СОГЛАШЕНИЕ
МЕЖДУ ПРАВИТЕЛЬСТВОМ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
И ПРАВИТЕЛЬСТВОМ РЕСПУБЛИКИ БЕЛОРУССИЯ
О СОТРУДНИЧЕСТВЕ В ОБЛАСТИ СОЗДАНИЯ
ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО И КОНТРОЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ
ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 0,8 - 0,5 МКМ
Правительство Российской Федерации и Правительство Республики
Белоруссия, в дальнейшем именуемые Сторонами, основываясь на
положениях:
Соглашения о научно-техническом сотрудничестве в рамках
государств - участников Содружества Независимых Государств,
подписанного 13 марта 1992 г.,
Соглашения об общих условиях и механизме поддержки развития
производственной кооперации предприятий и отраслей государств -
участников Содружества Независимых Государств, подписанного 23
декабря 1993 г.,
согласились о нижеследующем:
Статья 1
Стороны обеспечат необходимые условия для реализации
совместной российско-белорусской научно-технической программы
"Разработка и создание оптико-механического и контрольного
оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с
топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм" (далее именуется -
Программа), являющейся неотъемлемой частью настоящего Соглашения.
Статья 2
Органами, ответственными за реализацию обязательств Сторон по
настоящему Соглашению, являются:
с Российской Стороны - Государственный комитет Российской
Федерации по оборонным отраслям промышленности;
с Белорусской Стороны - Министерство промышленности Республики
Белоруссия.
Статья 3
Ответственные органы в 3-месячный срок после вступления в силу
настоящего Соглашения определят головных исполнителей Программы с
каждой Стороны и заключат с ними соответствующие договоры.
Статья 4
Финансирование работ осуществляется в пределах ежегодных
бюджетных ассигнований на указанные цели в соответствии с
Программой в порядке, согласованном ответственными органами и
министерствами финансов Российской Федерации и Республики
Белоруссия.
Статья 5
По завершении разработки отдельных типов оборудования
Российская Сторона пользуется преимущественным правом на его
приобретение при серийном производстве.
Порядок распределения прибыли от реализации серийной
продукции, созданной в рамках настоящего Соглашения, определяется
контрактами (договорами), заключенными предприятиями Российской
Федерации и Республики Белоруссия.
Статья 6
Взаимные поставки сырья, материалов, полуфабрикатов,
комплектующих изделий, оборудования, учебного и вспомогательного
имущества, услуги технологического и научно-технического характера
в рамках настоящего Соглашения осуществляются в соответствии с
законодательством Российской Федерации и законодательством
Республики Белоруссия на основе контрактов (договоров),
заключаемых их хозяйствующими субъектами.
Статья 7
Каждая из Сторон не будет продавать и передавать третьей
стороне, в том числе иностранным физическим и юридическим лицам и
международным организациям, взаимопоставляемую и созданную в
рамках настоящего Соглашения продукцию, научную и техническую
информацию о ней, результаты исследований, а также использовать
изобретения, ноу-хау без предварительного разрешения
ответственного органа другой Стороны.
Статья 8
Разногласия в связи с толкованием и применением положений
настоящего Соглашения разрешаются Сторонами путем переговоров.
Статья 9
Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет
автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни
одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не
позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия
Соглашения о своем намерении прекратить его действие.
Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными
уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого
внутригосударственных процедур *.
Совершено в Москве 13 июня 1996 г. в двух экземплярах на
русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.
(Подписи)
* Соглашение вступило в силу 16 июля 1996 г.
ПРИЛОЖЕНИЕ
к Соглашению между Правительством
Российской Федерации и Правительством
Республики Белоруссия о сотрудничестве
в области создания оптико-механического
и контрольного оборудования для
производства сверхбольших интегральных
схем с топологическими элементами
0,8 - 0,5 мкм
Совместная российско-белорусская
научно-техническая программа "Разработка и создание
оптико-механического и контрольного оборудования
для производства сверхбольших интегральных схем
с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм"
1. Введение
Процессы литографии являются определяющими при проектировании
и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются -
СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического
оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и
переноса изображения служат базисом создания нового поколения
СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в
качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку
нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное
оборудование и т. д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие
шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация
промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки
автоматического совмещения и т. д.).
Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не
является искусственной, а определяет соответствующий уровень
технологии производства, в которой доминирующими являются
литографические процессы.
2. Исполнители Программы
Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия
микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии,
входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным
технологиям "Субмикро". Головными организациями по ее выполнению
определены: с Российской Стороны - научно-техническая ассоциация
"Субмикро", с Белорусской Стороны - государственный научно-
производственный концерн точного машиностроения "Планар".
3. Цель Программы
Целью настоящей Программы является разработка и создание
оптико-механического и контрольного оборудования для производства
СБИС с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм и отработка
технологических процессов на его базе.
4. Основные показатели Программы
4.1. Технология 0,6 - 0,8 мкм:
Прецизионность - +0,15 мкм.
Погрешность совмещения - не более 0,15 мкм.
Размер единичного модуля - 20 Х 20 мм.
Диаметр пластин - 150 мм.
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05
дефектов/кв.см на слой.
Производительность - не менее 40 пластик/час (диаметр 150 мм,
площадь единичного модуля 400 кв.мм).
4.2. Технология 0,5 мкм
Прецизионность - +0,1 мкм.
Погрешность совмещения - не более 0,1 мкм.
Размер единичного модуля - 15 Х 20 мм.
Диаметр пластин - 150 мм.
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05
дефектов/кв.см на слой.
Производительность - не менее 30 пластин/час (диаметр 150 мм,
площадь единичного модуля 300 кв.мм).
5. Основные этапы выполнения Программы
5.1. Разработка и изготовление установок проекционной
фотолитографии с совмещением:
степперы для СБИС 0,8 мкм;
степперы для СБИС 0,6 мкм;
степперы для СБИС 0,4 - 0,5 мкм.
5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для
промежуточных шаблонов.
5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного
оборудования, всего 9 наименований.
5.4. Отработка технологических процессов - по мере готовности
оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях
ведущих предприятий микроэлектроники России.
6. Ожидаемые результаты реализации Программы
Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое
технологическое оборудование проекционной литографии для
дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС. динамических
оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых
матричных кристаллов на 100 000 - 1 000000 логических вентилей,
32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60 200 МГц.
Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет
обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию
внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит
достижение 70 - 80 процентов выхода годных СБИС при условии
решения всех остальных технологических проблем.
Экономический эффект от реализации настоящей Программы
составит 80 - 100 миллиардов рублей в год в ценах мая 1995 г.
7. Финансирование Программы
(млн. рублей в ценах мая 1995 г.)
Затраты В том числе
Стороны всего 1996 г. 1997 г. 1998 г. 1999 г.
Российская Федерация 24 000 2 000 16 000 6 000 -
Республика Белоруссия 24 000 2 000 8 000 10 000 4 000
Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской
Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов
оборудования.
Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20 25
степперов и 30 - 40 единиц контрольного оборудования в год
эквивалентны затратам Российской Стороны.
8. План реализации Программы
Объемы финансирования
N Наименование Сроки (млн. рублей в ценах мая 1995 г.)
пп оборудования выполнения Ожидаемые результаты
1996 1997 1998 всего
год год год
1 2 3 4 5 6 7 8
1. Установка совмещения и мульти- апрель 650 2900 350 3900 Разработка технического задания.
пликации для изготовления СБИС 1996 г.- Разработка, изготовление и испытание
технологического уровня 0,8 мкм апрель двух опытных образцов, корректиров-
(размер модуля 16Х16 мм с прора- 1998 г. ка технической документации.
боткой возможности увеличения до Принятие темы, определение объема
20 Х 20 мм) дальнейшего выпуска
2. Экспериментальная установка сов- апрель
мещения и мультипликации для из- 1996 г.- 300 1700 1200 3200 Разработка технического задания.
готовления СБИС технологического декабрь Разработка, изготовление и испытание
уровня 0,6 мкм (размер модуля 1998 г. экспериментального образца, коррек-
15 X 15 мм и 10 Х 20 мм с проработ- тировка технической документации.
кой возможности увеличения до Принятие темы, определение порядка
20 Х 20 мм) дальнейшей работы
3. Экспериментальная установка сов- октябрь 50 2050 1900 4000 Разработка технического задания.
мещения и проекционного глубоко- 1996 г.- Разработка, изготовление и испытание
го ультрафиолетового экспонирова- декабрь экспериментального образца, коррек-
ния с мультипликацией для иссле- 1998 г. тировка технической документации.
дования ультрабольших и сверхско- Принятие темы, определение порядка
ростных интегральных схем тех- дальнейшей работы
нологического уровня 0,5 мкм (раз-
решение 0,35 - 0,45 мкм, размер мо-
дуля 10 Х 20 мм с проработкой воз-
можности увеличения до 15 Х 20 мм)
4. Установка лазерного устранения июль 50 1700 250 2000 Разработка технического задания.
дефектов промежуточных шабло- 1996 г.- Разработка базовой установки комби-
нов июнь нированной ретуши промежуточных
1998 г. шаблонов, изготовление опытного об-
разца, корректировка технической до-
кументации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
5. Доработка и изготовление установ- июнь 200 900 100 1200 Разработка технического задания.
ки контроля топологии на проме- 1996 г.- Доработка установки, изготовление
жуточных шаблонах (ЭМ-6029A) с май опытного образца, корректировка тех-
адаптацией к системе автоматизи- 1998 г. нической документации.
рованного проектирования заказ- Принятие темы, определение объема
чика дальнейшего выпуска установок
контроля топологического рисунка для
СБИС динамических оперативных запо-
минающих устройств класса 16 мегабит
6. Установка автоматического контро- август 60 1115 525 1700 Разработка технического задания.
ля привносимых дефектов проме- 1996 г.- Разработка, изготовление и испытание
жуточных шаблонов декабрь опытного образца, корректировка тех-
1998 г. нической документации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
7. Автоматизированный микроскоп июль 125 840 210 1175 Разработка технического задания.
для оперативного визуального кон- 1996 г.- Разработка микроскопа для контроля
троля промежуточных шаблонов с декабрь промежуточных шаблонов с пелликла-
пленочной защитой 1998 г. ми, изготовление опытного образца,
корректировка технической докумен-
тации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
8. Доработка опытного образца уста- май 180 870 - 1050 Разработка технического задания.
новки контроля микродефектов на 1996 г.- Доработка установки автоматического
полупроводниковых пластинах (ЭM- декабрь контроля дефектов уровня СБИС дина-
6669) с автоматизированной загруз- 1997 г. мических оперативных запоминающих
кой устройств класса 16 мегабит, изготов-
ление опытного образца, корректиров-
ка технической документации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
9. Доработка опытного образца уста- июль 80 340 - 420 Разработка технического задания.
новки контроля макродефектов 1996 г.- Доработка установки контроля дефек-
(ЭМ-6079) декабрь тов технологической обработки пла-
1997 г. стин, изготовление двух опытных об-
разцов, корректировка технической до-
кументации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
10. Установка измерения координат июль 75 975 125 1175 Разработка технического задания.
элементов топологии промежуточ- 1996 г.- Разработка установки, обеспечивающей
ных шаблонов с контролем совме- август контроль промежуточных шаблонов
щаемости комплекта 1998 г. уровня СБИС динамических оператив-
ных запоминающих устройств 16 - 64
мегабит, изготовление опытного образ-
ца, корректировка технической доку-
ментации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
11. Установка контроля профиля полу- июль 50 730 270 1050 Разработка технического задания.
проводниковых структур с автома- 1996 г.- Разработка установки контроля техно-
тической загрузкой декабрь логических структур, изготовление
1998 г. опытного образца, корректировка тех-
нической документации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
12. Модернизация установки измере- август 100 790 185 1075 Разработка технического задания.
вия микроразмеров (ЭМ-6059) 1996 г.- Модернизация установки измерения
июль микроразмеров, изготовление опытного
1998 г. образца, корректировка технической
документации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
13. Зондовый автомат для пластин диа- июль 80 1090 885 2055 Разработка технического задания.
метром 200 мм и элементом контак- 1996 г.- Разработка зондового автомата, изго-
тирования 1 мкм ноябрь товление двух опытных образцов, кор-
1998 г. ректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема
дальнейшего выпуска
ИТОГО: 2000 16000 6000 24000
Примечания
1. В процессе выполнения настоящая Программа может
корректироваться по согласованию Сторон.
2. Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением
осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным
технологиям "Субмикро".
|
