.5.2.2. Технологии для капитального ремонта или
восстановления чистоты поверхности
оборудования, контролируемого по
пунктам 8.1.1, 8.1.2.2, 8.1.2.10,
8.1.2.15 или 8.1.2.16
Категория 9. Двигатели
9.1. Системы, оборудование и компоненты
9.1.1. Газотурбинные авиационные двигатели, 841111900;
при производстве которых используется 841181 -
любая из технологий, контролируемых по 841182
пункту 9.5.3.1:
а) не снабженные сертификатом для
определенных гражданских летательных
аппаратов, для которых они
предназначены;
Примечание. В целях осуществления
сертификации на отнесение летательных
аппаратов к категории гражданских
сертификация 16 двигателей, сборок или
их компонентов, включая запасные,
считается допустимой
б) не снабженные сертификатом для
гражданского применения авторитетными
специалистами государств - участников
договоренностей;
в) разработанные для полета на скорости
более 1,2 М в течение более 30 мин.
9.1.2. Морские газотурбинные двигатели со 841182910 -
стандартной по ИСО эксплуатационной 841182990
мощностью 24245 кВт или более и
удельным расходом топлива, не
превышающим 0,219 кг/кВтч, в диапазоне
мощностей от 35 до 100% и специально
разработанные агрегаты и компоненты для
таких двигателей
Примечание. Термин "морские
газотурбинные двигатели" включает
промышленные или авиационные
газотурбинные двигатели,
приспособленные для применения в
корабельных электрогенераторных или
двигательных установках
9.1.3. Специально разработанные агрегаты и 841199900
компоненты, при производстве которых
используются технологии, контролируемые
по пункту 9.5.3.1, для следующих
газотурбинных двигателей:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) контролируемых по пункту 9.1.1;
б) о разработке или производстве
которых либо не известно производителю,
либо они разрабатываются и производятся
в государствах, не являющихся
участниками договоренностей
9.1.4. Ракеты - носители и космические 880250000;
аппараты 930690
Примечание. По пункту 9.1.4 не
контролируются полезные нагрузки
Особое примечание. Для
контрольного статуса оборудования,
входящего в состав полезной нагрузки
космического аппарата, см.
соответствующие категории
(примечание в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
9.1.5. Жидкостные ракетные двигатели, 841210900
содержащие любую из систем или
компонентов, контролируемых по пункту
9.1.6
9.1.6. Системы и компоненты, специально
разработанные для жидкостных ракетных
двигателей, такие, как:
9.1.6.1. Криогенные рефрижераторы, бортовые 841290900
сосуды Дьюара, криогенные теплоотборные
трубы или криогенные системы,
специально разработанные для
использования в космических аппаратах и
имеющие потери криогенной среды
(хладоагента) менее 30% в год;
9.1.6.2. Криогенные контейнеры или 841290900
рефрижераторные системы с замкнутым
циклом, способные обеспечивать
температуру 100 K (-173 град. C) или
ниже, для самолетов, способных
поддерживать скорость полета,
превышающую 3 М, ракет - носителей или
космических аппаратов;
9.1.6.3. Хранилища для жидкого водорода или 731100;
системы его перекачки; 841319960;
841960000
9.1.6.4. Турбонасосы высокого давления 841319
(превышающего 17,5 МПа), компоненты
насосов или объединенные с ними
газогенераторы, или системы,
управляющие подачей газа к турбине;
9.1.6.5. Камеры сгорания высокого давления 841290300
(превышающего 10,6 МПа) и сопла для
них;
9.1.6.6. Системы хранения топлива, использующие 841229990;
принципы капиллярного сдерживания или 847989800
точной подачи (то есть с гибкими
вытеснительными пузырями);
9.1.6.7. Форсунки жидких топлив с единичными 841290900;
калиброванными отверстиями диаметром 930690900
0,381 мм или менее (площадью сечения
1,14 x 10E-3 кв. см или менее для
некруглых отверстий), специально
спроектированные для жидкостных
ракетных двигателей;
9.1.6.8. Монолитные камеры сгорания или 3801;
монолитные выхлопные конические насадки 841290;
сопла из материала углерод - углерод 930660
плотностью более 1,4 г/куб. см и
прочностью на разрыв более 48 МПа
9.1.7. Твердотопливные ракетные двигатели, 841210900
обладающие любой из следующих
характеристик:
а) суммарным импульсом, превосходящим
1,1 МНс;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) удельным импульсом 2,4 кН/кг или
более, когда поток истекает из сопла в
условиях, соответствующих условиям на
уровне моря, и давление в камере
сгорания составляет 7 МПа;
в) доля в массе ступени превосходит 88%
и заряд твердого топлива превосходит
86% веса ступени;
г) включают любые из компонентов,
контролируемых по пункту 9.1.8;
д) изолирующие системы или системы
крепления топлива, выполненные как
единое целое с двигателем для
обеспечения большей механической
прочности или как преграда для
исключения взаимного проникновения
химических продуктов (компонентов)
твердого топлива в материал изоляции
Техническое примечание. Для целей
подпункта "д" пункта 9.1.7 большая
механическая прочность означает
прочность применения, равную или
превышающую прочность топлива
9.1.8. Компоненты, специально разработанные
для твердотопливных ракетных
двигателей, такие, как:
9.1.8.1. Изолирующие системы и системы крепления 841290300;
топлива, вкладыши, используемые для 880390990
обеспечения большей механической
прочности или как преграда для
исключения взаимного проникновения
твердого топлива в материал изоляции
Техническое примечание. Для целей
пункта 9.1.8.1 большая механическая
прочность означает прочность
применения, равную или превышающую
прочность топлива;
9.1.8.2. Двигательные отсеки из композиционных 930690
волоконнотканых материалов с диаметром
больше 0,61 м или имеющих удельную
прочность более 25 км
Техническое примечание. Удельная
прочность (PV/W) - это разрывное
напряжение (P), умноженное на объем
отсека (V) и деленное на общий вес
отсека (W) высокого давления;
9.1.8.3. Сопла двигателей с уровнем тяги, 930690
превышающим 45 кН, или скоростью уноса
массы в области горловины сопла менее
0,075 мм/с;
9.1.8.4. Системы управления вектором тяги на 841290300;
основе поворотного сопла или впрыска 930690
вторичной жидкости, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) способность перемещаться по азимуту
и углу места (двум степеням свободы) в
диапазоне свыше +/- 5 град.;
б) скорость вращения вектора тяги
20 град./с или более; или
в) ускорение вращения вектора тяги
40 град./с2 или более
9.1.9. Гибридные ракетные двигатели с: 841210900;
а) суммарным импульсом, превышающим 841290300
1,1 МНс; или
б) толкающим усилием, превышающим
220 кН в условиях вакуума на выходе
9.1.10. Следующие специально разработанные
компоненты, системы или структуры для
ракет - носителей, двигательных
установок ракет - носителей и
космического аппарата, включая:
9.1.10.1. Компоненты и структуры, каждые из 280450100;
которых превышают 10 кг, специально 281820000;
разработанные для ракет - носителей, 284920000;
изготовленные с применением 3801;
металлических матриц, композиционных 392690100;
материалов, органических композиционных 681599100;
материалов, керамических матриц или 690310000;
армированных интерметаллических 701910;
материалов, контролируемых по пункту 701920;
1.3.7 или 1.3.10 810192000;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. Ограничение по весу не 810292000;
относится к головной (боевой) части 810890300 -
снаряда; 810890700;
841290;
880390990;
930690
9.1.10.2. Компоненты и структуры, специально 280450100;
разработанные для двигательных 281820000;
установок ракет - носителей, 284920000;
контролируемых по пунктам 9.1.5 - 3801;
9.1.9, изготовленные с применением 392690100;
металлических матриц, композиционных 681599100;
материалов, органических композиционных 690310000;
материалов, керамических матриц или 701910;
армированных интерметаллических 701920;
материалов, контролируемых по пункту 810192000;
1.3.7 или 1.3.10; 810292000;
810890300 -
810890700;
841290;
880390990;
930690
9.1.10.3. Структурные компоненты и изоляционные 880390990;
системы, специально разработанные для 930690
активного управления динамической
чувствительностью или деформациями
структур космического аппарата;
9.1.10.4. Жидкостные ракетные двигатели 841210900
многократного включения с соотношением
тяги к весу двигателя, равным или более
1 кН/кг, и временем срабатывания
(временем, необходимым для достижения
90% полной номинальной тяги от момента
пуска) менее 0,03 с
9.1.11. Прямоточные воздушно - реактивные 841210900
двигатели, пульсирующие воздушно -
реактивные двигатели или двигатели
комбинированного цикла и специально
разработанные для них компоненты
9.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
9.2.1. Нижеперечисленные оборудование,
инструменты или приспособления,
специально разработанные для
производства лопаток газовых турбин,
литых лопастей или краев кожухов:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
9.2.1.1. Оборудование для направленной 841199900
кристаллизации или выращивания
монокристалла;
9.2.1.2. Керамические стержни (ядра, сердечники) 690390900
или патроны (оболочки);
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.2.1.3. Исключен. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N 1477
9.2.1.4. Исключен. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N 1477
9.2.2. Системы контроля с управлением от 903180910
основного оборудования в реальном
масштабе времени, контрольно -
измерительные приборы (включая датчики)
или автоматическое оборудование для
сбора и обработки информации,
специально предназначенные для
разработки газотурбинных двигателей,
узлов и компонентов, включая
технологии, контролируемые по пункту
9.5.3.1
9.2.3. Оборудование, специально разработанное 845961;
для производства или испытаний 845969;
(проверки) креплений щеток газовых 902410
турбин, разработанных для условий
функционирования при скоростях на
концах лопаток, превышающих 335 м/с, и
температуре свыше 773 K (500 град. C),
и специально разработанные компоненты
или принадлежности для него
9.2.4. Инструменты, штампы или зажимные 851580100;
приспособления для соединения 851590000
суперсплавов, титановых сплавов или
интеркерамических комбинаций
лопатка - диск, описанных в пунктах
9.5.3.1.3 или 9.5.3.1.6, для газовых
турбин
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.2.5. Системы контроля с управлением от
основного оборудования в реальном
масштабе времени, контрольно -
измерительные приборы (включая
датчики) или автоматическое
оборудование для сбора и обработки
информации, специально предназначенные
для использования с любыми следующими
аэродинамическими трубами или
устройствами:
9.2.5.1. Аэродинамическими трубами, 903120000
разработанными для скоростей 1,2 М или
более, исключая специально
разработанные для исследовательских
целей и имеющие размер испытательной
камеры (измеренный в продольном
направлении) менее 250 мм
Техническое примечание. Размер
испытательной камеры определяется по
диаметру окружности, стороне квадрата
или наибольшей стороне прямоугольника,
измеренным в месте наибольшего сечения;
9.2.5.2. Устройствами для моделирования условий 903120000
обтекания на скоростях, превышающих
5 М, включая тепловые, плазменно -
дуговые, импульсные и ударные
аэродинамические трубы, а также
аэрогазодинамические установки и
легкогазовые пушки;
9.2.5.3. Аэродинамическими трубами или 903120000
устройствами, отличными от двухмерных,
имеющими возможность имитировать потоки
с числом Рейнольдса, превышающим 25 x
10E6
9.2.6. Оборудование, специально разработанное 903120000
для виброакустических испытаний,
обладающее уровнем звукового давления
160 дБ или более (относительно
20 мкПа), расчетной мощностью 4 кВт или
более, рабочей температурой в камере,
превышающей 1273 К (1000 град. C), и
имеющее специально разработанные для
него кварцевые нагреватели
9.2.7. Оборудование, специально разработанное 902290000;
для проверки целостности ракетных 9031
двигателей с использованием техники
неразрушающего контроля, отличающейся
от плоскостного рентгеновского
облучения или требующей взятия основных
физических и химических проб
9.2.8. Датчики, специально разработанные для 902519990;
непосредственного измерения 902780990
поверхностного трения на стенке в
потоке с температурой торможения,
превышающей 833 K (560 град. C)
9.2.9. Оснастка, специально разработанная для 846299100
производства методом порошковой
металлургии элементов роторов турбин
двигателей, способных функционировать
при напряжении на уровне 60% предельной
прочности на растяжение или более и
температуре металла 873 K (600 град. C)
или более
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.3. Материалы - нет
9.4. Программное обеспечение
9.4.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
разработки оборудования или технологии,
контролируемых по пунктам 9.1, 9.2 или
9.5.3
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
производства оборудования,
контролируемого по пункту 9.1 или 9.2
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.3. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
задействования полностью автономных
электронно - цифровых систем управления
двигателями (ФАДЕК), контролируемыми по
пункту 9.1, или оборудования,
контролируемого по пункту 9.2, такое,
как:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.3.1. Программное обеспечение в электронно -
цифровых контроллерах для двигательных
систем, аэрокосмических испытательных
установок или воздуходувных установок
для испытания авиационных двигателей;
9.4.3.2. Программное обеспечение с допусками на
аварийное выключение, используемое в
ФАДЕК и ассоциированное в стендовое
оборудование
9.4.4. Другое программное обеспечение, такое,
как:
9.4.4.1. Программное обеспечение для
моделирования двух- или трехвязкого
внутридвигательного течения потока в
аэродинамических трубах или для
обработки данных летных испытаний,
позволяющее детально моделировать
внутридвигательный поток;
9.4.4.2. Программное обеспечение для испытаний
авиационных газотурбинных двигателей,
сборок или компонентов, специально
разработанное для обобщения,
преобразования и анализа данных в
реальном масштабе времени и способное
обеспечить управление с обратной
связью, включая динамическую
поднастройку испытуемых изделий или
условий испытаний в ходе проведения
эксперимента;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.4.3. Программное обеспечение, специально
разработанное для управления
направленной кристаллизацией или
формированием единичного кристалла;
9.4.4.4. Программное обеспечение в виде текста
программы, объектного кода или
машинного кода, требуемое для
применения активных компенсационных
систем для управления зазором венца
лопаток ротора
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 9.4.4.4 не
контролируется программное обеспечение,
которое входит в состав
неконтролируемого оборудования, или
требуемое для технического
обслуживания, связанного с калибровкой,
ремонтом или модернизацией системы
управления с активной компенсацией
зазора
9.5. Технология
9.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам
9.1.4 - 9.1.11, 9.2 или 9.4
9.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам
9.1.4 - 9.1.11 или 9.2
Особое примечание. Для технологии
по ремонту контролируемых структур,
ламинатов или материалов см. пункт
1.5.2.6
Примечание. Технологии разработки
или производства газотурбинных
двигателей, контролируемые по пункту
9.5, остаются контролируемыми, когда
они используются как применяемые
технологии ремонта, восстановления или
капитального ремонта. Не контролируются
технические данные, чертежи или
документация для эксплуатационной
деятельности, непосредственно связанной
с калибровкой, извлечением или
перемещением поврежденных или
необслуживаемых без перемещения блоков,
включая перемещение двигателей в целом
или их модулей
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
9.5.3. Другие технологии, такие, как:
9.5.3.1. Технологии, требуемые для разработки
или производства любых из следующих
компонентов или систем газотурбинных
двигателей:
9.5.3.1.1. Лопаток газовых турбин, лопастей или
верхних частей венцов, полученных из
сплавов методом направленной
кристаллизации (DS) или из одного
кристалла (SC) и имеющих (по Миллеру
индекс направления 001) время
сопротивления на излом более 400 ч при
температуре 1273 K (1000 град. C) и
давлении 200 МПа, базируясь на
усредненных показателях свойств
материала;
9.5.3.1.2. Многокупольных камер сгорания,
работающих при средних температурах на
выходе из камеры более 1813 K
(1540 град. C), или камер сгорания,
содержащих термически разделенные
теплозащитные элементы, неметаллические
теплозащитные элементы или
неметаллические корпуса;
9.5.3.1.3. Компонентов, изготавливаемых из любых
следующих составляющих:
а) органических композиционных
материалов, разработанных для
применения при температуре более 588 К
(315 град. C);
б) металлических матричных
композиционных, керамических матричных,
интерметаллических или армированных
интерметаллических материалов,
контролируемых по пункту 1.3.7; или
в) композиционных материалов,
контролируемых по пункту 1.3.10 и
изготовленных с использованием
полимерных веществ, контролируемых по
пункту 1.3.8
(п. 9.5.3.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
9.5.3.1.4. Неохлаждаемых турбинных лопаток,
лопастей, верхних частей венцов или
других компонентов, спроектированных
для работы в газовом потоке с
температурой 1323 K (1050 град. C) или
более;
9.5.3.1.5. Охлаждаемых турбинных лопаток,
лопастей, верхних частей венцов, иных,
нежели те, что описаны в пункте
9.5.3.1.1, работающих без тепловой
защиты при температуре газа в 1643 K
(1370 град. C) или более;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5.3.1.6. Комбинаций лопасть с профилем крыла -
диск турбины, использующих жесткое
соединение;
9.5.3.1.7. Компонентов газотурбинного двигателя,
использующих технологию диффузионной
сварки, контролируемую по пункту
2.5.3.2;
9.5.3.1.8. Высокоресурсных вращающихся компонентов
газотурбинного двигателя, использующих
материалы, изготовленные методом
порошковой металлургии, контролируемые
по пункту 1.3.2.2;
9.5.3.1.9. ФАДЕК для газотурбинных двигателей и
двигателей с комбинированным циклом и
относящихся к ним компонентов
диагностики, датчиков и специально
спроектированных компонентов;
9.5.3.1.10. Систем управления геометрией газового
потока и систем управления в целом для:
а) газогенераторных турбин;
б) вентиляторных или мощных турбин;
в) подвижных сопел
Примечания. 1. Системы управления
геометрией газового потока и системы
управления в целом в пункте 9.5.3.1.10
не включают выходные поворотные
лопатки, вентиляторы с изменяемым
шагом, поворотные статоры или дренажные
клапаны для компрессоров
2. По пункту 9.5.3.1.10 не
контролируются технологии разработки
или производства систем управления
геометрией газового потока для реверса
тяги;
9.5.3.1.11. Исключен. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N 1477
9.5.3.1.11. Пустотелых лопаток с широкой хордой без
межпролетного крепления
9.5.3.2. Технологии, требуемые для разработки
или производства любого из следующего
оборудования:
9.5.3.2.1. Аэродинамических моделей для испытаний
в аэродинамической трубе, оборудованных
съемными датчиками, способными
транслировать данные от первичных
сенсоров в систему сбора информации;
9.5.3.2.2. Лопаток из композиционных материалов
или их креплений, способных выдерживать
более 2000 кВт при скоростях полета
свыше 0,55 М
9.5.3.3. Технологии, требуемые для разработки
или производства компонентов
газотурбинных двигателей, использующие
для сверления отверстий лазер, водяную
струю, электрохимическую обработку
(ЭХО) или станки электроискровой
обработки (СЭО) для получения
отверстий, имеющих любую из следующих
характеристик:
9.5.3.3.1. Все следующие параметры:
а) глубина, более чем в 4 раза большая
их диаметра;
б) диаметр меньше 0,76 мм; и
в) углы наклона равные или менее
25 град.; или
9.5.3.3.2. Все следующие параметры:
а) глубина, более чем в 5 раз большая
их диаметра;
б) диаметр менее 0,4 мм; и
в) углы наклона более 25 град.
Техническое примечание.
Применительно к пункту 9.5.3.3 угол
наклона измеряется от поверхности,
обдуваемой потоком, тангенциально в
точке, где ось отверстия пересекается с
этой поверхностью
9.5.3.4. Технологии, требуемые для разработки
или производства вертолетных систем
передачи мощности, или завала конуса
лопастей вертолета, или системы
передачи мощности поворотного крыла
летательного аппарата
(п. 9.5.3.4 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
9.5.3.4.1. Исключен. - Указ Президента РФ от 28.09.2001 N 1156
9.5.3.4.2. Исключен. - Указ Президента РФ от 28.09.2001 N 1156
9.5.3.5. Технологии для разработки или
производства поршневого дизельного
двигателя наземных систем станции с
силовой установкой, имеющей все
следующие составляющие:
а) объем бокса 1,2 куб. м или меньше;
б) полную выходную мощность более
750 кВт на основе стандартов
80/1269/ЕЕС, ИСО 2534 или их
национальных эквивалентов; и
в) плотность мощности более
700 кВт/куб. м объема бокса
Техническое примечание. Объем
бокса: производная трех значений
перпендикуляров, измеренных следующим
образом:
длина - длина коленчатого вала от
переднего фланца до лицевой плоскости
маховика;
ширина - максимальное значение из
следующих измерений:
1) внешнее расстояние от одной крайней
крышки клапана до другой;
2) расстояние между краями головок
цилиндров; или
3) диаметр кожуха маховика;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
высота - наибольшее из следующих
измерений:
1) расстояние от оси коленчатого вала
до верхней плоскости крышки клапана
(или головки цилиндра) плюс удвоенная
длина хода поршня; или
2) диаметр кожуха маховика;
9.5.3.6. Технологии, требуемые для производства
специально спроектированных компонентов
для дизельных двигателей с высокой
выходной мощностью, такие, как:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5.3.6.1. Технологии, требуемые для производства
систем двигателя, имеющего все
перечисленные ниже компоненты,
использующие керамические материалы,
контролируемые по пункту 1.3.7:
а) гильзы цилиндров;
б) поршни;
в) головки цилиндров; и
г) один из других компонентов или более
(включая выхлопные отверстия, элементы
турбонаддува, направляющие клапанов,
сборки клапана или изолированные
топливные инжекторы)
9.5.3.6.2. Технологии, требуемые для производства
систем турбонаддува с одноступенчатыми
компрессорами, имеющие все следующие
показатели:
а) соотношение давлений (степень
сжатия) 4:1 или выше;
б) расход в диапазоне от 30 до
130 кг/мин; и
в) способность изменять сечение потока
внутри компрессора или секций турбины
9.5.3.6.3. Технологии, требуемые для производства
систем топливной инжекции со специально
спроектированной многотопливной
(например, дизельное или обычное
топливо) способностью к изменению
вязкости топлива в диапазоне от
дизельного топлива (2,5 сантистокса при
310,8 K (37,8 град. C)) до бензина
(0,5 сантистокса при 310,8 K
(37,8 град. C)), имеющие обе следующие
составляющие:
а) инжектируемое количество больше
230 куб. мм на один впрыск в один
цилиндр;
б) детали специально спроектированного
электронного управления для регулятора
переключения и автоматического
измерения характеристик топлива для
обеспечения определенного значения
момента вращения с применением
соответствующих датчиков
9.5.3.7. Технологии, требуемые для разработки
или производства дизельных двигателей с
высокой выходной мощностью с твердой,
газофазной или жидкопленочной (или их
комбинациями) смазкой стенок цилиндров,
позволяющих выдерживать температуры,
превышающие 723 K (450 град. C),
измеряемые на стенке цилиндра в верхней
предельной точке касания поршневого
кольца
Техническое примечание. Дизельные
двигатели с высокой выходной
мощностью - это двигатели с номинальным
значением эффективного давления
торможения в 1,8 МПа или более при
скорости вращения в 2300 об/мин,
обеспечивающие скорость вращения в
2300 об/мин или более
Раздел 2. "Чувствительные" товары и технологии
-------------T---------------------------------------T------------
N ¦ Наименование ¦Код товарной
позиции ¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэко -
¦ ¦номической
¦ ¦деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 1. Перспективные материалы
1.1. Системы, оборудование и компоненты
1.1.2. Композиционные конструкции или слоистые
структуры (ламинаты), имеющие любую из
следующих составляющих:
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из 392690100
материалов, контролируемых по пунктам
1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5
раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 1.1.2.1 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего чисто
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях;
1.1.2.2. Металлическую или углеродную матрицу и
выполненные из:
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или нитевидных 3801;
материалов: 392690100;
а) с удельным модулем упругости свыше 690310000
10,15 x 10E6 м; и
б) с удельной прочностью на растяжение
свыше 17,7 x 10E4 м; или
1.1.2.2.2. Материалов, контролируемых по пункту
1.3.10.3
Примечание (к пункту 1.1.2.2). По
пункту 1.1.2.2 не контролируются
завершенные или полузавершенные
предметы, специально предназначенные
для следующего только гражданского
использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях
Примечание (к пункту 1.1.2). По
пункту 1.1.2 не контролируются
композиционные структуры или ламинаты,
изготовленные из эпоксидной смолы,
импрегнированной углеродом, волокнистые
или нитевидные материалы для ремонта
структур летательных аппаратов или
ламинаты, имеющие размеры, не
превышающие 1 кв. м
1.3. Материалы
1.3.1. Материалы, специально предназначенные
для поглощения электромагнитных волн,
или электропроводящие полимеры, такие,
как:
1.3.1.1. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 2 x 10E8 Гц, но 391000000
меньших 3 x 10E12 Гц
Примечание 1. По пункту 1.3.1.1 не
контролируются:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) абсорберы волосяного типа,
изготовленные из натуральных и
синтетических волокон, с немагнитным
наполнением для абсорбции;
б) абсорберы, не имеющие магнитных
потерь, рабочая поверхность которых не
является плоской, включая пирамиды,
конусы, клинья и спиралевидные
поверхности;
в) плоские абсорберы, имеющие все
следующие характеристики:
1) изготовленные из любых следующих
материалов:
пенопластических материалов (гибких или
негибких) с углеродным наполнением или
органических материалов, включая
связывающие присадки, обеспечивающих
коэффициент отражения более 5% по
сравнению с металлом в диапазоне волн,
отличающихся от центральной частоты
падающей энергии более чем на +-15%, и
не способных противостоять
температурам, превышающим 450 К
(177 град. C); или
керамических материалов, обеспечивающих
более чем 20% отражение по сравнению с
металлом в диапазоне волн, отличающихся
от центральной частоты падающей энергии
более чем на +-15%, и не способных
противостоять температурам, превышающим
800 К (527 град. C)
Техническое примечание. Образцы
для проведения испытаний на поглощение
по последнему подпункту примечания к
пункту 1.3.1.1 должны иметь форму
квадрата со стороной не менее пяти
длин волн на центральной частоте,
расположенной в дальней зоне
излучающего элемента
2) с прочностью на растяжение менее 7 х
10E6 Н/кв. м; и
3) с прочностью на сжатие менее 14 х
10E6 Н/кв. м
г) плоские абсорберы, выполненные из
спеченного феррита, имеющие:
1) удельный вес более 4,4; и
2) максимальную рабочую температуру
548 К (275 град. C)
Примечание 2. Магнитные материалы
для обеспечения поглощения волн,
указанные в примечании 1 к пункту
1.3.1.1, не освобождаются от контроля,
если они содержатся в красках;
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 1,5 x 10E14 Гц, 391000000
но меньших 3,7 x 10E14 Гц, и
непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы
с объемной электропроводностью свыше
10000 См/м или поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв. м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 390930000
1.3.1.3.2. Полипиррола; 391190900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.1.3.3. Политиофена; 391190900
1.3.1.3.4. Полифенилен - винилена; или 391190900
1.3.1.3.5. Политиенилен - винилена 391990900
1.3.7. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, композиционные материалы с
керамической матрицей, а также их
предшественники, такие, как:
1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849;
керамика - керамика со стеклянной или 285000;
оксидной матрицей, укрепленные 8803909900;
волокнами, имеющие все следующие 930690
характеристики:
а) изготовленные из любых нижеследующих
материалов:
1)Si-N;
2) Si-C;
3) Si-Al-O-N; или
4) Si-O-N; и
б) имеющие удельную прочность на
растяжение, превышающую 12,7 x 1E3 м;
(п. 1.3.7.3 в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
1.3.7.4. Композиционные материалы типа 880390990;
керамика - керамика с постоянной 930690
металлической фазой или без нее,
включающие частицы, нитевидные
кристаллы или волокна, в которых
матрица образована из карбидов или
нитридов кремния, циркония или бора
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы,
которые могут быть использованы в
органических, металлических или
углеродных матричных композиционных
материалах или слоистых структурах,
такие, как:
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или 392690100;
нитевидные материалы, имеющие все 810192000;
следующие характеристики: 810890300 -
а) удельный модуль упругости, 810890700
превышающий 2,54 x 10E6 м; и
б) точку плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде, превышающую 1922 K
(1649 град. C)
Примечание. По пункту 1.3.10.3 не
контролируются:
а) дискретные, многофазные,
поликристаллические волокна глинозема,
содержащие 3% или более по весу
кремнезема, имеющие удельный модуль
упругости менее 10 x 10E6 м;
б) молибденовые волокна и волокна из
молибденовых сплавов;
в) волокна на основе бора;
г) дискретные керамические волокна с
температурой плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде менее 2043 K (1770 град. C);
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.4.1. Изготовленные из любого из следующих
материалов:
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по 540249990;
пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4 550190000;
раздела 1; или 550390900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 540224990;
1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или 550190900;
1.3.8.6 раздела 1; или 550390900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов,
контролируемых по пункту 1.3.10.4.1.1
или 1.3.10.4.1.2 настоящего раздела, и
связанные с волокнами других типов,
контролируемых по пунктам 1.3.10.1,
1.3.10.2 или 1.3.10.3 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.12. Материалы, такие как:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 284420910;
изотопа плутония-238 более 50% (по 284420990
весу)
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один грамм
плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или менее
при использовании в качестве
чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2. Предварительно очищенный нептуний-237 в 284440000
любой форме
Примечание. По пункту 1.3.12.2 не
контролируются поставки с содержанием в
один грамм нептуния-237 или менее
Техническое примечание. Материалы,
указанные в пункте 1.3.12, обычно
используются для ядерных тепловых
источников
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
1.4. Программное обеспечение
1.4.2. Программное обеспечение для разработки
органических матриц, металлических
матриц или углеродных матричных
ламинатов или композиционных
материалов, указанных в настоящем
разделе Списка
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, указанных в пункте 1.1.2
или 1.3 настоящего раздела Списка
1.5.2. Другие технологии, такие, как:
1.5.2.5. Технологии для сборки, эксплуатации или
восстановления материалов,
контролируемых по пункту 1.3.1;
1.5.2.6. Технологии для восстановления
композиционных материалов, слоистых
структур или материалов, контролируемых
по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4
настоящего раздела
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 1.5.2.6 не
контролируются технологии для ремонта
структур гражданских летательных
аппаратов, использующие углеродные
волокнистые или нитевидные материалы и
эпоксидные смолы, содержащиеся в
авиационных изделиях
Категория 2. Обработка материалов
2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые их
сочетания для обработки или резки
металлов, керамики и композиционных
материалов, которые в соответствии с
техническими спецификациями
изготовителя могут быть оснащены
электронными устройствами для числового
программного управления:
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие 8458;
характеристики: 846490900;
а) точность позиционирования со всей 846599100
доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 3,6 мкм в соответствии
с международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
и
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
б) две или более оси, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз;
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из 845931000;
следующих характеристик: 845939000;
а) имеющие все следующие 845951000;
характеристики: 845961;
1) точность позиционирования со всей 845969;
доступной компенсацией, равную или 846490900;
меньшую (лучшую) 3,6 мкм, в 846592000
соответствии с международным стандартом
ИСО 230/2 (1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
и
2) три линейные оси плюс одну ось
вращения, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления;
(пп. "а" в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
б) пять или более осей, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления и имеющие
точность позиционирования со всей
доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 3,6 мкм в соответствии
с международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси
(общий выбор позиции);
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
в) точность позиционирования для
координатно - расточных станков со всей
доступной компенсацией равную или
меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии
с международным стандартом ИСО 230/2
(1997) или его национальным
эквивалентом вдоль любой линейной оси;
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки 845630000
(СЭО) без подачи проволоки, имеющие две
или более оси вращения, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления;
2.2.1.6. Станки для сверления глубоких отверстий 845899900
или токарные станки, модифицированные
для сверления глубоких отверстий,
обеспечивающие максимальную глубину
сверления отверстий 5000 мм или более,
и специально разработанные для них
компоненты
2.2.3. Станки с ЧПУ или станки с ручным 846140710;
управлением и специально разработанные 846140790
для них компоненты, оборудование для
контроля и приспособления, специально
разработанные для шевингования,
финишной обработки, шлифования или
хонингования закаленных (Rc = 40 или
более) прямозубых цилиндрических,
одно- или двухзаходных винтовых
шестерен с модулем более 1250 мм и с
лицевой шириной, равной 15% от модуля
или более, с качеством после финишной
обработки в соответствии с
международным стандартом ИСО 1328 по
классу 3
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение иное, чем
контролируемое по пункту 2.4.2,
специально предназначенное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по пункту
2.2 настоящего раздела Списка
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пункту
2.2 или 2.4 настоящего раздела Списка
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
2.2 настоящего раздела Списка
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 854320000
из следующих характеристик:
б) годные для применения в космосе
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых приборов
или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка для
них:
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 841989900
металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4 раздела 1 Списка
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 3.1.2.7 или
3.2 настоящего раздела Списка
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 3.1 или 3.2
настоящего раздела Списка
Категория 4. Вычислительная техника
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее
оборудование, а также электронные
сборки и специально разработанные для
них компоненты:
4.1.1.1 б) радиационно стойкие, превышающие 847110;
любое из следующих требований: 847120
1) поглощенная доза 5 х 10E3 Гр
(кремний) [5 х 10E5 рад (кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5 х 10E6 Гр/с
(кремний) [5 х 10E8 рад (кремний)]/с;
или
3) сбой от высокоэнергетической частицы
10E-7 ошибок/бит/день;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
4.1.1.2 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (СТП) (кроме
свыше 75000 Мтопс; 847110)
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477, от 28.09.2001 N 1156)
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или модифицированные (кроме
для повышения производительности путем 847110)
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2 настоящего
раздела Списка
Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3
распространяется только на электронные
сборки и программируемые взаимосвязи,
не превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2 настоящего раздела
Списка, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются
электронные сборки, специально
спроектированные для продукции или
целого семейства продукции,
максимальная конфигурация которых не
превышает пределы, указанные в пункте
4.1.3.2 настоящего раздела Списка
4.4. Программное обеспечение
4.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
настоящего раздела Списка
4.4.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
4.4.3.3 исключен. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
настоящего раздела Списка
Категория 5
Часть 1. Телекоммуникации
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие системы
и аппаратура и специально разработанные
компоненты и принадлежности, имеющие
любые из следующих характеристик,
свойств или качеств:
5.1.1.2.3. Наличие радиоаппаратуры, использующей 852520900
расширение спектра или методы
перестройки частоты (скачкообразной
перестройки частоты), имеющей любую из
следующих характеристик:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) коды расширения, программируемые
пользователем; или
б) общую ширину полосы передачи частот,
в 100 или более раз превышающую полосу
частот любого одного информационного
канала и составляющую более 50 кГц
Примечания. 1. По подпункту "б"
пункта 5.1.1.2.3 не контролируется
оборудование, которое используется в
системах сотовой связи для работы на
гражданских частотах
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
2. По пункту 5.1.1.2.3 не
контролируется оборудование,
спроектированное для работы с выходной
мощностью 1,0 Вт или менее
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 29.02.2000
N 447)
5.1.1.2.4. Наличие радиоприемников с цифровым 852520900
управлением, имеющих все следующие
характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) более 1000 каналов;
б) время переключения частоты менее
1 мс;
в) автоматический поиск или
сканирование в части электромагнитного
спектра; и
г) возможность идентификации принятого
сигнала или типа передатчика
Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не
контролируется оборудование сотовой
связи, работающее на гражданских
частотах
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.2.1. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
5.2.1.1. Оборудование и специально разработанные
компоненты или принадлежности для него,
специально предназначенные для
разработки, производства или
использования оборудования, функций или
свойств, контролируемых по части 1
Категории 5 настоящего раздела Списка
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1. Программное обеспечение
5.4.1.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования, операций или
устройств, контролируемых по части 1
Категории 5 настоящего раздела Списка
5.4.1.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
поддержки технологий, контролируемых по
пункту 5.5.1 настоящего раздела Списка
5.5.1. Технология
5.5.1.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования, операций,
устройств или программного обеспечения,
контролируемых по части 1 Категории 5
настоящего раздела Списка
Часть 2 исключена. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N 447
Категория 6. Датчики и лазеры
6.1. Системы, оборудование и компоненты
6.1.1. Акустика
6.1.1.1. Морские акустические системы,
оборудование и специально разработанные
для них компоненты, такие, как:
6.1.1.1.1.2. Системы обнаружения или определения 901580910
местоположения, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) частоту передачи ниже 5 кГц;
б) уровень звукового давления выше
224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне от 5 кГц
до 24 кГц включительно;
в) уровень звукового давления выше
235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне между
24 кГц и 30 кГц;
г) формирование лучей уже 1 град. по
любой оси и рабочую частоту ниже
100 кГц;
д) предназначенные для работы с
дальностью разрешения целей более
5120 м; или
е) предназначенные для нормального
функционирования на глубинах свыше
1000 м и имеющие датчики с любыми из
следующих характеристик:
1) динамически подстраиваемые под
давление; или
2) содержащие другие преобразующие
элементы, нежели изготовленные из
свинцового титаната цирконата
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2. Пассивные (принимающие в штатном режиме
независимо от связи с активной
аппаратурой) системы, оборудование и
специально разработанные компоненты,
такие, как:
6.1.1.1.2.1. Гидрофоны (преобразователи) с любой из
следующих характеристик:
а) включающие гибкие датчики 901580110;
непрерывного действия или сборки 901580930
датчиков дискретного действия с
диаметром или длиной менее 20 мм и с
расстоянием между элементами менее
20 мм;
б) имеющие любой из следующих 901580930
чувствительных элементов:
1) волоконно - оптический;
2) пьезоэлектрический полимерный; или
3) гибкий пьезоэлектрический из
керамических материалов
ж) созданные для работы на глубинах 901580930
более 1000 м;
6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные 901580930;
решетки, имеющие любую из следующих 901580990
характеристик:
а) гидрофонные группы, расположенные с
шагом 12,5 м и менее;
б) гидрофонные группы, расположенные с
шагом от 12,5 м до 25 м и разработанные
или способные быть модифицированными
для работы на глубинах более 35 м;
в) гидрофонные группы в решетке,
расположенные с шагом 25 м и более и
разработанные для работы на глубинах
свыше 100 м;
г) имеющие управляемые датчики,
контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4
настоящего раздела;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
д) имеющие продольно укрепленные
соединительные кабели решеток;
е) имеющие собранные решетки диаметром
менее 40 мм;
ж) мультиплексированные сигналы
гидрофонных групп, разработанных для
работы на глубинах более 35 м или
имеющих регулируемое либо сменное
глубинное чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; или
з) характеристики гидрофонов, указанные
в пункте 6.1.1.1.2.1 настоящего
раздела;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных в реальном 901580930;
масштабе времени, специально 901580990
разработанная для применения в
буксируемых акустических гидрофонных
решетках, обладающая программируемостью
пользователем, обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований или
процессов;
6.1.1.1.2.4. Управляемые датчики, имеющие все 901580110;
следующие характеристики: 901580930
а) точность лучше +/- 0,5 град.; и
б) любую из следующих характеристик:
1) разработанные для объединения в
соединительный кабель решетки и
работающие на глубинах, превышающих
35 м, либо имеющие регулируемое или
сменное глубинное чувствительное
устройство, предназначенное для работы
на глубинах, превышающих 35 м; или
2) разработанные для внешнего крепления
к соединительному кабелю решетки и
имеющие чувствительное устройство,
способное работать с вращением на
360 град. на глубинах, превышающих
35 м;
6.1.1.1.2.5. Донные или притопленные кабельные 901580930;
системы, имеющие любую из следующих 901580990
составляющих:
а) объединяющие гидрофоны, указанные в
пункте 6.1.1.1.2.1; или
б) объединенные мультиплексированной
гидрофонной группой сигнальные модули,
имеющие все следующие характеристики:
1) разработаны для работы на глубинах,
превышающих 35 м, либо имеют
регулируемое или сменное глубинное
чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; и
2) способны оперативно
взаимодействовать с модулями
буксируемых акустических гидрофонных
решеток;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(п. 6.1.1.1.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально 901580930;
разработанная для донных или 901580990
притопленных кабельных систем,
обладающая программируемостью
пользователем и обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований либо
процессов
(п. 6.1.1.1.2.6 введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.2. Оптические датчики
6.1.2.1. Оптические детекторы, такие, как:
Примечание. По пункту 6.1.2.1 не
контролируются германиевые или
кремниевые фотоустройства
6.1.2.1.1. Нижеперечисленные твердотельные
детекторы, годные для применения в
космосе:
6.1.2.1.1.1. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие все
следующие характеристики:
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм;
и
б) чувствительность на длине волны
более 400 нм менее 0,1% относительно
максимальной чувствительности;
6.1.2.1.1.2. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие все
следующие характеристики:
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 900 нм до
1200 нм; и
б) постоянную времени отклика 95 нс или
менее;
6.1.2.1.1.3. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие
максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 1200 нм до
30000 нм
6.1.2.1.2. Электронно - оптические
преобразователи и специально
разработанные для них компоненты, такие
как:
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
6.1.2.1.2.1. Электронно - оптические 8540203000
преобразователи, имеющие все
нижеперечисленное:
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
а) максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 400 нм до
1050 нм;
б) микроканальный анод для электронного
усиления изображения с шагом отверстий
(расстоянием между центрами) 15 мкм или
менее; и
в) следующие фотокатоды:
1) фотокатоды S-20, S-25 или
многощелочные фотокатоды со
светочувствительностью более
550 мкА/лм;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2) фотокатоды на GaAs или GaInAs;
3) другие полупроводниковые фотокатоды
на соединениях групп III - V
Примечание. По последнему подпункту
пункта 6.1.2.1.2.1 не контролируются
фотокатоды на полупроводниковых
соединениях с максимальной
интегральной чувствительностью
к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.2.1.3. Решетки фокальной плоскости,
непригодные для применения в космосе,
такие, как:
6.1.2.1.3.1. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие все следующие составляющие:
а) отдельные элементы с максимальной
чувствительностью в диапазоне длин волн
от 900 нм до 1050 нм; и
б) постоянную времени отклика менее
0,5 нс;
6.1.2.1.3.2. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие все следующие характеристики:
а) отдельные элементы с максимальной
чувствительностью в диапазоне длин волн
от 1050 нм до 1200 нм; и
б) постоянную времени отклика 95 нс или
менее;
6.1.2.1.3.3. Решетки фокальной плоскости, 854140910;
непригодные для применения в космосе, 854140990
имеющие отдельные элементы с
максимальной чувствительностью в
диапазоне длин волн от 1200 нм до
30000 нм
Техническое примечание. Линейные
или двухмерные многоэлементные
детекторные решетки относятся к
решеткам фокальной плоскости
Примечания. 1. Пункт 6.1.2.1.3
включает фотопроводящие и
гальванические решетки
2. По пункту 6.1.2.1.3 не
контролируются:
а) кремниевые решетки фокальной
плоскости;
б) многоэлементные (не более 16
элементов) герметизированные
фотопроводящие элементы, использующие
или сульфиды, или селенид свинца;
в) пироэлектрические детекторы на
основе любого из следующих материалов:
1) триглицинсульфата и его производных;
2) титаната свинца - лантана - циркония
и его производных;
3) танталата лития;
4) поливинилиденфторида и его
производных; или
5) ниобата бария - стронция и его
производных
(п. 2 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
3. По пункту 6.1.2.1.3 следующие
решетки фокальной плоскости не включены
в настоящий раздел Списка:
а) решетки фокальной плоскости на
силициде платины (PtSi), имеющие менее
10000 элементов; или
б) решетки фокальной плоскости на
силициде иридия (IrSi)
4. По пункту 6.1.2.1.3 следующие
решетки фокальной плоскости не включены
в настоящий раздел Списка:
а) решетки фокальной плоскости на
антимониде индия (InSb) или селениде
свинца (PbSe), имеющие менее
256 элементов;
б) решетки фокальной плоскости на
арсениде индия (InAs);
в) решетки фокальной плоскости на
сульфиде свинца (PbS); или
г) решетки фокальной плоскости на
соединениях индий - арсенид - галлий
(InGaAs)
5. По пункту 6.1.2.1.3 следующие
решетки фокальной плоскости на основе
ртуть - кадмий - теллур (HgCdTe) не
включены в настоящий раздел Списка:
а) сканирующие решетки, имеющие:
1) 30 элементов или менее; или
2) реализующие поэлементное включение
времени задержки и интегрирования и
имеющие два или менее элемента; или
б) широкообзорные решетки, имеющие
менее 256 элементов
Технические примечания.
1. Сканирующие решетки определяются как
решетки фокальной плоскости,
разработанные для использования в
сканирующих оптических системах,
которые формируют общую картину методом
последовательного формирования
отдельных изображений
2. Широкообзорные решетки определяются
как решетки фокальной плоскости,
разработанные для использования с
несканирующей оптической системой,
которая формирует общую картину
6. По пункту 6.1.2.1.3 следующие
решетки фокальной плоскости не включены
в настоящий раздел Списка:
а) решетки фокальной плоскости с
потенциальной ямой, выполненные на
основе арсенида галлия (GaAs) или
галлий - алюминий - мышьяка (GaAlAs),
имеющие менее 256 элементов;
б) пироэлектрические или
ферроэлектрические решетки фокальной
плоскости (содержащие титанат
бария - стронция, титанат цирконата
свинца или титанат свинца - скандия),
имеющие менее 8000 элементов;
в) нитридванадиевые оксидсиликоновые
микроболометрические решетки фокальной
плоскости, имеющие менее 8000 элементов
6.1.2.2. Моноспектральные датчики изображения и 854089900
многоспектральные датчики изображения,
предназначенные для применения при
дистанционном зондировании и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) мгновенное поле обзора (МПО) менее
200 мкрад; или
б) предназначенные для работы в
диапазоне длин волн от 400 нм до 30000
нм и имеющие все следующие
составляющие:
1) обеспечивающие выходные данные
изображения в цифровом формате; и
2) являющиеся годными для применения в
космосе или разработанными для работы
на борту летательного аппарата при
использовании некремниевых детекторов,
имеющие МПО менее 2,5 мрад;
6.1.2.3. Оборудование прямого наблюдения
изображения, работающее в видимом или
ИК диапазонах и содержащее любую из
следующих составляющих:
6.1.2.3.1. Электронно - оптические 854020300;
преобразователи, имеющие 854099000
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.2.1; или
6.1.2.3.2. Решетки фокальной плоскости, имеющие 854099000
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.3
Примечание. По пункту 6.1.2.3 не
контролируется следующее оборудование,
содержащее фотокатоды на материалах,
отличных от GaAs или GaInAs:
а) производственные или гражданские
сигнальные устройства, системы
управления движением транспорта или
производственным движением либо системы
счета;
б) медицинское оборудование;
в) технологическое оборудование,
используемое для инспекции, сортировки
или анализа свойств материала;
г) сигнализаторы пожара для
производственных печей;
д) оборудование, специально
разработанное для лабораторного
использования
6.1.2.5. Решетки фокальной плоскости, годные для 901380000
применения в космосе, имеющие более
2048 элементов на решетку и
максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм
6.1.3. Камеры
6.1.3.2. Камеры формирования изображения, такие,
как:
Примечание. По пункту 6.1.3.2 не
контролируются телевизионные или
видеокамеры, специально предназначенные
для телевизионного вещания
6.1.3.2.3. Камеры формирования изображений, 852190000
содержащие электронно - оптические
усилители яркости, имеющие
характеристики, указанные в пункте
6.1.2.1.2.1 настоящего раздела Списка;
или
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
6.1.3.2.4. Камеры формирования изображений, 852190000
включающие решетки фокальной плоскости,
имеющие характеристики, указанные в
пункте 6.1.2.1.3 настоящего раздела
Списка
6.1.4. Оптика
6.1.4.3. Компоненты для оптических систем,
годные для применения в космосе, такие,
как:
6.1.4.3.1. Оптические элементы облегченного типа с 900190900
эквивалентной плотностью менее 20% по
сравнению с твердотельными пластинами с
той же самой апертурой и толщиной;
6.1.4.3.2. Необработанные подложки, обработанные 900190900
подложки с поверхностным покрытием
(однослойным или многослойным,
металлическим или диэлектрическим,
проводящим, полупроводящим или
изолирующим) или имеющие защитные
пленки;
(п. 6.1.4.3.2 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.4.3.3. Сегменты или узлы зеркал, 900290990
предназначенные для сборки в космосе в
оптическую систему с приемной
апертурой, равной или более одного
оптического метра в диаметре;
6.1.4.3.4. Изготовленные из композиционных 900390000
материалов, имеющих коэффициент
линейного термического расширения,
равный или менее 5 x 10E-6 в любом
направлении координат
6.1.4.4. Оборудование оптического контроля,
такое, как:
6.1.4.4.1. Специально предназначенное для 903140000;
поддержания профиля поверхности или 903289900
ориентации оптических компонентов,
годных для применения в космосе,
контролируемых по пунктам 6.1.4.3.1 или
6.1.4.3.3;
6.1.4.4.2. Имеющее управление, слежение, 903140000;
стабилизацию или юстировку резонатора в 903289900
полосе частот, равной или более 100 Гц,
и погрешность 10 мкрад или менее;
6.1.4.4.3. Кардановые подвесы, имеющие все 903289900
следующие характеристики:
а) максимальный угол поворота более
5 град.;
б) ширину полосы, равную или более
100 Гц;
в) ошибки угловой наводки, равные или
менее 200 мкрад; и
г) имеющие все следующие
характеристики:
1) диаметр или длину главной оси более
0,15, но не более 1 м и угловое
ускорение более 2 рад/с2; или
2) диаметр или длину главной оси более
1 м и угловое ускорение более
0,5 рад/с2;
6.1.4.4.4. Специально разработанное для 903289900
поддержания юстировки фазированной
решетки или систем зеркал с
фазированными сегментами, содержащее
зеркала с диаметром сегмента или длиной
главной оси 1 м или более
Магнитометры
6.1.6. Магнитометры, магнитные градиометры,
внутренние магнитные градиометры и
компенсационные системы и специально
разработанные для них компоненты,
такие, как:
Примечание. По пункту 6.1.6 не
контролируются инструменты, специально
разработанные для биомагнитных
измерений медицинской диагностики
6.1.6.7. Магнитокомпенсационные системы для 901580930
магнитных датчиков, предназначенных для
работы на подвижных платформах
Примечание. По пункту 6.1.6.7
компенсаторы, которые обеспечивают
только абсолютные значения
геомагнитного поля на выходе, т.е.
ширину полосы выходного сигнала от 0 до
по крайней мере 0,8 Гц, не включены в
настоящий раздел Списка;
6.1.6.8. Сверхпроводящие электромагнитные 901580930
датчики, содержащие компоненты,
изготовленные из сверхпроводящих
материалов и имеющие все следующие
составляющие:
а) специально разработанные для работы
при температурах ниже критической
температуры по меньшей мере одного из
компонентов сверхпроводников (включая
устройства на эффекте Джозефсона или
сверхпроводящие устройства квантовой
интерференции (СКВИДы);
б) специально разработанные для
измерений вариаций электромагнитного
поля на частотах 1 кГц или менее; и
в) имеющие любую из следующих
характеристик:
1) включающие тонкопленочные СКВИДы с
минимальным размером элемента менее 2
мкм и с соответствующими схемами
соединения входа и выхода;
2) разработанные для функционирования
при максимальной скорости нарастания
магнитного поля более 10E6 квантов
магнитного потока в секунду;
3) разработанные для функционирования
без магнитного экрана в окружающем
земном магнитном поле; или
4) имеющие температурный коэффициент
менее 0,1 кванта магнитного потока,
деленного на кельвин
(п. 6.1.6.8 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.8. Радиолокаторы
6.1.8. Локационные системы, оборудование и
узлы, имеющие любую из следующих
характеристик, и специально
предназначенные для них компоненты:
Примечание. По пункту 6.1.8 не
контролируются:
а) РЛС с активным ответом;
б) автомобильные РЛС, предназначенные
для предотвращения столкновений;
в) дисплеи или мониторы, используемые
для управления воздушным движением
(УВД), имеющие разрешение не более 12
элементов на 1 мм;
г) метеорологические (погодные)
локаторы
6.1.8.4. Имеющие возможность функционирования в 852610900
режимах синтезированной апертуры
локатора или обратной синтезированной
апертуры, или в режиме локатора
бокового обзора воздушного базирования;
6.1.8.8. Использующие обработку сигналов 852610900
локатора с применением любой из
следующих составляющих:
а) методов расширения спектра РЛС; или
б) методов РЛС с частотной ажильностью;
6.1.8.11. Имеющие подсистемы обработки сигнала в 852110900
виде сжатия импульса с любой из
следующих характеристик:
а) коэффициентом сжатия импульса более
150; или
б) шириной импульса менее 200 нс; или
6.1.8.12. Имеющие подсистемы обработки данных с 852110900
любой из следующих характеристик:
в) обработка для автоматического
распознавания образов (выделение
признаков) и сравнения с базами данных
характеристик цели (сигналов или
образов) для идентификации или
классификации целей
6.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
Радиолокаторы
6.2.8. Импульсные локационные системы для 852610900
измерения поперечного сечения, имеющие
длительность передаваемых импульсов
100 нс или менее, и специально
предназначенные для них компоненты
6.4. Программное обеспечение
6.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 6.1.4, 6.1.8
или 6.2.8 настоящего раздела Списка
6.4.3. Другое программное обеспечение, такое,
как:
Акустика
6.4.3.1. Следующее программное обеспечение:
а) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием кабельных гидрофонных
решеток;
б) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием кабельных гидрофонных
решеток;
в) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча при обработке
акустических данных в реальном масштабе
времени при пассивном приеме донными
или погруженными кабельными системами;
(пп. "в" в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
г) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема донными
или погруженными кабельными системами
(пп. "г" введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.5. Технология
6.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования, материалов или
программного обеспечения,
контролируемых по пунктам 6.1, 6.2, 6.3
или 6.4 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
6.1 или 6.2 настоящего раздела Списка
Категория 7. Навигация и авиационная электроника
7.4. Программное обеспечение
7.4.2. Текст программы для использования в
любом инерциальном навигационном
оборудовании, включая инерциальное
оборудование, не контролируемое по
пункту 7.1.3 или 7.1.4 раздела 1, либо
в системах определения курсового
направления в воздухе
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 7.4.2. не
контролируются тексты программ для
использования в платформенных системах
определения положения в воздухе
Техническое примечание. Обычная
система определения положения
(курсового направления) летательного
аппарата в воздухе отличается от
инерциальной навигационной системы
(ИНС) тем, что система определения
углового (курсового) положения
летательного аппарата в воздухе
обеспечивает информацией о положении
самолета в воздухе и направлении и
обычно не обеспечивает информацией об
ускорении, скорости и положении
(координате), снимаемой с ИНС
7.4.3. Другое программное обеспечение, такое,
как:
7.4.3.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
улучшения действующих характеристик или
уменьшения навигационной ошибки систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3
или 7.1.4 раздела 1;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
7.4.3.2. Текст программы для гибридных
комплексированных систем, которые
улучшают действующие характеристики или
уменьшают навигационную ошибку систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3
раздела 1, при комплексировании
инерциальных данных с любыми из
навигационных данных, получаемых от:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) допплеровского определителя скорости
(РЛС);
б) глобальной навигационной спутниковой
системы (т.е. GPS или ГЛОНАСС); или
в) базы данных о рельефе местности;
7.4.3.3. Текст программы для комплексированных
авиационных или космических систем,
которые объединяют данные измерительных
датчиков и используют экспертные
системы;
7.4.3.4. Текст программы для разработки любого
из следующих видов оборудования:
7.4.3.4.1. Цифровых систем управления полетом для
общего управления полетом;
7.4.3.4.2. Комплексированных систем управления
полетом и двигателей;
7.4.3.4.3. Систем управления по проводам или по
сигнальным огням;
7.4.3.4.4. Отказоустойчивых и самоперестраиваемых
активных систем управления полетом;
7.4.3.4.7. Проекционных дисплеев с головками
растрового типа или трехмерных дисплеев
7.5. Технология
7.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пунктам
7.1, 7.2 или 7.4 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
7.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
7.1 или 7.2 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Категория 8. Морское дело
8.1. Системы, оборудование и компоненты
8.1.1. Следующие подводные аппараты и
надводные суда:
Особое примечание. Для оценки
контрольного статуса оборудования
подводных аппаратов смотрите: для
оборудования передачи зашифрованной
информации - часть 2 Категории 5
(Защита информации); применительно к
датчикам - Категорию 6; для
навигационного оборудования - Категории
7 и 8; для подводного оборудования -
пункт 8.1
8.1.1.2. Пилотируемые человеком, неуправляемые
по проводам подводные аппараты, имеющие
любую из следующих характеристик:
8.1.1.2.1. Спроектированные для автономного 890600910;
плавания и имеющие все следующие 890600990
характеристики по подъемной силе:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) 10% или более их собственного веса
(веса в воздухе); и
б) 15 кН или более;
8.1.1.2.2. Спроектированные для плавания на
глубинах, превышающих 1000 м; или
8.1.1.2.3. Имеющие все следующие характеристики: 890600910
а) спроектированные для экипажа из
четырех или более человек;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) спроектированные для автономного
плавания в течение 10 часов или более;
в) имеющие радиус действия 25 морских
миль или более; и
г) имеющие длину 21 м или менее
Технические примечания. 1. Для
целей пункта 8.1.1.2 "автономное
плавание" означает, что аппараты
полностью погружены без шнорхеля, все
их системы функционируют и обеспечивают
плавание на минимальной скорости, при
которой погружением можно безопасно
управлять (с учетом необходимой
динамики по глубине погружения) с
использованием только глубинных рулей
без участия надводного судна поддержки
или базы (береговой или корабля -
матки); аппараты имеют двигательную
систему для движения в погруженном и
надводном состоянии
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. Для целей пункта 8.1.1.2 радиус
действия составляет половину
максимального расстояния, которое может
преодолеть подводный аппарат
8.1.1.3. Не пилотируемые человеком, управляемые 890600910
по проводам подводные аппараты,
спроектированные для плавания на
глубинах, превышающих 1000 м, имеющие
любую из следующих составляющих:
8.1.1.3.1. Спроектированные для самоходного
маневра с применением двигателей или
тяговых установок, контролируемых по
пункту 8.1.2.1.2 раздела 1; или
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
8.1.1.3.2. Имеющие волоконно - оптические линии
передачи данных
8.1.1.4. Не пилотируемые человеком, 890600910
неуправляемые по проводам подводные
аппараты, имеющие любую из следующих
составляющих:
8.1.1.4.1. Спроектированные для решения задачи
достижения (прокладки курса) любого
географического ориентира в реальном
масштабе времени без участия человека;
8.1.1.4.2. Имеющие канал передачи акустических
данных или команд; или
8.1.1.4.3. Имеющие волоконно - оптическую линию
передачи данных или линию передачи
команд, превышающую по длине 1000 м
8.1.2. Системы или оборудование, такие, как:
Примечание. Для систем подводной
связи смотрите часть 1 Категории 5
(Телекоммуникации)
8.1.2.2. Системы, специально спроектированные 901480000
или модифицированные для
автоматического управления движением
подводных аппаратов, контролируемых по
пункту 8.1.1 настоящего раздела Списка,
использующие навигационные данные и
имеющие сервоуправляющие средства с
замкнутым контуром:
а) способные управлять движением
аппарата в пределах 10 м относительно
заданной точки водяного столба;
б) поддерживающие положение аппарата в
пределах 10 м относительно заданной
точки водяного столба; или
в) поддерживающие положение аппарата в
пределах 10 м при следовании на тросе
(кабеле) за или под кораблем - маткой;
8.1.2.8. Роботы, специально спроектированные для 847989500;
подводного применения, управляемые с 847990980
использованием специализированной ЭВМ,
управляемой встроенной программой,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) системы, управляющие роботом с
использованием информации от датчиков,
которые измеряют усилие или момент
вращения, прикладываемые к внешнему
объекту, расстояние до внешнего объекта
или контактное (тактильное)
взаимодействие между роботом и внешним
объектом; или
б) способные создавать усилие в 250 Н
или более или момент вращения 250 Нм
или более и использующие сплавы на
основе титана или волоконные или
нитевидные композиционные материалы в
элементах конструкции роботов;
8.1.2.10. Изолированные от атмосферы силовые
системы, специально спроектированные
для применения под водой:
8.1.2.10.1. Изолированные от атмосферы силовые 840810;
системы с двигателями циклов Брайтона 840999000
или Ренкина, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для
удаления диоксида углерода, оксида
углерода и частиц из рециркулируемого
выхлопа двигателя;
б) системы, специально спроектированные
для применения моноатомного газа;
в) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; или
г) системы, специально спроектированные
для:
1) прессования продуктов реакции или
восстановления топлива;
2) хранения продуктов реакции; и
3) выхлопа продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.2. Дизельные двигатели для изолированных 840810;
от атмосферы силовых систем, имеющие 840999000
все следующие характеристики:
а) химические скрубберы или абсорберы,
специально спроектированные для
удаления диоксида углерода, оксида
углерода и частиц из рециркулируемого
выхлопа двигателя;
б) системы, специально спроектированные
для применения моноатомного газа;
в) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; и
г) специально спроектированные
выхлопные системы с задержкой выброса
продуктов сгорания;
8.1.2.10.3. Воздушно - независимые энергетические 840999000
установки на топливных элементах (ЭХГ)
с выходной мощностью, превышающей
2 кВт, имеющих любую из следующих
составляющих:
а) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой на частотах ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; или
б) системы, специально спроектированные
для:
1) прессования продуктов реакции или
восстановления топлива;
2) хранения продуктов реакции; и
3) выхлопа продуктов реакции при
противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.4. Независимые от атмосферы силовые 840810;
системы с двигателями цикла Стирлинга, 840999000
имеющие все следующие составляющие:
а) приборы или глушители, специально
спроектированные для снижения шума под
водой с частотами ниже 10 кГц, или
специально смонтированные приборы для
смягчения хлопка выброса; и
б) специально спроектированные
выхлопные системы с выхлопом продуктов
сгорания при противодавлении в 100 кПа
или более
8.1.2.15. Винты, системы передачи мощности,
системы получения энергии и системы
снижения шума, такие, как:
8.1.2.15.3. Системы снижения шума, разработанные
для применения на судах водоизмещением
1000 т или более:
8.1.2.15.3.1. Системы снижения шума под водой на 841229500;
частотах ниже 500 Гц, состоящие из 840999000
компаундных акустических сборок для
акустической изоляции дизельных
двигателей, дизель - генераторных
установок, газовых турбин,
газотурбинных генераторных установок,
двигательных установок или редукторов,
специально спроектированных для
звуковой или вибрационной изоляции,
имеющие усредненную массу, превышающую
30% от массы монтируемого оборудования;
8.1.2.15.3.2. Активные системы снижения шума или его 841229500
погашения или подшипники на магнитном
подвесе, специально спроектированные
для мощных трансмиссионных систем,
включающие электронные системы
управления, способные активно снижать
вибрации оборудования генерацией
антишумовых или антивибрационных
сигналов непосредственно у источника
шума
8.1.2.16. Системы движения на струйном движителе 841229500
с выходной мощностью, превышающей
2,5 МВт, использующие отклоняющееся
сопло и технику регулирования потока
лопаткой (лопастью) в целях увеличения
эффективности движителя или снижения
генерируемых движителем и
распространяемых под водой шумов
8.4. Программное обеспечение
8.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 8.1
настоящего раздела Списка
8.4.2. Специфическое программное обеспечение,
специально созданное или
модифицированное для разработки,
производства, текущего ремонта,
капитального ремонта или восстановления
чистоты поверхности (ремашинизации)
винтов, специально спроектированных для
снижения их шума под водой
8.5. Технология
8.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пункту
8.1 настоящего раздела Списка
8.5.2. Другие технологии, такие, как:
8.5.2.1. Технологии для разработки,
производства, текущего ремонта,
капитального ремонта, восстановления
чистоты поверхности (ремашинизации)
винтов, специально спроектированных для
снижения их шума под водой
Категория 9. Двигатели
9.1. Системы, оборудование и компоненты
9.1.11. Прямоточные воздушно - реактивные 841210900
двигатели, пульсирующие воздушно -
реактивные двигатели или двигатели
комбинированного цикла и специально
разработанные для них компоненты
9.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
9.2.1. Оборудование, инструменты или
приспособления, специально
разработанные для производства
лопаток газовых турбин, литых лопастей
или краев кожухов:
(в ред. Указа Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
9.2.1.2. Керамические стержни (ядра, сердечники) 690390900
или патроны (оболочки)
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4. Программное обеспечение
9.4.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
разработки оборудования или технологий,
контролируемых по пунктам 9.1, 9.2 или
9.5.3 настоящего раздела Списка
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
производства оборудования,
контролируемого по пункту 9.1 или 9.2
настоящего раздела Списка
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.4. Другое программное обеспечение, такое,
как:
9.4.4.1. Программное обеспечение для
моделирования двух- или трехвязкого
внутридвигательного течения потока в
аэродинамических трубах или для
обработки данных летных испытаний,
позволяющее детально моделировать
внутридвигательный поток;
9.4.4.3. Программное обеспечение, специально
разработанное для управления
направленной кристаллизацией или
формированием единичного кристалла
9.5. Технология
9.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам
9.1.4 - 9.1.11, 9.2. или 9.4 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам
9.1.4 - 9.1.11 или 9.2 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечания. 1. Для технологии по
ремонту контролируемых структур,
ламинатов или материалов см. пункт
1.5.2.6
2. Технологии разработки или
производства газотурбинных двигателей,
контролируемые по пункту 9.5, остаются
контролируемыми, когда они используются
как применяемые технологии ремонта,
восстановления или капитального
ремонта. Не контролируются технические
данные, чертежи или документация для
эксплуатационной деятельности,
непосредственно связанной с
калибровкой, извлечением или
перемещением поврежденных или
необслуживаемых без перемещения блоков,
включая перемещение двигателей в целом
или их модулей
9.5.3. Другие технологии, такие, как:
9.5.3.1. Технологии, требуемые для разработки
или производства любых из следующих
компонентов или систем газотурбинных
двигателей:
9.5.3.1.1. Лопаток газовых турбин, лопастей или
верхних частей венцов, полученных из
сплавов методом направленной
кристаллизации (DS) или из одного
кристалла (SC) и имеющих (по Миллеру
индекс направления 001) время
сопротивления на излом более 400 ч при
температуре 1273 K (1000 град. C) и
давлении 200 МПа, базируясь на
усредненных показателях свойств
материала;
9.5.3.1.2. Многокупольных камер сгорания,
работающих при средних температурах на
выходе из камеры более 1813 K
(1540 град. C), или камер сгорания,
содержащих термически разделенные
теплозащитные элементы, неметаллические
теплозащитные элементы или
неметаллические корпуса;
9.5.3.1.3. Компонентов, изготавливаемых из любых
следующих составляющих:
а) органических композиционных
материалов, разработанных для
применения при температуре более 588 К
(315 град. C);
б) металлических матричных
композиционных, керамических матричных,
интерметаллических или армированных
интерметаллических материалов,
контролируемых по пункту 1.3.7; или
в) композиционных материалов,
контролируемых по пункту 1.3.10 и
изготовленных с использованием
полимерных веществ, контролируемых по
пункту 1.3.8
(п. 9.5.3.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
9.5.3.1.4. Неохлаждаемых турбинных лопаток,
лопастей, верхних частей венцов или
других компонентов, спроектированных
для работы в газовом потоке с
температурой 1323 K (1050 град. C) или
более;
9.5.3.1.5. Охлаждаемых турбинных лопаток,
лопастей, верхних частей венцов, иных,
нежели те, что описаны в пункте
9.5.3.1.1, работающих без тепловой
защиты при температуре газа 1643 K
(1370 град. C) или более;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5.3.1.8. Высокоресурсных вращающихся компонентов
газотурбинного двигателя, использующих
материалы, изготовленные методом
порошковой металлургии, контролируемые
по пункту 1.3.2.2 раздела 1;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5.3.1.9. ФАДЕК для газотурбинных двигателей и
двигателей с комбинированным циклом и
относящихся к ним компонентов
диагностики, датчиков и специально
спроектированных компонентов
Раздел 3 <*>. "Весьма чувствительные"
товары и технологии
-------------T---------------------------------------T------------
N ¦ Наименование ¦Код товарной
позиции ¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэко -
¦ ¦номической
¦ ¦деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 1. Перспективные материалы
--------------------------------
<*> В официальных документах Вассенаарских договоренностей по
экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и
технологиями двойного назначения раздел 3 Списка назван
подразделом раздела 2.
1.1. Системы, оборудование и компоненты
1.1.2. Композиционные конструкции или слоистые
структуры (ламинаты), имеющие любую из
следующих составляющих:
Примечание. По пункту 1.1.2 не
контролируются композиционные структуры
или ламинаты, изготовленные из
эпоксидной смолы, импрегнированной
углеродом, волокнистые или нитевидные
материалы для ремонта структур
летательных аппаратов или ламинаты,
имеющие размеры, не превышающие
1 кв. м;
(примечание введено Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из 392690100
материалов, контролируемых по пунктам
1.3.10.3 или 1.3.10.4 раздела 1
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Примечание. По пункту 1.1.2.1 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего только
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях;
1.3. Материалы
1.3.1. Материалы, специально предназначенные
для поглощения электромагнитных волн,
или электропроводящие полимеры, такие,
как:
1.3.1.1. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 2 x 10E8 Гц, но 391000000
меньших 3 x 10E12 Гц
Примечание 1. По пункту 1.3.1.1 не
контролируются:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) абсорберы волосяного типа,
изготовленные из натуральных и
синтетических волокон, с немагнитным
наполнением для абсорбции;
б) абсорберы, не имеющие магнитных
потерь, рабочая поверхность которых не
является плоской, включая пирамиды,
конусы, клинья и спиралевидные
поверхности;
в) плоские абсорберы, имеющие все
следующие характеристики:
1) изготовленные из любых следующих
материалов:
пенопластических материалов (гибких или
негибких) с углеродным наполнением или
органических материалов, включая
связывающие присадки, обеспечивающих
коэффициент отражения более 5% по
сравнению с металлом в диапазоне волн,
отличающихся от центральной частоты
падающей энергии более чем на +-15%, и
не способных противостоять
температурам, превышающим 450 К
(177 град. C); или
керамических материалов, обеспечивающих
более чем 20% отражение по сравнению с
металлом в диапазоне волн, отличающихся
от центральной частоты падающей энергии
более чем на +-15%, и не способных
противостоять температурам, превышающим
800 К (527 град. C)
Техническое примечание. Образцы
для проведения испытаний на поглощение
по последнему подпункту примечания к
пункту 1.3.1.1 должны иметь форму
квадрата со стороной не менее пяти
длин волн на центральной частоте,
расположенной в дальней зоне
излучающего элемента
2) с прочностью на растяжение менее 7 х
10E6 Н/кв. м; и
3) с прочностью на сжатие менее 14 х
10E6 Н/кв. м
г) плоские абсорберы, выполненные из
спеченного феррита, имеющие:
1) удельный вес более 4,4; и
2) максимальную рабочую температуру
548 К (275 град. C)
Примечание 2. Магнитные материалы
для обеспечения поглощения волн,
указанные в примечании 1 к пункту
1.3.1.1, не освобождаются от контроля,
если они содержатся в красках;
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000
N 1477)
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 1,5 x 10E14 Гц, 391000000
но меньших 3,7 x 10E14 Гц, и
непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы
с объемной электропроводностью свыше
10000 См/м или поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв. м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 390930000
1.3.1.3.2. Полипиррола; 391190900
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
1.3.1.3.3. Политиофена; 391190900
1.3.1.3.4. Полифенилен - винилена; или 391190900
1.3.1.3.5. Политиенилен - винилена 391990900
1.3.12. Материалы, такие как:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 284420910;
изотопа плутония-238 более 50% (по 284420990
весу)
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один грамм
плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или
менее, при использовании в качестве
чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2. Предварительно очищенный нептуний-237 в 284440000
любой форме
Примечание. По пункту 1.3.12.2 не
контролируются поставки с содержанием в
один грамм нептуния-237 или менее
Техническое примечание. Материалы,
указанные в пункте 1.3.12, обычно
используются для ядерных тепловых
источников
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 09.08.2000
N 1477)
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства материалов, контролируемых
по пункту 1.1.2 или 1.3 настоящего
раздела
Категория 2. Обработка материалов - нет
Категория 3. Электроника - нет
Категория 4. Вычислительная техника
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (СТП) (кроме
свыше 150000 Мтопс; 847110)
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 28.09.2001
N 1156)
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или модифицированные (кроме
для повышения производительности путем 847110)
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2 настоящего
раздела
Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3
распространяется только на электронные
сборки и программируемые взаимосвязи,
не превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2 настоящего раздела, при
поставке в виде необъединенных
электронных сборок
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются
электронные сборки, специально
спроектированные для продукции или
целого семейства продукции,
максимальная конфигурация которых не
превышает пределы, указанные в пункте
4.1.3.2 настоящего раздела
4.4. Программное обеспечение
4.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 4.1
настоящего раздела
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
настоящего раздела
Категория 5
Часть 1. Телекоммуникации
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие системы
и аппаратура и специально разработанные
компоненты и принадлежности, имеющие
любые из следующих характеристик,
свойств или качеств:
5.1.1.2.4. Наличие радиоприемников с цифровым 852520900
управлением, имеющих все следующие
характеристики:
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
а) более 1000 каналов;
б) время переключения частоты менее
1 мс;
в) автоматический поиск или
сканирование в части электромагнитного
спектра; и
г) возможность идентификации принятого
сигнала или типа передатчика
Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не
контролируется оборудование сотовой
связи, работающее на гражданских
частотах
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
5.4.1. Программное обеспечение
5.4.1.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования, операций или
устройств, контролируемых по пунктам
части 1 Категории 5 настоящего раздела
5.5.1. Технология
5.5.1.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования, операций,
устройств или программного обеспечения,
контролируемых по пунктам части 1
Категории 5 настоящего раздела
Часть 2. Защита информации - нет
Категория 6. Датчики и лазеры
6.1. Системы, оборудование и компоненты
6.1.1. Акустика
6.1.1.1. Морские акустические системы,
оборудование и специально разработанные
для них компоненты:
6.1.1.1.1.2. Системы обнаружения или определения 901580910
местоположения, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) частоту передачи ниже 5 кГц;
б) уровень звукового давления выше
224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне от 5 кГц
до 24 кГц включительно;
в) уровень звукового давления выше
235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования
с рабочей частотой в диапазоне между
24 кГц и 30 кГц;
г) формирование лучей уже 1 град. по
любой оси и рабочую частоту ниже
100 кГц;
д) предназначенные для работы с
дальностью разрешения целей более
5120 м; или
е) предназначенные для нормального
функционирования на глубинах свыше
1000 м и имеющие датчики с любыми из
следующих характеристик:
1) динамически подстраиваемые под
давление; или
2) содержащие другие преобразующие
элементы, нежели изготовленные из
свинцового титаната цирконата
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2. Пассивные (принимающие в штатном режиме
независимо от связи с активной
аппаратурой) системы, оборудование и
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
6.1.1.1.2.1. Гидрофоны (преобразователи) с любой из
следующих характеристик:
а) включающие гибкие датчики 901580110;
непрерывного действия или сборки 901580930
датчиков дискретного действия с
диаметром или длиной менее 20 мм и с
расстоянием между элементами менее
20 мм;
б) имеющие любой из следующих 901580930
чувствительных элементов:
1) волоконно - оптический;
2) пьезоэлектрический полимерный; или
3) гибкий пьезоэлектрический из
керамических материалов
ж) созданные для работы на глубинах 901580930
более 1000 м;
6.1.1.1.2.2. Буксируемые акустические гидрофонные 901580930;
решетки, имеющие любую из следующих 901580990
характеристик:
а) гидрофонные группы, расположенные с
шагом 12,5 м и менее;
б) гидрофонные группы, расположенные с
шагом от 12,5 м до 25 м и разработанные
или способные быть модифицированными
для работы на глубинах более 35 м;
в) гидрофонные группы в решетке,
расположенные с шагом 25 м и более и
разработанные для работы на глубинах
свыше 100 м;
г) имеющие управляемые датчики,
контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4
раздела 1;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
д) имеющие продольно укрепленные
соединительные кабели решеток;
е) имеющие собранные решетки диаметром
менее 40 мм;
ж) мультиплексированные сигналы
гидрофонных групп, разработанных для
работы на глубинах более 35 м или
имеющих регулируемое либо сменное
глубинное чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; или
з) характеристики гидрофонов, указанные
в пункте 6.1.1.1.2.1 настоящего
раздела;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2.3. Аппаратура обработки данных в реальном 901580930;
масштабе времени, специально 901580990
разработанная для применения в
буксируемых акустических гидрофонных
решетках, обладающая программируемостью
пользователем, обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований или
процессов;
6.1.1.1.2.5. Донные или притопленные кабельные 901580930;
системы, имеющие любую из следующих 901580990
составляющих:
а) объединяющие гидрофоны, указанные в
пункте 6.1.1.1.2.1; или
б) объединенные мультиплексированной
гидрофонной группой сигнальные модули,
имеющие все следующие характеристики:
1) разработаны для работы на глубинах,
превышающих 35 м, либо имеют
регулируемое или сменное глубинное
чувствительное устройство,
предназначенное для работы на глубинах,
превышающих 35 м; и
2) способны оперативно
взаимодействовать с модулями
буксируемых акустических гидрофонных
решеток;
(пп. "б" в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(п. 6.1.1.1.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.1.1.2.6. Аппаратура обработки данных, специально 901580930;
разработанная для донных или 901580990
притопленных кабельных систем,
обладающая программируемостью
пользователем и обработкой во временной
или частотной области и корреляцией,
включая спектральный анализ, цифровую
фильтрацию и формирование луча с
использованием быстрого преобразования
Фурье или других преобразований либо
процессов
(п. 6.1.1.1.2.6 введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.1.2. Оптические датчики
6.1.2.1. Оптические детекторы, такие, как:
6.1.2.1.1. Нижеперечисленные твердотельные
детекторы, годные для применения в
космосе:
6.1.2.1.1.3. Твердотельные детекторы, годные для 854140990
применения в космосе, имеющие
максимальную чувствительность в
диапазоне длин волн от 1200 нм до
30000 нм
Радиолокаторы
6.1.8. Локационные системы, оборудование и
узлы, имеющие любую из следующих
характеристик, и специально
предназначенные для них компоненты:
Примечание. По пункту 6.1.8 не
контролируются:
а) РЛС с активным ответом;
б) автомобильные РЛС, предназначенные
для предотвращения столкновений;
в) дисплеи или мониторы, используемые
для управления воздушным движением
(УВД), имеющие разрешение не более
12 элементов на 1 мм;
г) метеорологические (погодные)
локаторы;
6.1.8.12. Имеющие подсистемы обработки данных с 852110900
любой из следующих характеристик:
в) обработка для автоматического
распознавания образов (выделение
признаков) и сравнения с базами данных
характеристик цели (сигналов или
образов) для идентификации или
классификации целей
6.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
6.2.8. Радиолокаторы
6.2.8. Импульсные локационные системы для 852610900
измерения поперечного сечения, имеющие
длительность передаваемых импульсов
100 нс или менее, и специально
предназначенные для них компоненты
6.4. Программное обеспечение
6.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 6.1.8 или
6.2.8 настоящего раздела
6.4.3. Другое программное обеспечение, такое,
как:
Акустика
6.4.3.1. Следующее программное обеспечение:
а) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием буксируемых гидрофонных
решеток;
б) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема с
использованием буксируемых гидрофонных
решеток;
в) программное обеспечение, специально
разработанное для формирования
акустического луча при обработке
акустических данных в реальном масштабе
времени при пассивном приеме донными
или погруженными кабельными системами;
(пп. "в" в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
г) текст программы для обработки в
реальном масштабе времени акустических
данных для пассивного приема донными
или погруженными кабельными системами
(пп. "г" введен Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
6.5. Технология
6.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемого по пунктам
6.1, 6.2 или 6.4 настоящего раздела
6.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
6.1 или 6.2 настоящего раздела
Категория 7. Навигация и авиационная электроника
7.4. Программное обеспечение
7.4.3. Другое программное обеспечение, такое,
как:
7.4.3.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
улучшения действующих характеристик или
уменьшения навигационной ошибки систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3
или 7.1.4 раздела 1;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
7.4.3.2. Текст программы для гибридных
комплексированных систем, которые
улучшают действующие характеристики или
уменьшают навигационную ошибку систем
до уровней, указанных в пункте 7.1.3
раздела 1, при комплексировании
инерциальных данных с любыми из
навигационных данных, получаемых от:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) допплеровского определителя
скорости;
б) глобальной навигационной спутниковой
системы (GPS или ГЛОНАСС); или
в) базы данных о рельефе местности
Категория 8. Морское дело
8.1. Системы, оборудование и компоненты
8.1.1. Следующие подводные аппараты и
надводные суда:
Особое примечание. Для оценки
контрольного статуса оборудования
подводных аппаратов смотрите: для
оборудования передачи зашифрованной
информации - часть 2 Категории 5
(Защита информации); применительно к
датчикам - Категорию 6; для
навигационного оборудования - Категории
7 и 8; для подводного оборудования -
пункт 8.1
8.1.1.2. Пилотируемые человеком, неуправляемые
по проводам подводные аппараты, имеющие
любую из следующих характеристик:
8.1.1.2.1. Спроектированные для автономного 890600910;
плавания и имеющие все следующие 890600990
характеристики по подъемной силе:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
а) 10% или более их собственного веса
(веса в воздухе); и
б) 15 кН или более;
8.1.1.2.2. Спроектированные для плавания на 890600910;
глубинах, превышающих 1000 м; или 890600990
8.1.1.2.3. Имеющие все следующие характеристики: 890600910;
а) спроектированные для экипажа из 890600990
четырех или более человек;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
б) спроектированные для автономного
плавания в течение 10 часов или более;
в) имеющие радиус действия 25 морских
миль или более; и
г) имеющие длину 21 м или менее
Технические примечания. 1. Для
целей пункта 8.1.1.2 "автономное
плавание" означает, что аппараты
полностью погружены без шнорхеля, все
их системы функционируют и обеспечивают
плавание на минимальной скорости, при
которой погружением можно безопасно
управлять (с учетом необходимой
динамики по глубине погружения) с
использованием только глубинных рулей
без участия надводного судна поддержки
или базы (береговой или корабля -
матки); аппараты имеют двигательную
систему для движения в погруженном и
надводном состоянии
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
2. Для целей пункта 8.1.1.2 радиус
действия составляет половину
максимального расстояния, которое может
преодолеть подводный аппарат
8.1.1.4. Не пилотируемые человеком, 890600910;
неуправляемые по проводам подводные 890600990
аппараты, имеющие любую из следующих
составляющих:
8.1.1.4.1. Спроектированные для решения задачи
достижения (прокладки курса) любого
географического ориентира в реальном
масштабе времени без участия человека;
8.1.1.4.2. Имеющие канал передачи акустических
данных или команд; или
8.1.1.4.3. Имеющие волоконно - оптическую линию
передачи данных или линию передачи
команд, превышающую по длине 1000 м
8.1.2. Системы или оборудование, такие, как:
Особое примечание. Для систем
подводной связи смотрите часть 1
Категории 5 (Телекоммуникации)
8.1.2.15. Винты, системы передачи мощности,
системы получения энергии и системы
снижения шума, такие, как:
8.1.2.15.3. Системы снижения шума, разработанные
для применения на судах водоизмещением
1000 т или более:
8.1.2.15.3.2. Активные системы снижения шума или его 841229500
погашения или подшипники на магнитном
подвесе, специально спроектированные
для мощных трансмиссионных систем,
включающие электронные системы
управления, способные активно снижать
вибрации оборудования генерацией
антишумовых или антивибрационных
сигналов непосредственно у источника
шума
8.4. Программное обеспечение
8.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 8.1
настоящего раздела
8.5. Технология
8.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 8.1
настоящего раздела
Категория 9. Двигатели
9.1. Системы, оборудование и компоненты
9.1.11. Прямоточные воздушно - реактивные 841210900
двигатели, пульсирующие воздушно -
реактивные двигатели или двигатели
комбинированного цикла и специально
разработанные для них компоненты
9.4. Программное обеспечение
9.4.1. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
разработки или производства
оборудования или технологий,
контролируемых по пункту 9.1 или 9.5.3
настоящего раздела
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.4.2. Программное обеспечение, специально
разработанное или модифицированное для
производства оборудования,
контролируемого по пункту 9.1
настоящего раздела
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
9.5. Технология
9.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пункту
9.1.11 или 9.4 настоящего раздела
9.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по пункту
9.1.11 настоящего раздела
9.5.3. Другие технологии, такие, как:
9.5.3.1. Технологии, требуемые для разработки
или производства любых из следующих
компонентов или систем газотурбинных
двигателей:
9.5.3.1.1. Лопаток газовых турбин, лопастей или
верхних частей венцов, полученных из
сплавов методом направленной
кристаллизации или из одного кристалла
и имеющих (по Миллеру индекс
направления 001) время сопротивления на
излом более 400 ч при температуре
1273 K (1000 град. C) и давлении
200 МПа, базируясь на усредненных
показателях свойств материала;
9.5.3.1.3. Компонентов, изготавливаемых из
органических композиционных материалов,
разработанных для применения при
температуре более 588 К (315 град. C)
(п. 9.5.3.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Раздел 4. Товары и технологии <*>,
контролируемые по соображениям национальной
безопасности
(введен Указом Президента РФ от 11.04.2001 N 412)
------------------------------
<*> Контрольный статус технологий, указанных в разделе 4,
определяется в соответствии с общим технологическим примечанием.
------------------T--------------------------------T--------------
N позиции ¦ Наименование ¦Код товарной
¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэконо
¦ ¦мической
¦ ¦деятельности
------------------+--------------------------------+--------------
Категория 10. Энергетика
10.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
10.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
10.2.1. Специальное буровое
оборудование и станки,
позволяющие закладывать
скважины диаметром свыше 1 м
для подземных испытаний, и их
ключевые элементы, такие, как:
10.2.1.1. Буровые станки для проходки 8430310000;
горизонтальных или вертикальных 8430390000;
шахтных стволов диаметром более 8430410000;
1 м; 8430490000;
8430500000
10.2.1.2. Разведочные машины с рабочим 8430310000;
диаметром свыше 1 м и 8430390000;
секционными удлинителями, 8430410000;
способные развертываться на 8430490000;
глубину 60 м или более; 8430500000
10.2.1.3. Колонны двойных обсадных труб с 7304;
наружным диаметром 30,5 см или 7305;
более; 7306
10.2.1.4. Буровые коронки диаметром 1 м 8207
или более
10.2.2. Специальное диагностическое 8543190000;
оборудование для измерения 9027109000;
характеристик пучков частиц или 9027500000;
плазмы, имеющих среднюю 9030109000
мощность в непрерывном режиме
10 кВт или более или энергию в
импульсе 1 МДж или более
10.3. Материалы - нет
10.4. Программное обеспечение
10.4.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения систем наведения
и управления пучком электронов,
указанных в пункте 10.5.2.1.3
10.4.2. Программное обеспечение
магнитной транспортировки пучка
для борьбы с аберрацией
третьего и более высоких
порядков, а также с эффектами,
вызванными появлением
пространственного заряда
10.5. Технологии
10.5.1. Технологии, связанные с
исследованием физики ядерного
взрыва:
10.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения специального
бурового оборудования и
станков, позволяющих
закладывать скважины диаметром
1 м или более для подземных
испытаний, и его ключевых
элементов, таких, как:
10.5.1.1.1. буровых станков для проходки
горизонтальных или вертикальных
шахтных стволов диаметром 1 м
или более;
10.5.1.1.2. разведочных машин с рабочим
диаметром 1 м или более и
секционными удлинителями,
способных развертываться на
глубину 60 м или более;
10.5.1.1.3. колонн двойных обсадных труб с
наружным диаметром 30,5 см или
более;
10.5.1.1.4. буровых коронок диаметром 1 м
или более
10.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения методов и средств
генерации и управления пучками
направленного ионизирующего
излучения:
10.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем с пучками
частиц:
10.5.2.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем формирования
пучков электронов, такие, как:
10.5.2.1.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем генерации
сильноточных пучков электронов;
10.5.2.1.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения инжекторов
электронных пучков, включая:
10.5.2.1.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем ускорения
пучков электронов после
инжектора;
10.5.2.1.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ускорителей, такие,
как:
10.5.2.1.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов уменьшения размеров,
веса и стоимости инжекторов
пучков частиц, такие, как:
10.5.2.1.1.3.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения материалов, таких,
как аморфные ферриты и
ферритовые материалы для
ускорителей с ферромагнитными
сердечниками с целью увеличения
произведения вольт - секунды
(увеличения колебания потока),
чтобы улучшить градиент
ускоряющего поля;
10.5.2.1.1.3.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения изолирующих
материалов и конструкционных
приемов для получения
градиентов напряжения 5 МВ/м
или более в ускорителях
небольших размеров;
10.5.2.1.1.3.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов выбора оптимального
ускоряющего промежутка в
импульсных ускорителях на
радиальных линиях для получения
высоких градиентов ускоряющего
поля;
10.5.2.1.1.3.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем рециркуляции
пучка;
10.5.2.1.1.3.1.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения сильноточных
циклических ускорителей с током
свыше 5 кА;
10.5.2.1.1.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
способов определения и
поддержания стабильности пучка
в многокаскадных ускорителях;
10.5.2.1.1.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
способов измерения
характеристик пучка, включая
лучеиспускательную способность;
10.5.2.1.1.3.4. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
способов подавления искажения
формы импульса в ускорителях с
ферромагнитным сердечником и в
импульсных ускорителях на
радиальных линиях;
10.5.2.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокомощных
отдельных (с разбросом менее 1
нс) и пакетных (более 9 штук в
пакете) быстродействующих
(менее 10 нс) коммутаторов
электрической энергии,
специально спроектированных для
подсистем генерации пучков
электронов;
10.5.2.1.3. Технологии, предназначенные для
исследований процессов
распространения сильноточных
(свыше 5 кА) и в то же время
высокоэнергетических (свыше 20
МэВ) пучков электронов, такие,
как:
10.5.2.1.3.1. Методы изучения распространения
сильноточных
высокоэнергетических пучков
частиц в атмосфере на
расстояние более 20 м;
10.5.2.1.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов улучшения характеристик
распространения сильноточных
пучков;
10.5.2.1.3.3. Экспериментальные данные,
связанные с распространением
сильноточных
высокоэнергетических пучков
частиц в газах;
10.5.2.1.3.4. Технологии, предназначенные для
изучения взаимодействия пучков
электронов с веществом;
10.5.2.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
моделей численного
моделирования, и
соответствующие базы данных по
распространению сильноточных
высокоэнергетических пучков
электронов, указанных в пункте
10.5.2.1.3;
10.5.2.1.5. Технологии, предназначенные для
изучения эффектов
взаимодействия электронных
пучков с мишенями и мер
противодействия, такие, как;
10.5.2.1.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения моделей численного
моделирования, и
соответствующие базы данных;
10.5.2.1.5.2. Экспериментальные данные,
связанные с повреждением
электронами многослойных целей
из различных материалов;
10.5.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем с пучками
нейтральных частиц, имеющих
среднюю мощность в непрерывном
режиме 10 кВт или более или
энергию в импульсе 1 МДж или
более:
10.5.2.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения систем генерации
пучков нейтральных частиц,
такие, как:
10.5.2.2.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения инжекторов пучков
ионов, включая:
10.5.2.2.1.1.1. Технологии, предназначенные для
исследований интенсивных пучков
ионов водорода с током более
0,2 А, эмиттенсом 0,00001 см х
рад, выводимых из создающего их
устройства, с использованием
следующих методов:
а) генерации плотной анодной
плазмы;
б) подавления внешнего
магнитного поля пучка
электронов; и
в) фокусировки ионных пучков с
высокой плотностью тока;
10.5.2.2.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем ускорения
пучков ионов после инжектора,
такие, как:
10.5.2.2.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ферритов, аморфных
ферритовых и других материалов,
для увеличения произведения
вольт - секунды с целью
получения более высоких
градиентов ускоряющего поля;
10.5.2.2.1.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения изолирующих
материалов и конструкций с
целью получения средних
градиентов ускоряющего поля
выше, чем 5 МэВ/м;
10.5.2.2.1.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ускоряющих ячеек в
импульсном ускорителе с целью
получения более высоких
градиентов ускоряющего поля;
10.5.2.2.1.2.4. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов рекуперации энергии
пучков, таких, как:
а) методов определения и
поддержания стабильности в
каскадных ускорителях с
энергией пучка свыше 5 МэВ;
б) методов уменьшения или
управления яркостью и
эмиттенсом пучка при токе более
0,2 А и эмиттенсе 0,00001 см х
рад;
10.5.2.2.1.2.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения керамических
радиопрозрачных окон,
выдерживающих воздействие ВЧ -
излучения со средней мощностью
свыше 1 МВт или импульсной
мощностью 40 МВт;
10.5.2.2.1.2.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения резонаторов
ускорителя или других
конструктивных элементов,
значительно упрощающих
конструкцию ускорителей и
улучшающих их характеристики;
10.5.2.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения подсистем генерации
импульсных пучков нейтральных
частиц, такие, как:
10.5.2.2.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокомощных
отдельных и каскадных (более 9
штук) коммутаторов
электрической энергии с низким
разбросом (менее 1 нс) и
высоким быстродействием (менее
10нс);
10.5.2.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения подсистем наведения
и управления пучком нейтральных
частиц, такие, как:
10.5.2.2.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения источников питания
для магнитов постоянного тока
со стабильностью тока или
напряжения 0,00001 при токе 10
А или более;
10.5.2.2.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем наведения и
управления пучком с
использованием любого из
следующего:
а) излучения пучков,
используемого для наведения и
контроля;
б) способов определения
поперечных сечений обратного
рассеяния пучков в
радиочастотном и
электрооптическом диапазонах;
в) программного обеспечения
магнитной транспортировки пучка
для борьбы с аберрацией
третьего и более высоких
порядков, а также с эффектами,
вызванными появлением
пространственного заряда;
г) способов коррекции аберрации
для ахроматических линз;
10.5.2.2.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем нейтрализации
пучка, такие, как:
10.5.2.2.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
способов обдирки электронов с
отрицательных ионов или
добавления электронов к
положительным ионам для
нейтрализации пучка частиц при
условии сохранения эмиттенса
пучка 0,00001 см х рад и тока
более 0,2 А;
10.5.2.2.5. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
систем распространения пучков
нейтральных частиц, такие, как:
10.5.2.2.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
аналитических моделей
распространения пучков частиц в
атмосфере;
10.5.2.2.5.2. Экспериментальные данные о
распространении сильноточных
высокоэнергетичных пучков
частиц в верхних слоях
атмосферы;
10.5.2.2.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем
взаимодействия пучков
нейтральных частиц с веществом,
такие, как:
10.5.2.2.6.1. Экспериментальные данные о
взаимодействии
высокоэнергетичных мощных
пучков частиц с веществом;
10.5.2.2.6.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения аналитических
моделей на ЭВМ и связанных с
ними баз данных;
10.5.2.2.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем оценки
эффективности воздействия пучка
частиц на цели и мер защиты,
такие, как:
10.5.2.2.7.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения аналитических
моделей на ЭВМ и связанных с
ними баз данных по воздействию
на цели
10.5.3. Технологии, связанные с
исследованием проблем
теплофизики, электрофизики и
физики низкотемпературной
плазмы применительно к
перспективной энергетике:
10.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения специального
диагностического оборудования
для измерения характеристик
пучков частиц или плазмы,
имеющих среднюю мощность в
непрерывном режиме 10 кВт или
более или энергию в импульсе 1
МДж или более
10.5.4. Технологии термоядерного
синтеза, такие, как:
10.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения мощных (свыше 100
кВт) СВЧ - источников;
10.5.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования для
производства материалов очень
малой плотности (0,01 г/куб. см
или менее) и с малыми порами
(менее 3 мкм), но обладающих
прочностью более 1 кг/кв. см,
из высокочистых изотропных
структур со сверхгладкой
поверхностью (3 мкм);
10.5.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
мишеней для термоядерного
синтеза с инерциальным
удержанием, и соответствующие
машинные коды (любой
размерности) и (или) базы
данных для моделирования,
прогнозирования и (или)
измерения любого из следующего:
а) процесса горения дейтерия -
трития;
б) гидродинамики;
в) смешивания ядерного топлива;
г) нейтронных процессов;
д) потока излучения;
е) равновесия состояния;
ж) коэффициента непрозрачности;
з) взаимодействия вещества и
рентгеновского излучения
10.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения нетрадиционных
преобразователей энергии:
10.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ядерных
энергетических установок для
надводных судов и подводных
аппаратов, такие, как:
10.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем управления и
защиты ядерных реакторных
установок;
10.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения тепловыделяющих
элементов ядерных реакторных
установок для надводных судов и
подводных аппаратов;
10.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения реакторных систем
мобильного назначения, такие,
как:
10.5.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов изготовления ядерного
топлива, специально
предназначенного или
приспособленного для компактных
реакторов, которое может
включать сильно обогащенные
топлива, а также топлива с
максимальной внутренней рабочей
температурой свыше
1200 град. C;
10.5.5.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем
преобразования энергии для
мобильных реакторов, таких,
как:
10.5.5.2.2.1. высокотемпературных (свыше
1050 град. C) газотурбинных
генераторных систем;
10.5.5.2.2.2. высокотемпературных (свыше
1000 град. C) насосов для
жидких металлов;
10.5.5.2.2.3. термоэлектронных систем
преобразования энергии;
10.5.5.2.2.4. термоэлектрических систем
преобразования энергии;
10.5.5.2.2.5. высокотемпературных детандеров
Лисхольма;
10.5.5.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокотемпературных
(свыше 600 град. C) или
радиационно - стойких тепловых
трубок;
10.5.5.2.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения установок для
волочения проволоки из
жаропрочных металлов (с
сечением менее 50 мкм) и
плетения мелких сеток
(содержащих более 8 проволок на
1 мм);
10.5.5.2.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения машинного
программного обеспечения для
моделирования и анализа работы
ядерных реакторов специального
назначения.
Примечание. К ядерным реакторам
специального назначения
относятся компактные, мобильные
или транспортные ядерные
реакторы;
10.5.5.2.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем управления
для мобильных реакторов;
10.5.5.2.7. Расчетные и экспериментальные
данные по определению
критичности ядерных реакторов,
включая данные по сечению
ядерного взаимодействия;
10.5.5.2.8. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств контроля
критичности ядерного реактора;
10.5.5.3. Технологии, связанные с
электромеханическими
преобразователями энергии:
10.5.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения электромагнитных
машин, такие, как:
10.5.5.3.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения генераторов со
стабильной постоянной частотой,
включая:
10.5.5.3.1.1.1. интегрированные приводы;
10.5.5.3.1.1.2. гидромеханические передачи
постоянной скорости вращения;
10.5.5.3.1.1.3. преобразователи переменной
скорости вращения с постоянной
частотой;
10.5.5.3.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения портативных
турбогенераторов, способных
давать на выходе 10 МВт или
более при длительности
импульсов от миллисекунд до
десятков секунд;
10.5.5.3.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем криогенного
жидкостного и парового
охлаждения и тепловых трубок
для роторных электромагнитных
машин;
10.5.5.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения
магнитогидродинамических
устройств, такие, как:
10.5.5.3.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения:
10.5.5.3.2.1.1. электродов и (или) других
высокотемпературных
электропроводящих керамических
материалов для электродов;
10.5.5.3.2.1.2. методов диагностики систем;
10.5.5.3.2.1.3. систем для работы с жидкими
металлами;
10.5.5.3.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения
магнитогидродинамических
топливных систем, включая:
10.5.5.3.2.2.1. информацию о получении
топливных композиций,
обеспечивающих оптимальное
извлечение мощности;
10.5.5.3.2.2.2. методы извлечения затравок и
изготовления соответствующего
оборудования;
10.5.5.3.2.2.3. получение и использование
плазмы, в особенности при
помощи легких ракетоподобных
горелок и самовозбуждающихся,
инициируемых взрывом
генераторов для длительной
работы в режиме пульсации;
10.5.5.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения электродинамических
устройств, таких, как:
10.5.5.3.3.1. устройств ввода и ионизации
частиц для электрореактивных
двигателей;
10.5.5.3.3.2. ускорителей оптимальной
конструкции;
10.5.5.3.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств
пьезоэлектрического
преобразования, таких, как:
10.5.5.3.4.1. высокоэффективных
пьезоэлектрических материалов с
высокой усталостной прочностью;
10.5.5.3.4.2. схем с низким напряжением
возбуждения;
10.5.5.4. Технология прямого
преобразования:
10.5.5.4.1. Технологии термоэлектрического
преобразования, такие, как:
10.5.5.4.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения термоэлектрических
материалов с величиной
произведения z на кельвины
более 0,85 (z - определяется
электропроводностью материала и
его термоэлектрическим
коэффициентом Зеебека);
10.5.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения электротермических
присоединений к
термоэлектрическим материалам и
соединений между этими
материалами, характеризующихся
стабильностью при воздействии
расчетных температур и
стойкостью к сильному
радиационному воздействию;
10.5.5.4.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов терморегулирования,
позволяющих регулировать поток
тепла в зависимости от
требований нагрузки и изменений
состояния источника тепла;
10.5.5.4.2. Технологии термоэлектронного
преобразования, такие, как:
10.5.5.4.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ядерных источников
тепла, а именно:
10.5.5.4.2.1.1. высокотемпературных покрытий
для ядерного топлива из
жаропрочных металлов;
10.5.5.4.2.1.2. теплоизолирующих жаропрочных
соединений;
10.5.5.4.2.1.3. топливных элементов для
термоэлектронных
преобразователей на
термоядерных реакторах;
10.5.5.4.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения фокусирующих
параболических поверхностей, а
именно:
10.5.5.4.2.2.1. материалов с заданными
спектральными характеристиками;
10.5.5.4.2.2.2. покрытий с повышенными
адгезионными и
термомеханическими свойствами;
10.5.5.4.2.2.3. покрытий, стойких к воздействию
экстремальных условий внешней
среды;
10.5.5.4.2.2.4. параболических концентраторов,
включая:
а) расчетные параметры
параболических поверхностей;
б) разработку и производство
термоэлектронных эмиттеров и
коллекторов, способных
выдерживать температуры
1300 град. C или более;
10.5.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения первичных
энергетических систем, такие,
как:
10.5.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компактных с
удельной энергией 35 кДж/кг или
более или удельной мощностью
250 Вт/кг или более мобильных,
транспортабельных или
предназначенных для
использования в космическом
пространстве первичных
энергетических систем, включая:
10.5.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компоновки для
обеспечения эксплуатационных
характеристик в пределах
заданных ограничений по
размерам, массе и геометрии;
10.5.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов защиты от воздействия
факторов окружающей среды,
повышения радиационной
стойкости, определения
технических характеристик и
проведения испытаний;
10.5.5.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения методов
регулирования теплового режима;
10.5.5.5.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения технических средств
контроля выбросов путем
обеспечения работы в замкнутом
контуре или удержания;
10.5.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения малогабаритных
ядерных источников энергии;
10.5.5.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения имитационных моделей
для ЭВМ, а также необходимых
для этого баз расчетных данных
и средств программного
обеспечения, позволяющих
характеризовать следующее:
10.5.5.5.3.1. работу и взаимодействие
элементов комплексных первичных
электросиловых систем;
10.5.5.5.3.2. взаимодействие между первичными
энергосистемами и импульсными
системами или системами
направленной энергии;
10.5.5.5.3.3. взаимодействие первичной
электросиловой системы с
окружающей средой;
10.5.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения импульсных силовых
систем, такие, как:
10.5.5.6.1. Технология проектирования и
комплексирования систем,
включая:
10.5.5.6.1.1. разработку, производство или
использование технических
средств и методов для
кондиционирования импульсов и
передачи мощности, включая:
10.5.5.6.1.1.1. технические средства для
производства высококачественных
кабелей с большим сроком
службы, разъемов и изоляторов,
а также изоляционных материалов
и устройств для согласования
импеданса;
10.5.5.6.1.1.2. методы обработки поверхностей
для повышения возможностей
линий электропередачи при
напряженности свыше 10 МВ/м;
10.5.5.6.1.2. разработку, производство или
использование импульсных
силовых систем с удельной
энергией 35 кДж/кг или более,
удельной мощностью 250 Вт/кг
или более, предназначенных для
мобильной эксплуатации при
установке на транспортных
средствах или пригодных для
использования на космических
аппаратах, включая:
10.5.5.6.1.2.1. технические приемы компоновки
для обеспечения
эксплуатационных характеристик
в пределах заданных ограничений
по размерам, массе и геометрии;
10.5.5.6.1.2.2. методы защиты от воздействия
факторов окружающей среды и
повышения радиационной
стойкости;
10.5.5.6.1.2.3. методы регулирования теплового
режима;
10.5.5.6.1.2.4. механические средства контроля
выбросов путем обеспечения
работы в замкнутом контуре или
удержания;
10.5.5.6.1.2.5. методы сведения к минимуму или
компенсации различных усилий,
вращающих моментов и вибрации;
10.5.5.6.1.2.6. методы контроля или сведения к
минимуму совместного влияния
электромагнитных импульсов и
помех;
10.5.5.6.2. Технология генерации и
накопления:
10.5.5.6.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения генераторов со
сжатием магнитного потока с
единичным энергозапасом более
50 МДж, включая:
10.5.5.6.2.1.1. разработку, производство или
применение магнитоэлектрических
генераторов со сжатием потока в
расчете на минимизацию потерь и
максимизацию эффективности
преобразования энергии,
включая:
а) методы уменьшения потерь
магнитного потока и его
локализации;
б) методы предотвращения
неблагоприятных эффектов
сильных магнитных полей;
в) методы предотвращения
электрического пробоя;
10.5.5.6.2.1.2. разработку, производство или
применение технических средств
и методов формирования
импульсов магнитоэлектрических
генераторов со сжатием потока,
а также разработку особых
конструкций импульсных
генераторов, входных и выходных
переключателей и формирование
передающих линий;
10.5.5.6.2.1.3. разработку трансформаторов
связи для магнитоэлектрических
генераторов и применение
согласования импеданса;
10.5.5.6.2.2. Технология импульсных батарей:
10.5.5.6.2.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем электродов
для получения импульсов
сверхвысокой частоты и методов
химической обработки
поверхности;
10.5.5.6.2.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения электролитов с
высокой подвижностью носителей,
большой вязкостью или твердых
электролитов;
10.5.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения радиоактивных
термоэлектрических источников
питания для подводного и
космического применения и
связанного с ним оборудования;
10.5.5.8. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компактных и легких
прогонных или водородных
ускорителей ионов, рассчитанных
на эксплуатацию в верхних слоях
атмосферы и (или) космическом
пространстве
Категория 11. Перспективные материалы
11.1. Системы, оборудование и
компоненты
11.1.1. Изделия сложной формы, 7508900000
изготовленные из направленно
отверждающихся эвтектических и
монокристаллических
суперсплавов путем отливки
11.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
11.2.1. Оборудование для тепловых 9031200000;
испытаний образцов материалов с 9031809900
углерод - углеродным покрытием
при температурах свыше 1650
град. C
11.3. Материалы
11.3.1. Композиционные материалы типа 3926909909;
"Стекларм" на основе 7019399009;
стекломатрицы, армированной 7020001000;
высокопрочными волокнами, 7020009000
предназначенные для
изготовления деталей силовых
установок (узлов трения),
работающих в агрессивных средах
при повышенных температурах
(500 град. C или более)
11.3.2. Композиционные материалы на 7019399009;
основе стекла, армированного 7020001000;
непрерывными высокопрочными 7020009000
волокнами с плотностью 1900
кг/куб. м или более, прочностью
150 МПА или более и
температурой эксплуатации 500
град. C или более
11.3.3. Композиционные материалы на 3926909909;
основе стекла, в системе 7019399009;
SiO2-Al2O3-B2O3 армированного 7020001000;
жгутами из непрерывных 7020009000
высокопрочных волокон, с
плотностью 1730 кг/куб. м или
более и модулем упругости 230
ГПа или более
11.3.4. Сплавы на основе Fe-Cr-Al, 7224 - 7229
работающие длительное время в
окислительной среде при
температуре 1400 град. C или
более, способные к
экструдированию и прокатыванию
11.4. Программное обеспечение - нет
11.5. Технологии
11.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения конструкционных
материалов, покрытий, методов
обеспечения прочности и
повышения стойкости к внешним
воздействиям среды и различным
поражающим факторам:
11.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
сплавов на основе молибдена,
легированного редкоземельными и
другими металлами, в части их
составов, режимов получения и
обработки;
11.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
изделий сложной формы путем
отливки из направленно
отверждающихся эвтектических и
монокристаллических
суперсплавов, включая состав
литья, свойства и
технологические процессы, а
также режимы и контроль
параметров отверждения и
промежуточный контроль во время
плавки и отливки;
11.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
слитков алюминий - литиевых
сплавов, такие, как:
11.5.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
процессов плавки, легирования и
литья слитков, позволяющих
преодолеть химическую
активность таких сплавов;
11.5.1.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
процессов термомеханической
обработки, необходимых для
получения требуемых
механических свойств сплавов
11.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов типа "Стекларм" на
основе стекломатрицы,
армированной высокопрочными
волокнами, предназначенные для
изготовления деталей силовых
установок (узлов трения),
работающих в агрессивных средах
при повышенных температурах
(500 град. C или более)
11.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов на основе стекла,
армированного непрерывными
высокопрочными волокнами с
плотностью 1900 кг/куб. м или
более, прочностью 150 МПА или
более и температурой
эксплуатации 500 град. C
или более
11.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения композиционных
материалов на основе стекла, в
системе SiO2-Al2O3-B2O3,
армированного жгутами из
непрерывных высокопрочных
волокон, с плотностью 1730
кг/куб. м или более и модулем
упругости 230 ГПа или более
11.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения сплавов на основе
Fe-Cr-Al, работающих длительное
время в окислительной среде при
температуре 1400 град. C или
более, способных к
экструдированию и прокатыванию
Категория 12. Обработка материалов
12.1. Системы, оборудование и
компоненты
12.1.1. Высокоточные воздушные 8483305900;
подшипниковые системы и их 8483903000
компоненты
12.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
12.2.1. Оборудование больших вакуумных
систем:
12.2.1.1. Системы с криогенными насосами 8414105000
(системы, в которых для
достижения вакуума статически
или динамически обеспечивается
циркуляция охлажденного или
сжиженного газа путем понижения
температуры среды),
рассчитанные на эксплуатацию
при температурах ниже 200 град.
C, измеренных при атмосферном
давлении;
12.2.1.2. Системы управления на базе 9032209090;
компьютера для управления 9032899000
процессом вакуумизации;
12.2.1.3. Высоковакуумные системы, в 8419899590
которых объем камеры более
одного литра и которые можно
откачивать до давления менее
1,3 х 10 мкПа при том, что
температура в камере
поддерживается выше 800 град. C
12.2.2. Оборудование высококачественной
сварки:
12.2.2.1. Датчики и системы управления
для сварочного оборудования,
такие, как:
12.2.2.1.1. микропроцессоры и оборудование 854219550;
с цифровым управлением, которые 9031805900;
прослеживают сварной шов в 9032899000
реальном масштабе времени,
контролируя его геометрию;
12.2.2.1.2. микропроцессоры и оборудование 854219550;
с цифровым управлением, которые 9031805900;
в реальном масштабе времени 9032899000
контролируют и корректируют
параметры сварки в зависимости
от изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.3. Материалы - нет
12.4. Программное обеспечение - нет
12.5. Технологии
12.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокоточных
воздушных подшипниковых систем
и их компонентов
12.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения глубоковакуумных
процессов:
12.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения больших вакуумных
систем, таких, как:
12.5.2.1.1. систем с криогенными насосами
(систем, в которых для
достижения вакуума статически
или динамически обеспечивается
циркуляция охлажденного или
сжиженного газа путем понижения
температуры среды),
рассчитанных на эксплуатацию
при температурах ниже 200 град.
C, измеренных при атмосферном
давлении;
12.5.2.1.2. систем управления на базе ЭВМ
для управления процессом
вакуумизации;
12.5.2.1.3. высоковакуумных систем, в
которых объем камеры более
одного литра и которые можно
откачивать до давления менее
1,3 х 10 мкПа при том, что
температура в камере
поддерживается выше 800 град. C
12.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высококачественной
сварки:
12.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения датчиков и систем
управления для сварочного
оборудования, такого, как:
12.5.3.1.1. микропроцессоров и оборудования
с цифровым управлением, которые
прослеживают сварной шов в
реальном масштабе времени,
контролируя его геометрию;
12.5.3.1.2. микропроцессоров и оборудования
с цифровым управлением, которые
в реальном масштабе времени
контролируют и корректируют
параметры сварки в зависимости
от изменений сварного шва или
состояния сварочной дуги
12.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
проволоки, наплавочного
материала и фитильных или
покрытых электродов для сварки
изделий из титана, алюминия и
высокопрочной стали, а также
составление материалов для
покрытий и сердцевин электродов
12.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
металлических конструкций и
компонентов методом
электронно - лучевой сварки с
использованием машинного
управления технологическим
процессом
Категория 13. Электроника
13.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
13.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение,
разработанное для анализа
нелинейного взаимодействия
пакета волн
13.4.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
и производства электрических и
механических элементов антенн,
а также для анализа тепловых
деформаций конструкции антенны
13.4.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
космических элементов
спутниковой системы связи и их
элементов, таких, как:
13.4.3.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль
развернутых антенн;
13.4.3.2. антенных решеток с
фиксированной апертурой,
включая контроль их поверхности
при производстве;
13.4.3.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.4.3.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования
нуля диаграммы в направлении на
источник помех;
13.4.3.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.4.3.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их
работы в широком диапазоне
температур
13.4.4. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
полосовых фильтров с полосой
пропускания менее 0,1% или
более 10% среднего значения
частоты
13.4.5. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или производства аппаратуры,
указанной в пунктах 13.5.5.1 -
13.5.5.5
13.5. Технологии
13.5.1. Технологии, связанные с
разработкой, производством или
применением вакуумной
электроники, акустоэлектроники
и сегнетоэлектрики:
13.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования с
цифровым управлением,
позволяющего осуществлять
автоматическую ориентацию
рентгеновского луча и коррекцию
углового положения кварцевых
кристаллов с компенсацией
механических напряжений,
вращающихся по двум осям при
величине погрешности 10 угловых
секунд или менее, которая
поддерживается одновременно для
двух осей вращения;
13.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования для
равномерного покрытия
поверхности мембран, электродов
и волоконно - оптических
элементов монослоями
биополимеров или биополимерных
композиций
13.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения низкотемпературных
контейнеров, криогенных
трубопроводов или
низкотемпературных
рефрижераторных систем
закрытого типа, предназначенных
для получения и поддержания
регулируемых температур ниже
100 К и пригодных для
использования на подвижных
наземных, морских, воздушных и
космических платформах
13.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения источников СВЧ и
микроволнового излучения
большой мощности (более 2,5
кВт):
13.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения мощных
переключателей, таких, как
водородные тиратроны, и их
компонентов, в том числе:
13.5.3.1.1. эффективных устройств
охлаждения путем рассеяния
тепла;
13.5.3.1.2. малоразмерных элементов для
уменьшения индуктивности
приборов и улучшения
характеристики di/dt;
13.5.3.1.3. катодов большой площади;
13.5.3.1.4. устройств получения длительных
(до 30 с) импульсов;
13.5.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения волноводов и их
компонентов, в том числе:
13.5.3.2.1. массового производства одно- и
двухгребневых волноводов и
высокоточных волноводных
компонентов;
13.5.3.2.2. механических конструкций и
вращающихся сочленений;
13.5.3.2.3. устройств охлаждения
ферромагнитных компонентов;
13.5.3.2.4. прецизионных волноводов
миллиметровых волн и их
компонентов;
13.5.3.2.5. ферритовых деталей для
использования в ферромагнитных
компонентах волноводов;
13.5.3.2.6. ферромагнитных и механических
деталей для сборки
ферромагнитных узлов
волноводов;
13.5.3.2.7. материалов типа
"диэлектрикферрит" для
управления фазой сигнала и
уменьшения размеров антенны;
13.5.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения СВЧ и ВЧ - антенн,
специально предназначенных для
ускорения ионов
13.5.4. Технологии, связанные с
исследованием проблем
распространения радиоволн в
интересах создания
перспективных систем связи и
управления:
13.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
КВ - радиосвязи, такие, как:
13.5.4.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения автоматически
управляемых КВ - радиосистем, в
которых обеспечивается
управление качеством работы
каналов связи;
13.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств настройки
антенн, позволяющих
настраиваться на любую частоту
в диапазоне от 1,5 до 88 МГц,
которые преобразуют начальный
импеданс антенны с
коэффициентом стоячей волны от
3 - 1 и более до 3 - 1 и менее,
и обеспечивающих настройку при
работе в любом из следующих
режимов:
а) в режиме приема за время 200
мс или менее;
б) в режиме передачи за время
200 мс или менее при уровнях
мощности ниже 100 Вт и за 1 с
или менее при уровнях свыше 100
Вт;
13.5.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения широкополосных
передающих антенн, имеющих
коэффициент перекрытия
частотного диапазона в пределах
10 и более и коэффициент
стоячей волны не более 4;
13.5.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения станций
радиорелейной связи,
использующих эффект
тропосферного рассеяния, и их
компонентов, таких, как:
13.5.4.3.1. усилителей мощности для работы
в диапазоне частот от 300 МГц
до 8 ГГц, использующих
жидкостно- и пароохлаждаемые
электронные лампы мощностью
более 10 кВт или лампы с
воздушным охлаждением мощностью
2 кВт или более и коэффициентом
усиления более 20%, включая
усилители, объединенные со
своими источниками
электропитания;
13.5.4.3.2. приемников с уровнем шумов
менее 3 дБ;
13.5.4.3.3. специальных микроволновых
гибридных интегральных схем;
13.5.4.3.4. фазированных антенных решеток,
включая их распределенные
компоненты для формирования
луча;
13.5.4.3.5. адаптивных антенн, способных к
установке нуля диаграммы
направленности в направлении на
источник помех;
13.5.4.3.6. средств радиорелейной связи для
передачи цифровой информации со
скоростью выше 2,1 Мбит/с и
более 1 бит/цикл;
13.5.4.3.7. средств радиорелейной
многоканальной (более 120
каналов) связи с разделением
каналов по частоте;
13.5.4.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения космических
спутниковых систем связи и их
элементов, таких, как:
13.5.4.4.1. развертываемых антенн, а также
механизмов их развертывания,
включая контроль поверхности
антенн при их изготовлении и
динамический контроль
развернутых антенн;
13.5.4.4.2. антенных решеток с
фиксированной апертурой,
включая контроль их поверхности
при производстве;
13.5.4.4.3. антенных решеток, состоящих из
линейки рупорных излучателей,
формирующих диаграмму
направленности путем изменения
фазы сигнала и установки нуля
диаграммы направленности на
источник помех;
13.5.4.4.4. микрополосковых фазированных
антенных решеток, включая
компоненты для формирования
нуля диаграммы в направлении на
источник помех;
13.5.4.4.5. трактов передачи энергии от
передатчика к антенне,
обеспечивающих хорошее их
согласование;
13.5.4.4.6. антенн и компонентов на основе
композиционных материалов для
достижения требуемых
характеристик прочности и
жесткости при минимальном весе,
стабильности длительной их
работы в широком диапазоне
температур, включая технологии
стабилизации параметров в
процессе изготовления
компонентов из эпоксидных смол
с графитовым наполнением;
13.5.4.5. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
усилителей мощности,
предназначенных для применения
в космосе и имеющих одно из
следующих устройств и
особенностей:
13.5.4.5.1. приборы с теплообменными
устройствами, содержащими схемы
теплопередачи от элемента к
поглотителю тепла мощностью
свыше 25 Вт с площади 900
кв. см;
13.5.4.5.2. блоки, работающие на частотах
18 ГГц или обеспечивающие
следующие мощности: 10 Вт на
частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на
частоте 2 ГГц, или 1 Вт на
частоте 11 ГГц;
13.5.4.5.3. высоковольтные источники
питания, имеющие соотношение
мощность / масса и
мощность / габариты более 1
Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см
13.5.5. Технологии, связанные с
разработкой методов и способов
радиоэлектронной разведки и
подавления:
13.5.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
радиоэлектронной разведки и
подавления, такие, как:
13.5.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем разведки и
подавления, управляемых
оператором или работающих
автоматизированно и
предназначенных для перехвата,
анализа, подавления и нарушения
нормальной работы систем связи
всех типов;
13.5.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
работающих с сигналами,
имеющими коэффициент сжатия,
превышающий 100;
13.5.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
использующих дисперсионные
фильтры и конвольверы с уровнем
побочных сигналов на 20 дБ ниже
основного сигнала;
13.5.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников,
предназначенных для
обнаружения, перехвата,
анализа, подавления сигналов, в
том числе с модуляцией
распределенным спектром;
13.5.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств
автоматической настройки
антенны, обеспечивающих ее
перестройку со скоростью не
менее 30 МГц/с;
13.5.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
автоматического определения
направления, способных
считывать пеленги со скоростями
не менее одного пеленга в
секунду
13.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, изготовления или
применения запоминающих
устройств (ЗУ) на тонких
пленках, такие, как:
13.5.6.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на ЦМД;
13.5.6.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения материалов и
оборудования для изготовления
ЗУ на ЦМД;
13.5.6.3. Технологии, предназначенные для
выращивания и обработки
материалов для изготовления
подложек ЗУ на магнитных
доменах, например, из материала
на основе галлий -
гадолиниевого граната;
13.5.6.4. Технологии, предназначенные для
эпитаксиального выращивания
пленок для ЗУ на ЦМД;
13.5.6.5. Технологии, предназначенные для
осаждения пермаллоя и
диэлектрика и создания рисунка,
включая металлизацию напылением
или испарением и ионное
фрезерование;
13.5.6.6. Технологии, предназначенные для
компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;
13.5.6.7. Технологии, предназначенные для
разработки ионных имплантантов
и ЗУ с соприкасающимися дисками
и методы создания рисунка
13.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ЗУ на проволоке с
гальваническим покрытием,
такие, как:
13.5.7.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства ЗУ
на проволоке с гальваническим
покрытием, включая:
13.5.7.1.1. подготовку бериллиево - медной
подложки для обеспечения чистой
и однородной поверхности;
13.5.7.1.2. покрытие медью для обеспечения
требуемых плотности и
шероховатости проволоки;
13.5.7.1.3. конструирование устройств для
нанесения покрытий требуемых
составов, однородности и
толщины пермаллойного (никелево
- железного) магнитного
материала на проволочные
подложки;
13.5.7.1.4. автоматизированные испытания в
ходе нанесения покрытия на
проволоку и проверка после
окончания процесса с тем, чтобы
гарантировать нужные параметры;
13.5.7.2. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
запоминающих устройств на
проволоке, такие, как:
13.5.7.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
магнитных экранов для
запоминающих устройств, в том
числе пермаллойного слоя;
13.5.7.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
туннельных структур для
плотного и дешевого размещения
элементов ЗУ на проволоке с
гальваническим покрытием;
13.5.7.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
ферритовых слоев для
формирования линий магнитного
потока и увеличения плотности
упаковки вдоль проволоки с
нанесенным покрытием
Категория 14. Телекоммуникация и обработка информации
14.1. Системы, оборудование и
компоненты
14.1.1. Дисплеи (в том числе индикаторы 8471601000;
на лобовом стекле фонаря 8471609000;
кабины), которые позволяют 852821;
оператору воспринимать и 8528220000;
использовать в реальном 901380
масштабе времени отображаемую
информацию при одновременном
продолжении выполнения других
задач
14.1.2. Гибридные электрооптические 8471;
системы анализа изображений 9031809900
14.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
14.3. Материалы - нет
14.4. Программное обеспечение
14.4.1. Программное обеспечение,
связанное с проблемами
искусственного интеллекта,
принятия решений и построения
интеллектуальных систем
управления:
14.4.1.1. Методы разработки и
использования языков высокого
уровня, предназначенных для
программирования задач
искусственного интеллекта
14.4.2. Программное обеспечение,
связанное с распознаванием
образов, использованием
нейросетевых алгоритмов и
нейрокомпьютеров для решения
прикладных задач:
14.4.2.1. Программное обеспечение
идентификации объектов;
14.4.2.2. Программное обеспечение для
разработки и применения
сценариев обработки
изображения;
14.4.2.3. Интегрированные наборы
стандартных программ для
обработки изображений при
помощи соответствующих
операционных систем;
14.4.2.4. Программное обеспечение
компьютеров и математические
модели для создания систем
обработки речи и приложения
искусственного интеллекта к
синтаксису и смысловой оценке
Примечание. По пунктам 14.4.1 -
14.4.2.4 не контролируется
программное обеспечение,
предназначенное для следующего
(только гражданского)
применения:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной
промышленности;
в) в медицинских целях;
г) в сельском хозяйстве;
д) на железнодорожном
транспорте;
е) в системах телевизионного
вещания
14.5. Технологии
14.5.1. Технологии, связанные с
проблемами искусственного
интеллекта, принятия решений и
построения интеллектуальных
систем управления:
14.5.1.1. Технологии систем обеспечения
принятия решения:
14.5.1.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки систем обеспечения
принятия решения для
комбинированных комплексов,
состоящих из датчиков, систем
связи и управления, с
использованием:
14.5.1.1.1.1. Машинного моделирования и
имитации;
14.5.1.1.1.2. Системотехники;
14.5.1.1.1.3. Методов комплексирования
управления базой данных
обеспечения принятия решения;
14.5.1.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки автоматизированных
средств принятия решения,
включающих:
14.5.1.1.2.1. использование методов
распознавания интерпретации
образов для случаев сложного
анализа;
14.5.1.1.2.2. методы автоматизированной
выработки и оценки
альтернативных решений;
14.5.1.1.2.3. использование специально
разработанных средств принятия
решения, основанных на логике
или математике;
14.5.1.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки систем обеспечения
принятия решения в реальном
масштабе времени на основе:
14.5.1.1.3.1. моделирования и имитации;
14.5.1.1.3.2. методов использования
информационной обратной связи в
системах, рассчитанных на
многих пользователей;
14.5.1.2. Технологии интеграции
человек - машина:
14.5.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
средств для оценки возможностей
интеграции оператор - система;
14.5.1.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
биокибернетических методов для
компьютерного мониторинга
электрической активности мозга
и других психофизиологических
реакций с целью реализации
электрофизиологических явлений
на рабочих местах экипажей
самолетов, кораблей и наземных
средств, причем как с
использованием обратной связи,
так и без нее;
14.5.1.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки дисплеев (в том
числе индикаторов на лобовом
стекле фонаря кабины), которые
позволяют оператору
воспринимать и использовать в
реальном масштабе времени
отображаемую информацию при
одновременном продолжении
выполнения других задач;
14.5.1.3. Технологии искусственного
интеллекта:
14.5.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов программирования
искусственного интеллекта,
включая:
14.5.1.3.1.1. методы суждения и представления
знаний;
14.5.1.3.1.2. методы эвристического поиска;
14.5.1.3.1.3. методы сбора знаний;
14.5.1.3.2. Технологии разработки или
применения систем
искусственного интеллекта,
предназначенных для управления
большими базами данных, в
особенности для их
редактирования, а также
выявления и присвоения
признаков;
14.5.1.3.3. Технология разработки,
производства или применения
систем обработки сигналов для:
14.5.1.3.3.1. моделирования и имитации таких
систем;
14.5.1.3.3.2. приложения методов
искусственного интеллекта к
обработке сигналов, в
особенности методов
комплексирования обработки
сигналов с распознаванием
образов или извлечением
характерных признаков
14.5.2. Технологии, связанные с
архитектурой, системными
решениями и программным
обеспечением информационно -
вычислительных комплексов:
14.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства
или применения
архитектур не-фон-неймановских
компьютеров, специально
предназначенных для приложений
в области создания
искусственного интеллекта;
14.5.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
систем передачи данных для
обработки изображений с целью:
14.5.2.3. создания методов сжатия данных;
14.5.2.3. обеспечения передачи со
скоростью более 100 Мбит/с
14.5.3. Технологии, связанные с
распознаванием образов,
использованием нейросетевых
алгоритмов и нейрокомпьютеров
для решения прикладных задач:
14.5.3.1. Технологии, предназначенные для
создания или применения
алгоритмов распознавания
образов для обработки
изображений, включая:
14.5.3.1.1. синтаксические описания
многоспектральных оптических
изображений;
14.5.3.1.2. автоматизированные средства
поиска информационных признаков
в многоспектральных оптических
изображениях;
14.5.3.1.3. методы разработки сценариев
обработки изображения;
14.5.3.1.4. методы применения
интегрированных наборов
стандартных программ для
обработки изображений при
помощи соответствующих
операционных систем;
14.5.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения гибридных
электрооптических систем
анализа изображений;
14.5.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем обработки
речи, такие, как:
14.5.3.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки систем обработки
речи с использованием
программного обеспечения,
математических моделей и баз
данных, позволяющих решать
следующие задачи:
14.5.3.3.1.1. понимание речи и идентификации
говорящего;
14.5.3.3.1.2. обеспечение речевого ввода
(вывода) информации ЭВМ;
14.5.3.3.1.3. анализ непрерывной речи;
14.5.3.3.2. Методы обработки сигнала в
устройствах на интегральных
схемах, специально
предназначенных для анализа
речи;
14.5.3.3.3. Технологии кодирования методом
линейного предсказания, методом
дельтамодуляции с плавно
изменяемым наклоном и
многочастотным методом для
обеспечения обработки речи
Примечание. По пунктам 14.5.1
- 14.5.3.3.3 не контролируются
технологии, предназначенные
для следующего (только
гражданского) применения:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной
промышленности;
в) в медицинских целях;
г) в сельском хозяйстве;
д) на железнодорожном
транспорте;
е) в системах телевизионного
вещания
14.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем перехвата
сигналов:
14.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения усовершенствованных
многоэлементных
узконаправленных, сканирующих
антенн и их обтекателей для
аппаратуры радиоэлектронной
разведки и подавления;
14.5.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приемников для
перехвата сигналов, таких, как:
14.5.4.2.1. малошумящие приемники,
работающие в миллиметровом
диапазоне волн (выше 18 ГГц) с
низкой чувствительностью к
наведенным от вибраций шумам;
14.5.4.2.2. приемники с высокочастотными
генераторами, позволяющие более
чем на 50 дБ подавлять мешающие
отражения;
14.5.4.2.3. СВЧ - приемники с генераторами,
управляемые напряжением и
имеющие диапазон перестройки
частоты свыше половины октавы и
точность установки частот лучше
19 МГц при времени установки 10
мкс;
14.5.4.2.4. приемники с мгновенным
измерением частоты,
использующие технику прямого
измерения (линии
задержки), быстро
сканирующие супергетеродины
(микросканирование) или
оптическую корреляцию, включая
акустико - оптические средства
(элемент Брегга);
14.5.4.2.5. приемники с шириной полосы
частот более 10% средней
частоты (несущей);
14.5.4.2.6. многоканальные приемники,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) ширина полосы частот более
10% и точность слежения за
фазой лучше 30 град. в данной
полосе;
б) точность слежения за фазой
10 град. и лучше в динамическом
диапазоне величиной 40 дБ
независимо от ширины полосы;
в) среднее время наработки на
отказ более 1000 ч;
14.5.4.2.7. приемники, обеспечивающие
синхронизацию двух или более
отдельных эталонов времени
воздушного базирования с
точностью 500 мс и меньше;
14.5.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения приборов и устройств
обработки сигнала для
аппаратуры перехвата сигналов,
таких, как:
14.5.4.3.1. приборы с зарядовой связью или
процессоры для обработки
сигнала, использующие сжатие
импульса и имеющие любую из
следующих характеристик:
а) произведение длительности на
ширину полосы частот 100;
б) ширина полосы частот свыше 2
МГц;
в) временные боковые лепестки
более 27 дБ ниже согласованной
чувствительности фильтра;
14.5.4.3.2. процессоры, управляемые
записанной в постоянной памяти
или вводимой программой,
которые используются для
приема, выделения и
идентификации источников
излучения;
14.5.4.3.3. процессоры, использующие
технологию когерентной
высокочастотной памяти для
копирования и анализа волнового
фронта;
14.5.4.3.4. процессоры для обработки
сигналов и перехвата, способные
работать в сложных условиях
высокой плотности
электромагнитных сигналов,
включая процессоры для:
а) модуляции на принципе
скачкообразной перестройки
частоты;
б) условий малой вероятности
перехвата;
в) систем с псевдошумовой
прямой последовательностью;
г) техники растягивания спектра
в большой мгновенной ширине
полосы частот;
д) логических схем управления и
обработки сигнала в
фазированных, многолучевых
антеннах;
е) систем обработки информации
на борту летательных аппаратов;
ж) широкополосных (1 Мгц или
более) высокочастотных систем с
растянутым спектром;
з) акустико - оптических
анализаторов спектра в
аппаратуре радиотехнической
разведки, работающей в условиях
высокой плотности сигнала;
14.5.4.3.5. широкополосные анализаторы
спектра, обеспечивающие
мгновенное измерение частоты,
направления пеленга,
поляризации и частотно -
временных характеристик;
14.5.4.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения последетекторных или
индикаторных систем,
суммирующих данные от
нескольких источников или
использующих искусственный
интеллект
Категория 15. Навигация и авиационная электроника
15.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
15.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
15.3. Материалы - нет
15.4. Программное обеспечение
15.4.1. Программное обеспечение для
разработки или применения
методов комплексного
проектирования летательных
аппаратов:
15.4.1.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения методов
комплексирования систем и
оптимизации их характеристик;
15.4.1.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения методов
комплексирования сенсорных
подсистем, таких, как:
15.4.1.2.1. методы комплексирования
многочисленных датчиков
попарной информации в системах
управления и индикации;
15.4.1.2.2. методы управления
резервированием, сбором и
распределением информации с
помощью информационных шин от
сосредоточенных и
рассредоточенных групп
датчиков;
15.4.1.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
систем комбинированного
управления, такое, как:
15.4.1.3.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
и применения методов
комплексирования датчиков
информации по управлению силами
и моментами к ним с применением
малогабаритных процессоров;
15.4.1.3.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения систем
управления резервированием и
информационных шин;
15.4.1.3.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения методов
обнаружения неисправностей, их
допустимых отклонений и
блокировки
15.5. Технологии
15.5.1. Технологии, связанные с
методами комплексного
проектирования летательных
аппаратов:
15.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов комплексирования систем
и оптимизации их характеристик;
15.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов комплексирования
сенсорных подсистем, таких,
как:
15.5.1.2.1. Методы комплексирования
многочисленных датчиков
попарной информации в системах
управления и индикации;
15.5.1.2.2. Методы управления
резервированием, техникой сбора
и распределения информации с
помощью информационных шин от
сосредоточенных и
рассредоточенных групп
датчиков;
15.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения систем
комбинированного управления,
такие, как:
15.5.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов комплексирования
датчиков информации по
управлению силами и моментами к
ним с применением
малогабаритных процессоров;
15.5.1.3.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
систем управления
резервированием и
информационных шин;
15.5.1.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов обнаружения
неисправностей, их допустимых
отклонений и блокировки
Категория 16. Морское дело
16.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
16.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
16.2.1. Оборудование, предназначенное
для испытаний подводных систем,
такое, как:
16.2.1.1. Безэховые камеры с уровнем 9031200000;
безэховости 70 дБ или менее и 9031909000
специально разработанные для
них компоненты;
16.2.1.2. Гипербарические установки и 9031200000;
сосуды давления для них, 9031909000
имеющие максимальный внутренний
диаметр 5 м или более и
работающие под давлением 10,1
МПа/кв. м или более;
16.2.1.3. Компоненты, специально 9031909000
разработанные для гидроканалов
(гидродинамических труб),
контролируемых по пункту 8.2.1
раздела 1
16.2.2. Вулканизирующие аппараты для 8419899590
изготовления обтекателей очень
больших размеров (более 9 м
длиной и более 4,5 м диаметром)
16.3. Материалы - нет
16.4. Программное обеспечение
16.4.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
морских транспортных средств,
такое, как:
16.4.1.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или производства больших легких
корпусов морских платформ,
изготовленных из таких
материалов, как алюминий и
стекловолокно, включая
разработку критериев анализа,
выбор материала и средств
противокоррозионной защиты;
16.4.1.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
средств автоматизированного
управления для судов на
подводных крыльях и других
высокоскоростных морских
транспортных средств, таких,
как:
16.4.1.2.1. Автоматизированные системы
управления судами на подводных
крыльях с использованием
гидродинамических характеристик
судна, методов моделирования
условий моря и снижения
нагрузок на подводное крыло;
16.4.1.2.2. Автоматизированные системы
управления движением судов на
воздушной подушке, объединенные
с датчиками динамических
характеристик подушки и
гидродинамических характеристик
судна, с использованием методов
моделирования состояния морской
поверхности, управления
процессами создания воздушной
подушки и систем интеграции;
16.4.1.2.3. Автоматизированные системы
управления для судов на
подводных крыльях, объединенные
с датчиками средств
моделирования гидродинамики и
состояния морской поверхности,
с использованием методов
управления нагрузкой на
поверхность и систем интеграции
16.5. Технологии
16.5.1. Технологии, связанные с
методами гидродинамического
проектирования надводных и
подводных аппаратов:
16.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
морских транспортных средств:
16.5.1.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
легких морских платформ, такие,
как:
16.5.1.1.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
больших легких корпусов,
изготовленных из таких
материалов, как алюминий и
стекловолокно, включая
разработку критериев анализа,
выбор материала и средств
противокоррозионной защиты;
16.5.1.1.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов вертикального и
горизонтального (по типу
сэндвича) строительства;
16.5.1.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
гибкого ограждения и юбки для
платформ на воздушной подушке,
такие, как:
16.5.1.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
материалов (в том числе из
резины и многослойных
пластмасс), а также систем
гибкого ограждения для судов на
воздушной подушке и скеговых
судов на воздушной подушке;
16.5.1.1.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов экспериментальных
проверок материалов и
конструктивных решений, включая
динамические нагрузки и
моделирование процессов,
близких к реальным;
16.5.1.1.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов пространственного и
расчетного контроля для
материала гибкого ограждения и
юбок судов на воздушной
подушке;
16.5.1.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств
автоматизированного управления
для судов на подводных крыльях
и других высокоскоростных
морских транспортных средств,
таких, как:
16.5.1.1.3.1. автоматизированные системы
управления судами на подводных
крыльях с использованием
гидродинамических характеристик
судна, методов моделирования
условий моря и снижения
нагрузок на подводное крыло;
16.5.1.1.3.2. автоматизированные системы
управления движением судов на
воздушной подушке, объединенные
с датчиками динамических
характеристик воздушной подушки
и гидродинамических
характеристик судна, с
использованием методов
моделирования состояния морской
поверхности, методов управления
процессами создания воздушной
подушки и систем интеграции;
16.5.1.1.3.3. автоматизированные системы
управления для судов на
подводных крыльях, объединенные
с датчиками средств
моделирования гидродинамики и
состояния морской поверхности,
методами управления нагрузкой
на поверхность и систем
интеграции;
16.5.1.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения полимеров для
уменьшения гидродинамического
сопротивления судов, такие,
как:
16.5.1.1.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов выбора и оценки
полимеров для уменьшения
гидродинамического
сопротивления;
16.5.1.1.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения систем для ввода
полимеров, в том числе жидких
смесей;
16.5.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств испытаний и
оценки подводных систем:
16.5.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения комплексированных
испытательных средств, таких,
как:
16.5.1.2.1.1. безэховые камеры с уровнем
безэховости 70 дБ или менее и
специально разработанные для
них компоненты;
16.5.1.2.1.2. гипербарические установки и
сосуды давления для них,
имеющие максимальный внутренний
диаметр 5 м или более и
работающие под давлением 10,1
МПа/кв. м или более;
16.5.1.2.1.3. компоненты, специально
разработанные для гидроканалов
(гидродинамических труб),
контролируемых по пункту 8.2.1
раздела 1
16.5.2. Технологии, связанные
с исследованиями,
проектированием,
моделированием, производством
или испытаниями машин и
механизмов, предназначенных для
использования в надводных судах
и подводных аппаратах:
16.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем наведения и
управления движением подводных
аппаратов и для разработки или
применения используемых при
этом методов, таких, как:
16.5.2.1.1. системы наведения и управления
на базе использования
искусственного интеллекта,
например фильтрация данных,
распознавание изображений,
сигнатур, корреляция и
интеграция данных от большого
числа датчиков и автоматическое
приспособление к изменяющимся
условиям;
16.5.2.1.2. методы обнаружения корпуса
подводного аппарата;
16.5.2.1.3. системы наведения для подводных
аппаратов, включая инерциальные
системы наведения;
16.5.2.1.4. отказоустойчивые системы
наведения и управления на
подводных аппаратах;
16.5.2.1.5. автоматическое контрольно -
проверочное оборудование,
включая системы с обратной
связью и управлением в реальном
масштабе времени;
16.5.2.1.6. методы комплексирования
датчиков преобразователей,
гидродинамических систем,
силовой установки манипуляторов
устройств и инерциальных или
электромагнитных систем
наведения
16.5.3. Технологии, связанные с
исследованиями проблем
океанологии, гидроакустического
обнаружения и контроля
различных объектов:
16.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
подводного акустического и
сейсмического оборудования:
16.5.3.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов моделирования и
прогнозирования распространения
акустического излучения,
включая:
16.5.3.1.1.1. разработку и применение
числовых моделей, всесторонне
характеризующих состояние
океана и учитывающих параметры
окружающей среды и их временную
и пространственную
изменчивость, использующих
программные и
программно - аппаратные
средства, необходимые для
машинной реализации таких
моделей;
16.5.3.1.1.2. разработку структурированных
баз данных подводной акустики
для обширных океанских или
арктических районов;
16.5.3.1.1.3. разработку, производство и
применение автоматических
систем сбора акустических и
других данных на заранее
заданных глубинах;
16.5.3.1.1.4. разработку и использование
машинных моделей акустических
датчиков и антенных решеток,
учитывающих
спектроакустические,
электромеханические возможности
формирования луча
Категория 17. Транспортные средства
17.1. Системы, оборудование и
компоненты - нет
17.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
17.2.1. Испытательное оборудование для
комплексных испытаний
конструкций, такое, как:
17.2.1.1. Климатические испытательные 9031200000
камеры для комплексного
имитирования глубокого космоса
или условий на околоземной
орбите;
17.2.1.2. Оборудование для имитации 9031200000
взрывной волны или удара;
17.2.1.3. Оборудование для многоосевого 9031200000
нагружения материалов или
конструкций
17.3. Материалы - нет
17.4. Программное обеспечение
17.4.1. Программное обеспечение для
разработки или применения новых
методов комплексного
проектирования летательных
аппаратов (включая
экранопланы):
17.4.1.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
авиационных или авиационно -
космических средств:
17.4.1.1.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки,
производства или применения
систем управления ламинарными
потоками, такое, как:
17.4.1.1.1.1. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
и производства профилей с
отсосом пограничного слоя;
17.4.1.1.1.2. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения методик по
эксплуатации и техническому
обслуживанию, обеспечивающих
управление отсосом пограничного
слоя и плавностью потока на
критических режимах;
17.4.1.1.1.3. Программное обеспечение,
предназначенное для разработки
или применения методов
комплексирования систем и
оптимизации их характеристик
17.4.2. Программное обеспечение,
предназначенное для реализации
технологий, указанных в пункте
17.5.3
17.4.3. Программное обеспечение,
предназначенное для реализации
технологий, указанных в пункте
17.5.4
17.5. Технологии
17.5.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения испытательного
оборудования для комплексных
испытаний конструкций:
17.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов получения
контролируемых термических или
механических изменений в
материалах или конструкциях с
применением любого из
следующего:
17.5.1.1.1. климатические испытательные
камеры для комплексного
имитирования глубокого космоса
или условий на околоземной
орбите;
17.5.1.1.2. методы, позволяющие имитировать
взрывную волну или удар;
17.5.1.1.3. методы, обеспечивающие
многоосевое нагружение
материалов или конструкций
17.5.2. Технологии, связанные с новыми
методами комплексного
проектирования летательных
аппаратов:
17.5.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения авиационных или
авиационно - космических
средств:
17.5.2.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения систем управления
ламинарными потоками, такие,
как:
17.5.2.1.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения профилей с отсосом
пограничного слоя;
17.5.2.1.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методик по эксплуатации и
техническому обслуживанию,
обеспечивающих управление
отсосом пограничного слоя и
плавностью потока на
критических режимах;
17.5.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем наведения и
управления летательных
аппаратов (ЛА), такие, как:
17.5.2.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения дистанционного и
автономного управления с
использованием любого из
следующего:
17.5.2.2.1.1. методы комплексирования
информации, поступающей от
бортовых датчиков и устройств
дистанционного управления
навигационной аппаратурой и
систем управления полетом ЛА,
включая силовую установку и
систему управления движением,
которые обеспечат возможность
автономного и (или)
дистанционного управления ЛА;
17.5.2.2.1.2. методы анализа и моделирования
на ЭВМ работы систем наведения
и управления ЛА,
предназначенных для сравнения с
результатами испытаний;
17.5.2.2.1.3. системы наведения и управления,
в которых реализуется
возможность искусственного
интеллекта для осуществления
фильтрации данных,
распознавания изображений,
сигнатур, корреляции и
интеграции данных от большого
числа датчиков и автономного
принятия решений
17.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения автоматических
космических аппаратов (КА):
17.5.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства и
применения бортовых систем КА,
такие, как:
17.5.3.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения бортовых систем
управления КА;
17.5.3.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем обеспечения
автономности и выживания КА;
17.5.3.1.3. Технологии, предназначенные для
обеспечения конструкционной
целостности, такие, как:
17.5.3.1.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения специализированных
конструкций, конструкционных
компонентов и изолирующих
систем для возможного изменения
динамических характеристик и
(или) предотвращения деформации
конструкции КА;
17.5.3.1.3.2. Технологии, предназначенные для
исследования или моделирования
динамических характеристик КА
сложной конструкции;
17.5.3.1.3.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения развертываемых в
космосе мачтовых конструкций и
механизмов;
17.5.3.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем стабилизации
КА, связанных с подсистемами
гравитации, таких, как:
17.5.3.1.4.1. лебедки для сборки конструкций;
17.5.3.1.4.2. электродвигатели и катушки
лебедок;
17.5.3.1.4.3. противовесы;
17.5.3.1.4.4. управляющая электроника,
включающая любую из следующих
составляющих:
а) маховики или гироскопы с
датчиками скорости и схемами
управления обратной связью;
б) ускорители и емкости для
гидразина или аммония и
устройства ускорения на основе
использования ионов и лазерных
устройств;
в) магнитогистерезисные
катушки;
г) устройства для придания телу
вращательного движения;
д) астродатчики со схемой
управления;
е) датчики слежения за краем
Земли;
ж) приводные устройства для
управления высотой с тягой с
большим динамическим
диапазоном;
з) подсистема определения
высоты, использующая
инерциальные системы, лазерные
дальномеры или РЛС и
соответствующие методы
фильтрации;
17.5.3.1.5. Технологии компенсации влияния
космической среды,
предназначенные для:
17.5.3.1.5.1. компенсации радиационных
эффектов естественного и
искусственного происхождения на
электронные системы КА, включая
суммарную дозу рентгеновского
излучения, ЭМИ, нейтронов и
другое;
17.5.3.1.5.2. защиты систем КА, материалов и
покрытий от озона, солнечного и
рентгеновского излучения;
17.5.3.1.5.3. определения повреждений систем
навигации и управления КА,
обусловленных воздействием
окружающей среды, естественного
или искусственного
происхождения;
17.5.3.1.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем наведения КА
или методов, таких, как:
17.5.3.1.6.1. динамическая развязка полезной
нагрузки от конструкции КА;
17.5.3.1.6.2. широкополосные системы
управления, облегчающие угловое
наведение с точностью лучше 1
угл. с;
17.5.3.1.6.3. системы адаптивного управления
и идентификации;
17.5.3.1.6.4. системы обработки сигналов;
17.5.3.1.6.5. методы фильтрации;
17.5.3.1.6.6. методы точного совмещения осей;
17.5.3.1.6.7. методы, основанные на
использовании искусственного
интеллекта для выполнения
операций в автоматическом
режиме
17.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования и
систем большегрузных наземных
транспортных средств:
17.5.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем обеспечения
живучести машин, в том числе:
17.5.4.1.1. методы оценки живучести,
включая любое из следующего:
17.5.4.1.1.1. разработка и использование
техники моделирования для:
а) имитации условий
деятельности системы, при
которых могут быть нанесены
повреждения механизмам;
б) имитации деятельности
системы в ответ на действия
человека, являющиеся опасными
для этой системы;
17.5.4.1.1.2. разработка оперативных оценок
или игровых моделей для анализа
возможностей выживаемости
системы;
17.5.4.1.1.3. использование моделей,
указанных в пунктах
17.5.4.1.1.1 и 17.5.4.1.1.2,
для проектирования систем с
повышенной живучестью;
17.5.4.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств уменьшения
уязвимости, такие, как:
17.5.4.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
оптимальной конфигурации
транспортных средств с целью
снижения их заметности;
17.5.4.1.2.2. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
встроенных дублирующих
устройств;
17.5.4.1.2.3. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
баллистических конструкций и
материалов;
17.5.4.1.2.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения средств пассивной
защиты от внешнего воздействия,
такие, как:
17.5.4.1.2.4.1. Технологии, предназначенные для
разработки или производства
интегральной (внутренней) или
дополнительной защиты;
17.5.4.1.2.4.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения броневой защиты;
17.5.4.1.2.4.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения комбинированной и
разнесенной брони;
17.5.4.1.2.4.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения легкого оборудования
и других средств для защиты от
удара и избыточного давления
Категория 18. Защита от поражающих воздействий
18.1. Системы, оборудование и
компоненты
18.1.1. Оборудование для химической и
биологической защиты, такое,
как:
18.1.1.1. Активные фильтры 8421393000;
(электростатические осадители), 8421399800
предназначенные для удаления
частиц размером 0,2 мкм
18.1.2. Робототехнические средства, 8479500000
специально разработанные для
защиты гидравлических линий
против пробивания под действием
баллистических осколков
(самогерметизирующиеся линии) и
предназначенные для
использования гидравлической
жидкости с температурой вспышки
выше 568 град. C, имеющие любое
из следующего:
18.1.2.1. способность работать на высотах
свыше 30 км;
18.1.2.2. специальное предназначение для
работы вне помещений;
18.1.2.3. специальное предназначение
(спроектированы или
аттестованы) для работы в
условиях воздействия
электромагнитных импульсов
18.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование -
нет
18.3. Материалы
18.3.1. Ферменты или последовательность 2934908900;
ДНК / РНК, которые кодируют 3507900000
синтез ферментов,
катализирующих распад ОВ
(например, таких, как зоман,
зарин, VX, иприт, люизит,
табун, фосген, дифосген, HCN
или ClCN)
18.4. Программное обеспечение
18.4.1. Программное обеспечение для
автономного программирования
робототехнических средств,
контролируемых по пунктам
18.1.2 - 18.1.2.3
18.4.2. Программное обеспечение для
малосигнатурных сенсорных
систем, позволяющих
осуществлять в реальном
масштабе времени автономную
навигацию наземных средств
перемещения по пересеченной
местности
18.4.3. Программные средства для
активного управления в реальном
масштабе времени манипуляторами
с тремя и более степенями
свободы, испытывающими
существенные отклонения под
нагрузкой
18.4.4. Программы для
автоматизированного
проектирования электронных
пушек с термоионным или
холодным катодом (с взрывной
эмиссией плазмы), для различных
источников излучения
радиочастотного диапазона
18.5. Технологии
18.5.1. Технологии, связанные с
применением методов физико -
химической и молекулярной
биологии, генной и клеточной
инженерии в задачах защиты от
поражающих факторов
воздействий:
18.5.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки или синтеза
генетических вектор / плазмид с
использованием следующих
методов:
18.5.1.1.1. полинуклеотидный синтез;
18.5.1.1.2. приготовление обработанных
эндонуклеазой плазмид с липкими
концами;
18.5.1.1.3. внедрение новых
полинуклеотидных фрагментов в
плазмиды;
18.5.1.2. Технологии биологической
обработки культуры, такие, как:
18.5.1.2.1. Технологии, предназначенные для
разработки и производства
клеток гибридом, отслеживающие:
18.5.1.2.1.1. слияние клеток патогенных
микроорганизмов с иными
клетками;
18.5.1.2.1.2. генерацию активно делящихся
гибридом клеток, созданных с
использованием патогенных
микроорганизмов, из
замороженных клеток при
сохранении способности
вырабатывать антитела;
18.5.1.2.1.3. способность генерации
моноклональных антител,
содержащих фрагменты fc одного
вида и различных областей
второго вида;
18.5.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения детекторов на базе
биологических датчиков с
использованием:
18.5.1.3.1. детектирования ионов;
18.5.1.3.2. спектроскопии;
18.5.1.3.3. ферментных электродов,
позволяющих измерять
перенос электронов
или окислительно -
восстановительные реакции;
18.5.1.3.4. фотоакустических, лазерных или
хемилюминесцентных детекторов
18.5.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения иммобилизованных
биополимеров, способных
преобразовывать световые,
акустические или химические
сигналы в сигналы электрические
или служить в качестве
переключателя в волоконной
оптике
18.5.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения материалов для
защиты от воздействия
химических или биологических
веществ, таких, как:
18.5.3.1. материалы, содержащие
непоглощающие краски и
обеззараживающие покрытия и
обладающие свойствами
существенной защиты от
токсичных веществ;
18.5.3.2. покрытия для волокон, тканей и
поверхностей, обладающие
существенной способностью
защищать людей и оборудование
от воздействия токсичных
биологических и химических
веществ, коррозии и от
радиационного заражения;
18.5.3.3. наборы веществ, позволяющих
идентифицировать потенциальные
химические и биологические
боевые вещества
18.5.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения оборудования для
защиты от воздействия
химических или биологических
веществ, такого, как:
18.5.4.1. активные фильтры
(электростатические осадители),
предназначенные для удаления
частиц размером 0,2 мкм;
18.5.4.2. оборудование для обработки
химических установок с высокой
степенью герметизации против
токсичных веществ
18.5.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения ферментов или
последовательности ДНК / РНК,
которые кодируют синтез
ферментов, катализирующих
распад ОВ (например, таких, как
зоман, зарин, VX, иприт,
люизит, табун, фосген,
дифосген, HCN или ClCN)
18.5.6. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения робототехнических
средств, такие, как:
18.5.6.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
программного обеспечения для
автономного программирования
роботов;
18.5.6.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения прецизионных
сенсорных систем управления
роботами, позволяющих
осуществлять модификацию
программ;
18.5.6.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения малосигнатурных
сенсорных систем и связанных с
ними средств программного
обеспечения, позволяющих
осуществлять в реальном
масштабе времени автономную
навигацию наземных средств при
перемещении по пересеченной
местности;
18.5.6.4. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения датчиков и
программных средств,
обеспечивающих активное
управление в реальном масштабе
времени манипуляторами с тремя
или более степенями свободы,
испытывающими существенные
отклонения под нагрузкой;
18.5.6.5. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения робототехнических
средств, специально
сконструированных для защиты
гидравлических линий против
пробивания под действием
баллистических осколков
(самогерметизирующиеся линии),
предназначенных для
использования гидравлической
жидкости с температурой вспышки
выше 568 град. C и:
18.5.6.5.1. либо способных работать на
высотах свыше 30 км;
18.5.6.5.2. либо специально предназначенных
для работы вне помещений;
18.5.6.5.3. либо специально
спроектированных или
аттестованных для работы в
условиях воздействия
электромагнитных импульсов
18.5.7. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем
высокоэнергетических источников
энергии высокой частоты
(радиочастоты):
18.5.7.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения высокомощных систем
радиочастоты, такие, как:
18.5.7.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения импульсно -
периодических (частота
свыше 10 Гц) систем,
генерирующих радиочастотные
колебания с пиковой мощностью
свыше 100 МВт, таких, как:
18.5.7.1.1.1. источники радиочастоты
генераторы или усилители);
18.5.7.1.1.2. радиопрозрачные материалы для
окон с высоким уровнем
мощности пропускаемого
сигнала, низким коэффициентом
отражения, поглощения;
18.5.7.1.1.3. релятивистские электронные
пушки с термоионным и холодным
катодом (с взрывной эмиссией
плазмы) для различных
источников излучения
радиочастотного диапазона;
18.5.7.1.1.4. источники тока с плотностью
тока свыше 50 А/кв. см;
18.5.7.1.1.5. малогабаритные высоковольтные
модуляторы, два или несколько
выходных параметров которых
соответствуют следующему
уровню:
а) пиковая мощность свыше
1 ГВт;
б) пиковое напряжение свыше 500
кВ;
в) пиковый ток свыше 1 кА;
г) длительность импульса менее
10 мкс;
д) частота следования импульса
свыше 10 Гц;
18.5.7.1.1.6. катоды с высокой плотностью
тока (свыше 50 А/кв. см);
18.5.7.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения устройств точного
фазирования передающих антенных
решеток, обеспечивающих
когерентное фокусирование луча,
включая системы управления
фазированными антенными
решетками с помощью ЭВМ, и
таких компонентов, как фазовые
детекторы, изоляторы и
циркуляторы;
18.5.7.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения антенн, включая
методы подавления мод,
управления уровнем боковых
лепестков и предотвращения
пробоя атмосферы вблизи
фидерных линий и излучателей;
18.5.7.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
методов преобразования мод,
согласования мод и излучателей
18.5.8. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем передачи
высокочастотного излучения
большой мощности с применением
любого из следующего:
а) численное моделирование
экспериментальных данных и
другие методы для описания
нелинейных свойств воздуха или
другой пропускающей среды и
методы предотвращения пробоя в
атмосфере при распространении в
ней высокочастотного излучения
с плотностью мощности свыше 1
МВт/кв. см;
б) фазирование и другие методы
для создания многолучевых
антенн с целью получения пучков
излучения мощностью свыше 10
МВт;
в) интенсивные пучки
радиочастотного излучения для
получения пробоя и управления
им в атмосфере;
г) информация, относящаяся к
электрическим и тепловым
сигнатурам пробоя в воздухе при
различных атмосферных давлениях
18.5.9. Технологии, связанные с
исследованиями механизмов
воздействия СВЧ - излучения и
определением критериев
воздействия на объекты (цели),
такие, как:
18.5.9.1. Технологии, предназначенные для
разработки или применения
информации о свойствах
высокочастотного излучения и
материалов, включая
аналитическое моделирование и
получение данных о
взаимодействии интенсивных
пучков излучения с материалами;
18.5.9.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем воздействия
на цель радиочастотного
излучения и мер защиты, таких,
как:
18.5.9.2.1. аналитические модели для
моделирования на ЭВМ и
связанные с ними
экспериментальные базы данных;
18.5.9.2.2. системы для защиты электроники,
к которым относятся фильтры,
ограничители и токовые
ограничители;
18.5.9.2.3. методы нанесения тонких
металлических пленок,
проволочных сеток на
изолирующие поверхности с
хорошим электрическим контактом
с примыкающими проводящими
поверхностями;
18.5.9.2.4. меры защиты от мощных
радиочастотных систем;
18.5.9.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения экспериментальных
мишеней и моделей для систем с
направленной энергией, такие,
как:
18.5.9.3.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения экспериментальных
мишеней или моделей, из которых
могут быть получены точные
размеры и компоновка мишеней;
18.5.9.3.2. Технологии, предназначенные для
исследования мишеней после
проведения экспериментов, в
результате которых могут быть
получены данные по уязвимости
мишеней к воздействию установок
с направленной энергией либо
данные о падающей на мишень
энергии
18.5.10. Технологии, связанные с
исследованиями по разработке
электромагнитных способов
нелетального воздействия:
18.5.10.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения систем генерации
мощных электромагнитных
импульсов неядерными способами,
такие, как:
18.5.10.1.1. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения компактных
источников энергии,
используемых для генерации
токовых импульсов;
18.5.10.1.2. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения резонаторов, которые
эффективно преобразуют большую
часть энергии плазмы в
электромагнитный импульс;
18.5.10.1.3. Технологии, предназначенные для
разработки, производства или
применения направленных
излучателей, работоспособных в
процессе генерации
электромагнитного импульса;
18.5.10.1.4. Технологии, предназначенные для
разработки или применения мер
противодействия при воздействии
электромагнитного импульса на
электронику
------------------------------------------------------------------
ПРИМЕЧАНИЯ К СПИСКУ
1. Общее технологическое примечание
Экспорт технологии, которая необходима для разработки,
производства или использования предметов, указанных в Списке,
контролируется согласно условиям, указанным в каждой Категории.
Эта технология остается под контролем даже тогда, когда она
применяется при создании любого неконтролируемого предмета.
Контроль не применяется к такой технологии, которая минимально
необходима для сборки, эксплуатации, текущего ремонта (контроля) и
ремонта (восстановления) тех предметов, которые не контролируются
или чей экспорт санкционирован.
Особое примечание. Это не относится к технологиям,
контролируемым по пунктам 1.5.2.5, 1.5.2.6, 8.5.2.1 и 8.5.2.2.
Контроль не применяется к технологии "в общественной сфере",
для "фундаментальных научных исследований" или для минимально
необходимой информации для патентного применения.
2. Общее примечание по программному обеспечению
Список не контролирует следующее программное обеспечение:
1. Общедоступное:
а) проданное из фондов в розничные торговые точки без
ограничения и предназначенное для:
1) сделок по продаже в розницу;
2) сделок по высылке товаров по почте; или
3) сделок по телефонным заказам; и
б) разработанное для установки пользователем без дальнейшей
реальной поддержки снабженцем (продавцом), или
Особое примечание. По пункту 1 общего примечания по
программному обеспечению не освобождается от контроля программное
обеспечение по части 2 Категории 5.
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001 N
1156)
2. "В общественной сфере".
3. Определение терминов, используемых в Списке
Автоматическое сопровождение цели - метод обработки, который
автоматически определяет и обеспечивает в качестве выходного
сигнала экстраполированное значение наиболее вероятного положения
цели в реальном масштабе времени (Категория 6) <*>.
--------------------------------
<*> Здесь и далее в скобках приводятся категории Списка, в
которых употребляются данные термины.
Адаптивное управление - система управления, подстраивающая
характеристики в соответствии с измеренными параметрами условий
функционирования (источник - ИСО 2806-1980) (Категория 2).
Активные системы управления полетом - функция предотвращения
нежелательных движений или структурных нагрузок летательного
аппарата и ракеты посредством автономной обработки выходных
сигналов нескольких измерительных датчиков и выдачи необходимых
предупредительных команд с целью реализации автоматического
контроля (Категория 7).
Активный пиксел - минимальный (единичный) элемент твердотельной
решетки, обладающий фотоэлектрической передаточной функцией при
действии светового (электромагнитного) излучения (Категории 6, 8).
Анализаторы сигнала - аппаратура, способная измерять и
отображать основные характеристики одночастотной составляющей из
многочастотного сигнала (Категория 3).
(определение введено Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Асимметричный алгоритм - криптографический алгоритм,
использующий различные математически связанные ключи для
шифрования и расшифровывания (Категория 5).
Техническое примечание. Асимметричный алгоритм обычно
применяется для распределения ключей.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(определение введено Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Асинхронный режим передачи - режим передачи, при котором
информация сгруппирована в ячейки; является асинхронным в том
смысле, что повторяемость ячеек зависит от требуемой или
мгновенной скорости передачи данных (Категория 5).
АРП - асинхронный режим передачи (Категория 5).
Аэродинамические профили с переменной геометрией - применение
закрылков либо триммеров либо предкрылков или шарнирного
регулирования угла носовой части, положение которых может
регулироваться в полете (Категория 7).
Биение - радиальное смещение за один оборот основного шпинделя,
измеренное в плоскости, перпендикулярной оси шпинделя в точке
измерения на внешней или внутренней поверхности вращения (источник
- ИСО 230/1-1986, параграф 5.61) (Категория 2).
Быстрое затвердевание - процесс, включающий затвердевание
расплава материала при скоростях охлаждения, превышающих 1000 К/с.
В общественной сфере - определение технологии или программного
обеспечения, на дальнейшее распространение которых не
накладываются ограничения (общее технологическое примечание).
Примечание. Ограничения авторского права не выводят
технологию или программное обеспечение из категории общедоступных.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Вакуумное распыление - процесс распыления струи расплава на
капли диаметром 500 мкм или менее быстрым выделением сжиженного
газа при действии вакуума (Категория 1).
Взаимосвязанные измерительные РЛС - две или более измерительных
РЛС считаются взаимосвязанными в случае взаимного обмена
информацией в реальном масштабе времени (Категория 6).
Внутренний магнитный градиентометр - отдельный элемент,
измеряющий магнитное поле, и связанный с ним электронный блок,
выходной сигнал которого является мерой градиента магнитного поля
(Категория 6).
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Волокнистые или нитевидные материалы - материалы, включающие:
а) сплошные нити;
б) сплошные пряжу и ровницу;
в) ленты, ткани, случайные сетки произвольной структуры и
тесьму;
г) хлопчатобумажные и льняные волокна;
д) армирующие волокна, моно- и поликристаллические, любой
длины;
е) ароматическую и полиамидную целлюлозу (Категория 1).
Время задержки основного логического элемента - значение
времени задержки прохождения сигнала через основной логический
элемент, используемый в монолитной интегральной схеме. Для
семейства монолитных интегральных схем оно может быть определено
либо как время задержки прохождения сигнала на типичном основном
элементе в данном семействе, либо как типичное время задержки
прохождения сигнала в основном элементе данного семейства
(Категория 3).
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Техническое примечание 1. Определение времени задержки
основного логического элемента дается, чтобы не спутать его с
временем задержки "вход - выход" составной монолитной интегральной
схемы.
(в ред. Указов Президента РФ от 04.01.1999 N 6, от 09.08.2000 N
1477)
Техническое примечание 2. Семейство состоит из всевозможных
интегральных схем, имеющих следующие общие характеристики,
касающиеся как методологии производства, так и технических
условий, кроме соответствующих их схемам функций:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) общая архитектура обработки данных и программного
обеспечения;
б) общая технология разработки и обработки; и
в) общие основные характеристики.
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 04.01.1999
N 6)
Время латентности глобального прерывания - время, в течение
которого компьютерная система ЭВМ распознает прерывание вследствие
какого-либо события, обслуживает прерывание и выполняет
контекстный переход к обработке другой задачи, которая находится в
резидентном состоянии в памяти, ожидая прерывания (Категория 4).
Время переключения частоты - максимальное время (например,
задержки), которое требуется выходному сигналу при переключении с
одной частоты на другую для достижения любой из следующих
характеристик:
а) частоты в пределах 100 Гц от ее конечного значения; или
б) уровня в пределах 1 дБ от уровня конечного значения
(Категории 3, 5).
Время установления - время, которое требуется выходному сигналу
для достижения уровня половины бита от его конечного значения при
переключении между любыми двумя уровнями преобразователя
(Категория 3).
Вычислительный элемент - наименьшая вычислительная единица,
которая выполняет арифметические или логические действия
(Категория 4).
ВЭ - вычислительный элемент (Категория 4).
Газовое распыление - процесс распыления струи расплавленного
металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в
газовой струе высокого давления (Категория 1).
Гибридная интегральная схема - произвольная комбинация
интегральных схем или интегральной схемы с элементами схемы или
дискретными компонентами, соединенными вместе для выполнения
определенных функций, имеющая все следующие характеристики:
а) содержит по меньшей мере одно бескорпусное устройство;
б) компоненты соединяются друг с другом с использованием
типичных методов производства интегральных схем;
в) заменяется как единое целое; и
г) не подлежит разборке в нормальном состоянии (Категория 4).
Гибридная ЭВМ - оборудование, способное выполнять все следующие
функции:
а) принимать данные;
б) обрабатывать данные как в аналоговом, так и в цифровом
представлениях; и
в) обеспечивать вывод данных (Категория 4).
Годное для применения в космосе - оборудование,
спроектированное, изготовленное и испытанное на соответствие
специальным электрическим, механическим требованиям или
требованиям по условиям функционирования для применения в запуске
и развертывании спутников или высотных летательных аппаратов,
функционирующих на высотах 100 км или более (Категории 3, 6).
Горячая изостатическая модификация - процесс прессования
отливаемых форм при температурах свыше 375 K (102 град. C) в
герметичном объеме через различные среды (газообразную, жидкую,
твердые частицы и др.) для создания равных сил по всем
направлениям для снижения или устранения внутренних полостей в
отливаемых формах (Категория 2).
Гражданские летательные аппараты - летательные аппараты,
перечисленные в соответствии с обозначенными в опубликованных
сертификационных списках летной годности для полетов на
коммерческих гражданских внутренних и внешних авиалиниях или
узаконенного гражданского частного использования, или для целей
бизнеса (Категории 1, 7, 9).
Группа оптических датчиков системы управления полетом - сеть
распределенных оптических датчиков, использующая лучи лазера,
обеспечивающая в реальном времени данные управления полетом для
обработки на борту (Категория 7).
Деформируемые зеркала - зеркала, имеющие:
а) одну непрерывную оптическую отражающую поверхность, которая
деформируется динамически посредством приложения отдельных сил или
скручивающих моментов для компенсации искажений оптического
сигнала, падающего на зеркало; или
б) многоэлементные оптические отражатели, положение которых
отдельно и независимо меняется посредством приложения отдельных
сил или скручивающих моментов для компенсации искажений
оптического сигнала, падающего на зеркало.
Деформируемые зеркала известны также как зеркала адаптивной
оптики (Категория 6).
Динамическая адаптивная маршрутизация - автоматическое
изменение маршрута передачи сообщений на основе измерения и
анализа текущих условий работы сети (Категория 5).
Примечание. Сюда не входят случаи решений об изменении маршрута
передачи сообщений на основе предварительно имевшейся информации.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Динамические анализаторы сигнала - анализаторы сигнала, которые
используют цифровую выборку сигнала и методы ее преобразования для
получения вида Фурье - спектра данного сигнала, включая информацию
о его амплитуде и фазе (Категория 3).
Дискретный компонент - элемент схемы в отдельном корпусе с
собственными внешними выводами.
Диффузионная сварка - твердотельное молекулярное соединение по
меньшей мере двух металлов в единое целое с общей силой,
эквивалентной силе связи слабейшего материала (Категории 1, 2, 9).
Длительность импульса - длительность импульса излучения лазера,
измеренная по половине от полной продолжительности импульса
(Категория 6).
Заготовки - монолитные массы, размеры которых подходят для
производства оптических элементов, таких, как зеркала или
оптические окна прозрачности (Категория 6).
Защита информации - все средства и функции, обеспечивающие
доступность, конфиденциальность или целостность информации или
связи, исключая средства и функции, предохраняющие от
неисправностей. Она включает криптографию, криптоанализ, защиту от
собственного излучения и защиту компьютера (Категория 5).
Техническое примечание. Криптоанализ - анализ криптографической
системы или ее входных и выходных сигналов с целью извлечения
конфиденциальных параметров или чувствительной информации, включая
открытый текст (ИСО 7498-2-1988 (Е), параграф 3.3.18).
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Измельчение - процесс измельчения материала посредством
размалывания или просеивания (Категория 1).
Изостатические прессы - оборудование, способное прессовать в
герметичном объеме в различных средах (газовой, жидкой, твердых
частицах и др.) для создания внутри этого герметичного объема
равного давления по всем направлениям на заготовку или материал
(Категория 2).
Инструментальная дальность - дальность действия РЛС,
определяемая разрешением целей на индикаторе (Категория 6).
Интенсивность двухмерных векторов - количество порождаемых в
секунду векторов, относящихся к поливекторам из 10 пикселов,
проверенных на ограниченность, ориентированных случайным образом,
со значениями координат, выраженными целыми переменными либо
переменными с плавающей точкой (какие бы из них ни соответствовали
максимальной интенсивности) (Категория 4).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Композиционный материал (композиционная структура) - матрица и
дополнительная фаза или дополнительные фазы, состоящие из частиц
армирующих наполнителей, волокон или их любого сочетания,
предназначенные для определенной цели или целей (Категории 1, 2,
6, 8, 9).
Контроллер доступа к сети - физический интерфейс распределенной
коммутационной сети. Он использует общую среду, функционирующую
при одинаковой скорости цифровой передачи с управлением (например,
контролем или обнаружением несущей) передачей. Независимо от
любого другого он выбирает пакеты данных или группы данных
(например, IEEE 802), адресованные ему. Это блок, который может
быть встроен в компьютер, или телекоммуникационное оборудование
для обеспечения доступа к системе (Категория 4).
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Контроллер канала связи - физический интерфейс, контролирующий
поток синхронной или асинхронной цифровой информации. Это блок,
который может быть встроен в компьютер, или телекоммуникационное
оборудование для обеспечения доступа к использованию связи
(Категория 4).
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Контурное управление - движение по двум или более осям с
числовым управлением, осуществляющимся в соответствии с
инструкциями, которые определяют следующее требуемое положение и
требуемые скорости подачи к этому положению. Эти скорости подачи
варьируются в связи друг с другом, что и образует искомый контур
(Категория 2).
Космические аппараты - активные и пассивные спутники и зонды
(Категории 7, 9).
Криптография - дисциплина, включающая принципы, средства и
методы преобразования информации в целях сокрытия ее содержания,
предотвращения видоизменения или несанкционированного
использования. Криптография ограничена преобразованием информации
с использованием одного или более секретных параметров (например,
криптографических переменных) или соответствующим управлением
ключом (Категория 5).
Техническое примечание. Секретный параметр - константа или
ключ, скрываемый от знания других или известный только
определенному кругу лиц.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Критическая температура (иногда называемая температурой
перехода) определенного сверхпроводящего материала - температура,
при которой материал полностью теряет сопротивление к прохождению
электрического тока (Категории 1, 3, 6).
Кулачковый эффект (эксцентриситет) - осевое смещение при одном
обороте основного шпинделя, измеренное в плоскости,
перпендикулярной планшайбе шпинделя, в точке, соседней с
окружностью планшайбы шпинделя (источник - ИСО 230/1-1986,
параграф 5.63) (Категория 2).
Лазер - совокупность компонентов, которая создает когерентное
как в пространстве, так и во времени световое излучение,
усиливаемое посредством стимулированной эмиссии излучения
(Категории 2, 3, 5, 6, 9).
Лазер с модуляцией добротности - лазер, в котором энергия
накапливается в инверсии населенности или оптическом резонаторе и
затем излучается в импульсном режиме (Категория 6).
Лазер сверхвысокой мощности - лазер, способный излучать энергию
(общую или частичную) свыше 1 кДж в течение 50 мс или имеющий
непрерывную мощность более 20 кВт (Категория 6).
Летательный аппарат - средство для воздушных полетов с
фиксированной или изменяемой геометрией крыла, вращающимся крылом
(вертолет), наклоняемым ротором или несущим крылом (Категории 1,
7, 9).
Линейность (обычно измеряется через параметры нелинейности) -
максимальное отклонение действительной характеристики (среднее по
считываниям верхней и нижней шкалы), положительное или
отрицательное, от прямой линии, расположенной таким образом, чтобы
уравнять и минимизировать максимальные отклонения (Категория 2).
Локальная сеть - система передачи данных, имеющая все следующие
характеристики:
а) позволяющая произвольному числу независимых информационных
устройств связываться непосредственно друг с другом; и
б) ограниченная географической зоной измеренных размеров
(например, пределами служебного здания, завода, группы корпусов
или складских помещений) (Категория 4).
Особое примечание. Информационное устройство означает
оборудование, обладающее способностью передавать или принимать
последовательности цифровых данных.
ЛСВМ - лазер сверхвысокой мощности (Категория 6).
Магнитные градиентометры - устройства, предназначенные для
измерения пространственных изменений магнитных полей источников,
являющихся внешними по отношению к данному прибору. Они состоят из
одного элемента, измеряющего магнитное поле, и связанного с ним
электронного блока, выходные сигналы которого являются мерой
градиента магнитного поля (Категория 6).
Магнитометры - устройства, предназначенные для измерения
магнитного поля источников, являющихся внешними по отношению к
прибору. Состоят из отдельного измерительного элемента магнитного
поля и связанного с ним электронного блока, выходной сигнал
которого является мерой магнитного поля (Категория 6).
Масштабный коэффициент (гироскопа или акселерометра) -
отношение изменения выходного сигнала к изменению входного
измеряемого сигнала. Масштабный коэффициент обычно оценивается как
наклон прямой линии, которая может быть построена методом
наименьших квадратов в соответствии с данными, полученными при
изменении входного сигнала в пределах заданного диапазона
(Категория 7).
Матрица - прочное сплошное вещество, заполненное частицами,
нитевидными кристаллами или волокнами (Категории 1, 2, 8, 9).
Мгновенная ширина полосы частот - полоса частот, в которой
уровень мощности выходного сигнала остается постоянным в пределах
3 дБ без подстройки основных рабочих параметров (Категории 3, 5,
7).
Механическое легирование - процесс легирования, возникающий в
результате прессования, дробления и нового соединения порошков и
лигатуры посредством механического воздействия (Категория 1).
Микропрограмма - последовательность элементарных команд,
хранящихся в специальной памяти, выполнение которых инициируется
запускающей командой, введенной в регистр команд.
Микросхема микропроцессора - монолитная интегральная схема или
многокристальная интегральная схема, содержащая арифметико -
логическое устройство, способное выполнять последовательности
команд общего назначения от внешней памяти (Категория 3).
Техническое примечание. Микросхема микропроцессора обычно не
содержит оперативную память доступа пользователя, хотя при
выполнении логической функции может использоваться память
интегральной схемы.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Примечание. Настоящее определение включает комплекты
интегральных схем, предназначенных для совместного выполнения
функции микросхемы микропроцессора.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Микросхема микроЭВМ - монолитная интегральная схема или
многокристальная интегральная схема, содержащая арифметико -
логическое устройство (АЛУ), способное выполнять команды общего
назначения внутреннего запоминающего устройства применительно к
данным, содержащимся во внутренней памяти (Категория 3).
Техническое примечание. Внутренняя память может быть расширена
за счет внешней памяти.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Многокристальная интегральная схема - две или более монолитные
интегральные схемы, объединенные общей подложкой (Категория 3).
Многопотоковая обработка - микропрограмма или методы
архитектуры оборудования, позволяющие одновременно осуществлять
обработку двух или более последовательностей данных под
управлением одной или более последовательностей команд посредством
таких методов, как:
а) архитектура с централизованным управлением потоком данных
(SIMD);
б) архитектура с параллельно - централизованным управлением
потоком данных (MSIMD);
в) архитектура с децентрализованным управлением потоком данных
(MIMD), включая тесно связанные, близко связанные или слабо
связанные; или
г) структурирование массивов элементов обработки, включая
систолические массивы (Категория 4).
Многоуровневая защита - класс систем, содержащих информацию
различной степени чувствительности, доступ к которым открыт для
пользователей с различными правами доступа к информации и
потребностями, но предотвращается для тех групп пользователей,
которые не имеют на это прав (Категория 5).
Техническое примечание. Многоуровневая защита является защитой
компьютера, а не его надежностью, относящейся к предотвращению
неисправности оборудования или ошибки оператора.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Монолитная интегральная схема - комбинация пассивных и (или)
активных элементов схемы, которая:
а) произведена посредством диффузионных процессов, процессов
имплантации или осаждения внутри или на поверхности отдельного
куска полупроводникового материала, так называемого кристалла;
б) может считаться неразрывно соединенной; и
в) может выполнять функции схемы (Категория 3).
Моноспектральные датчики изображений - датчики, способные
получать информацию об изображении из одного дискретного
спектрального диапазона (Категория 6).
Многоспектральные датчики изображений - датчики, способные
осуществлять одновременно или последовательно сбор информации
изображений из двух или более дискретных спектральных диапазонов.
Формирователи сигналов изображений, имеющие более двадцати
спектральных диапазонов, известны как гиперспектральные (Категория
6).
Наклоняющийся шпиндель - держащий инструмент шпиндель, который
изменяет в процессе обработки угловое положение своей центральной
оси относительно других осей (Категория 2).
Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, спроектированное или
модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности
нейронов, например, вычислительное устройство, характеризуемое
способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных
связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей
информации (Категория 4).
Непосредственное гидравлическое прессование - процесс
деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая
камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой
(Категория 2).
Оборудование терминального интерфейса - оборудование, через
которое информация поступает в телекоммуникационную систему,
например, телефон, информационное устройство ЭВМ, факсимильный
аппарат, или выходит из нее (Категория 4).
Обработка в реальном масштабе времени - обработка данных ЭВМ,
обеспечивающей необходимый уровень обслуживания, как функция
имеющихся ресурсов в течение гарантированного времени реакции
системы независимо от уровня нагрузки в условиях возбуждения
системы внешними событиями (Категории 4, 6, 7).
Обработка сигнала - обработка полученных извне сигналов,
несущих информацию посредством алгоритмов, таких, как сжатие во
времени, фильтрация, оценка параметра, селекция, корреляция,
свертка или преобразование из одной области представления в другую
(например, быстрое преобразование Фурье или преобразование Уолша)
(Категории 3, 4, 5, 6).
Общая скорость цифровой передачи - количество бит, включая
кодирование канала, избыточность и тому подобное, в единицу
времени, передаваемых между соответствующим оборудованием в
системе цифровой передачи (Категория 5).
Общее управление полетом - автоматизированное управление
переменными параметрами авиасредства и траекторией его полета с
целью выполнения поставленной задачи в соответствии с изменениями
данных о задачах, повреждениях или других авиасредствах в реальном
масштабе времени (Категория 7).
Объектный код - подлежащая исполнению форма подходящего
представления одного или более процессов (текст программы или язык
программы), которая преобразована программирующей системой
(Категории 4, 9).
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Оперативная память - основное место хранения данных или
инструкций для быстрого доступа из центрального процессора.
Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых средств
ее иерархического расширения, таких, как кэш-память или
расширенная память параллельного доступа (Категория 4).
Оптимизация траектории полета - процедура, минимизирующая
отклонения от четырехмерной (в пространстве и времени) требуемой
траектории на основе максимизации характеристик или эффективности
выполнения задачи (Категория 7).
Оптическая интегральная схема - монолитная интегральная схема
или гибридная интегральная схема, содержащая одну или более
частей, предназначенных для работы в качестве фотоприемника или
фотокатода или выполнения оптических или электрооптических функций
(Категория 3).
Оптическая коммутация - маршрутизация или коммутация сигналов в
оптической форме без преобразования в электрические сигналы
(Категория 5).
Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или
модифицированная с целью использования света для представления
данных, элементы вычислительной логики которой основаны на
непосредственно связанных оптических устройствах (Категория 4).
Оптическое усиление (в оптической связи) - метод усиления
оптических сигналов, связанных отдельным оптическим источником,
без преобразования в электрические сигналы, например, с
применением полупроводниковых оптических усилителей, волоконно -
оптических люминесцентных усилителей (Категория 5).
Основной элемент - элемент является основным в том случае,
когда стоимость его замены составляет 35% общей цены системы, к
которой относится элемент. Ценой элемента считается цена,
выплачиваемая за него производителем системы или сборщиком
системы. Общая цена является нормальной международной ценой в
месте производства или комплектации поставок (Категория 4).
Отказоустойчивость - свойство компьютерной системы после
возникновения какой-либо неисправности в ее аппаратном или
программном компонентах продолжать работу без вмешательства
человека, обеспечивать непрерывность работы, целостность данных и
восстановление работы в пределах заданного интервала времени
(Категория 4).
Отклонение углового положения - максимальная разница между
угловым положением и действительным положением по углу, измеренным
с очень высокой точностью после того, как закрепленная после
обработки деталь повернута относительно исходного положения
(Категория 2).
Относительная ширина полосы частот - мгновенная ширина полосы
частот, деленная на среднюю частоту несущей, выраженная в
процентах (Категория 3).
(термин введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Передача сигнала по общему каналу - метод передачи сигналов,
при котором по одиночному каналу между станциями обмена
посредством помеченных сообщений передается информация,
относящаяся к разнообразию схем или сигналов, и другая информация,
такая же, которая используется для управления сетью.
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Перестраиваемый лазер - лазер, способный генерировать излучение
на всех длинах волн в диапазоне нескольких переходов лазера. Лазер
с выбором некоторой линии генерирует излучение дискретных длин
волн в пределах одного перехода лазера и не считается
перестраиваемым (Категория 6).
Переходный лазер - лазер, в котором среда генерации
возбуждается посредством перехода энергии при соударениях
невозбужденного атома или молекулы с возбужденными атомами или
молекулами (Категория 6).
Персональная кредитная карточка со встроенной микроЭВМ -
карточка со встроенной микроЭВМ, которая запрограммирована для
определенного применения и не может быть перепрограммирована
пользователем для любого другого применения (Категория 5).
(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Пиковая мощность - энергия импульса в джоулях, деленная на
длительность импульса в секундах (Категория 6).
Пленочные интегральные схемы - набор элементов схемы и
металлических соединений, образованных посредством нанесения
толстой или тонкой пленки на изолирующую подложку (Категория 3).
Погрешность измерения - характеристика, определяющая, в каком
диапазоне около измеренного значения находится истинное значение
измеряемой переменной с вероятностью 95%. Она включает
нескомпенсированные систематические отклонения,
нескомпенсированный люфт и случайные отклонения (источник - ИСО
10360-2 или VDI/VDE 2617) (Категория 2).
Подложка - пластина основного материала со структурой
соединений или без нее, на которой или внутри которой могут быть
размещены дискретные компоненты или интегральные схемы, или те и
другие вместе (Категория 3).
Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических
анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала,
который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее
устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации.
Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в
реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация
канала с наибольшим значением данного параметра (Категория 3).
Постоянная времени - время, которое требуется световому стимулу
при увеличении тока, чтобы достигнуть уровня (1 - 1/е) от
конечного значения (т.е. 63% от конечного значения) (Категория 6).
Постоянный - означает, что алгоритм кодирования или сжатия не
может изменять задаваемые извне параметры (например,
криптографические параметры или параметры ключа) и не может быть
видоизменен пользователем (Категория 5).
Предварительное разделение - применение любого процесса с целью
увеличения концентрации контролируемого изотопа (Категория 1).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Применение - эксплуатация, монтажные работы (включая установку
на местах), техническое обслуживание, ремонт, капитальный ремонт,
восстановление (общее технологическое примечание, Категории 1, 2,
4 - 9).
Приспособленный для военного применения - претерпевший любые
видоизменения или отбор по определенным качествам (например, по
количеству примесей, сроку годности при хранении, вирулентности,
передаче свойств, устойчивости к воздействию ультрафиолетового
излучения) с целью повышения эффективности воздействия на людей
или животных или ухудшения характеристик оборудования, плодородия
почвы или окружающей среды (Категория 1).
Программа - последовательность команд для выполнения или
преобразования в форму, подлежащую исполнению компьютером
(Категории 2, 6).
Программируемость пользователем - наличие оборудования,
позволяющего пользователю вставлять, модифицировать или заменять
программы иными средствами, нежели:
а) физическое изменение соединений или разводки;
б) установление контроля функций, включая контроль вводимых
параметров (Категория 6).
Программное обеспечение - набор одной или более программ или
микропрограмм, записанных на любом виде носителя (весь Список).
Производство - включает все стадии: конструирование,
изготовление, сборку (установку), проверку, испытание, обеспечение
качества (общее технологическое примечание, Категория 7).
Пространственно распределенный - измерительные датчики
считаются пространственно распределенными, когда местоположение
каждого датчика удалено от местоположения любого другого более чем
на 1,5 м в любом направлении. Подвижные сенсоры всегда считаются
пространственно распределенными (Категория 6).
Прямое управление полетом - стабилизация летательного аппарата
или маневрирование источниками силы (импульса), например,
аэродинамически управляемыми плоскостями или изменением вектора
тяги (Категория 7).
Рабочие органы - захваты, активные инструментальные узлы и
любые другие инструменты, которые крепятся на опорной решетке на
конце ручного манипулятора робота (Категория 2).
Техническое примечание. Под активными инструментальными узлами
понимаются устройства для приложения к заготовке (детали) движущей
или обрабатывающей энергии или измерительных датчиков.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Разработка - все стадии работ вплоть до серийного производства,
такие, как: проектирование, проектные исследования, анализ
проектных вариантов, выработка концепций проектирования, сборка и
испытание прототипов (опытных образцов), создание схемы опытного
производства и технической документации, процесс передачи
технической документации в производство, определение проектного
облика и компоновочной схемы, макетирование (весь Список).
Разрешение - наименьшее приращение показаний измерительного
устройства; в цифровых приборах - младший значащий бит (источник -
ANSI В-89.1.12) (Категория 2).
Распределяемые Международным союзом электросвязи -
распределение частотных диапазонов в соответствии с Радиоуставом
Международного союза электросвязи (издание 1998 года) для
первичных, разрешенных и вторичных служб (Категории 3, 5).
(термин введен Указом Президента РФ от 28.09.2001 N 1156)
Особое примечание. Дополнительное и альтернативное
распределение не включается.
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 28.09.2001 N
1156)
Расширение спектра - метод, посредством которого энергия в
относительно узкополосном канале связи расширяется по значительно
более широкому энергетическому спектру (Категория 5).
Расширение спектра РЛС - любой метод модуляции для
распределения энергии сигнала, сосредоточенного в относительно
узкой полосе частот, в более широкой полосе частот посредством
применения методов случайного или псевдослучайного кодирования
(Категория 6).
Резкое охлаждение - процесс быстрого затвердевания
расплавленного металлического потока на охлаждаемом диске с
образованием изделия в виде хлопьев (Категория 1).
Особое примечание. Быстрое затвердевание - затвердевание
расплава материала при скоростях свыше 1000 К/с.
Решетка фокальной плоскости - линейная или двухмерная планарная
решетка или комбинация планарных слоев, отдельных элементов -
детекторов со считывающей электроникой или без нее, которая
работает в фокальной плоскости (Категория 6).
Примечание. Это определение не включает набор отдельных
детекторов или любых двух-, трех- или четырехэлементных детекторов
при условии отсутствия операций введения временной задержки и
интегрирования в этих элементах.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
РЛС с расширением спектра - расширение спектра РЛС (Категория
5).
РЛС с частотной ажильностью - любой метод, изменяющий в
соответствии с псевдослучайной последовательностью несущую частоту
передатчика РЛС между импульсами или группами импульсов на
величину, равную или превышающую ширину полосы частот импульса
(Категория 6).
Робот - манипулятор, который может совершать движения
непрерывным образом или между определенными точками, обладать
измерительными датчиками и иметь все следующие характеристики:
а) многофункциональность;
б) способность устанавливать в определенное положение или
ориентировать материал, детали, инструменты или специальные
устройства посредством перенастраиваемых движений в трехмерном
пространстве;
в) может управлять тремя или более сервоприборами с замкнутым
или разомкнутым контуром, в том числе шаговыми двигателями; и
г) имеет доступную пользователю возможность программирования
посредством метода обучения с запоминанием или за счет
использования компьютера, который может являться программируемым
логическим контроллером, то есть без промежуточных механических
операций (Категории 2, 8).
Примечание. Вышеприведенное определение не включает следующие
приборы:
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
а) манипуляторы, управляемые только вручную или телеоператором;
б) манипуляторы с фиксированной последовательностью операций, к
которым относятся автоматизированные движущиеся устройства,
действующие в соответствии с механически фиксируемыми
программируемыми видами движений. Программа механически ограничена
фиксаторами, такими, как штифты или кулачки. Последовательность
движений и выбор траекторий или углов не могут изменяться или
заменяться механическими, электронными или электрическими
средствами;
в) механически управляемые манипуляторы с переменной
последовательностью операций, к которым относятся
автоматизированные движущиеся устройства, действующие в
соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами
движений. Программа механически ограничена фиксированными, но
перестраиваемыми приспособлениями, такими, как штифты или кулачки.
Последовательность движений и выбор траекторий или углов являются
переменными в рамках установленной структуры программы. Изменения
или модификации структуры программы (например, изменения штифтов
или перемена кулачков) относительно движения по одной или
нескольким координатам осуществляются только посредством
механических операций;
г) несервоуправляемые манипуляторы с переменной
последовательностью действий, относящиеся к автоматизированным
движущимся устройствам, функционирующим в соответствии с
механически фиксируемыми программируемыми видами движений.
Программа подлежит изменениям, но последовательность операций
меняется только при помощи двоичного сигнала от механически
зафиксированных электрических приборов или перестраиваемых
фиксаторов;
д) подъемные устройства с приемником перфокарт, относящиеся к
числу манипуляторов в картезианских координатах, изготовленные в
качестве неотъемлемой части бункеров для хранения материалов и
предназначенные для обеспечения доступа к содержимому этих
бункеров для загрузки или разгрузки.
Сверхпластическое формование - процесс деформации с
использованием нагрева металлов, характеризующихся низкими
значениями коэффициента удлинения (менее 20%) в точке предела
прочности при обычных испытаниях модуля прочности на растяжение в
условиях комнатной температуры с целью достижения удлинений при
усилиях, меньших значения модуля прочности на растяжение по
крайней мере в два раза (Категории 1, 2).
Сверхпроводящий (на основе эффекта сверхпроводимости) - термин
относится к материалам, например, металлам, сплавам или
соединениям, которые могут терять полностью электрическое
сопротивление, например, иметь бесконечно высокую электрическую
проводимость и нести большие электрические токи без джоулева
нагрева (Категории 1, 3, 6, 8).
Техническое примечание. Сверхпроводящее состояние материала
индивидуально характеризуется критической температурой,
критическим магнитным полем, которое является функцией
температуры, и критической плотностью тока, которая является
функцией как магнитного поля, так и температуры.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Связанные - имеющие сопряжение намоток термопластичных волокон
и упрочнение волокон с целью получения комбинации армированной
волокнами матрицы в общей волоконной форме (Категория 1).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 04.01.1999 N 6.
Сжатие импульса - кодирование и обработка сигнала РЛС большой
длительности, преобразующие его в сигнал малой длительности с
сохранением преимуществ высокой энергии импульса (Категория 6).
Симметричный алгоритм - криптографический алгоритм,
использующий один и тот же ключ как для шифрования, так и для
расшифровывания (Категория 5).
Техническое примечание. Симметричный алгоритм обычно
применяется для обеспечения конфиденциальности информации.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
(определение введено Указом Президента РФ от 29.02.2000 N 447)
Синтезатор частот - любой вид генератора сигнала или источника
частот, обеспечивающих независимо от используемого метода
генерации набор одного или нескольких одновременно или попеременно
генерируемых сигналов, целенаправленно извлекаемых или
синхронизируемых с помощью меньшего числа стандартов частоты
(Категория 3).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Системы контроля направления или противовращения с
контролируемой циркуляцией - системы контроля, которые используют
воздушные потоки вдоль аэродинамических поверхностей для усиления
или контроля сил, порождаемых поверхностями (Категория 7).
Скачкообразная перестройка частоты - разновидность расширения
спектра, при которой изменение пропускания частот по одному каналу
связи производится отдельными ступенями (Категория 5).
(абзац введен Указом Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Скорость дрейфа (гироскопа) - скорость, производная по времени
отклонения от требуемого выходного сигнала. Она состоит из
случайной и систематической компонент и выражается как
эквивалентное входное угловое смещение относительно инерциального
пространства в единицу времени (Категория 7).
Скорость передачи данных - скорость, при определении которой в
соответствии с Рекомендацией 53-36 Международного союза связи
(МСЭ) учитывается, что при недвоичной модуляции скорости передачи
в бодах и битах в секунду не равны. Должны учитываться биты
кодирования, проверки и синхронизации (Категория 5).
Примечание. При определении скорости передачи данных служебный
и административный каналы должны быть исключены.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Техническое примечание. Это максимальная скорость передачи в
одном направлении, т.е. максимальная скорость либо приема, либо
передачи.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Скорость цифровой передачи - общая скорость передачи информации
в битах, которая непосредственно передается через любой тип среды
(см. также "Общая скорость цифровой передачи") (Категория 5).
Смещение (акселерометра) - выходной сигнал акселерометра в
отсутствие приложенного ускорения (Категория 7).
Совокупная теоретическая производительность - мера
производительности вычислений, выраженная в миллионах
теоретических операций в секунду (Мтопс), полученная в результате
агрегирования вычислительных элементов (Категории 3, 4).
Особое примечание. См. технические примечания к Категории 4.
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Составной вращающийся стол - стол, позволяющий вращать и
наклонять деталь вокруг двух непараллельных осей, управление по
которым может координироваться для получения контуров (контурное
управление) (Категория 2).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Спиннингование расплава - процесс быстрого затвердевания потока
расплавленного металла, падающего на вращающийся охлаждаемый диск,
формирующий продукт в виде проволоки, ленты или частиц в форме
чешуек или хлопьев (Категория 1).
Стабильность - стандартная девиация (1 сигма) вариации
некоторого параметра от его калиброванного значения, измеренная в
стабильных температурных условиях. Выражается как функция времени
(Категория 7).
СТП - совокупная теоретическая производительность (Категория
4).
Суммарная плотность тока - общее число ампер - витков в
соленоиде (т.е. сумма числа витков, умноженная на максимальный ток
каждого витка), разделенное на общую площадь поперечного сечения
соленоида (включая сверхпроводящие витки, металлическую матрицу, в
которую заключены сверхпроводящие витки, материал оболочки, канал
охлаждения и так далее) (Категория 3).
Суперсплавы - сплавы на основе никеля, кобальта или железа,
прочность которых превышает прочность любого сплава серий AISI 300
при температуре свыше 922 K (649 град. C) в напряженных условиях
функционирования и окружающей среды (Категории 2, 9).
Текст программы (или исходный язык) - соответствующее
представление одного или более процессов, которые могут быть
преобразованы программирующей системой в форму, исполняемую
оборудованием (объектный код или объектный язык) (Категории 4 - 7,
9).
Технология - специальная информация, которая требуется для
разработки, производства или применения оборудования. Информация
может принимать форму технических данных или технической помощи.
Контролируемая технология определена в общем технологическом
примечании и настоящем Списке.
Технические примечания. 1. Технические данные могут принимать
такие формы, как светокопии, планы, диаграммы, модели, формулы,
таблицы, технические проекты и спецификации, руководства
пользователя и инструкции в рукописном виде или записанные на
других носителях, таких, как диск, лента, ПЗУ.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
2. Техническая помощь может принимать такие формы, как
инструктаж, приобретение навыков, обучение, производственные
знания, консультационные услуги. Техническая помощь может включать
передачу технических данных.
Точность - обычно измеряемое через погрешность максимальное
отклонение, положительное или отрицательное, указанной величины от
принятого стандартного или истинного значения (Категории 2, 6).
Траектории систем - обработанные коррелированные (синтез данных
РЛС о цели с позицией летного задания) и обновленные сведения
(отчеты) о положении самолета в полете, представляемые диспетчерам
центра управления воздушным движением (Категория 6).
Требуемая - применительно к технологии означает только ту часть
технологии, которая позволяет достигнуть или превысить
контролируемые уровни характеристик или функций. Такая требуемая
технология может содержаться в технологии производства различного
оборудования (Категории 6, 9, общее технологическое примечание).
Углеродные волокнистые преформы - упорядоченно расположенные
непокрытые или покрытые волокна, используемые для составления
матричного каркаса для формирования композиционного материала.
(определение введено Указом Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Улучшение качества - алгоритмическая обработка изображений с
целью извлечения заключенной в них информации посредством таких
алгоритмов, как сжатие во временной области, фильтрация, оценка
параметров, селекция, корреляция, свертка или преобразования между
различными областями представления (например, быстрое
преобразование Фурье или Уолша). Она не включает алгоритмы с
использованием только линейного преобразования или вращения
отдельного изображения, такие, как сдвиг, извлечение признаков,
регистрация или неправильная раскраска (Категория 4).
Управление мощностью - измерение мощности передаваемого
альтиметром сигнала так, что мощность принятого сигнала на высоте
летательного аппарата всегда поддерживается на минимальном уровне,
требуемом для определения высоты (Категория 7).
Управляемое встроенной программой - метод управления,
использующий команды, встроенные в электронную память, которые
процессор может исполнять для управления какими-либо заданными
функциями (Категории 2, 3, 5).
Техническое примечание. Оборудование может быть управляемым
встроенной программой независимо от того, расположена ли
электронная память снаружи или внутри данного оборудования.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Уровень шума - электрический сигнал, выраженный через параметры
спектральной плотности шума. Соотношение между уровнем шума и
пиковым уровнем выражается формулой SE2pp = 8No(f2 - f1), где Spp
- пиковый уровень сигнала (например, в нанотеслах), No -
спектральная плотность мощности [например, (нанотесла)E2/Гц] и (f2
- f1) - полоса частот (Категория 6).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
ФАДЕК (полностью автономный электронно - цифровой контроллер
двигателя - FADEC) - электронная система управления турбинным
двигателем или двигателем комбинированного цикла с использованием
цифровой ЭВМ для управления переменными параметрами, регулирующая
тягу двигателя или уровень выходной мощности, снимаемой с вала, в
диапазоне условий работы двигателя от начала регулирования расхода
топлива до окончания его подачи (Категории 7, 9).
Фазированная антенная решетка с электронным сканированием луча
- антенна, формирующая луч посредством выбора фазовых соотношений
(то есть направление луча управляется выбором комплексных
коэффициентов возбуждения излучающих элементов и может изменяться
(как при приеме, так и при передаче) по углу азимута и углу места
или обоим направлениям посредством приложения электрического
сигнала) (Категории 5, 6).
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Фундаментальные научные исследования - экспериментальные или
теоретические работы, ведущиеся главным образом с целью получения
новых знаний об основополагающих принципах или наблюдаемых фактах,
не направленные в первую очередь на достижение конкретной
практической цели или решение конкретной задачи (общее
технологическое примечание).
Химический лазер - лазер, в котором возбужденная среда
формируется за счет энергии химической реакции (Категория 6).
Центробежное распыление - процесс превращения потока или
находящегося в ванне расплавленного металла посредством
центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее (Категория
1).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Цифровая ЭВМ - аппаратура, которая может в форме одной или
более дискретных переменных выполнять все следующие функции:
а) принимать вводимые данные;
б) хранить данные или команды в постоянных или изменяемых
(переписывающих) устройствах хранения;
в) обрабатывать данные посредством записанной
последовательности предписаний, которые могут видоизменяться; и
г) обеспечивать вывод данных (Категории 4, 5).
Техническое примечание. Видоизменения записанной
последовательности команд включают замену устройств постоянной
памяти, но не физические изменения проводимых соединений или
внутренних контактов.
(в ред. Указа Президента РФ от 09.08.2000 N 1477)
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N
1477.
Числовое программное управление - автоматическое управление
процессом, осуществляемое устройством, использующим числовые
данные, обычно вводимые по мере протекания процесса (источник -
ISO 2382) (Категория 2).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 29.02.2000 N
447.
ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток
данных и их преобразование могут контролироваться динамически на
уровне логической схемы пользователя (Категория 4).
Эквивалентная плотность - отношение оптической массы к единице
оптической площади, спроецированной на оптическую поверхность
(Категория 6).
(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.1999 N 6)
Экспертные системы - системы, обеспечивающие результаты
посредством применения правил к информации, которая хранится
независимо от программы, и обладающие любым из следующих свойств:
а) автоматической модификацией текста программы, введенной
пользователем;
б) обеспечением знаний, связанных с некоторым классом проблем в
квазиестественном языке; или
в) приобретением знаний, требуемых для их разработки
(символьное обучение) (Категории 4, 7).
Экстракция расплава - процесс экстракции и быстрого
затвердевания продукта в виде ленты или нитей сплава посредством
введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в
ванну с расплавленным металлическим сплавом (Категория 1).
Электронная сборка - некоторое количество электронных
компонентов (например, элементов схемы, дискретных компонентов,
интегральных схем и так далее), соединенных для выполнения
определенной(ых) функции(й), подлежащих замене и разборке
(Категории 3 - 5).
Определение исключено. - Указ Президента РФ от 09.08.2000 N
1477.
Эффективный грамм - для изотопа плутония определяется как вес
изотопа в граммах (Категория 1).
|
